KR920020644A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(e)는 본 발명에 따른 제조공정도이다.
Claims (2)
- 반도체기판상의 액티브 영역에 LOCOS공정으로 성장된 산화막의 버드 비크 형상을 따라 저농도 불순물이 주입된 소오스 및 드레인 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 LDD 구조의 반도체 장치.
- 액티브 영역상의 게이트 형성영역과 필드 영역에 산화막을 성장시키는 공정과, 상기 게이트 형성영역상의 산화막을 버드 비크 부분만 남기고 식각하여 반도체기판을 노출시키는 공정과, 상기 노출된 부분에 폴리실리콘으로 된 게이트를 형성하는 공정과, 소오스 및 드레인 영역의 형성을 위해 소정의 도전형의 고농도 불순물을 이온 주입하는 공정과, 남아있는 엑티브 영역상의 산화막을 제거하고 소정의 도전형의 저농도 불순물을 이온주입하는 공정으로 이루어진 LDD 구조의 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910005919A KR940002758B1 (ko) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
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Publications (2)
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| KR920020644A true KR920020644A (ko) | 1992-11-21 |
| KR940002758B1 KR940002758B1 (ko) | 1994-04-02 |
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ID=19313225
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Country Status (1)
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1991
- 1991-04-12 KR KR1019910005919A patent/KR940002758B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR940002758B1 (ko) | 1994-04-02 |
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