KR920013650A - 반도체 소자 테스트 패턴 - Google Patents

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KR920013650A
KR920013650A KR1019900020948A KR900020948A KR920013650A KR 920013650 A KR920013650 A KR 920013650A KR 1019900020948 A KR1019900020948 A KR 1019900020948A KR 900020948 A KR900020948 A KR 900020948A KR 920013650 A KR920013650 A KR 920013650A
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KR
South Korea
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semiconductor device
test pattern
device test
diffusion layer
forming
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Application number
KR1019900020948A
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Inventor
김충현
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

반도체 소자 테스트 패턴
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도와 제2도는 본 발명을 설명하기 위한 도면.

Claims (1)

  1. 기판에 제1확산층을 정방향 또는 장방향으로 형성하고 각 방향에 상기 제1확산층과 일정한 비율의 거리를 갖는 제2확산층을 형성하여 이루어짐을 특징으로하는 반도체 소자 테스트 패턴.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900020948A 1990-12-18 1990-12-18 반도체 소자 테스트 패턴 KR920013650A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100315534B1 (ko) * 1996-08-13 2001-11-29 크리트먼 어윈 엠 개선된 펀넬을 구비한 컬러 수상관

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KR100315534B1 (ko) * 1996-08-13 2001-11-29 크리트먼 어윈 엠 개선된 펀넬을 구비한 컬러 수상관

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