KR920006440Y1 - 전자식 네온 안정기의 무부하시 과출력 방지회로 - Google Patents

전자식 네온 안정기의 무부하시 과출력 방지회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

전자식 네온 안정기의 무부하시 과출력 방지회로
제1도는 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전원부 2, 3 : 전압강하회로
4 : 하프브리지회로 5 : 네온관
6 : 과출력방지회로 7 : 분활회로
Q1-Q2: 트랜지스터 D1-D3: 다이오드
L1-L3: 코일 R1-R2: 저항
DIAC : 다이액 TS1--TS2: 트랜스
본 고안은 전자식 네온 안정기에 있어서 네온관이 없는 무부하상태일때 트랜스로 부터 고압이 출력되지 않도록하는 무부하시 과출력방지 회로에 관한 것이다.
일반적으로 하프브리지회로를 사용하여 전자식 네온안정기를 구성할 경우 콘덴서 용량을 조절함으로서 네온관의 종류에 따라 적절한 전류를 공급할 수는 있으나 네온관이 없는 무부하 상태일 경우에도 트랜스로부터 고압이 계속 발생되어 막대한 전련손실뿐만 아니라 누설에 의해 감전사고의 원인이 될수있어 실용화되기에는 많은 문제점이 야기되었던 것이다.
따라서 본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 하프브리지회로를 사용한 전자식 네온안정기에 다이오드와 하프브리지회로를 사용한 전자식 네온안정기에 다이오드와 트랜지스터 및 저항 코일로 이루어진 과출력 방지회로를 부가하여 부하 또는 무부하 상태를 트랜지스터에서 감지하고 무부하시 하프브리지의 트랜지스터구동신호를 그라운드로 흘려보내어 고압발생트랜스가 동작되지 않도록 하는 전자식 네온안정기의 과출력 방지회로를 제공함으로서 불필요한 전력 소모를 방지하고 누설로 인한 감전요인을 사전에 예방하여 전자식 네온안정기의 신뢰성향상에 기여하고자 하는데 본고안의 목적이 있는 것이다.
이하 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도에서와 같이 하프브리지회로(4)를 이용한 통상의 전자식네온안정기에 있어서 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2)베이스단에는 다이오드(D1)(D2)를 통하여 트랜지스터(Q3) 콜렉터축에 접속하되 트랜스(TS2)에 의해 전압이 유기되는 코일(L8)측은 다이오드(D3)와 저항(R1)(R2)을 거쳐 트랜지스터(Q3) 베이스단에 접속한 과출력 방지회로(6)를 부가한 것이다.
상기와 같은 구성으로 이루어진 본고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저 입력단으로 부터 AC 220V전압이 인가되면 전원부(1)에서 돌입전류의 방지와 노이즈제거 및 DC로 정류하여 안정된 전압을 불활회로(7)에 전송시킴으로서 트랜스(TS1)(TS2)로 구동전원을 인가하게 되나, 하프브리지회로(4)의 트랜스(TS1) 2차측코일(L1)(L2)에 유기되는 전압을 전압강하회로(2)(3)에서 트랜지스터(Q1)(Q2)베이스에 유입되는 바이어스전압을 조절하여 스위칭동작이 되도록 하고 또한 다이액(DIAC)으로 부터 발생되는 트리거신호에 의해 트랜지스터(Q2)를 온,오프시킴으로서 트랜스(TS2)에서 고압이 출력되어 내온관(5)에 공급하게 된다.
이때 트랜스(TS2)의 발생전압은 네온관(8)이 연결되지 않을 경우 즉 무부하시에는 2만LV 전압이 발생되고 네온관(8)이 접속되어 있는 경우 즉 부하시에는 9KV로 강하된다. 만일 네온관(5)이 연결되어 있는 부하시일경우 트랜스(TS2)의 9KV전압이 과출력방지회로(6)인 코일(L3)에 유기되고, 다이오드(D3)에서 전류과정을 거친후 저항(R1)(R2)으로 분압되어 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되나 턴온 상태로 전환시킬 수 있는 충분한 전압이 되지 않는다.
따라서 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2)는 온, 오프동작을 계속하여 네온관(5)에 정상적인 전압 및 전류를 공급하게 되는 것이다.
한편 네온관(5)이 트랜스(TS2)에 접속되지 않는 무부하상태일 경우 트랜스(TS2)의 고압은 2만KV로 상승되고 이러한 전압은 과출력 방지회로(6)의 코일(L3)에 유기되어 다이오드(D3)에서 정류된후 저항(R1)(R3)으로 분압되어져 트랜지스터(Q3) 베이스에 인가되나 이때의 전압은 트랜지스터(Q3)를 도통시킬만큼 충분한 전압이되어 상기 트랜지스터(Q3)는 턴온상태로 전환됨으로서 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2) 구동전압은 과출력방지회로(6)의 다이오드(D1)(D2)와 트랜지스터(Q3)를 통하여 그라운드로 흘려 보냄에 따라 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2)가 온, 오프상태를 반복하지 않게되어 트랜스(TS2)는 고압을 발생시키지 못하게 되는 것이다.
이상에서 상술한 바와 같이 작용하는 본고안은 하프브리지회로(4)를 이용한 전자식 네온안정기에 다이오드(D1-D3)와 트랜지스터(Q3) 및 저항(R1)(R2) 그리고 코일(L3)로 구성된 과출력방지회로(6)를 부가하여 부하시 또는 무부하시에 변화되는 전압 검출하고 이의 결과에 따라 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2) 구동전압을 공급 및 차단함으로서 필요치 않는 전력 손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 누설시 감전사고 요인을 사전에 예방토록 하여 전자식 네온안정기의 신뢰성 향상에 기여할 수 있는 유용한 고안인 것이다.

Claims (1)

  1. 하프브리지회로(4)를 이용한 통상의 전자식 네온안정기에 있어서 하프브리지회로(4)의 트랜지스터(Q1)(Q2) 베이스단에는 다이오드(D1)(D2)를 통하여 트랜지스터(Q3) 콜렉터측에 접속하되 트랜스(TS2)에 의해 전압이 유기되는 코일(L3)측은 다이오드(D3)와 저항(R1)(R2)을 거쳐 트랜지스터(Q3) 베이스단에 접속한 과출력방지회로(6)를 부가한 것을 특징으로하는 전자식 네온안정기의 무부하시 과출력 방지회로.
KR2019900009744U 1990-07-04 1990-07-04 전자식 네온 안정기의 무부하시 과출력 방지회로 KR920006440Y1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377636B1 (ko) * 1999-10-13 2003-03-29 김갑진 건축용 배수관 연결구의 이물질 제거장치

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