KR920001282Y1 - 전화기에 있어서 과전압 보호회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

전화기에 있어서 과전압 보호회로
제1도는 종래의 회로도.
제2도는 본 고안에 따른 회로도.
본 고안은 전화기에 있어서, 과전압 보호회로에 관한 것으로, 특히 과전압 및 과전류 인입시 전화기의 통화 및 각부회로를 보호할 수 있는 회로에 관한 것이다.
일반적으로 전화기에서 과전압 보호방식은 어레스터(Arrestor)또는 트랜실 다이오드(Transil Diode)만으로 구성되어 있으나 통화중 상태에서 과전류 입력시 실제로 루우프를 형성하는 회로부분 즉, 트랜지스터등이 파괴되는 현상이 초래되어 왔었다. 상기 종래의 문제점을 제1도를 참조하여 상세히 설명하면, 일반적으로 온후크 다이얼링 기능을 가진 전화기에서 지금까지는 과전압 보호를 어레스터(A)로써 보호하였다.
즉, 어레스터(A)는 300V이상일때 온이되어 쇼트가 되므로 만약 100㎃, 800V 정도의 과전압 인입시 어레스터(A)는 온이되어 브리지 다이오드(BD) 뒷단(11)에는 300V정도 인입되고 트랜지스터(Q1,Q2)은 약 400V까지 견딜 수 있게 과전압용 트랜지스터로 설계하여 사용하였다.
상기한 바와 같이 과전압 과전류(800V,1000㎃)인입시 어레스터(A)가 온이 된다. 이때 300V정도가 트랜지스터(Q2)의 에미터에 인가되고 핸드세트 스위치(H/S)가 통화중 상태이면, 다이오드(D1,D2)(IN4148)와 저항(R1)을 통해 트랜지스터(Q1)의 베이스에 과전류가 흐른다. 상기 과전류가 트랜지스터(Q1)에서 증폭되어 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 관전류가 흐르면, 즉, 트랜지스터(Q2)의 베이스 전류가 과전류이기 때문에 순간적으로 트랜지스터(Q2)가 파괴된다.
따라서 본 고안의 목적은 통화중 상태에서 전화기로 과전류 인입시 과전류로 부터 보호하여 전화기의 품질향상 및 신뢰성을 높일 수 있는 회로를 제공함에 있다.
이하 본 고안을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 회로도로서, 라인(L1-L2)으로부터 어레스터(A) 및 쵸크코일(CH)을 접속한 후 브리지 다이오드(BD)를 연결하고, 상기 브리지 다이오드( BD)의 전단 링거회로(300)와 트랜스포머(Tr2)와 스피커(SP)로 구성된 링거부(301 )를 연결하며, 상기 브리지 다이오드(BD)의 후단에 저항(R13)을 통해 후크스위치(H/ S) 및 온후크 다이얼링 스위치(OHD S/W), 뮤직은 홀드스위치(MOH S/W)를 지나 O HD콘트롤회로(400)의 출력단에 다이오드(D24)를 가진 OHD회로부(401)와, 상기 다이오드(D24)의 캐소드측 노드(21)에 저항(R34)을 통해 트랜지스터(Q32)의 베이스를 연결하고 상기 트랜지스터(Q32)의 콜렉터에 저항(R32)을 통해 트랜지스터(Q31)의 베이스를 연결한 과전압 인입 보호부(501)와, 다이얼링회로(500), 통화회로(600) 및 트랜지포머(Tr1), 앰프회로(750)를 구비한 온후크 다이얼링 및 뮤직은 홀드기능을 가진 전화기에 있어서, 상기 휴크스위치(H/S)의 노드(22)로부터 다이오드(D32,D16 )를 직렬로 연결하여 상기 다이오드(D24)의 캐소드노드(21)에 연결하고, 상기 노드(2 2)로 부터 저항(R68,R69)를 병렬로 결합하여 트랜지스터(Q33)의 베이스에 연결된 다.
따라서 본 고안의 구체적 일실시예를 제2도를 참조하여 상세히 설명하면, 라인( L1)과 (L2)으로 과전압, 과전류(800V,1000㎃)인입시 어레스터(A)로 보호해 주지만 실제 소비자 사용할 때는 즉 핸드세트를 들고 통화중일 경우에는 트랜지스터(Q32)에 과전류가 흐르고 트랜지스터(Q31)가 견디지 못하고 파괴되는 현상을 방지하기 위하여 저항(R68)과 (R69), 트랜지스터(Q33)을 사용하여 일정 전압이상 전압이 인가시에는 트랜지스터(Q33)을 온(saturation)시켜 트랜지스터(Q32)의 베이스 전류가 많이 흐르는 것을 방지한다.
상기 회로는 OHD(on hook dialing)기능을 가진 전화기에 적용될 수 있으면 루프를 형성하는 트랜지스터(Q31)와 트랜지스터(Q32)를 사용한 회로 방식에는 공히 적용이 될 수 있다.
상기 회로에서 일정전압 이상일 때 트랜지스터(Q33)가 온된다. 즉 일정전합은 저항(R68)(R69)의 전압 분배로써 가능한데, 일정전압을 계산하면 트랜지스터(Q33)이 포화상태일 때 베이스 전압(VBE＝0.86V)은 트랜지스터(Q33)의 베이스에0.86V가 공급되기 위해서 브리지 다이오드(BD)의 출력 전압(VA)은
즉, 상기 계산에서 VA=188V는 브리지 다이오드(BD)의 출력단에 188V이상의 전압이 유입될때는 저항(R68)(R69)에 의해 트랜지스터(Q33)가 온이 되어 트랜지스터(Q32) 베이스 전압이 0.2V이하로 됨으로써 트랜지스터(Q32)가 오프되고 트랜지스터(Q31)도 오프되어 트랜지스터(Q31)이 과전압에만 견디면 트랜지스터(Q32)의 파괴는 생기지 않는다.
지금까지는 핸드세트를 들었을때 트렌지스터(Q31,Q32)이 항상 동작상태로 있기 때문에 트랜지스터(Q32)의 베이스 전류에 증폭된 만큼의 트랜지스터(Q31)의 에미터에서 콜렉터로 흐르는 전류가 너무 커서 트랜지스터(Q31)가 견디지 못했었다.
즉 300V인가시에 기존방식에서 트랜지스터(Q31)에 흐르는 전류를 계산하면, 브리지 다이오드(BD)의 출력단에 300V이면 트랜지스터(Q32)의 베이스 전류는
트랜지스터(Q32)의 콜렉터 전류는 ICI=IBI×hfe(hfe을 100으로 봤을때)=4. 2㎃, 트랜지스터(Q32)의 콜렉터 전류가 트랜지스터(Q31)의 베이스 전류이므로 Q321 c1=Q31B2이나 트랜지스터(Q31)의 베이스에 1.5K가 있으므로 최대 전류는 트랜지스터(Q31)의 베이스로 흐를 수 있는 최대전류는이다.
즉, IB2가 200㎃이면 Ic2는 Ic2=200㎃×80×1.6A(Q31의 hfe=80인 경우)가 트랜지스터(Q31)에 순간적으로 1.6A의 전류가 흐르는데 실제 트랜지스터(Q31)의 순간 최대 퍼스전류는 1A가 최대이므로 트랜지스터(Q31)는 파괴된다.
상기 설명에서와 같이 트랜지스터와 저항을 사용한 회로를 추가하면 브리지 다이오드(BD)의 출력단에 188V이상의 전압이 공급될때 트랜지스터(Q31)이 온되어 트랜지스터(Q31,Q32)가 오프됨으로써 트랜지스터(Q31)는 과전압 300V에서만 견딜 수 있으면 된다.
상술한 바와 같이 과전압 보호회로를 사용함으로서 실제전화기에 과전압이 인입시 루프를 형성하는 트랜지스터를 보호함으로 품질을 안정시키고, 신뢰성을 높일 수 있는 이점이 있다.

Claims (1)

  1. 라인(L1－L2)으로부터 어레스터(A) 및 쵸크코일(CH)을 접속한 후 브리지 다이오드(BD)를 연결하고, 상기 브리지 다이오드(BD)의 전당 링거회로(300)와 트랜스포머(Tr2)와 스피커(SP)로 구성된 링거부(301)를 연결하며, 상기 브리지 다이오드( BD)의 후단에 저항(R13)을 통해 후크스위치(H/S) 및 온후크 다이얼링 스위치(OHD S/W), 뮤직은 홀드스위치(MOH S/W)를 지나 OHD콘트롤회로(400)의 출력단에 다이오드(D24)를 가진 OHD회로부(401)와, 상기 다이오드(D24)의 캐소드측 노드(21)에 저항(R34)을 통해 트랜지스터(Q32)의 베이스를 연결하고 상기 트랜지스터(Q32)의 콜렉터에 저항(R32)을 통해 트랜지스터(Q31)의 베이스를 연결한 과전압인입 보호부( 501)와, 다이얼링회로(500), 통화회로(600) 및 트랜스포머(Tr1), 앰프회로( 750)를 구비한 온후크 다이얼링 및 뮤직은 홀드기능을 가진 전화기에 있어서, 상기 후크스위치 (H/S)의 노드(22)로부터 다이오드(D32,D16)를 직렬로 연결하여 상기 다이오드(D2 4)의 캐소드노드(21)에 연결하고, 상기 노드(22)로부터 저항(R68,R69)를 병렬로 결합하여 트랜지스터(Q33)의 베이스에 연결하고, 콜렉터가 트랜지스터(Q32)의 베이스에 연결됨을 특징으로 하는 과전압 보호회로.
KR2019890009015U 1989-06-28 1989-06-28 전화기에 있어서 과전압 보호회로 KR920001282Y1 (ko)

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