KR100255378B1 - 메시지대기링 발생회로 - Google Patents

메시지대기링 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100255378B1
KR100255378B1 KR1019970076028A KR19970076028A KR100255378B1 KR 100255378 B1 KR100255378 B1 KR 100255378B1 KR 1019970076028 A KR1019970076028 A KR 1019970076028A KR 19970076028 A KR19970076028 A KR 19970076028A KR 100255378 B1 KR100255378 B1 KR 100255378B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
ring
message waiting
transistor
diode
Prior art date
Application number
KR1019970076028A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990056052A (ko
Inventor
길태영
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970076028A priority Critical patent/KR100255378B1/ko
Publication of KR19990056052A publication Critical patent/KR19990056052A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100255378B1 publication Critical patent/KR100255378B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/02Current supply arrangements for telephone systems providing ringing current or supervisory tones, e.g. dialling tone or busy tone
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2201/00Electronic components, circuits, software, systems or apparatus used in telephone systems
    • H04M2201/02Diodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2201/00Electronic components, circuits, software, systems or apparatus used in telephone systems
    • H04M2201/04Transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Devices For Supply Of Signal Current (AREA)

Abstract

본 발명은 키폰시스템에서 링신호를 수신하여 메시지대기링을 발생시키는 회로를 개시하고 있다. 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로는 링신호를 입력하기 위한 입력단과; 메시지대기링을 출력하기 위한 출력단과; 애노드단자와 캐소드단자를 구비하고 있으며, 상기 입력단에 상기 캐소드단자가 접속되어 상기 입력단으로 입력된 상기 링신호의 플러스성분을 제거시켜 상기 애노드단자로 출력하는 다이오드와; 상기 다이오드의 애노드단자에 접속된 컬렉터단자와, 상기 출력단에 접속된 이미터단자와, 베이스단자를 구비하고 있으며 상기 이미터단자로 상기 메시지대기링을 출력하는 트랜지스터와; 상기 다이오드의 애노드단자와 상기 트랜지스터의 베이스단자에 접속되는 저항과; 상기 트랜지스터의 베이스단자에 애노드단자가 접속되며 접지단에 캐소드단자가 접속되는 제너다이오드를 적어도 포함하여 이루어진다. 이러한 본 발명은 제너전압에 의존하는 낮은 전압값을 가지는 메시지대기링을 출력하므로, 국가에서 요구하는 안전규격에 맞출 수 있으며, 또한 별도로 메시지대기링을 발생시키는 회로를 구비시키지 않아도 되는 효과가 있다.

Description

메시지대기링 발생회로
본 발명은 메시지대기 기능을 서비스하는 키폰시스템에 관한 것으로, 특히 링신호를 수신하여 메시지대기링을 발생시키는 회로에 관한 것이다.
키폰시스템과 같은 교환시스템은 가입자에게 다양한 서비스를 제공하고 있는데, 일예로 가입자에게 메시지대기(Message Waiting) 기능이라는 서비스가 제공되고 있다. 여기서 메시지대기 기능이란 다른 내선에서 호출을 한 후 응답이 없는 경우에 전화기상에 설치된 램프를 특정주기로 점멸시키고, 이에 가입자가 응답하는 경우에 노말모드로 돌아가도록 하는 기능이다. 이러한 기능을 위해서는 메시지대기용 전화기가 요구되는데, 메시지대기용 일반전화기란 일반전화기에서 한단계 더 발전한 것으로, 일반전화기와 동일한 구성을 가지며 부가적으로 팁(TIP)단과 링(RING)단에 병렬로 연결되는 네온램프을 더 가지고 있다. 이때 네온램프는 적은 전류와 높은 전압으로 구동되는 특징이 있다.
한편 위에서 설명한 바와 같이 메시지대기 기능에 따르면 결과적으로 팁단과 링단의 사이에 병렬로 접속된 램프를 구동시킬 것이 요구된다. 이러한 요구는 교환시스템내에 구비된 링발생기(Ring Generator)를 통해서 이루어진다. 보다 구체적으로 말하면, 상기 링발생기로부터 통화요구에 따라 송출되는 링신호를 이용하여 메시지대기 기능을 위한 램프를 구동시키게 된다. 이러한 동작을 위한 종래 기술에 따른 메시지대기링 발생회로가 도 1에 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 링발생기로부터 발생된 링신호(RING)가 정류다이오드(D)에 의해 반파정류된다. 이 반파정류된 신호는 병렬접속된 저항(R2)과 캐패시터(C)를 거쳐 메시지대기링(MWRING)으로서 발생된다. 이때 발생되는 메시지대기링은 120∼140볼트(V)의 직류(DC)전압으로 출력되어 메시지대기 기능을 위한 램프를 구동시키게 된다.
위에서 살펴본 바와 같이 종래 기술에 따라 발생되는 메시지대기링은 매우 높은 전압값과 낮은 전류값을 갖는다는 특징이 있다. 이에 따라 대부분의 국가에서는 엄격한 안전규격을 적용하여 메시지대기링이 상기와 같이 매우 높은 메시지대기링으로서 직접 제공되도록 하지 않고 수정하여 제공되도록 할 것을 요구하고 있다. 이러한 요구를 해소시키는 방법으로는 링신호의 피크피크전압(peak-to-peak voltage)을 낮추거나 링발생기와는 별도로 메시지대기링을 발생하는 장치를 구비시키는 방법이 있다. 그러나 이를 위해서는 별도의 장비를 구비시켜야하는 만큼 교환시스템이 복잡해진다는 단점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 낮은 전압을 가지는 메시지대기링을 발생하여 안전규격에 적합하도록 하는 회로를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 메시지대기링을 발생시키기 위해 별도의 장비를 사용하지 않고도 메시지대기링을 발생시킬 수 있는 메시지대기링 발생 회로를 제공함에 있다.
이러한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로는 링신호를 입력하기 위한 입력단과; 메시지대기링을 출력하기 위한 출력단과; 애노드단자와 캐소드단자를 구비하고 있으며, 상기 입력단에 상기 캐소드단자가 접속되어 상기 입력단으로 입력된 상기 링신호의 플러스성분을 제거시켜 상기 애노드단자로 출력하는 다이오드와; 상기 다이오드의 애노드단자에 접속된 컬렉터단자와, 상기 출력단에 접속된 이미터단자와, 베이스단자를 구비하고 있으며 상기 이미터단자로 상기 메시지대기링을 출력하는 트랜지스터와; 상기 다이오드의 애노드단자와 상기 트랜지스터의 베이스단자에 접속되는 저항과; 상기 트랜지스터의 베이스단자에 애노드단자가 접속되며 접지단에 캐소드단자가 접속되는 제너다이오드를 적어도 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로는 제너전압에 의존하는 낮은 전압값을 가지는 메시지대기링을 출력하므로, 국가에서 요구하는 안전규격에 맞출 수 있는 효과가 있다. 또한 별도로 메시지대기링을 발생시키는 회로를 구비시키지 않아도 되는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 메시지대기링 발생회로의 구성을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로의 구성을 보여주는 도면.
이하 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의내려진 용어들로서 이는 사용자 또는 칩설계자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로, 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로의 구성을 보여주는 도면으로, 이 회로는 별도로 구비된 것이 아니고 도 1에 도시된 종래 기술과 마찬가지로 링발생기로부터 제공되는 링신호(RING)를 입력하여 메시지대기링(MWRING)을 발생시킨다.
도 2를 참조하면, 메시지대기링 발생회로의 입력단(2)으로 링발생기에 의해 발생된 링신호가 입력된다. 다이오드(D)는 상기 입력단(2)에 접속된 캐소드단자와 트랜지스터(Q)의 컬렉터단자에 애노드단자가 접속되어, 입력단(2)으로 입력되는 링신호의 플러스(plus)성분을 제거시켜 출력한다. 즉, 상기 다이오드(D)는 링신호의 마이너스(minus)성분만을 출력하게 된다.
피엔피(PNP)형 트랜지스터(Q)의 컬렉터단자는 상기 다이오드(D)의 애노드단자에 접속되며, 베이스단자는 저항(R)의 일측과 제너다이오드(ZD)의 애노드단자에 접속되며, 이미터단자는 출력단(4)과 캐패시터(C)의 (-)단자에 접속된다. 상기 트랜지스터(Q)는 이미터단자를 통해 결과적으로 메시지대기링(MWRING)을 출력한다.
저항(R)은 다이오드(D)의 애노드단자와 트랜지스터(Q)의 베이스단자에 접속되어 트랜지스터(Q)의 기준전압(reference voltage)을 공급해주는 역할을 한다. 제너다이오드(ZD)의 애노드단자는 상기 트랜지스터(Q)의 베이스단자에 접속되어 있으며 캐소드단자는 접지단에 접속되어 있다. 이 제너다이오드(ZD)는 전압을 조정하는 역할을 한다. 캐패시터(C)는 (+)단자가 상기 접지단에 접속되고 (-)단자가 상기 트랜지스터(Q)의 이미터단자와 함께 출력단(4)에 접속되어 메시지대기링(MWRING)의 전압을 안정화시켜 출력시키는 역할을 한다.
지금, 링발생기에 의해 발생된 링신호(RING)가 입력단(2)으로 공급되면, 정류 다이오드(D)는 일차적으로 링신호(RING)의 플러스부분을 제거시켜 출력한다. 이와 같이 다이오드(D)로부터 플러스부분이 제거된 링신호(RING)가 출력되므로, 메시지대기링(MWRING)의 전압이 일반전화기로 공급되는 전원과 극성이 같게 된다. 즉, 상기 다이오드(D)는 메시지대기링(MWRING)의 전압과 일반전화기로 공급되는 전원의 극성이 같도록 하는 역할을 담당한다.
다이오드(D)의 애노드단자를 통해 플러스부분이 제거된 링신호(RING)가 출력되면, 저항(R)은 트랜지스터(Q)의 베이스단자로 전류를 공급하여 트랜지스터(Q)의 기준전압을 잡아주게 된다. 이때 루프식을 적용하면, 트랜지스터(Q)는 동작하여 VOUT=VZ-VEB의 전압값을 가지는 메시지대기링(MWRING)을 이미터단자를 통해 출력단(4)으로 출력한다. 여기서 VOUT은 메시지대기링(MWRING)의 전압을 나타내고, VZ는 제너다이오드(ZD)에 의한 제너전압을 나타내고, VEB는 트랜지스터(Q)의 이미터단자와 베이스단자 양단의 전압을 나타낸다.
상기 식을 살펴보면, VOUT은 링신호의 전압값과는 전혀 무관하며, 제너전압 VZ와 트랜지스터(Q)의 이미터-베이스 양단 전압 VEB에 의존함을 알 수 있다. 이때 트랜지스터(Q)의 이미터-베이스 양단 전압 VEB은 0.6∼0.7V로 일정하므로, 결과적으로 메시지대기링(MWRING)의 전압값 VOUT은 제너전압 VZ에 의존하게 된다.
이러한 결과를 분석해보면, 메시지대기링의 전압은 종래 기술과 같이 링신호를 직접 인가하는 사용하는 경우처럼 매우 높은 전압이 아님을 알 수 있다. 또한 별도로 메시지대기링을 발생시키기 위한 회로를 구비시키지 않아도 됨을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 메시지대기링 발생회로는 제너전압에 의존하는 낮은 전압값을 가지는 메시지대기링을 출력한다. 이에 따라 국가에서 요구하는 안전규격에 맞출 수 있다. 또한 별도로 메시지대기링을 발생시키는 회로를 구비시키지 않아도 되므로, 교환시스템의 구성이 복잡해지지도 않는다는 이점이 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 않되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (3)

  1. 메시지대기링 발생회로에 있어서,
    링신호를 입력하기 위한 입력단과,
    메시지대기링을 출력하기 위한 출력단과;
    애노드단자와 캐소드단자를 구비하고 있으며, 상기 입력단에 상기 캐소드단자가 접속되어 상기 입력단으로 입력된 상기 링신호의 플러스성분을 제거시켜 상기 애노드단자로 출력하는 다이오드와;
    상기 다이오드의 애노드단자에 접속된 컬렉터단자와, 상기 출력단에 접속된 이미터단자와, 베이스단자를 구비하고 있으며 상기 이미터단자로 상기 메시지대기링을 출력하는 트랜지스터와;
    상기 다이오드의 애노드단자와 상기 트랜지스터의 베이스단자에 접속되는 저항과,
    상기 트랜지스터의 베이스단자에 애노드단자가 접속되며 접지단에 캐소드단자가 접속되는 제너다이오드를 적어도 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 피엔피(PNP)형 트랜지스터임을 특징으로 하는 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접지단과 상기 출력단의 사이에 접속되어 상기 메시지대기링을 안정화시켜 출력하는 캐패시터를 더 구비함을 특징으로 하는 회로.
KR1019970076028A 1997-12-29 1997-12-29 메시지대기링 발생회로 KR100255378B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970076028A KR100255378B1 (ko) 1997-12-29 1997-12-29 메시지대기링 발생회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970076028A KR100255378B1 (ko) 1997-12-29 1997-12-29 메시지대기링 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990056052A KR19990056052A (ko) 1999-07-15
KR100255378B1 true KR100255378B1 (ko) 2000-05-01

Family

ID=19529168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970076028A KR100255378B1 (ko) 1997-12-29 1997-12-29 메시지대기링 발생회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100255378B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438179B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-01 엘지전자 주식회사 디씨 전압 발생 장치 및 디씨 전압 안정화 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990056052A (ko) 1999-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4803719A (en) Method for powering telephone apparatus and telephone apparatus powered directly from the telephone line without external power
KR100663987B1 (ko) 스위칭 전원 장치
KR100255378B1 (ko) 메시지대기링 발생회로
US4648109A (en) Light emitting diode message waiting lamp circuit
KR987000794A (ko) 회로 배열(circuit arrangement)
FI990844A (fi) Päätelaitteen palvelukomponenttien hallinta
GB2182527A (en) Telephone circuit
US6914980B2 (en) Power switch device utilizing phone loop signals to control supply of electrical power to a telephony instrument
KR970077033A (ko) Crt 보호 장치
KR940001493Y1 (ko) 분기된 전화기를 이용한 멜로디홀드 자동 해제회로
JP3047992U (ja) 呼出音発生装置
DE69531720D1 (de) Rufgeneratorschaltung
KR0136483Y1 (ko) 스탠바이 회로
JP2538227Y2 (ja) 電話着信報知用電源供給回路
KR200181634Y1 (ko) 휴대 전화 단말 장치의 전력단 전류 소모 감소 장치
KR100251693B1 (ko) 피시엠 단국장치에서 이엔엠 시그날링 검출 및 송출회로
KR100584368B1 (ko) 소용량 교환기의 전화기를 구동시키기 위한 직류전압 변환기및 그 방법
KR940002727Y1 (ko) 전화기의 전원공급회로
KR200176773Y1 (ko) 보류음자동해제회로
KR100232725B1 (ko) 키폰시스템에서 루프 다이얼링회로
FR3116632B1 (fr) Carte à microcircuit
KR100255377B1 (ko) 교환기의 가입자부에서 왜곡방지장치
KR920001282Y1 (ko) 전화기에 있어서 과전압 보호회로
JPH01245639A (ja) ラストナンバリダイヤルメモリ消去機能付電話機
JP2506967Y2 (ja) 着信ベル光表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130130

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140128

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150129

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee