KR910019330A - 히스테리시스 컴퍼레이터 - Google Patents

히스테리시스 컴퍼레이터 Download PDF

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KR910019330A
KR910019330A KR1019910006366A KR910006366A KR910019330A KR 910019330 A KR910019330 A KR 910019330A KR 1019910006366 A KR1019910006366 A KR 1019910006366A KR 910006366 A KR910006366 A KR 910006366A KR 910019330 A KR910019330 A KR 910019330A
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요시히로 요시다
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
    • H03K3/0233—Bistable circuits
    • H03K3/02337—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

히스테리시스 컴퍼레이터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 히스테리시스 컴퍼레이터에 대해 나타낸 회로도, 제 2 도는 상기 제 1 도에 도시된 히스테리시스 컴퍼레이터의 구체적인 구성을 나타낸 회로도, 제 3 도는 상기 제 2 도에 도시된 히스테리시스 컴퍼레이터의 동작경로를 나타낸 도면, 제 4 도는 상기 제 1 도에 도시된 히스테리시트 컴퍼레이터의 다른 구성을 상기 제 5 도에 도시된 히스테리시스 컴퍼레이터의 구체적인 구성을 타나낸 회로도.

Claims (7)

  1. 콜렉터가 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 제 1 입력단자(102)에 접속되며 에미터가 제 1 전류원(I1)을 매개하여 제 2 전원단자(104)에 접속되는 젭트랜지스터(Q1)와, 콜렉터가 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 제 2 입력단자(103)에 접속되며 에미터가 제 2 전류원(I2)을 매개하여 상기 제 2 전원단자(104)에 접속되는 제 2 트랜지스터(Q2), 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1,Q2)의 에미터 전압차를 검출함으로써 상기 제 1 및 제 2 전류원(I1,I2)중 적어도 한쪽을 가변으로 만드는 검출가변수단(105)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 검출가변수단(105)은 베이스가 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터에 접속되고 에이터가 제 3 전류원(I3)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 3 트랜지스터(Q3)와, 베이스가 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 에미터에 접속되고 에미터가 상기 제 3 전류원(I3)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 4 트랜지스터(Q4) 및, 상기 제 3 및 제 4 트랜지스터(Q3,Q4)의 콜렉터전류로 상기 제 1 및 제 2 전류원(I1,I2)중 적어도 한쪽을 가변으로 만드는 가변수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 검출가변수단(105)은 베이스가 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터에 접속되는 제 3 트랜지스터(Q5)와, 베이스가 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 에미터에 접속되는 제 4 트랜지스터(Q6), 베이스가 제 3 전류원(I3)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 에미터가 상기 제 3 트랜지스터(Q5)의 에미터에 접속되는 제 5 트랜지스터(Q7), 베이스가 상기 제 3전류원(I3)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 에미터가 상기 제 4 트랜지스터(Q6)에미터에 접속되는 제 6 트랜지스터(Q8) 및, 상기 제 3 및 제 4 트랜지스터(Q5,Q6)의 콜렉터전류로 상기 제 1 및 제 2 전류원(I1,I2)중 적어도 한쪽을 가변으로 만드는 가변수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  4. 콜렉터가 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 제 1 입력단자(102)에 접속되며 에미터가 제 1 전류원(I1)을 매개하여 제 2 전원단자(104)에 접속되는 제 1 트랜지스터(Q1)와, 콜렉터가 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 상기 제 1 입력단자(102)에 접속되며 에미터가 제 2 전류원(I11)을 매개하여 상기 제 2 전원단자(104)에 접속되는 제 2 트랜지스터(Q11), 콜렉터가 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 제 2 입력단자(103)에 접속되며 에미터가 제 3 전류원(I2)을 매개하여 상기 제 2 전원단자(104)에 접속되는 제 3트랜지스터(Q2), 콜렉터가 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되고 베이스가 상기 제 2 입력자(103)에 접속되며 에미터가 제 4 전류원(I12)을 매개하여 상기 제 2 전원단자(104)에 접속되는 제 4 트랜지스터(Q12) 상기 제 1, 제 2 , 제 3, 제 4트랜지스터(Q1,Q11,Q2,Q12)의 에미터 전압차를 검출함으로써 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4전류원(I1,I11,I2,I12)중 적어도 하나를 가변으로 만드는 검출가변수단(105)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 트랜지스터(Q1,Q11,Q2,Q12)중 적어도 하나의 에미터면적이 여타트랜지스터와 다른 값으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 검출가변수단(105)은 베이스가 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터에 접속되고 에이터가 제 5 전류원(15)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 5 트랜지스터(Q3)와, 베이스가 상기 제 2 트랜지스터(Q11)의 에미터에 접속되고 에미터가 상기 제 5 전류원(15)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 6 트랜지스터(Q13), 베이스가 상기 제 3 트랜지스터(Q2)의 에미터에 접속되고 에미터가 상기 제 5 전류원(15)을 매개하여 상기 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 7 트랜지스터(Q4), 베이스가 상기 제 4 트랜지스터(Q12)의 에미터에 접속되고 에미터가 상기 제 5 전류원 (I5)을 매개하여 제 1 전원단자(101)에 접속되는 제 8 트랜지스터(Q14) 및, 상기 제 5, 제 6, 제 7, 제 8 트랜지스터(Q3,Q13,Q4,Q14)의 콜렉터전류로 상기 제 1 , 제 2 , 제 3, 제 4 전류원(I1,I11,I2,I12)중 적어도 하나를 가변으로 만드는 가변수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 5, 제 6, 제 7, 제 8 트랜지스터(q3,q13,q4,q14)중 적어도 하나의 에미터면적이 여타 트랜지스터와 다른 값으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 히스테리시스 컴퍼레이터.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910006366A 1990-04-21 1991-04-20 히스테리시스 컴퍼레이터 KR950001920B1 (ko)

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KR950001920B1 KR950001920B1 (ko) 1995-03-06

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