KR910013518A - 전하검출장치 및 전하검출방법 - Google Patents
전하검출장치 및 전하검출방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910013518A KR910013518A KR1019900020999A KR900020999A KR910013518A KR 910013518 A KR910013518 A KR 910013518A KR 1019900020999 A KR1019900020999 A KR 1019900020999A KR 900020999 A KR900020999 A KR 900020999A KR 910013518 A KR910013518 A KR 910013518A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- charge
- semiconductor substrate
- detection
- carrier
- ion beam
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24495—Signal processing, e.g. mixing of two or more signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온주입장치의 개략설명도.
제2도는 요부의 단면도.
Claims (4)
- 반송체(1)에 의해 운반되는 피반송체(2)의 전하검출장치에 있어서, 상기 피반송체(2)와 대향하는 위치에 배설된 검출전극(12), 외부전계로부터 차폐된 보조전극(13), 게이트 전계를 변화시키고 전하량의 변화에 따르는 출력을 귀하는 전계효과 트랜지스터(15), 상기 검출전극(12) 및 보조전극(13), 이 전계효과 트랜지스터의 게이트의 접속을 절환하는 스위치장치(14)로 구성되는 것을 특징으로 하는 피반송체의 전하검출장치.
- 반송체(1)에 의해 운반되는 피반송체(2)의 전하검출장치에 있어서, 상기 피반송체와 대향하는 위치에 배설된 검출전극(12), 이 검출전극과 게이트가 접속되고 게이트 전계가 변화함으로써 전하량의 변화에 따라 출력을 구하는 전계효과 트랜지스터(15), 상기 피반송체(2)와 상기 검출전극(12)과의 사이에 배설된 차폐전극(22), 이 차폐전극의 접지, 비접지를 절환하는 스위칭장치(24)로 구성되는 것을 특징으로 하는 피반송체의 전하검출장치.
- 회전디스크(1)에 배설된 반도체기판(2)에 이온비임 발생장치로부터 사출된 이온비임을 조사하여 이온을 주입하는 이온주입장치에 사용되는 반도체기판의 저하 검출장치에 있어서, 상기 반도체기판에 대향하는 위치에 배설된 검출전극(32) 및 이 검출전극과 게이트가 접속된 전계효과 트랜지스터(33)로 이루어진 전하검출기(4a, 4b)를 상호간에 간격을 두고 다수개 설치하고, 또한 이 검출전극(32)에 유기된 전하에 의해 게이트 전계를 변화시켜 전하량에 따르는 출력을 귀하고, 각각의 전하검출기(4a, 4b)의 출력을 이용해 반도체기판(2)의 전하의 감쇄 특성을 산출하고, 이온비임이 반도체기판(2)에 조사된 직후의 전하량을 산출하는 연산회로(43)을 설치한 것을 특징으로 하는 피반송체의 전하검출장치.
- 회전디스크(1)에 배설된 반도체기판(2)에 이온비임발생장치(3)로 부터 조사된 이온비임을 조사해 이온비임을 주입하는 이온주입장치에 적용되는 반도체기판(2)의 전하검출방법에 있어서, 상기 반도체기판(2)에 각각 대향하는 위치에 간격을 두고 배설된 다수의 검출전극의 전압을 측정하고, 그 측정전압에 의거하여 반도체 기판(2)의 전하의 감쇄특성을 산출하고, 산출된 감쇄특성에 의해 이온비임이 반도체기판(2)에 조사된 직후의 전하량을 산출하는 것을 특징으로 하는 피반송체의 전하검출 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-331835 | 1989-12-20 | ||
JP1331835A JPH03192646A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体基板の電荷検出装置及び電荷検出方法 |
JP2202061A JPH0486574A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 被搬送体の帯電電位計測装置 |
JP2-202061 | 1990-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910013518A true KR910013518A (ko) | 1991-08-08 |
KR950000430B1 KR950000430B1 (ko) | 1995-01-19 |
Family
ID=26513163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900020999A KR950000430B1 (ko) | 1989-12-20 | 1990-12-19 | 전하검출장치 및 전하검출방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5138173A (ko) |
KR (1) | KR950000430B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6797967B1 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for dose control during an ion implantation process |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4675530A (en) * | 1985-07-11 | 1987-06-23 | Eaton Corporation | Charge density detector for beam implantation |
-
1990
- 1990-12-17 US US07/628,815 patent/US5138173A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-19 KR KR1019900020999A patent/KR950000430B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950000430B1 (ko) | 1995-01-19 |
US5138173A (en) | 1992-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3686807D1 (de) | Anordnung und verfahren zum photoelektrischen umformen von licht in elektrische signale. | |
JPS51130093A (en) | Injector radiation shielding device and radioactive serum inspecting method | |
OA06575A (fr) | Procédé et dispositif de prospection géophysique à courants transitoires. | |
SE8004273L (sv) | Forfarande och anordning for detektering av alfa-emitterande emnen | |
Manfredotti et al. | A particular application of GaSe semiconductor detectors in the neutrino experiment at CERN | |
KR930014870A (ko) | 집속이온빔을 이용한 집적회로의 동작분석방법 및 그 장치 | |
KR910013518A (ko) | 전하검출장치 및 전하검출방법 | |
IT1094562B (it) | Dispositivo per il rilevamento di guasti di cuscinetti di macchine elettriche | |
JPS53141583A (en) | Integrated-circuit semiconductor device of field effect type | |
Sullivan | Transient radiation-induced response of MOS field effect transistors | |
DE69010390D1 (de) | Ionisationskammer. | |
JPS5322379A (en) | Junction type field eff ect transistor | |
JPS5693339A (en) | Function test device of integrated circuit | |
JPS53148964A (en) | Processing system for semiconductor element sample | |
JPS5740619A (en) | Light detection system | |
JPS51124436A (en) | Corona electrification device | |
SE8700645D0 (sv) | Jonisationsdetektor | |
JPS55149855A (en) | Noise reducing circuit in noncontact type electrometer | |
Weatherford et al. | Examination of the SEU sensitivity of GaAs MESFETs via 2-D computer simulation and picosecond charge collection experiments | |
JPS57158576A (en) | Radiant ray measuring device | |
RU1308024C (ru) | Детектор мощности дозы нейтронного излучени | |
JPS5384191A (en) | Detecting device of spot turned out in cable | |
SE8804013L (sv) | Anordning foer detektering av laeckage i ett parti av ett relativt anordningen roerligt objekt | |
JPS57168104A (en) | Flexible vibration measuring device for rotary body | |
JPS5780571A (en) | Surface potential measuring apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030114 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |