KR910006730B1 - 기판 지지형 광 도파관을 포함하는 장치와 그 제조방법 - Google Patents

기판 지지형 광 도파관을 포함하는 장치와 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

기판 지지형 광 도파관을 포함하는 장치와 그 제조방법
제1도는 본 발명의 양호한 실시태양으로서, 병행 기판 지지형 도파관을 포함하는 광 결합기(optical coupler)의 개략적인 평면도.
제2도는 제1도의 광 결합기의 개략적인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 실리콘 기판 12,13 : 도파관
14,15,16 및 17 : 광섬유 21 : 제1클래딩 층
22 : 습윤 층 23 : 제2클래딩 층
본 발명은, 예로, 광 통신 시스템에서 사용될 수 있는 바와같이 기판 지지형(substrate-wupported) 도파관을 포함하는 장치에 관한 것이다.
광 통신이 가입자 루프와 근거리 통신망의 분야로 진입함에 따라, 결합기에서 그리고, 예로 공통 기판상의 광원 및 검출기와 같은 광 성분 장치사이에서 예정된 광 경로를 형성하는 기판 지지형 도포관의 실행 가능성에 관심이 고조되고 있다. 이러한 관점에서, 병행 결합에 적합한 저 손실 도파관을 형성하기 위한 수단이 매우 바람직하다고 생각된다.
광 소자와 조립체의 제조에 있어서, 기판 지지형 도파관은 하나 또는, 여러 광 모드의 전송을 위해 제공된다. 양호한 광 도파관은 제1클래딩상에 코어 부분을 포함하며, 그러한 도파관은 평활 표면 또는 상부 제2클래딩 층과의 코어- 클래딩 공유접촉면을 갖는다. 더욱이, 코어-클래딩 습윤 층을 포함함으로써, 양호한 코어 프로파일은 코어와 제1클래딩 층 사이에서 요각부 없이 원활한 천이를 제공한다. 그 결과로 생성된 도파관은 도파관들과 측방향(무한소계) 결합에 바람직한 근접 이격병행 관계로 만들어질 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
제1도는 유리로 덮힌 실리콘 기판(11)과, (제2도에 도시된 바와같이 제1 및 제2클래딩 층 사이의)기판 지지형 도파관 코어(12) 및 (13)와, 상기 도피관(12) 및(13)과 정렬된 광 섬유(14),(15),(16) 및 (17)를 도시한다.
제2도는 기판(11)과, 상기 기판(11)상의 제1도파관 클래딩 층(21)과, 상기 층(21)상의 도파관 코어(12) 및 (13)와, 습윤 층(22)과, 제2클래딩 층(23)을 도시한다.
실리콘과는 다른 물질, 예로, Ⅲ-V족 반도체 물질이 기판 물질로서 사용될 수 있다 : 유사하게, 예로 용융 실리카 또는 세라믹 물질과 같은 절연 물질이 사용될 수 있다. 제1도파관 클래딩 층(21)은 기판-표면 반응에 의해 침착 또는 획득될수도 있다 : 예를들면, 실리콘 기판의 경우, 층(21)은 기판 표면 물질의 열적 산화에 의해 획득된 "열적 성장" 실리콘 산화물 층 일수도 있다(그러한 산화는 고압의 증기하에서 행하는 것이 유리하다.)
도파관(12) 및 (13)의 물질은, 도파목적을 위하여, 층(21)을 이루는 물질의 굴절율보다 큰 굴절율을 갖는다. 예를들면, 층(21)이 본질적으로 실리콘 이산화물로 이루어져 있을 때, 도파관(12) 및 (13)의 물질은, 예를들면, 도판트로서 오산화인을 포함함으로써 얻어진 인 규산(phosphosilicate)유리와 같은 도우프된 실리카 기저 유리일 수도 있다. 다른 도판트 중에는 게르마늄 및 티타늄 이산화물이 있다: 또한 한가지 이상의 도판트를 포함하는 많은 적합한 화합물이 있다. 기판 지지형 도파관이 광섬유와 결합되는 경우, 도파관 폭 및 높이는 대략적으로 동일한 것이 바람직하며 : 광섬유와 도파관과의 양호한 정렬 방식에 대해서는 예로는 G.E. Blonder 10으로 명시된 특허출원 "Device Including a Component in Alighment with a Substrate-Supported Waveguilde"를 참조할 것.
제2클래딩 층(23)의 물질은 도파관 코어 물질의 굴절율보다 작은 굴절율을 갖는다 : 편리하게는, 층(23)의 물질은 층(21)의 물질과 동일할 수 있다. 또한, 층(23)은 공기가 도파관 코어 물질에 비해서 저 굴절율 물질로 작용하므로써 생략될 수 있다.
1.3 마이크로미터의 파장 또는 그 부근의 파장(1.2 내지 1.6 마이크로미터의 대략적인 범위를 나타낼 것으로 생각됨)에서의 광 방사에 대하여, 다음과 같은 치수와 물질이 바람직하다: 실리콘 기판 : 10 내지 15마이크로미터의 두께를 갖는 실리콘 이산화물 제1클래딩 층 : 대략 5 마이크로미터 폭과 5 마이크로미터 두께의 인 규산 도파관 : 및 대략 5 마이크로미터 두께의 실리카 유리 제2클래딩 층. 다른파장, 특히, 더 짧은 파장에 대하여는 원하는 광 모드수를 제한하기 위하여 치수의 조정이 필요할 수도 있다. 양호한 인규산 유리는 6 내지 8중량 퍼센트 범위의 양을 갖는 인을 포함하는데, 6중량 퍼센트 보다 적은 인을 갖는 유리는 균열이 생기기 쉽고, 8중량 퍼센트 보다 많은 인을 갖는 유리는 습기를 흡수하는 경향이 있다.
양호한 도파관 구조의 제조는 제1클래딩 층 상에 도파관 코어 유리 등의 침착 단계와, 상기 코어 유리층 상에 포토리도그래픽(photolithographic) 레지스트 층의 침착 단계와, 제거될 코어 유리의 부분들을 노출시키기 위한 상기 레지스터 층의 패턴화 단계와, 노출된 코어 유리의 제거 단계와 코어-클래딩 습윤제의 도포 단계와, 가열에 의해 도파관의 평활화 및 그 단면의 라운딩(rounding)단계, 및 제2클래딩 층의 침착 단계를 수반한다. 편리하게는, 코어 및 클래딩 유리는, 예로, 실리카 대신에 실란, TEOS, 또 DABS아 같은 전구체 가스 및 오산화 인 대신에 인하수소를 이용하여 화학 증착법에 의해 침착될 수 있다.
바람직하게는, 에치되는 도파관 두께의 확실한 제어를 위하여, 예로, 두 유기 레지스트 층 사이에 플라즈마 침착 실리카 층을 포함하는 3 레벨 포토리도그래픽 마스크 층이 사용된다. 마스크 층의 포토리도그래픽 패턴화 이후 노출된 코어 유리는, 예로, 화학적 또는 반응 이온 에칭법에 의해 제거될 수 있으며, 그러한 에칭으로 인해 전형적으로 적은 부분의 제1클래딩 물질이 제거될수도 있다. 에치됨으로써, 도파관의 단면 프로파일은 근본적으로 사각형 또는 직사각형이 된다.
도파관을 에칭한 후, 및 제2클래딩을 침착시키기 전에, 도파관 표면의 세로 및 단면 평활화와 그 도파관의 단면 라운딩을 위하여 도파관의 평활화 단계가 포함된다. 도파관과 제1클래딩 층 사이의 요각부를 방지하기 위하여 패턴화된 도파관 상에 습윤제를 침착시킨 후 그러한 평활 작업이 수행되는 것이 바람직하다 : 편리하게는, 이 층의 물질은 근본적으로 도파관 코어 물질과 동일하다.
습윤 층을 형성하기 위해 도파관 코어 물질을 침착하는 다른 방법으로서, 하부 제1클래딩 층 상의 도파관 코어 물질의 잔류 층으로서 습윤 층을 생성하기 위하여 도파관 에칭을 제어하는 것이 가능할 수도 있다. 어떤 경우이던 간에, 도파관 코어 물질의 굴절율과 정합하는 굴절율을 갖는 습윤 층의 두께는 생성된 도파관 내에서 진행하는 방사의 측방향 제한, 및 기판에 대한 손실의 최소화를 위하여 제한되는 것이 바람직하다.이러한 관점에서, 도파관 구조에 반영되는 습윤 층 두께는 1마이크로미터 보다 작은 것이 바람직하며, 되도록이면 0.58 마이크로미터 보다 작은 것이 바람직하다. 더욱이, 원하는 경우, 습윤 층 물질은 도파관을 평활화 한후 클래딩을 침착시키기 전에 제거될 수도 있다 : 그러한 제거작업은 예로, 화학적 또는 반응 이온 에칭법에 의해 실행될 수 있다.
양호한 평할화는 도파관을 사용할시에 직접 광학 손실을 받는 처리공정 중에 야기된 도파관 표면의 거칠음 및 기복을 감소시키도록 작용한다. 또한, 평활화는 우발적으로, 갇혀있는 가스를 배출시킴으로써 도파관 코어 유리를 치밀화하는 작용을 하여, 손실을 줄이는데 기여한다.
평활화 및 치밀화는 도파관 물질의 온도를, 예로 증기 분위기에서, 그 유동 온도 이상으로 상승시킴으로써 성취될수 있다(유동 온도는 유리 전이 온도와 관련된다 : 예를 들면 인 규산 유리에 있어서, 유동 온도는 유리 전이 온도 이상의 대략 300℃ 이다. 이것을 더 상세히 알려면 Journal of the Electrochemilcal Society, Vol. 132(1985), PP. 409-415에 실린 K. Nassau 등의 "Modified Phosphosilicate Glasses for VLSI Applications"를 참조할 것). 또한, 도파관 물질에 의거하여, 온도를 임계 온도 이하로 확실히 유지하기 위한 주의가 필요하다. 임계온도를 벗어나면 도파관의 투명성은, 예로, 상(phase)분리로 인해 악영향을 받을 수도 있다 예를들면, 6-8중량 퍼센트 인을 함유하는 인 규산 유리의 경우, 온도는 대략 1100℃의 온도를 상당히 초과하지 않는 온도로 제한하는 것이 바람직하다. 열 처리에 뒤이어, 도파관 코어 유리를 냉각한다.
형상이 평활하고 도파관 코어와 클래딩 사이에 요각부가 존재하지 않으므로, 본 발명의 도파관은 광 통신 시스템에서 포함될수도 있는 무한소계 결합기의 제조에 특히 적합하다. 더욱이, 그러한 시스템의 경우, 본 발명의 도파관은 예로, 성형(star) 결합기에서, 공통 포트를 통한 양 방향 전송으로의 기판 지지형 광원과 검출기의 광학적 상호접속 역할을 하며, 예로 근거리 통신망 용도에서 필터, 반사기 및 공진기의 역할을 할 수 있다.(필터, 반사기, 공진기 및 동종의 것은 예로 제1클래딩 층과 도파관 코어 사이의 공유 접촉면 또는 도파관 코어와 제2클래딩 층 사이의 공유 접촉면에서의 회절 격자의 국부적인 결합을 포함할 수도 있다).
의도된 다른 장치중에는 기판 지지형 도파관에서 저 손실이 특히 바람직한 공진 링 자이로스코프가 있다.
[실시예]
대략 0.5 밀리미터의 두께를 갖는 10센티미터 실리콘 기판상에 10 마이크로미터의 실리콘 이산화물 층을 증기하에서 고압 산화에 의해 성장시켰다. 성장시킨 층 상에, 대략 400℃의 온도 및 대략 0.5 토르(67 Pa)의 압력에서 실란과 산소를 이용하여 표준 저압 화학 증착법(LPCVD)에 의해 부가적인 5 마이크로미터의 실리카 유리 층을 침착시켰다.
실리카 층 상에, 또한 인화수소를 사용하여 동일한 방법으로 인 규산 유리 층을 침착시켰다. 침착시킨 유리의 인 함량은 대략 6.5중량 퍼센트이었으며, 층 두께는 대략 4 마이크로미터였다. 침착시킨 인 규산 유리를 유동하는 질소속에서 60분동안 대략 1000℃의 온도에서 치밀화시켰다.
침착된 경우, 대략 3 마이크로미터 두께의 유기레지스트 물질의 하부층과, 대략 0.24 마이크로미터 두께의 프라즈마 침착 실리콘 이산화물의 중간 층과, 대략 0.7 마이크로미터 두께의 유기 상부 층으로 이루어지는 패턴화된 3 레벨 마스크를 사용하여 반응 이온 에칭(RIE)시킴으로써 상기 침착된 인 규산 층으로부터 6센티미터 도파관을 에칭시켰다. 에칭되었을 때, 도파관 폭은 대략 6 마이크로미터이였다.
코어 물질과 동일 조성의 0.3 마이크로미터의 인 규산 유리 층을 습윤 층으로서 상기 에치된 도파관 위에 침착시켰으며, 그 결과로 생성된 구조를 유동 질소속에서 60분 동안 대략 1100℃의 온도에서 가열함으로써 평활화시켰다. 이 평활화 된 도파관 위에, 5 마이크로미터의 도우프되지 않은 실리카 층을 상기 설명된 바와 같은 조건하에서 저압 화학 증착법에 의해 침착시켰으며, 그 침착된 실리카 층을 대략 1000℃의 온도에서 가열함으로써 치밀화시켰다.
도파관의 광 손실을 1.3 마이크로미터 방사에 대하여 실험적으로 측정했다: 버트(butt) 결합의 입출력 손실을 포함하는 총 손실이 대략 1.2dB로 되는 것을 알았다. 따라서, 도파관의 단위 길이당 손실은 0.2dB/cm 보다 작았다.

Claims (12)

  1. 기판(11)상의 일부의 제1도파관 클래딩 층(21)상에 도파관 코어(12)를 포함하는 기판 지지형 광 도파관을 포함하는 장치에 있어서, 코어-클래딩 습윤 층(22)은 상기 도파관 코어와 접하고 있는 상기 제1도파관 클래딩의 적어도 일부분 상에 있는 것을 특징으로 하는 상기 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습윤 층(22)의 물질은 본질적으로 상기 도파관 코어의 물질과 동일한 상기 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판(11)의 본질적으로 실리콘으로 이루어진 상기 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1클래딩 층(21)의 물질은 본질적으로 실리콘 이산화물로 이루어진 상기 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도파관 코어(12)의 물질은 본질적으로 인 규산 유리로 이루어진 상기 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판(11)의 물질은 근본적으로 세라믹 물질로 이루어진 상기 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 세라믹 물질은 용융 실리카인 상기 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 습윤 층(22)상의 제2클래딩 층(23)을 더 포함하는 상기 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2클래딩 층(23)의 물질은 근본적으로 실리카 유리로 이루어진 상기 장치.
  10. 기판 지지형 도파관을 포함하는 장치를 제조하는 방법에 있어서, 도파관 클래딩 물질의 몸체상에 도파관 코어 물질 층을 침착시키는 단계와, 상기 도파관을 포함하는 패턴을 생성하기 위하여 상기 코어물질 층의 부분들을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 코어 물질과 인접한 상기 도파관 클래딩 물질의 적어도 일부분 상에 습윤 층을 제공하는 단계와, 상기 도파관을 가열함으로써 평활화하는 단계를 포함하는 상기 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 습윤 층은 침착시킴으로써 제공되는 상기 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 습윤 층은 상기 선택적인 제거 후 코어 물질의 잔류 층으로서 제공되는 상기 방법.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2222465A (en) * 1988-09-03 1990-03-07 Marconi Gec Ltd Optical waveguide having low light loss
JPH03132705A (ja) * 1989-10-19 1991-06-06 Brother Ind Ltd 光導波路アレイ及びその製造方法
JP2621519B2 (ja) * 1989-11-17 1997-06-18 日立電線株式会社 光導波路及びその製造方法
US5064266A (en) * 1990-07-05 1991-11-12 Photonic Integration Research, Inc. Circular channel waveguides and lenses formed from rectangular channel waveguides
US5039190A (en) * 1990-09-07 1991-08-13 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising an optical gain device, and method of producing the device
US5046800A (en) * 1990-10-09 1991-09-10 At&T Bell Laboratories Article comprising a passive optical waveguide
US5230990A (en) * 1990-10-09 1993-07-27 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method for producing an optical waveguide array using a resist master
DE4116432A1 (de) * 1991-05-18 1992-11-19 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitern auf einem substrat
JPH05100123A (ja) * 1991-10-11 1993-04-23 Fujitsu Ltd 光導波路の製造方法
US5321541A (en) * 1991-12-12 1994-06-14 At&T Bell Laboratories Passive optical communication network with broadband upgrade
US5285305A (en) * 1991-12-12 1994-02-08 At & T Bell Laboratories Optical communication network with passive monitoring
US5238877A (en) * 1992-04-30 1993-08-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Conformal method of fabricating an optical waveguide on a semiconductor substrate
US5440416A (en) * 1993-02-24 1995-08-08 At&T Corp. Optical network comprising a compact wavelength-dividing component
US5309534A (en) * 1993-02-24 1994-05-03 At&T Bell Laboratories Optical filter having multiple interferometric stages
US5329392A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Optical communication system with multiple fiber monitoring
US5481385A (en) * 1993-07-01 1996-01-02 Alliedsignal Inc. Direct view display device with array of tapered waveguide on viewer side
US5462700A (en) * 1993-11-08 1995-10-31 Alliedsignal Inc. Process for making an array of tapered photopolymerized waveguides
US5439782A (en) * 1993-12-13 1995-08-08 At&T Corp. Methods for making microstructures
AU5997896A (en) * 1995-06-07 1996-12-30 Christian Laurent-Lund A method of making integrated optical waveguides, and an opt ical unit having integrated optical waveguides
GB2312525A (en) * 1996-04-24 1997-10-29 Northern Telecom Ltd Providing cladding on planar optical waveguide by heating to flow
US5926298A (en) * 1996-08-30 1999-07-20 Lucent Technologies Inc. Optical multiplexer/demultiplexer having a broadcast port
US5914889A (en) * 1996-09-13 1999-06-22 Lucent Technologies Inc. Method and system for generating a mask layout of an optical integrated circuit
IT1286385B1 (it) * 1996-11-19 1998-07-08 Italtel Spa Procedimento per realizzare l'accoppiamento in un dispositivo optoelettronico tra una fibra ottica ed una guida d'onda e dispositivo
US5995687A (en) * 1996-12-10 1999-11-30 Lucent Technologies Inc. Circuit for testing an optical communication system
US5745618A (en) * 1997-02-04 1998-04-28 Lucent Technologies, Inc. Optical device having low insertion loss
JPH10307541A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ用光導波板
US6137939A (en) * 1997-10-01 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for reducing temperature-related spectrum shifts in optical devices
US6850683B2 (en) * 2000-07-10 2005-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Low-loss waveguide and method of making same
JP4398126B2 (ja) * 2001-12-06 2010-01-13 ケイ・エス・ティ・ワ−ルド株式会社 二酸化シリコン膜の生成方法
US6751396B2 (en) * 2001-12-26 2004-06-15 Lucent Technologies Inc. Integrated optical devices and method of fabrication therefor
US7006729B2 (en) 2001-12-31 2006-02-28 Wavesplitter Technologies, Inc. Optical components having reduced insertion loss
US6658181B2 (en) 2002-01-02 2003-12-02 Wavesplitter Technologies, Inc. Polarization interleaver
GB0201969D0 (en) 2002-01-29 2002-03-13 Qinetiq Ltd Integrated optics devices
US6826345B1 (en) 2002-06-10 2004-11-30 Lightwave Microsystems Corporation Top cap process for reducing polarization dependent wavelength shift in planar lightwave circuits
US6920257B1 (en) 2003-03-24 2005-07-19 Inplane Photonics, Inc. Resonator cavity for optical isolation
US8625935B2 (en) * 2010-06-15 2014-01-07 Luxtera, Inc. Method and system for integrated power combiners
TW201316383A (zh) * 2011-10-12 2013-04-16 Univ Nat Taiwan 於非soi基板上製作矽波導之方法
US9212912B1 (en) 2014-10-24 2015-12-15 Honeywell International Inc. Ring laser gyroscope on a chip with doppler-broadened gain medium
US20220350178A1 (en) * 2021-04-29 2022-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Frequency- and process-insensitive splitting use multiple splitters in series

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2152464B1 (ko) * 1971-09-16 1974-05-31 Thomson Csf
DE2517072A1 (de) * 1975-04-17 1976-10-28 Siemens Ag Optische koppelvorrichtung
JPS5924807A (ja) * 1982-07-31 1984-02-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光集積回路及びその製造方法
JPS5924806A (ja) * 1982-07-31 1984-02-08 Matsushita Electric Works Ltd 光導波路の表面処理法
JPS5960405A (ja) * 1982-09-30 1984-04-06 Fujitsu Ltd 光導波路およびその製造方法
US4778237A (en) * 1984-06-07 1988-10-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Single-mode fiber optic saturable absorber
US4695123A (en) * 1985-08-20 1987-09-22 Litton Systems, Inc. Cutoff polarizer and method
JPS6289909A (ja) * 1985-10-16 1987-04-24 Yokogawa Electric Corp 光導波路の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
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KR890015044A (ko) 1989-10-28
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EP0331335A3 (en) 1990-10-24

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