KR910006042B1 - 반도체장치의 사진공정 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 사진공정

제1도는 종래의 반도체장치의 사진공정도.

제2도는 딥 자외선 노광공정이 추가된 본 발명의 사진공정도.

제3도는 본 발명의 사진공정도에 따라 제조된 반도체장치의 단면도이다.

본 발명은 고해상도 포토레지스트의 전하효과 감소방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고해상도 포토레지스트를 사용한 반도체장치의 사진공정 후 딥 자외선(Deep Ultraviolet) 노광공정을 추가함으로써 주사형 전자현미경의 전하효과를 감소시켜 임계칫수 측정시의 정확도를 높이고, 검사의 용이성을 증가시키는 반도체장치의 사진공정에 관한 것이다.

제1도는 종래의 반도체장치의 사진공정도로서, 도면에 따라 공정을 순서대로 설명하면 다음과 같다.

1) 웨이퍼를 세척한 후 웨이퍼 표면의 습기를 제거하기 위해 웨이퍼를 베이킹하고, 2) 제3a도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 표면위의 포토레지스트를 균일한 두께로 중착시키며, 3) 증착된 포토레지스트로부터 용매를 적당히 제거하기 위해 웨이퍼를 다시 베이킹하고(소프트 베이크), 4) 제3b도에 나타낸 바와 같이, 마스크를 정렬시킨 후 마스크를 통해 포토레지스트를 광원에 노출시키며, 5) 포토레지스트를 현상 및 세척하여 제3c도에서 처럼 보호되어야 할 표면층위의 포토레지스트만 남겨놓고, 6) 높은 온도에서 웨이퍼를 베이킹하며(하드 베이크), 7) 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 즉, 액티브 영역을 형성하기 위한 표면층을 삭각한 후 8) 최종적으로, 웨이퍼위의 포토레지스트를 제거한다.

반도체장치가 점검 고집적화됨에 따라 반도체장치의 사진공정에서 사용되는 포토레지스트에 있어서도 고해상도 포토레지스트의 사용이 필수 불가결하게 되었다.

따라서, 종래에는 반도체 사진공정시 고해상도를 얻기위해 기존에 사용되는 포토레지스트에 화학 구조물이나 화학 결합을하여 사용하였기 때문에 사진공정 후 주사형 전자현미경(Scanning Electro Microscope)(이하 SEM)이라 칭함)으로 임계칫수를 측정하고 검사할 때 전하효과에 따라 임계칫수의 측정시 정확도가 저하되고, 검사가 어려워지는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 고해상도 포토레지스트를 사용한 반도체장치의 사진공정 후 딥 자외선(Deep Ultraviolet) 노광공정을 추가함으로써 주사형 전자현미경의 저하효과를 감소시켜 임계칫수 측정시의 정확도를 높이고, 검사의 용이성을 증가시키는 반도체장치의 사진공정을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼위에 포토레지스터를 코팅한 후 소프트 베이크하고, 스텝퍼를 사용하여 노광을 한 후 현상공정을 행하고, 하드 베이크공정, 표면층에칭 및 포토레지스트 제거공정을 행하는 반도체장치의 사진공정에 있어서, 상기 하드 베이크공정과 표면층에칭공정 사이에 딥 자외선 노광공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 사진공정을 제공한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명한다.

제2도는 본 발명의 사진공정도를 나타낸 것으로서, 도면중 웨이퍼 세척공정 내지 웨이퍼 현상공정은 종래의 사진공정도와 동일하다.

본 발명은 제3c도에서 처럼 웨이퍼를 현상시킨 후 제3d도에 나타낸 바와 같이 파장이 230mm 내지 250mm인 자외선에 노광을 한다.

상기와 같이 노광공정을 수행하면, 고행상도 포토레지스터의 성분중 수지성분(Novalac Resin), 나프토 퀴논다이아지드, 벤조 페논 사이에서 자외선에 의한 광반응으로 인해 OH기가 많이 생성되어 기존의 고해상도 특성은 유지하면서 SEM의 전하효과를 감소시키게 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼 현상 후 자외선 노광공정을 수행하여 전계효과를 감소시키므로써, SEM으로 임계칫수 측정시 측정의 정밀성이 증가 및 검사가 용이해진다.

Claims (1)

1. 웨이퍼위에 포토레지스트를 코팅한 후 소프트 베이크하고, 스텝퍼를 사용하여 노광을 한 후 현상공정을 행하고, 하드 베이크공정, 표면층에칭 및 포토레지스트 제거공정을 행하는 반도체장치의 사진공정에 있어서, 상기 웨이퍼 현상공정과 패턴크기 측정공정 사이에 딥 자외선 노광공정이 수행되어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 사진공정.

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