KR910003765A - 표면처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

표면처리 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 표면처리장치의 개략적인 구성도.
제2도는 SiO2내의 정공이동도의 온도의 존성을 나타낸 그래프.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 처 리장치의 후처리장치의 일부의 개략적인 구성도.

Claims (66)

  1. 절연막을 포함하는 샘플의 표면에 표면처리를 실시하는 스텝과 표면처리에 의한 각종 입자의 조사에 의해 상기 절연막으로 도입된 정공을 제거하는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  2. 절연막을 포함하는 샘플의 표면에 표면처리를 실시하는 스텝과 표면처리에 의한 각종 입자의 조사에 의해 상기 절연막으로 도입된 정고을 재결합하여 중화시키는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  3. 절연막을 포함하는 샘플의 표면처리를 실시하는 스텝과 각종 입자가 조사되는 절연막이 표면과 반대 측면상의 표면으로 정공이 이동하지 않도록 표면처리에 의한 각종 입자의 조사에 의해 절연막으로 도입된 정공을 상기 절연막에 확실하게 유지하는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 절연막은 Si산화막, Si질화막 또는 Ta 산화막인 표면 처리 방법.
  5. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 절연막은 Si산화막, Si질화막 또는 Ta 산화막인 표면 처리방법.
  6. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 절연막은 Si산화막, Si질화막 또는 Ta 산화막인 표면 처리방법.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플은 150°K이하의 저온으로 유지되어 있는 표면처리 방법.
  8. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플은 150°K이하의 저온으로 유지되어 있는 표면처리 방법.
  9. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플은 150°K이하의 저온으로 유지되어 있는 표면처리 방법.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  11. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  12. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  13. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  14. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  15. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 표면처리 스텝은 플라즈마를 사용한 표면처리를 포함하는 표면처리 방법.
  16. 특허청구의 범위 제1항, 제4항, 제7항, 제10항 제13항중의 또는 한 항에 있어서, 상기 정공을 제거하는 스텝은 상기 각종 입자가 조사된 측면상의 절연막의표면의 전위가 상기 반대측 면상의 절연막의 표면상의 전위보다 낮게 되도록 전압을 인가하는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 정공을 제거하는 스텝은 상기 각종 입자가 조사되 측면상의 절연막의 표면에 도전성 물질읖 퇴직하는 스텝을 포함하고, 상기 절연막의 표면상의 전위가 상기 반대측면상의 절연막의 표면상의 전위보다 낮게 되도록 전압을 인가되는 표면처리 방법.
  18. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 도전성 물질은 도전성 중합체를 함유하는 물질을 포함하는 표면처리 방법.
  19. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 정공을 제거하는 스텝은 상기 각종 입자가 조사된 측면상의 절연막의 표면에 부정전하에 의해 중전된 입가를 퇴적하는 스텝을 포함하는 표면 처리 방법.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 부정전하에 의해 충전된 입자는 음이온인 표면처리 방법.
  21. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 상기 음이온은 산소이온, 질소이온 및 할로겐 함유이온 중의 어느 하나인 표면처리 방법.
  22. 특허청구의 범위 제2항, 제5항, 제8항, 제11항 또는 제14항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 정공을 중화하는 스텝은 상기 각종 입자가 조사된 측면의 상기 절연막의 표면에서 전자를 주입하는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  23. 특허청구의 범위 제22항에 있어서, 상기 절연막의 외부에서 각종 입자가 조사된 측면상의 절연막의 표면에 고부지압으로 충전된 물질을 가깝게 가져와서 코로나 방전을 일으키는 것에 의해 전자가 주입되는 표면처리 방법.
  24. 특허청구의 범위 제22항에 있어서, 상기 물질이 상기 절연막의 표면과 접속되지 않도록 각종 입자가 조사된 측면상의 표면상에 광자의 조사에 의해 광전자를 발생하는 물질을 퇴직하고, 상기 물질상에 광자를 조사하는 것에 의해 발생된 광전자를 상기 절연막으로 주입하는 것에 의해 전자가 주입되는 표면처리 방법.
  25. 특허청구의 범위 제24항에 있어서, 상기 광전자를 발생하는 물질은 화합물 반도체인 표면처리 방법.
  26. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 Ag-O-Cs, Ga-As, Ga-Cs, In-Ga-As, Sb-Cs, Sb-Rb-Cs, Cs-Te 또는 Cs-I에서 선택되는 표면처리 방법.
  27. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 각종 입자가 조사된 측면상의 상기 절연막의 표면을 정전기에 의해 충전하는 것에 의해 상기 전압이 인가되는 표면처리 방법.
  28. 특허청구의 범위 제3항, 제6항, 제9항,제12항 또는 제15항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 정공을 확실하게 유지하는 스텝은 상기 졀연막에 사전에 형성된 정공 트래핑 중심으로 정공을 트래핑하는 스텝을 포함하는 표면처리 방법.
  29. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 정공 트래핑 중심은 상기 절연막에 이온을 주입하는 것에 의해 형성되는 표면처리방법.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 정공 트래핑 중심은 표면처리중에 각종 입자가 조사된측면상의 상기 절연막의 표면근방에만 1kev이하의 에니저 레벨로 이온을 주입하는 것에 의해 형성되는 표면처립방법.
  31. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 상기 주입된 이온은 산소이온, 질소이온, He 이온 또는 Ne이온에서 선택되는 표면처리 방법.
  32. 표면 처리실을 형성하는 진공용기, 상기 표면처리에 사용된 가스를 진공용기내로 도입하는 가스도입기구, 상기 용기내를 감압하여 배기하는 배기기구, 상기 표면처리용의 입자를 발생 하는 기구를 포함하는 표면처리장치에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플의 절연막으로 도입된 정공을 제거하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  33. 표면 처리실을 형성하는 진공용기, 상기 표면처리에 사용된 가스를 진공용기내로 도입하는 가스도입기구, 상기 용기내을 감압하여 배기하는 배기기구, 상기 표면처리용의 입자를 발생 하는 기구를 포함하는 표면처리 장치에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플의 절연막으로 도입된 전공을 중화하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  34. 표면 처리실을 형성하는 진공용기, 상기 표면처리에 사용된 가스를 진공용기내로 도입하는 가스도입기구, 상기 용기내를 감압하여 배기하는 배기기구, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구를 포함하는 표면처리 장치에 있어서, 상기 표면처리를 위한 입자가 조사된 측면과 반대측면의 절연막의 표면으로 정공이 이동하지 못하도록 상기 표면처리가 실시되는 샘플의 졀연막으로 도입된 정공을 상기 절연막에 확실하게 유지하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  35. 특허청구의 범위 32항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플은 Si 또는 Ta를 함유하는 절연막을 포함하는 샘플인 표면처리 장치.
  36. 특허청구의 범위 33항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플은 Si 또는 Ta를 함유하는 절연막을 포함하는 샘플인 표면처리 장치.
  37. 특허청구의 범위 34항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플은 Si 또는 Ta를 함유하는 절연막을 포함하는 샘플인 표면처리 장치.
  38. 특허청구의 범위 32항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플을 150°k이하까지 냉각하는 수단을 또 포함하는 표면처리 장치.
  39. 특허청구의 범위 33항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플을 150°k이하까지 냉각하는 수단을 또 포함하는 표면처리 장치.
  40. 특허청구의 범위 34항에 있어서, 상기 표면처리가 실시되는 샘플을 150°k이하까지 냉각하는 수단을 또 포함하는 표면처리 장치.
  41. 특허청구의 범위 제32항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  42. 특허청구의 범위 제33항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  43. 특허청구의 범위 제34항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  44. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  45. 특허청구의 범위 제39항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  46. 특허청구의 범위 제40항에 있어서, 상기 표면처리용의 입자를 발생하는 기구는 플라즈마 발생장치인 표면 처리 장치.
  47. 특허청구의 범위 제32항, 제35항, 제38항, 제41항 또는 제44항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플의 절연막으로 도입된 전공을 제거하는 수단은 상기 표면처리에 사용된 입자가 조사된 측면상의 절연막의 표면상의 전위가 상기 반대측면상의 절연막의 전위보다 낮게 되도록 전압을 인가하는 기구를 포함하는 표면처리 장치.
  48. 특허청구의 범위 제47항에 있어서, 상기 전압인가 기구는 상기 샘플의 표면에 도전성 물질을 코팅하는 수단, 상기 도전성 물질에 전압을 인가하는 수단 및 상기 표면처리의 실시중에 상기 표면처리를 방해하지 않는 위치로 상기 코팅수단과 상기 전압인가 수단을 이동시키는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  49. 특허청구의 범위 제48항에 있어서, 코팅되는 상기 도전성 물질은 도전성 중합체를 함유하는 물질을 포함하는 표면처리 장치.
  50. 특허청구의 범위 제47항에 있어서, 상기 전압인가 수단은 상기 샘플의 절연막의 표면에 부전하 입자를 퇴적하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  51. 특허청구의 범위 제50항에 있어서, 상기 샘플의 절연막의 표면에 부전하 입자를 퇴적하는 수단은 상기 샘플의 절연막의 표면에 음이온을 퇴적하는 수단을 포함하는 표면처리장치.
  52. 특허청구의 범위 제51항에 있어서, 상기 음이온은 산소이온, 질소이온 또는 할로겐 함유이온에서 선택되는 표면처리장치.
  53. 특허청구의 범위 제33항, 제36항, 제39항, 제42항 또는 제45항중의 어느 한항에 있어서, 상기 표면처리가 실시된 샘플의 절연막으로 도입된 정공을 중화하는 수단은 상기 표면처리에 사용된 입자가 조사된 측면상의 절연막의 표면에서 전자를 주입하는 기구를 포함하는 표면 처리장치.
  54. 특허청구의 범위 제53항에 있어서, 상기 전자를 주입하는 기구는 상기 샘플의 표면과 접촉 되지 않는 부근의 위치에서나 코로나 방전을 발생하는 수단과 상기 표면처리의 실시중에 상기 표면처리를 방해하지 않는 위치로 상기코로나 방전 발생수단을 이동시키는 수단을 포함하 는 표면처리 장치.
  55. 특허청구의 범위 제53항에 있어서, 상기 전자를 주입하는 기구는 상기 샘플의 표면과 접촉되지 않도록 상기 샘플의 표면상에 배치된 광전자를 발생시키는 물질에서 광전자를 발생하는 수단과 상기 표면처리의 실시중에 상기 표면처리를 방해하지 않는 위치로 상기 광전자 발생수단을 이동시키는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  56. 특허청구의 범위 제55항에 있어서, 상기 광전자를 발생하는 물질은 화합물 반도체인 표면처리 장치.
  57. 특허청구의 범위 제56항에 있어서, 상기 광전자를 발생하는 화합물 반도체는 Ag-O-Cs, Ga-As, Ga-Cs, In-Ga-As, Sb-Cs, Sb-Rb-CS, Cs-Te 또는 Cs-I에서 선택되는 표면처리 장치.
  58. 특허청구의 범위 제53항에 있어서, 상기 전자를 주입하는 기구는 상기 샘플의 표면에 정전기를 발생하는 수단과 상기 표면처리의 실시중에 상기 표면처리를 방해하지 않는 위치로 상기 정전기 발생수단을 이동시키는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  59. 특허청구의 범위 제34항, 제37항, 제40항, 제43항 또는 제46항중의 어느 한항에 있어서, 상기 표면처리에 사용된 입자가 조사된 측면과 반대측면상의 상기 절연막의 표면으로 정공이 이동하지 못하도록 상기 표면처리가 실시된 상기 샘플의 절연막으로 도입된 정공을 상기 절연막에 확실하게 유지하는 기능을 마련하는 수단을 상기 절연막에 정공트래핑 중심을 형성하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  60. 특허청구의 범위 제59항에 있어서, 상기 절연막에 정공 트래핑 중심을 형성하는 수단은 이온 또는 중성입자를 샘플의 표면에 조사하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  61. 특허청구의 범위 제60항에 있어서, 상기 정공 트래핑 중심을 형성하기 위해 상기 샘플로 조사된 이온 에너지는 1kev 이하인 표면처리 장치.
  62. 특허청구의 범위 제61항에 있어서, 상기 정공 트래핑 중심을 형성하기 위해 상기 샘플로 조사된 이온은 산소이온, 질소이온, He 이온 또는 Ne 이온에서 선택된는 표면처리 장치.
  63. 특허청구의 범위 제23항에 있어서, 상기 코로나 방전은 산소분위기중에서 발생되는 표면처리 방법.
  64. 특허청구의 범위 제30항에 있어서, 10kev 이하의 에어지의 중성원자 또는 중성분자는 1kev 이하의 에너지의 이온 대신에 주입되는 표면처리 방법.
  65. 특허청구의 범위 제54항에 있어서, 또 산소가스를 도입하는 수단을 포함하는 표면처리 장치.
  66. 특허청구의 범위 제60항에 있어서, 상기 정공 트래핑 중심을 형성하기 위해 상기 샘플로 조사되는 중성입자의 에너지는 10kev 이하는 표면처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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