KR910003749A - 초제한형 홀로우 음극 시스템 - Google Patents
초제한형 홀로우 음극 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910003749A KR910003749A KR1019890010515A KR890010515A KR910003749A KR 910003749 A KR910003749 A KR 910003749A KR 1019890010515 A KR1019890010515 A KR 1019890010515A KR 890010515 A KR890010515 A KR 890010515A KR 910003749 A KR910003749 A KR 910003749A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- deposition chamber
- plasma corrosion
- recited
- potential
- Prior art date
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 하측 타게트 보호링에 설치된 제한링을 구비항 홀로우 음극 부식실의 개략도.
제2도는 두 개의 극단적 구조에 대한 실란 가스흐름에 대한 Si 용착속도의 그래프로서, 상측곡선은 인접가스유입구를 갖는 보호 제한형 곡선이고, 하측 곡선은 부식식의 축부에 가스유입구를 갖는 비제한형 곡선.
제3도는 비제한형 시스템에 대한 압력대 용착속도(상측곡선) 및 전력입력(하측곡선)의 그래프.
Claims (20)
- 진공실의 내부에 배치되어 처리할 재료가 위치되어 타게트 영역을 한정하는 음적극과 양전극을 구비한 진공실과, 음전극과 양전극사이에 연결되어 상기의 전극들간의 전위차를 발생시키기 위한 RF 공급수단; 및 타게트 영역의 주변을 둘러싸는 제한장치로 구성시켜서됨을 특징으로하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제1항에 있어서, 제한장벽은 음극과 동일한 전위로 여자됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 두 개의 음전극이 진공실내에서 홀로우 음극으로서 상호면하면 평행하게 배치됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제3항에 있어서, 제한링을 두 개의 음극 사이로 연장시켜서됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제4항에 있어서, 제한링은 1개 또는 2개의 음극으로부터 소정의 공극만큼 분리되거나 음극을 분리하는 공극에 비해 약간 적은 개구를 포함함을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 상기항중 어느 한항에 있어서, 보호 전극이 구조체를 둘러싸며 양극 전위로 유지됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 상기항중 어느 한항에 있어서, 보호링이 제한 전극을 둘러싸며 양극 전위로 유지됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실
- 상기항중 어느 한항에 있어서, 자계코일이 상기의 제한링 주위에 배치되어 음극(들)에 수직으로 연장되는 적은 자계를 발생시킴을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제5항에 있어서, 음전극을 제한 전극의 공극개구에 인접되게 연장시켜서 됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제9항에 있어서, 연장전극은 넓은 표면적으로 제공하지만 공극개구를 관통하는 가스흐름을 약간 차단하도록 파상형으로 형성됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 제6항 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 공정 가스가 음극전극과 보호전극사인로 공급됨을 특징으로 하는 프라즈마 부식 및 용착실.
- 낮은 동작압력과 높은 처리속도가 방출제한장치에 의해 낮은 전위차 및 낮은 입력 전력에서 얻어짐을 특징으로 하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 제12항에 있어서, 상기의 제한장치를 음전극 및 양전극과 전기적으로 절연시켜됨을 특징으로 하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 제12항에 있어서, 상기의 제한 장치를 양전극에 연결시켜서됨을 특징으로 하는 무선주파수부식 또는 용착방법.
- 제12항에 있어서, 상기의 제한 장치를 음전극에 연결시켜서 됨을 특징으로 하는 무선주파수부식 또는 용착방법.
- 제15항에 있어서, 양전위 전극이 음전위 제한전극을 둘러싸도록 함을 특징으로 하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 양극 연결 전극이 중앙방출영역으로부터 보조의 방출형성을 억제하는데 이용됨을 특징으로하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 축방향 자계가 중앙방출영역으로부터 보조의 방출 형성을 억제하는데 이용됨을 특징으로하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 제12항 내지 제18항중 어느 한항에 있어서, 공정 가스가 양전극과 음전극사이로 유입되어 공정실로부터 빠져 나가기전에 중앙 방출 영역을 관통하는 가스통로를 형성함을 특징으로 하는 무선주파수 부식 또는 용착방법.
- 타게트에 쓰이는 기재 및 그 주위에서 낮은 레벨의 X-선을 발생하기 위한 타게트 전위에서 전극면을 사용함을 특징으로하는 프라즈마 부식 및 용착실.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890010515A KR910003749A (ko) | 1988-07-25 | 1989-07-25 | 초제한형 홀로우 음극 시스템 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATPI9457 | 1988-07-25 | ||
KR1019890010515A KR910003749A (ko) | 1988-07-25 | 1989-07-25 | 초제한형 홀로우 음극 시스템 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910003749A true KR910003749A (ko) | 1991-02-28 |
Family
ID=68137285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890010515A KR910003749A (ko) | 1988-07-25 | 1989-07-25 | 초제한형 홀로우 음극 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR910003749A (ko) |
-
1989
- 1989-07-25 KR KR1019890010515A patent/KR910003749A/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6214183B1 (en) | Combined ion-source and target-sputtering magnetron and a method for sputtering conductive and nonconductive materials | |
KR100333800B1 (ko) | 플라즈마처리를 위한 선형 아크방전 발생장치 | |
JP3158158B2 (ja) | 低圧放電の発生及び点弧方法並びに真空加工装置及び該装置の陰極チェンバ | |
KR930017103A (ko) | 드라이 에칭 방법 및 그 장치 | |
JP2006500740A (ja) | ビーム状プラズマ源 | |
US6246059B1 (en) | Ion-beam source with virtual anode | |
US5656819A (en) | Pulsed ion beam source | |
US3282815A (en) | Magnetic control of film deposition | |
US4749910A (en) | Electron beam-excited ion beam source | |
US4521719A (en) | Ion beam gun | |
KR910003749A (ko) | 초제한형 홀로우 음극 시스템 | |
US4260455A (en) | Mirror plasma apparatus | |
US3268758A (en) | Hollow gas arc discharge device utilizing an off-center cathode | |
RU2007897C1 (ru) | Ускоритель плазмы | |
GB865455A (en) | Method and installation for carrying out glow discharge processes | |
US3601503A (en) | Thin membrane ionization pump apparatus | |
RU2757210C1 (ru) | Волновой плазменный источник электронов | |
SU1119098A1 (ru) | Сильноточный газоразр дный управл емый вентиль | |
JPS57210551A (en) | Triple-pole type ion pump | |
JPS57208125A (en) | Method and apparatus for manufacturing thin film | |
SU908193A1 (ru) | Источник ионов | |
RU2209483C2 (ru) | Электронно-ионный источник | |
JPH09223474A (ja) | 加速型プラズマ銃 | |
RU2001972C1 (ru) | Установка дл нанесени упрочн ющих покрытий методом электродугового испарени | |
WO2015005888A1 (ru) | Плазменно-дуговое устройство формирования покрытий |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
NORF | Unpaid initial registration fee |