KR900701014A - 광자극성 발광재료에 의한 형광체 및(phospmor of photost imulated luminescence material) 그의 제조방법과 그 형광체로 제조한 x선 화상변환 플레이트 및 그의 제조방법 (imaging plate) - Google Patents
광자극성 발광재료에 의한 형광체 및(phospmor of photost imulated luminescence material) 그의 제조방법과 그 형광체로 제조한 x선 화상변환 플레이트 및 그의 제조방법 (imaging plate)Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 광자극성 발광재료로 된 형광체의 작용을 설명하는 띠 도표이며,
제2a도는 본 발명의 제2목적의 달성 방법 중 첫 번째 것의 광자극성 발광재료로 된 형광체층 구조의 횡단면도이며,
제2b도는 본 발명의 제2목적의 달성방법 중 두 번째 것의 광자극성 발광재료로 된 형광체층 구종의 횡단면도.
Claims (34)
- 알칼리토금속의 할로겐화물과 유로퓸 할로겐화물을 적어도 함유하는 액상 혼합물을 기재필름상에 도포하여, 상기 기재필름상에 상기 혼합물에 의한 조성물을 갖는 복합제층을 제조하는 공정과, 상기 복합체층을 제조하는 공정과, 상기 복합체층을 환원분위중에서 소성하는 공정 및, 2가 유로퓸에 의해 활성화된 알킬리토금속 할로겐화물로된 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 제조하는 공정을 포함하는 것이 특징인, X선 화상변환 플레이트 제조방법에 의해 제조된 X선 화상변환 플레이트.
- 알칼리토금속의 할로겐화물과 유로퓸 할로겐화물을 적어도 함유하는 액상 혼합물을 기재필름상에 도포하여, 상기 기재필름상에 상기 혼합물에 의한 조성물을 갖는 복합제층을 제조하는 공정과, 상기 복합체층을 환원 분위기중에서 소성하는 공정 및 2가 유로퓸에 의해 활성화된 알카리토금속 할로겐화물로된 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 제조하는 공정을 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제2항에서 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 제조후, 그 형광체층상에 석영평판 또는 세라믹스 평판을 올려놓는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 환원 분위기중에서 소성하여, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 환원 분위기중에서 소성하여 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층의 캠버를 복구하는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 알칼리토금속의 할로겐화물과 유로품 할로겐화물을 적어도 함유하는 복합체를 소성하여 이 복합체를, 2가 유로품에 의해 활성화된 알칼리토금속 할로겐화물로된 광자극성 발광재료에 의한 형광체로 변환시키는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체와 결합제의 액상혼합물을 기재필름상에 도포하여, 이 기재필름상에, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 제조하는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 상기 기재필름으로부터 분리시키는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 가열하여, 이 광자극성 발광재료에 의한 형광체층으로부터 상기 결합제를 제거하는 공정 및 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 소성하여, 이 광자극성 발광재료에 의한 형광제층을, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 소결체로 변환 시키는 공정을 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 알칼리토금속의 할로겐화물과 유로품 할로겐화물을 적어도 함유하는 복합체를 소성하여 이 복합체를, 2가 유로품에 의해 활성화된 알칼리토금속 할로겐화물로된 광자극성 발광재료에 의한 형광체로 변환시키는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체와 결합제의 액상혼합물을 기재필름상에 도포하여, 이 기재필름상에, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 제조하는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 상기 기재필름으로부터 분리시키는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 가열하여, 이 광자극성 발광재료에 의한 형광체층으로부터 상기 결합제를 제거하는 공정 및 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 소성하여, 이 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 소결체로 변환시키는 공정을 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제5항에서, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 제조후, 그 형광체층상에 석영평판 또는 세라믹스 평판을 올려놓는 공정과, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 환원 분위기중에서 소성하여, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층의 캠버를 복구하는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제1항에서, 상기 기재필름이 내열성 기재 또는 세라믹 기재인 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제2항에서, 상기 기재필름이 내열성 기재 또는 세라믹 기재인 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 기재필름상에, 2가 유로품에 의해 활성화된 알칼리토금속 할로겐합물로된 광자극성 발광재료에 의한 형광체층과 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층상에 형성된 수지 필름으로된 보호층으로서, 적어도 하나의 실리콘 옥사이드층 도는 금속 산화물층의 너비 및 길이가 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층의 것보다 큰 것이 특징인 보호층 및, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층의 변부를 둘러싸는 접착체층을 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- aMX2―(1―a)MX'2: bEu의 조성 (식에서, M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba중에서 선택된 원소이고, X와 X'는 할로겐족에서 개별 선택된 원소이며, a는 1보다 작은 양수이고, b는 0.2 이하의 양수이다) 또는 MX : aA의 조성(식에서, M은 Ia족에서 선택된 원소이고, X는 할로겐이며, A는 유로퓸 또는 탈륨이고, a는 1보다 작은 양수이다) 또는 aMX2―(1―a)MX'2―cB : bEu의 조성 (식에서, M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba중에서 선택된 원소이고, X와 X'는 할로겐족에서 개별 선택된 원소이며, B는 Mg, Ca, Sr 및 Ba의 황화물중의 하나, 실리콘 옥사이드, 산화인 및 이트륨 옥사이드중의 한 화합물이고, a는 1보다 작은 양수이고, b와c는 0.2이하의 양수이다)을 갖는, 광자극성 발광재료에 의한 형광체층 소결체를 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트.
- 할로겐 및 Ⅱa족 원소로 된 화합물과 다른 할로겐 및 Ⅱa족 원소 및 유로퓸 할로겐 화물로된 화합물의 복합체를 제조하는 공정(Ⅰ)과, 할로겐 및 Ⅰa족 원소로된 화합물과 할로겐 및 유로륨 또는 탈륨으로된 화합물의 복합체를 제조하는 공정(Ⅱ)과, 또는 할로겐 및 Ⅱa족 원소로된 화합물과 다른 할로겐 및 Ⅱa족 원소로된 화합물의 혼합물로서, 이들 두 화합물 중 하나는 실리콘 옥사이드, 산화인, Mg, Ca, Sr 또는 Ba의 화합물중 하나, 또는 이트륨 옥사이드 및 유로륨 할로겐화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 화합물인, 혼합물을 제조하는 공정(Ⅲ)과, 상기 화합물을 분쇄하여 복합체분말을 얻는 공정과, 상기 복합체의 분말과 결합제의 혼합물을 제조하는 공정과 이 혼합물의 시트를 제조하는 공정과, 이 시트를 소성하여 결합제를 제거하는 공정 및 상기 혼합물 시트를 환원분귀기 중에서 소성하여, 광자극성 발광재료로된 형광체로 변환시키는 공정을 포함하는 것을 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- aMX2―(1―a)MX′2: bEu의 조성 (식에서, M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba중에서 선택된 원소이고, X와 X′는 할로겐족에서 개별 선택된 원소이며, a는 1보다 작은 양수이고, b는 0.2이하의 양수이다) 또는 MX : aA의 조성(식에서, M은 Ⅰa족에서 선택된 원소이고, X는 할로겐이며, A는 유로퓸 또는 탈륨이고, a는 1보다 작은 양수이다) 또는 aMX2―(1―a)MX′2―cB : bEu의 조성 (식에서, M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba중에서 선택된 원소이고, X와 X′는 할로겐족에서 개별 선택된 원소이며, B는 Mg, Ca, Sr 및 Ba의 황하물중의 하나, 실리콘 옥사이드, 산화인 및 이트륨 옥사이드중의 한 화합물이고, a는 1보다 작은 양수이고, b와 c는 0.2이하의 양수이다)을 갖는 광자극성 발광재료에 의한 형광체 분말과 결합제를 함유하는 복합체를 제조하는 공정과, 사이 복합체층을 형성하는 공정과, 상기 층을 산화분위기중에서 가열하여 상기 층을 산화분위기중에서 가열하여 상기 층으로부터 상기 결합체를 제거하는 공정을 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 결합체가 제거된 상기층을 환원분위기중에서 가열하는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 알칼리토금속 할로겐화물과 유로퓸 할로겐화물을 적어도 함유하는 혼합물을 환원 분위기중에서 소성하는 공정과, 2가 유로퓸에 의해 활성화된 상기 알칼리토금속 할로겐화물로 된 광자극성 발광재료에 의한 형광체를 제조하는 공정을 포함하되, 상기 환원분위기가 헬륨과 수소의 혼합가스인 것이 특징인 형광체 제조방법.
- 2가 유로퓸에 의해 활성화된, 알칼리토금속 할로겐화물과 알칼리토금속의 황화물 및 유로퓸을 포함하는 하기 조성을 갖는 착화합물을 포함하는 것이 특징인 형광체.(1-x)MeX2-xMEX'2-yMe'S : zEu(식에서, Me와 Me′는 Mg, Ca, Sr 및 Ba를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 한 원소이고, 토금속 할로겐 화물과 알칼리토금속의 황화물 및 유로륨을 포함하는, 하기 조성을 갖는 착화합물을 포함하는 형광체의 제조방법으로서, 하기 조성의 착화합물을 갖는 원료물질의 혼합물을 제조하는 공정과,(1-x)MeX2-xMEX'2-yMe'S : zEu(식에서, Me와 Me′는 Mg, Ca, Sr 및 Ba를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 한 원소이고, X와 X′는 F,Cl,Br 및 I를 포함하는 그룹에서 선택된 서로 다른 원소들이며, x는 0.4이상, 0.6이하인 수이고, y는 0.1이하의 양수이며, z는 0.0001이상, 0.03이하인 수이다), 상기 혼합물을 약환원분위기중에서 500~1,100℃의 온도 범위로 서성하는 공정을 포함하는 것이 특징인 형광체의 제조방법.X와 X′는 F,Cl,Br 및 I를 포함하는 그룹에서 선택된 서로 다른 원소들이며, x는 0.4이상, 0.6이하인 수이고, y는 0.1이하의 양수이며, z는 0.0001이상, 0.03이하인 수이다).
- 제15항에서, 상기 X가 0.45이상, 0.55이하의 수인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제15항에 있어서, 상기 y가 0.001이상, 0.05이하의 양수인 것인 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제15항에 있어서, 상기 z가 0.0001이상, 0.01이하의 양수인 것인 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제15항에 있어서, 상기 Me가 바륨인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제15항에 있어서, 상기 Me′가 칼슘인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 2가 유로퓸에 의해 활성화된, 알칼리.
- 제21항에서 상기 X가 0.45이상, 0.55이하의 수인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제21항에서 상기 y가 0.001이상, 0.05이하의 양수인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제21항에서 상기 z가 0.0001이상, 0.01이하의 양수인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제21항에서 상기 Me가 바륨인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제15항에서, 상기 Me′가 칼슘인 것이 특징인 광자극성 발광재료에 의한 형광체.
- 제4항에서, 상기 기재필름이 중합체 필름인 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트.
- 제5항에서, 상기 기재필름이 중합체 필름인 것이 특징인 X선 화상변한 플레이트 제조방법.
- 제5항에서, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 내열성 평판상에 올려놓는 공정과, 상기 내열성 평판상의 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체층을 가열하여, 형광체층으로부터 상기 결합제를 제거하는 공정을 더 포함하는 것인 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제11항에 또는 제12항에서, 상기 형광체층을 내열성 평판상에 올려놓는 공정과, 상기 내열성 평판상의 상기 형광체층을 가열하여 형광체층으로부터 상기 결합체를 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제29항 또는 제30항에서, 상기 내열성 평판이 석영평판인 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제5항, 제11항 또는 제13항에서, 결합제가 제거된 상기 반소결체 시트를 흑연 평판상에 올려놓는 공정과, 상기 반소결체 시트를 환원분위기중에서 소성하는 공정을 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트 제조방법.
- 제1항, 4항, 7항, 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 광자극성 발광재료에 의한 형광체의 소결체 시트의 한쪽면상, 내열성 평판 흑연 평판 또는 유리평판과 사익 광자극성 발광재료에 의한 형광체의 소결체시트의 다른 한쪽 면상에, 유리시트 또는 중합체 시트를 더 포함하는 것이 특징인 X선 화상변환 플레이트.
- 제1항, 4항, 7항, 9항, 10항 또는 제33항에 의한 X선 화상변환 플레이트의 형광체에, 대상물을 투과한 복사선 또는 대상물에서 방출된 복사선을 흡수시키는 공정과, 상기 X선 화상변환 플레이트 또는 제15항에 의한 형광체를 파장범위가 500~900nm인 전자기파로 노광하여, 그 형광체가 저장된 상기 복사선 에너지를 형광으로서 발광시키는 공정을 포함하는 것이 특징인, 복사선의 화상으로의 변환방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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