JPS59166584A - 「けい」光体 - Google Patents
「けい」光体Info
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- JPS59166584A JPS59166584A JP3925683A JP3925683A JPS59166584A JP S59166584 A JPS59166584 A JP S59166584A JP 3925683 A JP3925683 A JP 3925683A JP 3925683 A JP3925683 A JP 3925683A JP S59166584 A JPS59166584 A JP S59166584A
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- fluorescent substance
- brightness
- composition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔廃明の利用分野〕
本発明は蛍光体に係り、特に、真性電場発光用および電
子線励起用に好適な可視域蛍光体に関する。
子線励起用に好適な可視域蛍光体に関する。
アルカリ土類金属硫化物、セレン化物は古くから赤外輝
尽用蛍光体母体として研究されていた。
尽用蛍光体母体として研究されていた。
その後アルカリ土類金属硫化物、特にＣａＳは電子線励
起用蛍光体として非常に有望であることが示された。捷
たＳｒＳやＣａＳは真性電場発光素子用蛍光体母体とし
ても有望視されている。しかし、これらアルカリ土類金
属硫化物母体に高効率発光を可能とする付活剤をドープ
し蛍光体を焼成した場合、特定のスペクトルをもつ発光
しか得られない。一方、実用上の観点からは色度調節が
きわめて重要なので、母体の混晶化を行なって発光スペ
クトルをシフトさせることが望まれる。われわれは従前
、とのような考え方に立ってアルカリ土類金属硫化物混
晶系母体の検討を行ない、そのうちのいくつかの材料、
たとえばＣａｌ−ｘＭＦｔｘ８やＣａｌ−（ｘ＋ｙ）
Ｂ ａｘ Ｍ ｇ ｙ ８においては高い発光効率を維
持しながら発光スペクトルを所望の色調に制御できるこ
とを実例で示した。このように従来の陽イオン側混晶に
加えて陰イオン側混晶も良好な蛍光体特性を示すことか
ら、焼成時限イオンを含むガスの混合モル比を制御する
ことによって組成の精細な調整が可能になり、また内部
に人為的な組成分布をもつ混晶蛍光体の合成も可能に々
つた。しかし、ＣａＳ＋−、Ｓｅ、混晶蛍光体では５１
０ｎｍよシ短波長側の高効率発光は難しいし、また組成
変数が一つしかないため混晶比Ｘを定めると全ての物理
的性質が一義的に定まるという不便さがあった。もし組
成変数が二つあるような混晶、すなわち四元混晶の形成
が可能であれば、たとえば特定色調を維持しながら組成
をずらせていくことが可能になるので、薄膜蛍光体を作
る場合に基板と格子定数を整合しながら単結晶層を堆積
することができるなどの新しい用途が拓けてくる。この
ような薄膜蛍光体は高効率電場発光素子を作る場合など
に特に重要である。
起用蛍光体として非常に有望であることが示された。捷
たＳｒＳやＣａＳは真性電場発光素子用蛍光体母体とし
ても有望視されている。しかし、これらアルカリ土類金
属硫化物母体に高効率発光を可能とする付活剤をドープ
し蛍光体を焼成した場合、特定のスペクトルをもつ発光
しか得られない。一方、実用上の観点からは色度調節が
きわめて重要なので、母体の混晶化を行なって発光スペ
クトルをシフトさせることが望まれる。われわれは従前
、とのような考え方に立ってアルカリ土類金属硫化物混
晶系母体の検討を行ない、そのうちのいくつかの材料、
たとえばＣａｌ−ｘＭＦｔｘ８やＣａｌ−（ｘ＋ｙ）
Ｂ ａｘ Ｍ ｇ ｙ ８においては高い発光効率を維
持しながら発光スペクトルを所望の色調に制御できるこ
とを実例で示した。このように従来の陽イオン側混晶に
加えて陰イオン側混晶も良好な蛍光体特性を示すことか
ら、焼成時限イオンを含むガスの混合モル比を制御する
ことによって組成の精細な調整が可能になり、また内部
に人為的な組成分布をもつ混晶蛍光体の合成も可能に々
つた。しかし、ＣａＳ＋−、Ｓｅ、混晶蛍光体では５１
０ｎｍよシ短波長側の高効率発光は難しいし、また組成
変数が一つしかないため混晶比Ｘを定めると全ての物理
的性質が一義的に定まるという不便さがあった。もし組
成変数が二つあるような混晶、すなわち四元混晶の形成
が可能であれば、たとえば特定色調を維持しながら組成
をずらせていくことが可能になるので、薄膜蛍光体を作
る場合に基板と格子定数を整合しながら単結晶層を堆積
することができるなどの新しい用途が拓けてくる。この
ような薄膜蛍光体は高効率電場発光素子を作る場合など
に特に重要である。
本発明の目的は、高効率でかつ組成制御に自由度を有す
る蛍光体を提供することにある。
る蛍光体を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明者らはアルカリ土類金
属硫セレン化物の研究を行ない、ＣａＩ−ｘ ８ ｒｘ
ｓｌ−、８ｅｙ母体が、とくにＹ り０．６の範囲で
真性電場発光用および電子線励起用蛍光体としてすぐれ
ていることをつきとめた。母体組成がＹ ＞ ０．６で
は発光効率の低下と共に化学的不安定性、とくに吸湿性
が増大する。またｘ（０，０１あるいはｙ＜ｏ、ｏｏｌ
の範囲では付活剤に対して事実上ｘ＝０あるいはｙ＝ｏ
の場合と有意差が見出せなかった。更にｘ＞０．９９の
範囲ではｘ ＝ ｌの場合との有意差が見出せなかった
。
属硫セレン化物の研究を行ない、ＣａＩ−ｘ ８ ｒｘ
ｓｌ−、８ｅｙ母体が、とくにＹ り０．６の範囲で
真性電場発光用および電子線励起用蛍光体としてすぐれ
ていることをつきとめた。母体組成がＹ ＞ ０．６で
は発光効率の低下と共に化学的不安定性、とくに吸湿性
が増大する。またｘ（０，０１あるいはｙ＜ｏ、ｏｏｌ
の範囲では付活剤に対して事実上ｘ＝０あるいはｙ＝ｏ
の場合と有意差が見出せなかった。更にｘ＞０．９９の
範囲ではｘ ＝ ｌの場合との有意差が見出せなかった
。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に述べる。
実施例Ｉ
Ｅｕを０．１ｍＯ４％ドープしたＣａＳ、８ｒＳ。
Ｃａ５ｅおよびＳ ｒ ８ ｅを所定の割合で混合し、
真空下で石英アンプル内に封止した。これを９０００に
１時間、１００ＯＤに１時間、１２００Ｃに２時間保持
した後取出し、得られた蛍光体をｌ０Ｉ（Ｖｌ ００
ｎＡの電子線で励起して室温における発光特性を調べた
。これら蛍光体をＣａＩ−ｘｓｒｘｓ＋−ｙＳｅｙ：Ｅ
ｕと表示すると、０〈ｙ≦０．３の範囲ではＳａＳ：Ｅ
ｕの場合同様赤色領域に単一ピークを示す発光スペクト
ルが得られＸ線回折測定によっても単一組成の混晶であ
ることがわかった。しかし、ｙ）０．３の領域ではｙの
増加につれて発光スペクトル幅が広がり、またｙ ＞
０．６ ｒ領域では急激な発光効率の低下が観測された
。発光スペクトルの混晶比依存性を第１図に示した。第
１図から、ｏ、ｏｏｘくｙくｏ、６の組成範囲をもつ本
発明の蛍光体はＥｕ付活によシ約６００〜５５ Ｑ Ｈ
ｍの広い範囲で細かい色度調節を可能とすることがわか
る。
真空下で石英アンプル内に封止した。これを９０００に
１時間、１００ＯＤに１時間、１２００Ｃに２時間保持
した後取出し、得られた蛍光体をｌ０Ｉ（Ｖｌ ００
ｎＡの電子線で励起して室温における発光特性を調べた
。これら蛍光体をＣａＩ−ｘｓｒｘｓ＋−ｙＳｅｙ：Ｅ
ｕと表示すると、０〈ｙ≦０．３の範囲ではＳａＳ：Ｅ
ｕの場合同様赤色領域に単一ピークを示す発光スペクト
ルが得られＸ線回折測定によっても単一組成の混晶であ
ることがわかった。しかし、ｙ）０．３の領域ではｙの
増加につれて発光スペクトル幅が広がり、またｙ ＞
０．６ ｒ領域では急激な発光効率の低下が観測された
。発光スペクトルの混晶比依存性を第１図に示した。第
１図から、ｏ、ｏｏｘくｙくｏ、６の組成範囲をもつ本
発明の蛍光体はＥｕ付活によシ約６００〜５５ Ｑ Ｈ
ｍの広い範囲で細かい色度調節を可能とすることがわか
る。
この蛍光体を油圧プレスによって直径１０ｃｒｎｓ厚さ
１ｃｒｎの円形タブレットに仕上げ、交流スパッタリン
グ法を用いてネサ膜付ガラス基板１（２×２ｉ）上に薄
膜化した。Ｃａｒ−ｘｓｒｘｓＨ４Ｅ３ｅｙ ：Ｅｕ膜
３の厚みは５ Ｑ Ｑ Ｈｍとした。蛍光体膜３上に厚
さ３ＱＱｎｍのＹ２Ｏ３層４を蒸着し、更にその上に厚
さ３００ｎｍのｋｌ膜５を蒸着して第２図に示すような
交流電場発光素子を作った。この素子に駆動周波数ｌＫ
Ｈ２の交流電源６を接続し正弦波電圧を印加すると蛍光
体層３の組成Ｘ。
１ｃｒｎの円形タブレットに仕上げ、交流スパッタリン
グ法を用いてネサ膜付ガラス基板１（２×２ｉ）上に薄
膜化した。Ｃａｒ−ｘｓｒｘｓＨ４Ｅ３ｅｙ ：Ｅｕ膜
３の厚みは５ Ｑ Ｑ Ｈｍとした。蛍光体膜３上に厚
さ３ＱＱｎｍのＹ２Ｏ３層４を蒸着し、更にその上に厚
さ３００ｎｍのｋｌ膜５を蒸着して第２図に示すような
交流電場発光素子を作った。この素子に駆動周波数ｌＫ
Ｈ２の交流電源６を接続し正弦波電圧を印加すると蛍光
体層３の組成Ｘ。
ｙに関係なくほぼ８０■から電場発光が観察された。発
光スペクトルは上記した電子線励起発光よりややく約５
ｎｍ）長波側ヘピークシフトしていだが、はぼ同じ結果
が得られた。ｘ＝０．２，０．４の各々の場合、ｙを０
．１から０．７迄変化させて調べると、電子線励起の場
合同様、ｙ）０．３の領域で発光帯幅が１）ｒｏａｄ
になり、Ｍ ） ０．６では発光効率が急激に低下す
ることがわかった。同一印加電圧に対する輝度はｘ ＝
０．８ 、 ｙ ＝ ０．３で最大になることがわか
った。
光スペクトルは上記した電子線励起発光よりややく約５
ｎｍ）長波側ヘピークシフトしていだが、はぼ同じ結果
が得られた。ｘ＝０．２，０．４の各々の場合、ｙを０
．１から０．７迄変化させて調べると、電子線励起の場
合同様、ｙ）０．３の領域で発光帯幅が１）ｒｏａｄ
になり、Ｍ ） ０．６では発光効率が急激に低下す
ることがわかった。同一印加電圧に対する輝度はｘ ＝
０．８ 、 ｙ ＝ ０．３で最大になることがわか
った。
次に、（ａ） Ｃａｏ、ｇ Ｓｒ０．２ Ｓｏ、９ Ｓ
ｅＯ，ｌ ： Ｅ ｕ 。
ｅＯ，ｌ ： Ｅ ｕ 。
（ｂ）Ｃａｏ、７８ｒｏ、ａ Ｓｏ、ｓ ＳｅＯ，２：
Ｅ ｕ 。
Ｅ ｕ 。
（Ｃ）Ｃａｏ、ｓ ｓｒｏ、５８ｏ、ｔ ｓｅｏ、ｓ
： Ｅ ｕ の各々に２０００−の赤リンと０．１ｍ
０ＪＪのＮＨ，Ｃ１とを加えて混合し、石英アンプル内
に封止して１１００Ｃに１時間保持した。その結果得ら
れた蛍光体は、リンとハロゲン無添加の試料に比べて、
（ａ）では約１５チ、（ｂ）では約１１係、（ｅ）では
約９チの輝度増加を示した。
： Ｅ ｕ の各々に２０００−の赤リンと０．１ｍ
０ＪＪのＮＨ，Ｃ１とを加えて混合し、石英アンプル内
に封止して１１００Ｃに１時間保持した。その結果得ら
れた蛍光体は、リンとハロゲン無添加の試料に比べて、
（ａ）では約１５チ、（ｂ）では約１１係、（ｅ）では
約９チの輝度増加を示した。
実施例２
Ｃｅ ｆ ０．２ ｍＯｔ％ドープしたＣａｂ、８ｒＳ
。
。
ＣａＳｅ、および５ｒＳｅを所定の割合で混合し、真空
下で石英アンプル内に封止した。これを前実施例と同じ
プロセスで焼成後、得られた蛍光体を１８ＫＶ、１００
ｎＡの電子線で励起した。室温における発光スペクトル
は Ｃｅ ３ ＋の基底状態の分離に対応して２つのピ
ークを示す。そのうち主ピークの混晶比依存性を第３図
に示した。図によれば、ｏ、ｏｏｘくｙくｏ、６の組成
範囲においては、主ピーク波長が約４９５〜５２０ ｎ
ｍの緑色発光領域がカバーされることがわかる。
下で石英アンプル内に封止した。これを前実施例と同じ
プロセスで焼成後、得られた蛍光体を１８ＫＶ、１００
ｎＡの電子線で励起した。室温における発光スペクトル
は Ｃｅ ３ ＋の基底状態の分離に対応して２つのピ
ークを示す。そのうち主ピークの混晶比依存性を第３図
に示した。図によれば、ｏ、ｏｏｘくｙくｏ、６の組成
範囲においては、主ピーク波長が約４９５〜５２０ ｎ
ｍの緑色発光領域がカバーされることがわかる。
前実施例同様ＣａＩ−ｘｓｒｘｓ＋−ｙ Ｓｅｙ： Ｃ
ｅを油圧プレスして円板状タブレットに仕上げスパッタ
ー装置内に装着してネサ膜付ガラス基板１上に薄膜化し
た。次いで第２図に示しだようにＹ２Ｏ３膜４、Ａｔ電
極５を蒸着して薄膜電場発光素子を形成した。コノ場合
、Ｃａ１−ｘｓｒｘｓ＋−ｙｓｅｙ ： Ｃ６層３の膜
厚は３５０ｎｍとした。ｌＫＨ２の交流で駆動すると、
立上シ約７０Ｖで電場発光が観測された。８５Ｖ印加時
における輝度はＸ二０．２゜ｙ＝０．３の組成で最大に
なり約１８００ｆＬであった。ｘ＝０．１ 、０．２
、０．３の各々についてｙを変化させ、同一印加電圧に
対する輝度を調べると、ｙく０．３では増加、０．３
＜ Ｙ り０．６では漸減、ｙ〉０．６で急激に減少す
ることがわかった。
ｅを油圧プレスして円板状タブレットに仕上げスパッタ
ー装置内に装着してネサ膜付ガラス基板１上に薄膜化し
た。次いで第２図に示しだようにＹ２Ｏ３膜４、Ａｔ電
極５を蒸着して薄膜電場発光素子を形成した。コノ場合
、Ｃａ１−ｘｓｒｘｓ＋−ｙｓｅｙ ： Ｃ６層３の膜
厚は３５０ｎｍとした。ｌＫＨ２の交流で駆動すると、
立上シ約７０Ｖで電場発光が観測された。８５Ｖ印加時
における輝度はＸ二０．２゜ｙ＝０．３の組成で最大に
なり約１８００ｆＬであった。ｘ＝０．１ 、０．２
、０．３の各々についてｙを変化させ、同一印加電圧に
対する輝度を調べると、ｙく０．３では増加、０．３
＜ Ｙ り０．６では漸減、ｙ〉０．６で急激に減少す
ることがわかった。
Ｃａｏ、ｓ ＳｒＯ，２Ｓｏ、８６ ＳｅＯ，１５：
Ｃｅ （０，２ｍ０７％）にＫＣＬ、 ＣａＦ２．Ｇａ
Ｃ１４を各々１ ｍｏｔ ９１ｆずつ添加混合し、再び
石英アンプル内で１１００１：に２時間保持して得た蛍
光体は、これら共付活剤、すなわちＫとＣＬ、Ｆ、Ｑａ
とＣｔの効果によって、無添加の試料に比べ輝度がそれ
ぞれ５チ、８％、８チ上昇した。
Ｃｅ （０，２ｍ０７％）にＫＣＬ、 ＣａＦ２．Ｇａ
Ｃ１４を各々１ ｍｏｔ ９１ｆずつ添加混合し、再び
石英アンプル内で１１００１：に２時間保持して得た蛍
光体は、これら共付活剤、すなわちＫとＣＬ、Ｆ、Ｑａ
とＣｔの効果によって、無添加の試料に比べ輝度がそれ
ぞれ５チ、８％、８チ上昇した。
実施例３
Ｃａ６．２ Ｓｒｏ、Ｂ Ｓ ： Ｅｕ （０，２ｍｏ
ｔ％ ）、 Ｃｅ（０，０３ｍ０１％ ）にＣａ５ｅま
たは５ｒ８ｃ４−それぞれ０．０１，０．０５，０．１
，０．２，０．５．および１ｍｏ１％添加混合し、Ｈ２
Ｓ雰囲気１１００Ｃｆ１時間焼成して得た蛍光体の電子
線励起発光特性をＣａＳｅまたは５ｒＳｅ無添加の試料
と比較した。この結果、ＣａＳｅまだは５ｒｓｅが１ｍ
０ｔ％未満の試料では、ピーク波長はほとんどシフトし
なかつだが輝度は第１表のように変化した。すなわち、
ｙ〉ｏ、ｏｏｌの領域で５チを越える輝度向上が観測さ
れた。なおＣａ５ｅまたは５ｒＳｅを１チ添加した試料
では輝度の向上と共にピーク波長がやや短波長側にシフ
トするのが認められた。
ｔ％ ）、 Ｃｅ（０，０３ｍ０１％ ）にＣａ５ｅま
たは５ｒ８ｃ４−それぞれ０．０１，０．０５，０．１
，０．２，０．５．および１ｍｏ１％添加混合し、Ｈ２
Ｓ雰囲気１１００Ｃｆ１時間焼成して得た蛍光体の電子
線励起発光特性をＣａＳｅまたは５ｒＳｅ無添加の試料
と比較した。この結果、ＣａＳｅまだは５ｒｓｅが１ｍ
０ｔ％未満の試料では、ピーク波長はほとんどシフトし
なかつだが輝度は第１表のように変化した。すなわち、
ｙ〉ｏ、ｏｏｌの領域で５チを越える輝度向上が観測さ
れた。なおＣａ５ｅまたは５ｒＳｅを１チ添加した試料
では輝度の向上と共にピーク波長がやや短波長側にシフ
トするのが認められた。
またＣ ａＳｅ ｌ）るいは５ｒＳｅを０．２ｍ０１％
混入した試料に更にＢａをｏ、 ｉ ｍｏ、４％添加し
て再焼成した試料は、Ｂａ無添加の試料に比べて約５係
の輝度向上が認められた。Ｂａによる輝度向上は、Ｂａ
濃度がＣａ１−ｘｓｒｘＳ＋−ｙｓｅｙ に対して０゜
０５〜２ｍｏ７係の広い範囲で認められた。更にＢａに
よる輝度向上は、ハロゲン元素との共存下においても認
められた。
混入した試料に更にＢａをｏ、 ｉ ｍｏ、４％添加し
て再焼成した試料は、Ｂａ無添加の試料に比べて約５係
の輝度向上が認められた。Ｂａによる輝度向上は、Ｂａ
濃度がＣａ１−ｘｓｒｘＳ＋−ｙｓｅｙ に対して０゜
０５〜２ｍｏ７係の広い範囲で認められた。更にＢａに
よる輝度向上は、ハロゲン元素との共存下においても認
められた。
第 １ 表
実施例４
Ｍｎを１ｍＯ４％ドープしたＣａＳＯ４とＳｒＳＯ４と
を所定の割合で混合し、これを石英ボート内に充填して
石英反応管に入れた。ｌｒガス置換後昇温し、１１００
ｒで３時間、Ｈ，ＳとＨｚｓｅの混合ガス流中に保持し
た。この場合混合ガスはモル比でＨ２Ｓ ＝Ｈ２Ｓ ｅ
＝ ８ ： ２とした。得られた硫セレン化物を粉砕
混合し、再び１１５０ＣでＨ２Ｓと）（ＺＳｅの混合ガ
ス流中に３時間保持した。混合ガスモル比は上と同じに
保った。この結果、直径約１０μｍの硫セレン化物が得
られた。Ｘ線回折法によって組成を調べると、Ｃａ１−
ｚｓｒｘ Ｓｏ、ｓ Ｓｅ０．２であることがわかった
。この蛍光体を１８ＫＶの電子線で励起すると、単一ピ
ークを有する発光スペクトルが得られ、混晶比Ｘの大き
さに応じて室温では約５６０〜６１０ｎｍの範囲でスペ
クトルが変化することがわかった。更に上記混合ガスモ
ル比および出発原料組成比を加えてＸ、ｙを変化せしめ
ると、発光色が大きく変化する。第４図はＭｎ付活Ｃａ
１−．５ｒｘＳ１−アＳｅアのピーク波長変化を示して
いる。図より本発明の組成範囲で緑〜赤色をカバーしう
ろことがわかる。
を所定の割合で混合し、これを石英ボート内に充填して
石英反応管に入れた。ｌｒガス置換後昇温し、１１００
ｒで３時間、Ｈ，ＳとＨｚｓｅの混合ガス流中に保持し
た。この場合混合ガスはモル比でＨ２Ｓ ＝Ｈ２Ｓ ｅ
＝ ８ ： ２とした。得られた硫セレン化物を粉砕
混合し、再び１１５０ＣでＨ２Ｓと）（ＺＳｅの混合ガ
ス流中に３時間保持した。混合ガスモル比は上と同じに
保った。この結果、直径約１０μｍの硫セレン化物が得
られた。Ｘ線回折法によって組成を調べると、Ｃａ１−
ｚｓｒｘ Ｓｏ、ｓ Ｓｅ０．２であることがわかった
。この蛍光体を１８ＫＶの電子線で励起すると、単一ピ
ークを有する発光スペクトルが得られ、混晶比Ｘの大き
さに応じて室温では約５６０〜６１０ｎｍの範囲でスペ
クトルが変化することがわかった。更に上記混合ガスモ
ル比および出発原料組成比を加えてＸ、ｙを変化せしめ
ると、発光色が大きく変化する。第４図はＭｎ付活Ｃａ
１−．５ｒｘＳ１−アＳｅアのピーク波長変化を示して
いる。図より本発明の組成範囲で緑〜赤色をカバーしう
ろことがわかる。
次に上記のようにして得たＭｎは付活蛍光体を油圧プレ
スで整形してスパッタリングソースを作った。高周波ス
パッタリング法によりスパッター圧１０””’ｌ：’ｏ
ｒｒでネサ膜付ガラス基板１上に厚さ３５０ ｎｍの蛍
光体薄膜層３を形成した。この上に厚さ３００ｎｍのＹ
２０ ｓ層４、厚さ２００ｎｍのＡｔ電極５を次々に
蒸着し、リード線７もつけ（１１） て第２図に示したような電場発光素子を得た。この素子
はＩＫＨｚ交流電源接続によりしきい値６５Ｖで発光し
、ｘ ＝ ０．８ 、 ｙ ＝ ０．２ （７）組成テ
モっても高輝度が得られた。この橙色発光輝度は１５０
０ｆＬ以上でも飽和しなかった。
スで整形してスパッタリングソースを作った。高周波ス
パッタリング法によりスパッター圧１０””’ｌ：’ｏ
ｒｒでネサ膜付ガラス基板１上に厚さ３５０ ｎｍの蛍
光体薄膜層３を形成した。この上に厚さ３００ｎｍのＹ
２０ ｓ層４、厚さ２００ｎｍのＡｔ電極５を次々に
蒸着し、リード線７もつけ（１１） て第２図に示したような電場発光素子を得た。この素子
はＩＫＨｚ交流電源接続によりしきい値６５Ｖで発光し
、ｘ ＝ ０．８ 、 ｙ ＝ ０．２ （７）組成テ
モっても高輝度が得られた。この橙色発光輝度は１５０
０ｆＬ以上でも飽和しなかった。
次にＣａ０．９ Ｓ ｒｏ、＋ Ｓｏ、ｓ Ｓｅｏ、ｚ
： Ｍ ｎ （１ｍ０４％）を４つに分割し、１試料
を除いて他の３試料にはそれぞれ０．１ ｍ０８の’Ｄ
ｌａ ２Ｓ 、 ０．１ ｍｏ１％のに２Ｓ。
： Ｍ ｎ （１ｍ０４％）を４つに分割し、１試料
を除いて他の３試料にはそれぞれ０．１ ｍ０８の’Ｄ
ｌａ ２Ｓ 、 ０．１ ｍｏ１％のに２Ｓ。
０．１ｍＯ４％のＲｂ２５を添加混合後、石英アンプル
内に真空封入して１１５０ｔＺ’で２時間加熱した。ア
ルカル金属無添加の１試料も同様に真空アンプル中で加
熱した。これら試料を電子線で励起して発光特性を調べ
ると、アルカリ金属無添加試料は５Ｑ５Ｈｍにピークを
示したが、他の３試料は５〜１０ｎｍ短波長側にピーク
シフトしており、輝度は無添加試料に比べてＮａ添加の
場合１．０８、Ｋ添加の場合１．０８、Ｒｂ添加の場合
１．０６であり、いずれも５チ以上の輝度向上が認めら
れた。
内に真空封入して１１５０ｔＺ’で２時間加熱した。ア
ルカル金属無添加の１試料も同様に真空アンプル中で加
熱した。これら試料を電子線で励起して発光特性を調べ
ると、アルカリ金属無添加試料は５Ｑ５Ｈｍにピークを
示したが、他の３試料は５〜１０ｎｍ短波長側にピーク
シフトしており、輝度は無添加試料に比べてＮａ添加の
場合１．０８、Ｋ添加の場合１．０８、Ｒｂ添加の場合
１．０６であり、いずれも５チ以上の輝度向上が認めら
れた。
実施例５
Ｃｅを０．１ｍＯ／、％添加したＣａＣＯ３と５ｒＣＯ
ｓ（１２） を１：１のモル比で混合後アルミナルツボに入れ、１２
００ｔＺ’で６時間、空気中で焼成した。得られた酸化
物に０．２ｍ０ｔ％のＩ ｎ ２０ ｇまたはＡｔ２０
３を添加混合し、これを石英反応管中に充填した。ガス
置換後昇温し１２００Ｃで３時間Ｈ，８雰囲気で焼成し
た。得られた硫化物を粉砕後再び１２００ｔｒに保持し
、Ｈ２ＳとＨ２Ｓｅの混合ガス中で３時間焼成した。こ
の場合Ｈ２ＳとＨ２８ｅはモル比で３：２とした。ただ
し、この焼成プロセスの最後の１時間では３ｍｏｔ％の
ＨＣｔガスを添加した。このようにして得られた蛍光体
を２７ＫＶの電子線で刺激して室温で発光スペクトルを
測定すると、主ピークが５０３ｎｍにあることがわかっ
た。また、その発光効率を■族元素とハロゲンの組から
成る共付活剤がない場合と比較すると、Ｉｎ−Ｃｔを含
む場合は１１％、ｈｔ−ｃｔを含む場合は８チそれぞれ
高い値を示した。塩素のかわりにハロゲン元素としてフ
ッ素やヨウ素を用いた場合も類似の共付活剤効果がみら
れた。
ｓ（１２） を１：１のモル比で混合後アルミナルツボに入れ、１２
００ｔＺ’で６時間、空気中で焼成した。得られた酸化
物に０．２ｍ０ｔ％のＩ ｎ ２０ ｇまたはＡｔ２０
３を添加混合し、これを石英反応管中に充填した。ガス
置換後昇温し１２００Ｃで３時間Ｈ，８雰囲気で焼成し
た。得られた硫化物を粉砕後再び１２００ｔｒに保持し
、Ｈ２ＳとＨ２Ｓｅの混合ガス中で３時間焼成した。こ
の場合Ｈ２ＳとＨ２８ｅはモル比で３：２とした。ただ
し、この焼成プロセスの最後の１時間では３ｍｏｔ％の
ＨＣｔガスを添加した。このようにして得られた蛍光体
を２７ＫＶの電子線で刺激して室温で発光スペクトルを
測定すると、主ピークが５０３ｎｍにあることがわかっ
た。また、その発光効率を■族元素とハロゲンの組から
成る共付活剤がない場合と比較すると、Ｉｎ−Ｃｔを含
む場合は１１％、ｈｔ−ｃｔを含む場合は８チそれぞれ
高い値を示した。塩素のかわりにハロゲン元素としてフ
ッ素やヨウ素を用いた場合も類似の共付活剤効果がみら
れた。
上記のようにして焼成したＣａｏ、５Ｓｒｏ、ｓＳｏ、
５Ｓｅｏ、４（１３） ： Ｃｅ （０，１ｍｏｔ％ ）、Ｉｎ、Ｃ４’ｔ：タ
ブレットに整形してスパッタリング法によシネサ膜付ガ
ラス基板１上に薄膜化し、次いでＹ２Ｏ３膜４、Ａｔ電
極５を積層して作成した交流薄膜電場発光素子は、共付
活剤なしのＣｅ付活Ｃａ６．！ｌＳ ｒｏ、！ｉ Ｓｏ
、ａＳｅｏ、４に比べて平均約１０チの輝度向上を示し
た。
５Ｓｅｏ、４（１３） ： Ｃｅ （０，１ｍｏｔ％ ）、Ｉｎ、Ｃ４’ｔ：タ
ブレットに整形してスパッタリング法によシネサ膜付ガ
ラス基板１上に薄膜化し、次いでＹ２Ｏ３膜４、Ａｔ電
極５を積層して作成した交流薄膜電場発光素子は、共付
活剤なしのＣｅ付活Ｃａ６．！ｌＳ ｒｏ、！ｉ Ｓｏ
、ａＳｅｏ、４に比べて平均約１０チの輝度向上を示し
た。
本発明によれば、上記実施例中に述べたように（１）８
ｃ４）少量添加による（ Ｃａ ｒ ８ ｒ） Ｓ系蛍
光体の輝度向上、（２）ＢｅとＳの混合比を任意に変化
させることによって得られるＣａ１−ｘｓ ｒｘ Ｓ
＋−アＳｅア系母体の色調調節効果が、ランタナイド系
列、Ｍｎ以外にもＣａＳや８ｒ８で電子線励起発光が確
認されているＰ ｂ ｒ ８ ｂ ＋ Ｂ ｉ 、周期
律表Ｉｂ族（銅族）元素付活剤に対しても明瞭に達成で
きる。特に蛍光体をＨ２ＳとＨ２Ｓｅの混合ガス流中で
焼成する場合には、焼成中に混晶比を精密制御したシ或
いは人為的に組成比を変化させたりすることができるの
で、本発明の蛍光体の特性をより広く引出すことができ
るという利点がある。
ｃ４）少量添加による（ Ｃａ ｒ ８ ｒ） Ｓ系蛍
光体の輝度向上、（２）ＢｅとＳの混合比を任意に変化
させることによって得られるＣａ１−ｘｓ ｒｘ Ｓ
＋−アＳｅア系母体の色調調節効果が、ランタナイド系
列、Ｍｎ以外にもＣａＳや８ｒ８で電子線励起発光が確
認されているＰ ｂ ｒ ８ ｂ ＋ Ｂ ｉ 、周期
律表Ｉｂ族（銅族）元素付活剤に対しても明瞭に達成で
きる。特に蛍光体をＨ２ＳとＨ２Ｓｅの混合ガス流中で
焼成する場合には、焼成中に混晶比を精密制御したシ或
いは人為的に組成比を変化させたりすることができるの
で、本発明の蛍光体の特性をより広く引出すことができ
るという利点がある。
第１図、第３図、第４図は本発明のそれぞれ別の実施例
における蛍光体特性線図、第２図は本発明の蛍光体を用
いて構成した電場発光素子の主要部断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・ネサ膜、３・・・蛍光体
層、４・・・Ｙ２Ｏ３膜、５・・・ｋｔ電極、６・・・
交流電源、７・・・リード線。 代理人 弁理士 高橋明夫 （１５） 不 １ 図 ＣＬ−５；、−、ｊｓｅｙ
５ｒＳｔ−ｙ”ｓｅ＞混晶 νＩ−χ
における蛍光体特性線図、第２図は本発明の蛍光体を用
いて構成した電場発光素子の主要部断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・ネサ膜、３・・・蛍光体
層、４・・・Ｙ２Ｏ３膜、５・・・ｋｔ電極、６・・・
交流電源、７・・・リード線。 代理人 弁理士 高橋明夫 （１５） 不 １ 図 ＣＬ−５；、−、ｊｓｅｙ
５ｒＳｔ−ｙ”ｓｅ＞混晶 νＩ−χ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式Ｃａ＋−ｘｓ ｒｘ ８１−ｙ Ｓ ｅｙ
： Ａ （ただし０、０１ （ｘ（０，９９，０，００
１りｙ＜０．６ ）で表示される材料に付活剤Ａとして
ランタナイド系列、Ｍｎ、ｐｂ、ｓｂ、 Ｂｉ、周期律
表Ｉｂ族に属する元素のうち少なくとも一種類を添加し
たことを特徴とする蛍光体。 ２、上記一般式で記述される蛍光体に更に共付活剤とし
てＢａ、ノ・ロゲン元素、アルカリ金属元素、リンとノ
・ロゲン元素の組、ガリウムとノヘロゲン元素の組、イ
ンジウムとノ・ロゲン元素の組。 アルミニウムとノ・ロゲン元素の組から成る群から選ば
れた少なくとも一種の元素又は元素の組を添加すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の蛍光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3925683A JPS59166584A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 「けい」光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3925683A JPS59166584A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 「けい」光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59166584A true JPS59166584A (ja) | 1984-09-19 |
Family
ID=12548053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3925683A Pending JPS59166584A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 「けい」光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59166584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279285A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Ricoh Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| US7266211B2 (en) | 2003-08-07 | 2007-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Speaker grill |
| JP2009055052A (ja) * | 2001-11-14 | 2009-03-12 | Sarnoff Corp | 発光装置 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP3925683A patent/JPS59166584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279285A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Ricoh Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2009055052A (ja) * | 2001-11-14 | 2009-03-12 | Sarnoff Corp | 発光装置 |
| US7266211B2 (en) | 2003-08-07 | 2007-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Speaker grill |
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