KR900700909A - 전류 주입 변조기 - Google Patents

전류 주입 변조기

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KR900700909A
KR900700909A KR1019890701679A KR890701679A KR900700909A KR 900700909 A KR900700909 A KR 900700909A KR 1019890701679 A KR1019890701679 A KR 1019890701679A KR 890701679 A KR890701679 A KR 890701679A KR 900700909 A KR900700909 A KR 900700909A
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KR1019890701679A
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피터 찰즈 케미니
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원본미기재
오스트레일리언 텔레커뮤니케이션즈 커미션
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Abstract

내용 없음

Description

저류 주입 변조기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명에 따라 구성된 전류 주입 변조기 의 개략적인 투시도이다.

Claims (13)

  1. 전류 주입 변조기로서, 몇 가지 굴절률을 갖는 단일 결정 기판을 형성하는 구조물을 구비하는데, 그 기판상에는 제1세트의 에피택셜 단일 결정층으로 형성된 내부 반사기, 공진층, 제2세트의 에피택셜 단일 결정층으로 형성된 외부 반사기층으로 연속 배치되며, 상기 구조물의 한 부분은 하나 이상의 내부 반사기와 기판 및 공진층으로 구성되고, 그것은 저기 전도성으로서 p-형 또는 n-형 전도이고, 상기 구조물의 다른 부분은 적어도 하나 이상의 외부 반사기와 공진층으로 구성되고, 그것은 전기 전도성으로서 n-형 또는 p-형 전도로되지만, 상기 한 부분과는 서로 다른 전도이며, 상기 구조물은 또한 그 구조물의 상기한 부분과 다른 부분 각각에 대해 옴 접촉을 형성하여 전위가 가해지도록 되어 있어 상기 구조물을 통해 전류가 흘러 그 전류의 변화에 따라 상기 공진층의 굴절률이 변함으로써 상기 전류의 변화에 따라 변조기를 통과하는 광선빔을 변조시키는 변조기의 광선 전송율을 변화시키도록 되어 있는 제1 및 제2전도 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  2. 제1항에 있어서, 위상 Φ|1및 Φ2의 관계가, r1=r1exp(jΦ,χr1은 내부 반사기에 포함된 층의 반사율량, Φ1은 그 반사율에 의한 위상 이동)과, r0=r2exp(jΦ2)(r2는 외부 반사기층의 반사율량, Φ2는 그 반사율에 의한 위상 이동)로 정의되는 것|을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공진층과 인접한 내부 반사기층의 굴절률 Nb와 상기 공진층 바로곁의 외부 반사기층의 굴절률 Na'는 변조기를 통과한 특정 전류에서의 공진층 굴절률 Nr(I)와 다음의, Na<Nr(I)이면, Nb<Nr(I)가 되는 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공진층과 인접한 내부 반사기층의 굴절률 Nb와 상기 공진층 바로곁의 외부 반사기층의 굴절률 Na'는 변조기를 통과한 특정 전류에서의 공진층 굴절률 Nr(I)와 다음의, Na<Nr(I)이면, Nb<Nr(I)가 되는 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  5. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사기를 구비한 층들은 광학적 두께λ/2의 구성적 주기성 또는 그 기수배를 갖도록 높고 낱은 굴절류과 두께를 교대로 가질수 있으며(여기서 λ는 특정 장치로 변조되는 다수의 분리 가능한 최장 파장임),다른 실시예에 있어서는 λ/2 또는 그 기수배의 광학적 두께를 갖는 구성적 주기성이 이루어지도록 반사기의 굴절률이 연속적 또는 불연속적으로 변환될 수 있는 것을 특징으로 하는 전류주입 변조기.
  6. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 반사기의 구성과 굴절률은 λ/2 또는 그 기수배의 광학적 두께를 갖고 있는 구성적 주기성이 이루어지도록 연속적으로 또는 불연속적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  7. 전술한 항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층은 특정층에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 알루미늄 및 아르세닉을 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  8. 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정층에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 인듐, 아르세닉 및 포스포러스를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  9. 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정증에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 인듐, 알루미늄, 아르세닉 및 안티모니를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  10. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정층에서 특정 비율로 합성된 머큐리, 카드뮴, 망간 및 텔루르를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  11. 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층은 특정층에서 특정 비율로 합성된 납, 설퍼텔루르 및 셀레늄을 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  12. 제7항 내지 제11항중 어느 한항에 있어서, 상기 층은 초격자 또는 다수의 양자가 조화된 구조로된 정제층으로 연속 형성되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
  13. 제7항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 층은 연속적으로 등급이져 구성되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 |것임.
KR1019890701679A 1988-01-06 1988-12-20 전류 주입 변조기 KR900700909A (ko)

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AUPI618888 1988-01-06
AUPI6188/88 1988-01-06
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KR900700909A true KR900700909A (ko) 1990-08-17

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JP (1) JPH03503938A (ko)
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3210980C2 (de) * 1981-04-01 1986-11-20 Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo Optisches Schaltelement und optische Schaltmatrix
JPS58135690A (ja) * 1981-11-07 1983-08-12 Agency Of Ind Science & Technol 垂直発振型半導体レ−ザ
JPS5967677A (ja) * 1982-07-01 1984-04-17 Semiconductor Res Found 光集積回路
US4525687A (en) * 1983-02-28 1985-06-25 At&T Bell Laboratories High speed light modulator using multiple quantum well structures
EP0225112B1 (en) * 1985-11-27 1992-08-12 AT&T Corp. Optical logic element
GB8610129D0 (en) * 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device

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AU2915989A (en) 1989-08-01
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JPH03503938A (ja) 1991-08-29
EP0396595A1 (en) 1990-11-14
CN1023838C (zh) 1994-02-16
CN1034071A (zh) 1989-07-19
US5093746A (en) 1992-03-03

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