KR900700909A - 전류 주입 변조기 - Google Patents
전류 주입 변조기Info
- Publication number
- KR900700909A KR900700909A KR1019890701679A KR890701679A KR900700909A KR 900700909 A KR900700909 A KR 900700909A KR 1019890701679 A KR1019890701679 A KR 1019890701679A KR 890701679 A KR890701679 A KR 890701679A KR 900700909 A KR900700909 A KR 900700909A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- modulator
- refractive index
- current injection
- specific
- Prior art date
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 claims 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/218—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference using semi-conducting materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
- G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명에 따라 구성된 전류 주입 변조기
의 개략적인 투시도이다.
Claims (13)
- 전류 주입 변조기로서, 몇 가지 굴절률을 갖는 단일 결정 기판을 형성하는 구조물을 구비하는데, 그 기판상에는 제1세트의 에피택셜 단일 결정층으로 형성된 내부 반사기, 공진층, 제2세트의 에피택셜 단일 결정층으로 형성된 외부 반사기층으로 연속 배치되며, 상기 구조물의 한 부분은 하나 이상의 내부 반사기와 기판 및 공진층으로 구성되고, 그것은 저기 전도성으로서 p-형 또는 n-형 전도이고, 상기 구조물의 다른 부분은 적어도 하나 이상의 외부 반사기와 공진층으로 구성되고, 그것은 전기 전도성으로서 n-형 또는 p-형 전도로되지만, 상기 한 부분과는 서로 다른 전도이며, 상기 구조물은 또한 그 구조물의 상기한 부분과 다른 부분 각각에 대해 옴 접촉을 형성하여 전위가 가해지도록 되어 있어 상기 구조물을 통해 전류가 흘러 그 전류의 변화에 따라 상기 공진층의 굴절률이 변함으로써 상기 전류의 변화에 따라 변조기를 통과하는 광선빔을 변조시키는 변조기의 광선 전송율을 변화시키도록 되어 있는 제1 및 제2전도 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항에 있어서, 위상 Φ|1및 Φ2의 관계가, r1=r1exp(jΦ,χr1은 내부 반사기에 포함된 층의 반사율량, Φ1은 그 반사율에 의한 위상 이동)과, r0=r2exp(jΦ2)(r2는 외부 반사기층의 반사율량, Φ2는 그 반사율에 의한 위상 이동)로 정의되는 것|을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공진층과 인접한 내부 반사기층의 굴절률 Nb와 상기 공진층 바로곁의 외부 반사기층의 굴절률 Na'는 변조기를 통과한 특정 전류에서의 공진층 굴절률 Nr(I)와 다음의, Na<Nr(I)이면, Nb<Nr(I)가 되는 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공진층과 인접한 내부 반사기층의 굴절률 Nb와 상기 공진층 바로곁의 외부 반사기층의 굴절률 Na'는 변조기를 통과한 특정 전류에서의 공진층 굴절률 Nr(I)와 다음의, Na<Nr(I)이면, Nb<Nr(I)가 되는 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사기를 구비한 층들은 광학적 두께λ/2의 구성적 주기성 또는 그 기수배를 갖도록 높고 낱은 굴절류과 두께를 교대로 가질수 있으며(여기서 λ는 특정 장치로 변조되는 다수의 분리 가능한 최장 파장임),다른 실시예에 있어서는 λ/2 또는 그 기수배의 광학적 두께를 갖는 구성적 주기성이 이루어지도록 반사기의 굴절률이 연속적 또는 불연속적으로 변환될 수 있는 것을 특징으로 하는 전류주입 변조기.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 반사기의 구성과 굴절률은 λ/2 또는 그 기수배의 광학적 두께를 갖고 있는 구성적 주기성이 이루어지도록 연속적으로 또는 불연속적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 전술한 항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층은 특정층에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 알루미늄 및 아르세닉을 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정층에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 인듐, 아르세닉 및 포스포러스를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정증에서 특정 비율로 합성된 갈륨, 인듐, 알루미늄, 아르세닉 및 안티모니를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층을 특정층에서 특정 비율로 합성된 머큐리, 카드뮴, 망간 및 텔루르를 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 기판 및 연속 물질층은 특정층에서 특정 비율로 합성된 납, 설퍼텔루르 및 셀레늄을 포함한 그룹에서 선택된 단일 결정 물질인 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제7항 내지 제11항중 어느 한항에 있어서, 상기 층은 초격자 또는 다수의 양자가 조화된 구조로된 정제층으로 연속 형성되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.
- 제7항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 층은 연속적으로 등급이져 구성되는 것을 특징으로 하는 전류 주입 변조기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 |것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AUPI618888 | 1988-01-06 | ||
AUPI6188/88 | 1988-01-06 | ||
PCT/AU1988/000491 WO1989006370A1 (en) | 1988-01-06 | 1988-12-20 | Current injection modulator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900700909A true KR900700909A (ko) | 1990-08-17 |
Family
ID=3772703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890701679A KR900700909A (ko) | 1988-01-06 | 1988-12-20 | 전류 주입 변조기 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5093746A (ko) |
EP (1) | EP0396595A4 (ko) |
JP (1) | JPH03503938A (ko) |
KR (1) | KR900700909A (ko) |
CN (1) | CN1023838C (ko) |
AU (1) | AU2915989A (ko) |
WO (1) | WO1989006370A1 (ko) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3210980C2 (de) * | 1981-04-01 | 1986-11-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo | Optisches Schaltelement und optische Schaltmatrix |
JPS58135690A (ja) * | 1981-11-07 | 1983-08-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 垂直発振型半導体レ−ザ |
JPS5967677A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-04-17 | Semiconductor Res Found | 光集積回路 |
US4525687A (en) * | 1983-02-28 | 1985-06-25 | At&T Bell Laboratories | High speed light modulator using multiple quantum well structures |
EP0225112B1 (en) * | 1985-11-27 | 1992-08-12 | AT&T Corp. | Optical logic element |
GB8610129D0 (en) * | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP1500996A patent/JPH03503938A/ja active Pending
- 1988-12-20 AU AU29159/89A patent/AU2915989A/en not_active Abandoned
- 1988-12-20 KR KR1019890701679A patent/KR900700909A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-12-20 WO PCT/AU1988/000491 patent/WO1989006370A1/en not_active Application Discontinuation
- 1988-12-20 EP EP19890901089 patent/EP0396595A4/en not_active Ceased
-
1989
- 1989-01-06 CN CN89100121A patent/CN1023838C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-03 US US07/547,872 patent/US5093746A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1989006370A1 (en) | 1989-07-13 |
AU2915989A (en) | 1989-08-01 |
EP0396595A4 (en) | 1991-09-11 |
JPH03503938A (ja) | 1991-08-29 |
EP0396595A1 (en) | 1990-11-14 |
CN1023838C (zh) | 1994-02-16 |
CN1034071A (zh) | 1989-07-19 |
US5093746A (en) | 1992-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900701068A (ko) | 전류 주입 레이저 | |
KR930009175A (ko) | 헤테로 접합 밴드 불연속의 제거 디바이스 및 그 방법 | |
US20130077150A1 (en) | Unit of optical modulator, optical modulator including the same, and method of fabricating the optical modulator | |
KR910017689A (ko) | 초전도 광기능 소자 | |
KR900700909A (ko) | 전류 주입 변조기 | |
US5105240A (en) | Light-controlled semiconductor light coupler and modulator | |
KR880001026A (ko) | 촬상관의 타기트 | |
JPH0357460B2 (ko) | ||
KR900700859A (ko) | 전기 광학 변조기 | |
WO2020255357A1 (ja) | 反射光学素子 | |
Bowman et al. | Characterization of high performance integrated optically addressed spatial light modulators | |
JP2666805B2 (ja) | 電気光学素子 | |
ATE190408T1 (de) | Auflicht-phasengitter | |
Canoglu et al. | High-resolution spatial light modulation with distributed photorefractive devices | |
AU653261B2 (en) | Current injection modulator | |
KR950021801A (ko) | 광 논리소자(seed) 및 그의 제조방법 | |
JPH01259329A (ja) | 光スイツチ | |
KR950010704A (ko) | 전계 발광 소자 | |
JPS5448569A (en) | Photo switch | |
KR970013440A (ko) | 적층 핀 다이오드 구조 광변조기를 이용한 무전압 광쌍안정 논리소자 | |
JPH08262379A (ja) | 半導体反射多層膜および反射型空間光変調器 | |
JPH09269467A (ja) | 半導体空間光変調器用反射多層膜 | |
JPS6455542A (en) | Laminated semiconductor structure | |
JPH02269324A (ja) | 半導体光スイッチ | |
GB1525954A (en) | Liquid crystal image converters |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |