KR900019304A - 공급라인의 과도현상으로부터 반도체 회로를 보호하기 위한 장치 - Google Patents
공급라인의 과도현상으로부터 반도체 회로를 보호하기 위한 장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 과도보호장치의 양호한 제1실시예을 나타내는 회로도, 제3도는 본 발명에 따른 과도보호장치의 양호한 제2실시예를 나타내는 회로도.
Claims (10)
- 그들의 전원에 대한 과도현상으로부터 반도체 회로를 보호하기 위한 장치에 있어서, 전원의 단자에 접속되며, 적절히 도통되고 상기 전원에 의해 공급된 전압이 예비 설정된 값을 초과할 때 상기단자 사이에서 일정한 전압을 유지하며, 높은 값과 낮은 값 사이에서 그들의 임피던스를 변화시키도록 제어될 수 있는 제1회로수단(18, 24, 25)과 : 상기 제1회로 수단에서 소모된 에너지의 레벨을 검출하여 상기 레벨이 상기 예비 설정된 값을 초과할 때 출력신호를 제공하기 위한 제2회로수단(20, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 50)과 : 상기 제2회로수단의 상기 출력신호의 발생으로부터 시작되는 예비 설정 시간동안 낮은 임피던스 값을 유지하도록 상기 제1회로수단을 제어하는 상기 제1회로수단의 상기 출력신호에 의해 제어되는 제3의 단안정 회로수단(26, 28, 48)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로보호장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1회로수단은 상기 전원의 단자에 접속된 적어도 하나의 제너다이오드(25)를 포함하는 임피이던스와, 상기 전원의 단자에 접속되며 높은 값과 낮은 값 사이의 자체 저항을 변화시키도록 제어될 수 있는 전자식 스위치(18)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제2항에 있어서, 상기 임피이던스 저항기에 직렬로 배치된 적어도 하나의 제너다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제너다이오드와 상기 저항기는 상기 전자식 전력 스위치의 전극을 제어하도록 그 사이의 노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제2항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 제2회로수단은 상기 전자식 스위치에서 소비된 에너지를 계산하기 위한 장치와 상기 계산장치의 출력을 수신하여 수신된 출력신호를 상기 제3의 단안정 회로 수단에 제공하도록 접속된 제1임계장치(44, 46)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제5항에 있어서, 소비 에너지를 계산하기 위한 상기 장치는 상기 전자식 스위치에 직렬로 접속된 저항기(20), 상기 전자식 스위치와 상기 저항기 사이의 노드에 의해 구동되는 제1임계장치(36, 38), 상기 제1임계장치에 의해 제어되는 램프발생기(40), 및 상기 램프발생기의 출력, 상기 노드 및 상기 공급전압에 접속된 멀티플라이어(42)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제5항에 있어서, 상기 소비에너지를 계산하는 장치는 상기 전자식 스위치의 온도를 검출하도록 배치된 열감지기(50)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제5항에 있어서, 상기 전자식 스위치와 상기 저항기 사이의 노드에 접속된 제2임계장치(30, 32)를 추가로 포함하며, 상기 제2임계장치의 출력신호는 제2단 안정 회로수단에 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제2항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 상기 제3의 단안정 회로수단은 세트입력 및 리세트 입력을 가진 쌍안정회로(26, 28)와, 상기 쌍안정회로의 리세트 입력에 접속된 출력을 가진 타이머(48)을 구비하며, 상기 제2회로수단의 출력신호는 상기 타이머의 제어입력 및 상기 쌍안정회로의 세트 입력에 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.
- 제2항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 상기 전자식 스위치는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 회로 보호장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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