KR900005561B1 - 반도체 장치용 본딩 와이어 및 그 제조방법 - Google Patents

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나오기 우지야마
오노도시아기
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미쯔비시긴조구 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
반도체 장치용 본딩 와이어 및 그 제조방법
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 고순도동 극세선으로 구성된 반도체 장치용 본딩 와이어 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[배경기술]
종래 일반적으로 반도체 장치로서는 트랜지스터, IC, LSI 및 VLSI 등이 알려져 있다.
이중에서 예로서 IC의 제조방법이 하나로서 (a) 우선 리이드 프레임 소재로서 판두께 0.1-0.3㎜를 가지는 Cu 합금조선을 준비하고 (b) 상기 리이드 프레임 소재로부터 엣칭 또는 프레스타발가공으로 제조하고자 하는 IC의 형상에 적합한 리이드 프레임을 형성하고, (c) 다음으로 상기 리이드 프레임의 소정부분에 고순도 Si 또는 Ge 등의 반도체칩을 Ag 베이스 등의 도전성 수지를 사용하여 가열 접착하거나, 또는 미리 상기 반도체칩 및 리이드 프레임의 편면에 형성하여 높은 Au, Ag, Ni, Cu 혹은 이들의 합금으로 구성된 도금층을 개재하여 납땜 또는 금납땜을 하고 (d) 상기 반도체칩과 상기 리이드 프레임 간에 본딩 와이어로서 직경 20-50㎛를 가지는 Au 극세선을 가지고 볼본딩을 행하고 (e) 계속하여 상기 반도체칩, 본딩 와이어 및 반도체칩을 취부한 부분의 리이드 프레임을 이들을 보호할 목적으로 수지로 봉하고 (f) 최종적으로 상기 리이드 프레임에 있어서 상호 연결되는 부분을 절삭하여 IC를 형성한다.
이상 (a)-(f)의 주요공정으로 되는 방법이 알려져 있다.
이와 같이 반도체 장차의 제조에는 본딩 와이어로서 Au선이 사용되고 있으나 이것을 염가한 Cu선으로 대체할 수 있다면 그만치 코스트를 절감할 수 있다는 관점으로부터 본딩 와이어로서 비교적 경도가 낮은 무산소동등의 고순도동재를 사용하려는 시도가 행하여지고 있다.
그러나 상기의 고순도동재는 재전해 하거나 또는 이것을 또다시 전해정제하여 그 순도를 99,999%(이하 5N로 표시함) 이상으로 하여도, 다시 이것에 20-30회의 존멜팅법으로 정제 처리를 하여도 그 경도를 충분히 풀림을 행한 상태에서 Hv 약 45-48로 되고 Hv 약 30을 표시하는 Au보다 연질로 되지 않는 것이다.
따라서 Au 세극선으로 통상 사용되는 0.15-0.3초에 1회의 고속볼본딩을 행하면 본딩시에 와이어 선단부에 형성된 볼부에 의하여 예로서 Al 합금배선 피막이 파괴되거나 때로는 칩자체에 마이크로 크랙(현미경적 균열)이 발생하는 등의 문제점이 발생하여 고속 볼본딩을 행할 수 업슨 것이 현실이다.
[발명의 요약]
본 발명의 목적은 Au 극세선에 대신, 고속 볼본딩시 반도체칩 표면부를 손상함이 거의 없는 고순도동 극세선으로 구성된 본딩 와이어의 제조법, 또한 가열과 냉각을 반복하여되는 사용 환경에서도 본딩 와이어의 볼넥크부에 와이어 절단이 거의 발생하지 않는 특성을 가지는 본딩 와이어의 제조법을 제공하는 것이며 또한 본 발명의 목적은 상기 방법에 의하여 제조되어 Au 극세선의 대체품으로서 충분히 실용에 제공할 수 있는 본딩 와이어를 제공하는 것이다.
따라서 본 발명은 (1) 고순도동에 정제성분으로서 휘토류 원소중의 적어도 1종, Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb 및 Cs 중의 적어도 1종 또는 Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb 및 Cs중의 적어도 1종과 휘토류 원소중의 적어도 1종의 어느 것인가를 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하고 다음으로 이동소재에 존멜팅법에 의한 정제처리를 행하므로서 되는 반도체 장치용 본딩 와이어의 제조법.
(2) 고순도동에 정제성분으로서 Mg, Ca, Ti, Zr, Hf 및 Li, K, Na……, 중의 적어도 1종을 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하여 이동소재에 존멜팅법에 의한 정제처리를 행하여 고순도 정제동으로 하고, 얻은 고순도 정제동에 합금 성분으로서 휘토류원소 및 y중 적어도 1종을 0.5-3ppm의 범위로 함유시킨 것으로 된 반도체 장치용 본딩 와이어의 제조법.
(3) 불가피 불순물로서 S, Se 및 Te의 함유량을 S 0.1ppm이하, Se, 0.1ppm이하, Te 0.1ppm이하, 로함과 동시에 불가피 불순물의 전체 함유량을 0.3ppm이하로한 고순도동 극세선으로된 반도체 장치용 본딩 와이어.
(4) 합금성분으로서 휘토류 원소 및 y중 적어도 1종의 0.5-3ppm을 함유하고 나머지 Cu와 불가피 불순물로되고 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te성분을 각각 S 0.2ppm이하, Se 0.1ppm이하, Te 0.1ppm이하로 함과 동시에 불가피 불순물의 전체 함유량을 1ppm이하로 된 조성을 가진 고순도동 극세선으로된 반도체 장치용 본딩 와이어이다.
[발명의 상세한 설명]
본 발명자들은 상기 목적을 달성하고자 종래 반도체 장치의 본딩 와이어로서 사용되고 있는 무산소등 극세선이 가지는 상기한 바와같은 문제점을 해결하고자 연구한 결과 이하 (a)-(d)에 표시된 지식을 얻었다. 즉 (a) Au 극세선에서는 와이어 본딩전의 와이어 볼부의 경도와 고속에서의 와이어 본딩후의 와이어 볼부에 그리 경도변화를 볼 수 없는데 대하여 무산소등 극세선에서는 고속에서의 와이어 본딩후에 와이어 볼부에 현저히 경도의 상승을 볼 수 있고, 이는 가공 경화에 원인하고 이에 의하여 반도체칩 자체나 그 표면에 형성되어 있는 피막이 손상되게 되는 것 (b) 이와같은 무산소등 극세선에서의 고속으로의 볼본딩후의 와이어 볼부의 변형에 따른 가공경화는 특히 불가피 불순물로서 함유하는 S, Se 및 Te에 큰 영향되는 것 (c) 무산소등에 전해 정제나 존멜팅 정제를 행하여 그 순도를 높여 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te 성분의 함량을 저하시키면 고속 볼본딩후의 볼부의 변형에 따른 경도 상승을 작게 할 수 있어 무산소동 극세선에 발생하던 상기 문제점의 발생을 감소시킬 수는 있으나 이를 전무하게는 할 수 없다. (d) 상기의 전해정제나 존멜팅 정제에 의하여 정제된 고순도동으로된 극세선은 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te 성분을 각각 0.3-5ppm 정도 함유하여 이들 불가피 불순물의 함유량을 전기한 정제 처리로서는 그 이상 감소하지는 않으나 이 고순도동에 탈황성분으로서 휘토류 원소 Ti, Zr, Hf, Mg, Oa, Li, Na, K, Rb 및 Cs중의 1종 이상 또는 휘토류 원소의 1종과 Ti, Zr, Hf, Mg, K, Rb 및 Cs중의 1종 이상의 어느 것인가를 중량비로 바람직하기는 0.1-100ppm의 범위로 함유시킨 상태에서 존멜팅 정제를 행하면 이들 불가피 불순물이 유화물, 세렌화물 및 Te 화합물 등을 형성하여 분리되므로 이들 불순물의 함유량은 각각 S 0.1ppm이하, Se 0.1ppm이하, Te 0.1ppm이하, 로 됨과 동시에 기타의 불가피 불순물인 Mg, Si, Fe, Ni, Co, Sn, Mn 및 Zn 등도 정제 제거되므로 불가피 불순물의 전체 함유량도 0.3ppm 이하로되며 이와같이 불가피 불순물이 현저히 낮은 고순도동으로된 극세선은 이를 반도체 장치의 본딩 와이어로서 사용한 경우 고속 와이어 본딩을 하여도 본딩후의 와이어 볼부에 있어서의 변형에 따른 가공경화가 극히 적고 반도체칩은 물론이고 그 표면의 피막의 손상도 거의 없어진다는 것
(e) 반대로 상기 (d)항에서 얻은 고순도 정제동으로된 극세선을 본딩 와이어로 사용한 경우 반도체 장치의 종류, 사용하는 봉지용(封止用)수지의 종류 등에 의하여는 반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 볼넥크부에 실용시에 와이어 파단이 높은 확율로 발생하나 상기 (d)항에서 얻은 고순도 정제동에 합금 성분으로서 휘토류원소 및 y중의 1종 또는 2종 이상을 0.5-3ppm의 범위로 함유시킨 Cu 합금으로 하고 이 Cu 합금중의 불가피 불순물의 함유량을 각각 S 0.2ppm이하, Se 0.1ppm이하, Te 0.1ppm이하, 로 함과 동시에 불가피 불순물의 함유량을 1ppm이하로 하면 이 Cu합금으로 된 극세선은 본딩 와이어로서 사용하는 경우 고속의 와이어 본딩에 있어서도 와이어 선단부에 형성된 볼부의 변형에 따른 가공경화가 낮고, 그리고 볼부의 경도를 상대적으로 낮은 상태를 유지시킨채로 본딩 와이어의 볼 넥크부에 있어서의 와이어 절단이 현저히 감소된다는 것.
다음으로 본 발명에 있어서 고순도동중에 첨가하는 정제 성분의 량 및 얻은 고순도 정제동에 합금 성분으로서 첨가된 휘토류 원소 및 y중 적어도 1종의 량을 전기와 같이 한정한 이유를 기술한다. 고순도동중에 첨가함유된 정제성분이 이 고순도동중에 불가피 불순물로 함유하는 S, Ag 성분등과 결합하여 화합물을 형성하고 이 화합물이 존멜팅법에 의한 정제처리에서 용이하게 제거되는데 기인하는 것으로 따라서 상기 정제성분의 함유량이 0.1ppm 미만에서는 소망의 연질화를 기할 수 없고 한편 100ppm을 초과 함유시키면 정제 처리후에도 정제성분이 합금 성분으로서 잔존하는 량이 많아저 경도상승의 요인이 되므로 그 함유량을 0.1-100ppm으로 정한다.
또 Ag, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb 및 Cs에 대하여 휘토류 원소를 병용하므로서 정제처리가 일층 촉진되게 된다.
또 본 발명의 Cu 합금 극세선에 있어서 합금성분으로서의 휘토류 원소 및 y함유량을 0.5-3ppm으로 정한 것은, 그 함유량이 0.5ppm 미만에서는 상기와 같은 반도체 장치의 실용에 있어 본딩 와이어의 볼넥크부에 있어 결정입조대화에 원인하는 와이어 절단을 충분히 억제할 수 없고 한편 그 함유량이 3ppm을 초과하며 와이어 본딩시에 와이어 선단부에 형성된 볼부의 변형에 따른 가공경화가 급격히 나타나게 되어 고속 와이어 본딩이 곤란하게 되는 것이기 때문이다.
또 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te의 상한치 및 불가피 불순물의 전체 함유량의 상한치는 상기한 바와 같이 경제적으로 정한 것이며 어느 경우에도 이들의 상한치를 초과하면 무산소동 극세선에 발생하고 있던 문제점의 발생을 피할 수 없게 되는 것이다.
다음에 본 발명의 방법을 실시예에 의하여 설명한다.
[실시예 1]
원료의 고순도동으로서 S 5ppm, Ag 3ppm을 함유하는 순도 99.999%의 전해동을 진공용해로에서 전기 재전해동을 용해하고 이에 소정량의 정제성분을 첨가 함유시킴으로서 각각 표 1의 성분조성을 가진 동소재를 조제하고 다음으로 단면 10㎜×길이 250㎜의 잉고트를 주조한 후 진공중에서 5회 존멜팅법으로 정제처리를 행하므로서 본 발명법 1-46을 실시하고 각각 극연질동재를 제조하였다.
다음으로 이 결과로 얻은 극연질동재의 정제처리 개시측의 단부로부터 경도 측정용 시험편을 채취 절단 연마하여 이 시험편에 600℃에 30분간 유지 조건으로 풀림처리를 행하고 계속하여 시험편 채취시의 절단연마응력에 의한 가공경화의 영향을 제거하기 위하여 질산에 의한 충분한 산세 엣칭을 행하고 이 상태에서 빅커스경도를 측정하였다.
이들의 측정결과를 표 1에 표시하였다.
또 표 1에는 상기 정제 처리전의 경도를 표시하였다.
또 비교목적으로 상기 잉고트와 동일한 치수를 가진 상기 재전해동 및 이전전해동을 다시 전해한 것으로 부터된 재전해동을 고순도동으로서 준비하고 빅커스 경도를 촉정한 후 이에 직접 동일조건으로 정제처리를 행하므로서 비교법 1.2를 행하고 다시 동일 조건으로 시험편해취, 풀림처리, 산세 엣칭을 해하여 이 상태에서 빅 커스 경도를 측정하였다.
이들의 측정결과를 표 1에 표시하였다.
표 1에 표시된 결과로부터 본 발명 1-46에 의하면 어느 것이나 Hv 40 이하의 극히 낮은 경도를 갖이는 극연질 극세선을 얻을 수 있음에 대하여 비교법 1.2에서 보는 바와 같이 정제성분을 함유치 않는 경우는 존멜팅법에 의한 정제 처리에 의하여서도 현저히 연질화가 불가능함이 명백하다.
또 표 1 본 발명법 NO, 1-14, 31-46 및 비교법 1 및 2의 Hv치는 전기 절단연마 응력에 의한 가공 경화의 영향을 제거하기 위한 산세 엣칭이 충분하지 못하였음이 판명되었으므로 충분한 산세 후의 Hv재측정하여 수정된 값을 표시한 것이며 수정전의 수치를 ( )로 부기하였다.
[표 1]
Figure kpo00001
[실시예 2]
각각 표 2에 표시된 순도를 가진 무산소동소재, 이것에 전해 정제를 행하여 얻은 전해 고순도동소재, 동일하게 무산소동에 존멜팅정제를 행하여 얻은 존멜딩 고순도동 소재를 준비하고 다시 전기 전해 고순도동 소재를 진공용해로에서 응해하고 이에 각각 표 2에 표시된 비율로 정제 성분을 첨가 함유시킨 후 단면 10㎜×길이 250㎜의 치수를 갖인 잉고트로 주조하고 다음으로 이 잉고트에 각기 진공중에서 5회의 존멜팅 정제를 행한 후 존멜팅 정제 개시부로부터 길이 100㎜를 분취하므로서 동일하게 표 1에 표시된 순도를 갖인 본 발명 고순도 정제동소재 1-42를 정제하고 다음으로 이와같이 조제한 각종 소재에 통상의 조건에서 열간 및 냉각 선인발 가공을 행하므로서 모두 직경 25㎛를 가지는 무산소동 극세선 및 본 발명 고순도동 극세선 1-42를 각기 제조하였다.
다음으로 이 결과 얻은 각종의 극세선에 대하여 볼 본딩전의 와이어 볼부의 단면경도, 즉 와이어 선단에 결선을 행하지 않고 볼을 형성한 상태에서의 볼부의 단면·경도를 빅 커스 경도계로 측정하고 다시 이것을 Si 반도체칩의 Al 합금배선 피막상에 0.15/초 회의 고속으로 볼본딩을 하고 1막의 시험회수중의 전기한 피막 손상개수를 측정함과 동시에 볼부의 단면경도를 역시 빅커스 경도를 측정하였다.
또한 볼부의 단면경도는 무응력 절단하고 엣칭한 상태의 것을 초미소 마이크로 빅커스계를 사용하여 측정하였다. 이들의 측정결과를 표 2로 표시한다.
[표 2a]
Figure kpo00002
[표 2b]
Figure kpo00003
표 2에 표시된 결과로부터 명백한 바와 같이 본 발명 고순도 강제동 극세선 1-42는 모두 S, Se 및 Te 성분의 함량이 각각 0.1ppm 이하이고 전체 불가피 불순물의 함량은 0.3ppm 이하로 대단히 낮으므로 볼본딩 전후에 있어서 와이어 볼부의 경도 변화가 적고 이 결과 고속의 볼본딩에 있어 반도체칩 표면부를 손상시키는 일이 거의 없는데 대하여 무산소동 극세선이나 전해고순도동 극세선, 다시 존멜팅 고순도동 극세선에 있어서는 S, Se 및 Te 성분이나 전체 불가피 불순물의 함량이 상대적으로 높고 이것을 특히 고속 볼본딩후의 와이어 볼부의 경도 상승으로 나타나 있고, 그리고 볼딩시에 있어 반도체칩 표면부의 손상이 현저한 것으로 되어 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 고순도동 극세선은 고속 볼본딩에 있어서 반도체칩 표면부를 손상함이 거의 없는 것으로 Au 극세선에 대체하는 반도체 장치의 본딩와이어로서 충분히 실용으로 제공될 수 있는 것이다.
[실시예 3]
불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te 성분 함량이 각각 S 6ppm, Se 1ppm, Te 1ppm이고 불가피 불순물의 전체 함량이 37ppm 무산소동을 준비하고 이 무산소동을 재전해를 행하여 S, Se 및 Te의 함량을 각각 S 1ppm, Se 0.3ppm 및 Te 0.3ppm으로 감소시킴과 동시에 불가피 불순물의 전체 함량을 10ppm으로 감소시킨 고순도 전해동을 조제하여 다음으로 이 조제한 고순도 전해동을 진공용해로에서 용해하여 이 정제재를 각각 표 3에 표시된 비율로 함유시켜 단면치수 10㎜×길이 250㎜의 잉고트로 주조한 후 이 잉고트에 각각 진공중에서 3-5회의 범위로 소정 회수의 존멜팅 정제를 행하고 정제후, 정제개시단으로부터 100㎜의 길이를 분취하여 각각 표 1에 표시된 순도를 가지며 그리고 전기 정제재의 함유량이 모두 0.1ppm 이하의 고순도 정제동으로 하여 계속하여 이 고순도 정제동을 진공용해로에서 용해되고 이것에 각각 표 3에 표시된 비율의 휘토류 원소 및 y를 합금성분으로 함유시켜 주조한 후 통상의 조건으로 열간 및 냉간 선인발 가공을 행하므로서 모두 직경 25㎛를 가지며 불가피 불순물로서 S, Se 및 Te의 함량 및 불가피 불순물의 전체 함량이 실질적으로 전기고순도 정제동의 그것과 동일한 본 발명 Cu 합금 1-33을 각각 제조하였다.
또 비교의 목적으로 상기 무산소동 고순도 전해동 및 고순도 정제동으로부터 동일조건으로 극세선을 제조하였다.
다음으로 이 결과 얻은 각종의 극세선을 사용하여 Al 합금배선 피막을 가지는 Si 체에 0.15초/회의 고속으로 볼본딩을 행헐시 와이어 선단에 형성된 볼부의 본딩전 및 이것의 본딩후의 단면경도를 빅커스 경도로 측정함과 동시에 1만회의 본딩을 전기 피막에 손상이 발생한 회수를 측정하고 다시 수지 봉지후의 16핀 IC 100개에 대하여 내구시험으로 채용되고 있는 150℃에 가열후 -55℃로 냉각을 1사이클로하는 열 사이클 시험을 1000회 반복행하여 시험후의 전기 IC에 있어서는 본딩와이어의 볼넥크부에 있어서는 단절개수를 측정하였다.
이들 측정결과를 표 3로 표시한다.
또 상기 볼부의 단면경도는 볼부를 무응력 절단하여 엣칭한 상태의 것을 초미소 마이크로 빅커스계를 사용하여 측정하였다.
[표 3a]
Figure kpo00004
[표 3b]
Figure kpo00005
표 3에 표시된 결과로부터 본 발명 Cu 합금 극세선 1-3은 모두 S, Se 및 Te 성분의 함량의 각각 S 0.2ppm 이하 Se 0.1ppm 이하, 및 Te 0.1ppm 이하로 낮고 그리고 불가피 불순물의 함량도 1ppm 이하로 극히 낮아지므로 와이어 볼부의 경도가 상대적으로 낮고 그리고 볼본딩 전후에 있어서의 와이어 볼부의 경도 변화도 작고 이결과 고속 볼본딩에 있어 Si 체 표면부를 손상하는 일이 거의 없으며 또 합금성분으로서의 회토류 원소 및 y를 0.5-3ppm 함유시키므로서 반복 가열과 냉각에 노출되는 실용환경화에 있어서도 본딩와이어의 볼넥크부에 와이어 절단이 발생하는 일이 거의 없어 신뢰할 수 있는 것에 대하여, 무산소동 극세선, 고순도 전해동 극세선에서는 높은 불가피 불순물의 함유로 인하여 와이어 볼부의 가공경화가 현저하고 전기한 Si 체 표면부의 손상이 현저하고 한편 불가피 불순물의 함량이 극히 낮으나 합금성분으로서의 휘토류 원소 및 y를 함유하지 않는 고순도 정제동 극세선에서는 Si 체 표면부의 손상이 대단히 적으나 볼넥크부에 와이어 절단이 많이 발생하게 됨이 명백하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 Cu 합금 극세선은 이것을 반도체 장치의 본딩와이어로서 사용할 경우 고속 볼본딩에 있어서 반도체칩의 표면부를 손상하는 일이 거의 없고 또 가열과 냉각의 반복하는 사용한경에 있어서도 본딩와이어의 볼넥크부에 와이어 절단이 거의 일어나지 않는 등의 특성을 갖으며 Au 극세선에 대체하는 본딩와이어로서 공업적 유용한 특성을 가지는 것이다.

Claims (6)

  1. 고순도동에 정제성분으로서 휘토류 원소중의 1종 또는 2종 이상을 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하고 이 동소재에 대하여 존멜팅법에 의하여 정제처리를 행함을 특징으로 한 반도체 장치용 본딩와이어의 제조법.
  2. 고순도동에 정제성분으로서 Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb 및 Cs중의 1종 또는 2종 이상을 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하고 이 동소재에 대하여 존멜팅용융법에 의한 정제처리를 행함을 특징으로 하는 반도체 장치용 본딩와이어의 제조법.
  3. 고순도동에 정제성분으로서, Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Pb 및 Cs중의 1종 또는 2종 이상과 휘토류 원소중의 1종 또는 2종 이상과를 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하고 이동소재에 대하여 존멜팅용융법에 의한 정제처리를 행함을 특징으로 한 반도체 장치용 본딩와이어의 제조법.
  4. 고순도동에 정제성분으로서, Mg, Ca, Ti, Zr, Hf 및 Li 중의 1종 또는 2종 이상을 중량비로 0.1-100ppm 함유시킨 동소재를 준비하고 이동소재에 대하여 존멜팅용융법에 의한 정제처리를 행하여 고순도 정제동으로 하고, 얻어진 고순도 정제동에 합금성분으로서 휘토류 원소 및 y중의 1종 또는 2종 이상을 중량비 0.5-3ppm의 범위로 함유시킴을 특징으로 한 반도체 장치용 본딩와이어의 제조법.
  5. 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te의 함유량을 각각 S 0.1ppm 이하, Se 0.1ppm 이하, Te 0.1ppm 이하로함과 동시에 불가피 불순물의 전체 함량을 0.3ppm 이하로한 고순도동 극세선으로 됨을 특징으로 한 반도체 장치용 본딩와이어.
  6. 합금성분으로서 휘토류 원소 및 y중의 1종 또는 2종 이상 0.5-3ppm을 함유하고 나머지 Cu와 불가피 불순물로 되고 그리고 불가피 불순물로서의 S, Se 및 Te 성분을 각각 S 0.2ppm 이하, Se 0.1ppm 이하, Te 0.1ppm 이하로함과 동시에 불가피 불순물의 전체 함량을 1ppm이하로한 조성을 갖이는 고순도동 극세선으로 됨을 특징으로 한 반도체 장치용 본딩와이어.
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