KR900004609Y1 - 온도 변화에 의한 vcr보호 회로 - Google Patents

온도 변화에 의한 vcr보호 회로 Download PDF

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내용 없음.

Description

온도 변화에 의한 VCR보호 회로
제1도는 본 고안에 따른 VCR보호 회로.
제2도는 제1도에 따른 각부 파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전압비교 증폭부 2 : 검출레벨 증폭회로부
3 : 시스템 제어부 TH1, TH2: 온도검출기
VR1: 가변저항 R1∼R11: 저항
IC1: 오피앰프 Q1∼Q3: 트랜지스터
본 고안은 가정용 VCR의 보호장치에 관한것으로 특히 제품의 내부와 외부에 온도 검출기를 각각 설치시켜 제품의 급격한 온도변화에 의해 발생되는 이슬맺힘의 검출을 정확히 수행하도록하여 제품을 보호하도록 한 온도 변화에 의한 VCR보호 회로에 관한 것이다.
종래에는 가정용 VCR에서 급격한 온도 변화가 제품에 가해지게 되면 듀(Dew)센서에 의해 이슬맺힘 상태를 감출하도록 되어있어 실제 적용되는 VCR의 경우 이슬맺힘 부위는 급속체의 부분으로 드럼 부위와 데크 메카니즘 부분인데 이 부분은 신속히 통풍되지 않는 관계로 이슬 맺힘 시간이 지연되게 되어 듀센선은 정확히 동작되지 못하므로 제품을 보호하지 못하게 된다.
즉 상기 드럼 부위와 데크 메카니즘 부분은 일반적으로 제품의 외장 케이스등으로 둘러싸여 있으므로 이슬맺힘의 시간적 지연이 발생되어 이때 사용자가 제품을 동작시키게 되면 회로 보호 동작의 이전상태이므로 제품을 손상시키거나 사용 테이프를 못쓰게 만들게 되며 또한 듀센서의 특성이 부품마다 일정치않아 이러한 부품편차를 보정하기 위해 이슬맺힘 전까지 센서를 동작시켜야되므로 이러한 조작은 실제로 적용하기 어렵다. 즉 이슬맺힘점에서 급격한 저항치의 변화를 갖는 두 센서의 사용은 최적 설계에 큰 장애요인이 되는 등의 문제점이 발생되었다.
이에 본 고안은 상기한 문제점을 개선시키며 더나아가 VCR의 사용상태를 제한하는 역할 즉 제품내부의 온도와 외부의 온도차가 심한 경우 이슬맺힘 상태는 물론 헤드 드럼과 데크메카니즘의 수축에 의한 부품의 정밀도와 조립상태가 변화되므로 이때 제품의 동작을 금지시켜 제품의 성능저하 요인을 제거시키며 회로 부품의 안정한 성능 유지를 위해 제품 내부의 온도와 외부 온도를 비교하여 일정온도차 이상일 경우에는 제품의 동작을 정지시켜 예비동작 상태에 있도록 한뒤 내부와 외부의 온도차가 일정온도차 이하로 되면 제기능을 수행할수 있도록 하는 VCR보호 회로를 구성하기 위한 것이다.
따라서 본 고안의 회로 구성을 제1도에 따라 설명하면, 먼저 온도검출기(TH2)는 내부 온도 검출기로써 헤드 드럼 부분 또는 데크 메카니즘의 금속체상에 제품내부에 부착되어 있으며 온도 검출기(TH1)는 외부 온도 검출기로써 제품의 외장 케이스의 통풍구 주위에 부착되어 외부온도(주위온도)를 검출하도록 하여 각 온도검출소자는 온도에 따라 그 특성이 저항치의 변화로 나타나는 더어미스터를 이용한다.
상기 온도 검출(TH1)는 가변저항(VR1)과 연결되어 전원(VCC)에 접속되며 또한 전압비교증폭부(1)의 저항(R2)을 거쳐 오피앰프(IC1)의 플러스 입력단에 접속되고, 온도검출기(TH2)는 저항(R1)을 통해 전원(VCC)과 연결되며 또한 저항(R3)을 거쳐 오피앰프(IC1)의 마이너스 입력단에 접속되고, 상기 오피앰프(IC1)의 플러스 입력단은 저항(R4)을 거쳐 그의 출력단에 접속되어 검출 레벨 증폭회로부(2)의 트랜지스터(Q1)베이스단에 연결되고, 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터단은 저항(R8)을 거쳐 트랜지스터(Q2)의 베이스단에 접속되고, 그이 에미터단은 저항(R7)을 거쳐 전원(VCC)에 접속되며 저항(R6)을 거쳐 접지접속되고 저항(R5)을 통해 트랜지스터(Q3)의 콜렉터단에 접속시키고, 트랜지스터(Q3)의 에미터단은 접지접속되고 그의 베이스단은 분압용 저항(R10)(R11)을 거쳐 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단에 연결되어 시스템제어부(3)에 접속되고, 상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터단은 저항(R9)을 거쳐 접지접속되고 그의 에미터단은 전원(VCC)에 접속되는 구성이다.
상기한 회로 구성의 동작 설명을 제1도와 제2도에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
제품의 주위온도가 제2도의 (a)와같이 Ta1에서 Ta2로 급격히 변환된 상태 즉 변화온도[△t(℃)]만큼 온도차를 갖게된 상태에서 (b)와같이 제품에 전원을 공급하였을때 외부 온도 검출기(TH1)의 양단에는 전압(V1)이 제2도의 (c)와 이 나타나며 내부 온도 검출기(TH2)의 양단에는 전압(V2)이 (d)와같이 서서히 증가되는 상태로 나타나게 된다.
이때 가변저항(VR1)과 저항(R1)은 상기 온도 검출기(TH1)(TH2)와 접속되어 온도 검출기의 저항치 변화를 전압(V1)(V2)으로 검출되도록 하는 전압 범위결정용 가변저항이며 전압 공급저항이다.
따라서 외부 온도의 검출 전압(V1)은 저항(R2)을 거쳐 전압 비교 증폭부(I)의 오피앰프(IC1)플러스 입력단에 인가되며 또한 내부 온도의 검출전압(V2)은 저항(R3)을 거쳐 오피앰프(IC1)마이너스 입력단에 인가되어 상기 오피앰프(IC1)에서 비교 증폭을 하게 되는데 상기 전압(V1)이 전압(V2)보다 높으면 오피앰프(IC1)의 출력은 이득치 () 만큼 증폭되어 제2도의 (e)와같이 나타나게 된다.
상기에 따라서 오피앰프(IC1)의 출력은 검출레벨 증폭 회로부(2)의 트랜지스터(Q1)의 베이스단에 인가되며 트랜지스터(Q1)의 에미터는 트랜지스터(Q1)의 "온"동작 이전에 전압이 VCC·[V]로 되어있고 이 전압은 초기 "온"전압의 실정용이다.
즉, 상한전압(VF1)은 (VCC·) 0.6[V]이 된다.
(상기식에서 0.6[V1])는 트랜지스터(Q1)의 베이스와 에미터간의 전압임)따라서 상기한 전압(VF1)을 저항(R6)과 저항(R7)의 선택에 의해 초기 동작 전압을 설정할수 있으며, 전압(V1)과 전압(V2)의 차이가 변화 온도[△t(℃)]에 대응되므로 상기 오피앰프(IC1)의 출력이 상한전압(VF1)보다 클경우 트랜지스터(Q1)는 구동되어 내부 온도와 외부 온도의 차이가 클때 동작 될수있도록 설정한다.
따라서 트랜지스터(Q1)가 구동되면 그의 에미터단에는 제2도의 (f)와같은 파형이 나타나게 되고 콜렉터 전위는 로우 상태가 되어 트랜지스터(Q2)를 구동시켜 트랜지스터(Q2)의 에미터단은 하이상태가 되어 저항(R9)의 양단에 보호회로의 검출출력인 (g)파형이 유기되게 되므로 (g)파형의 하이(H)전압은 시스템제어부(3)에 인가되어 제품의 동작을 금지시켜 예비상태로 있게하여 보호회로로써 동작 하도록 하며 또한 분압용 저항(R10)(R11)을 거쳐 트랜지스터(Q3)의 에비스단에 인가되어 트랜지스터(Q3)를 구동시키게 된다. 상기 트랜지스터(Q3)의 구동으로 콜렉터단에 연결된 저항(R5)은 트랜지스터(Q1)의 에미터저항(R6)과 병렬접속상태가 되어 상기 (f)파형은 상한전압(VF1)에서 하한전압(VF2)으로 변경되어 하한전압(VF2)은+ 0.6[V]이 된다. 따라서 하한전압(VF2)을 상한전압(VF1)보다 낮아지도록 저항(R5)을 설정하면 트랜지스터(Q1)가 오프되는 트랜지스터(Q1)의 베이스전압을 정할수 있으므로 외부온도 검출기(TH2)의 검출전압(V2)과 내부온도 검출기(TH2)의 검출전압(V2)차이가 근소하게 될때 보호회로의 동작을 금지시켜 제품의 기능을 정상적인 상태로 회복되도록하는 검출회로의 출력(g)파형의 로우(L)전압을 얻을수 있게 된다. 상기 검출회로 출력(g)파형의 하이(H) 상태는 VCR의 시스템제어회로(3)에 입력되어 이 신호에 의해 제품의 기능을 예비동작 상태로 대기하도록 하여 VCR의 재생 또는 녹화등의 메카니즘 동작을 금지시키게 되며 로우(L)상태는 제품의 기능을 정상적인 상태로 회복되도록 한다.
따라서 본 고안은 이상에서와 같은 설명으로 제품의 주위온도가 급격히 변화되게 되면 제품의 내부와 외부의 온도검출기로써 그 출력을 판별하여 제품의 동작을 금지시켜 사용자의 테이프 손상을 방지시키며 또한 제품의 성능을 보조할수 있도록 하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 가변저항(VR1)과 외부 온도 검출기(TH1)에 의한 분압 전압(V1)을 저항(R1)과 VCR의 내부 온도 검출기(TH2)에 의한 분압 전압(V2)과 비교 증폭하여 검출레벨 증폭회로부(2)에 인가하는 전압 비교 증폭부(1)와, 초기에는 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되는 전압 비교증폭부(1)의 출력이 저항(R7,R6)에 의해 설정된 상한 전압(VF1)이상일때 트랜지스터(Q1∼Q3)의 구동이후에는 전압 비교 증폭부(1)의 출력이 병렬 연결된 저항(R5,R6)과 저항(R7)에 의해 설정된 하한 전압(VF1)이상일때 하이신호를 시스템 제어부(3)에 인가하여 VCR구동을 금지시키도록 검출레벨증폭 회로부(2)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 온도변화에 의한 VCR보호회로.
KR2019860017598U 1986-11-11 1986-11-11 온도 변화에 의한 vcr보호 회로 KR900004609Y1 (ko)

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