KR900002305B1 - 고전압 발생회로의 전압 안정화 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

고전압 발생회로의 전압 안정화 회로
제 1 도는, 본 발명의 제 1 실시예의 고압 안정화 회로의 회로도.
제 2 도는, 제 1 도의 고압 안정화 회로에 있어서의 제어 트랜지스터의 동작을 설명하기 위한 전압 파형도.
제 3 도는, 본 발명의 제 2 실시예의 회로도.
제 4 도는, 제 3 도의 제어 트랜지스터의 동작을 설명하기 위한 전압 파형도.
제 5 도는, 제 2 실시예와 종래의 고압 안정화 회로의 과도응답을 비교한 특성도.
제 6 도는, 본 발명의 제 3 실시예의 회로도.
제 7 도는, 본 발명의 제 4 실시예의 회로도.
제 8 도는, 본 발명의 제 4 실시예의 제 1 의 변형 예를 도시한 도면.
제 9 도는, 본 발명의 제 4 실시예의 제 2 의 변형 예를 도시한 도면.
제 10 도는, 종래의 고압 안정화 회로의 회로도.
제 11 도는, 제 10 도의 제어 트랜지스터의 동작을 설명하기 위한 전압 파형도.
제 12 도는, 그 이외의 종래 회로의 회로도.
본 발명은 텔레비젼(television)수상기, 디스플레이(display)장치등에 사용되는 음극선관(陰極線管)에 공급하는 고전압 발생회로의 출력전압을 안정화(安定化)시키는 안정화 회로에 관한 것이다.
고전압 발생회로의 안정화 회로로서는, 일본국 공개공보 특허 1981-149178(종래예 1), 1981년 -140771호(종래예 2)가 알려져 있다. 이들의 공보에 기재된 안정화 회로는, 고압 출력 전압을 분할(分割)저항 등에 의해 분압(分壓)되고, 분압된 고압 출력전압을 기준 전압과 비교해서, 양자의 차가 적어지도록 고압 회로의 전원 전압을 제어해서, 고압 출력 전압을 정전압화(定電壓化)한다.
제 10 도에 상기 종래예 1에 기재되어 있는 안정화 회로를 간단화 하여 도시한다.
제 10 도에 도시한 안정화 회로는, 스위칭 펄스(switching pulse)입력한다. 1, 고압 출력용 스위칭 트랜지스터 2, 댐퍼 다이오드(damper diode) 3, 공진(共振)콘덴서 4, 후라이 빽 트랜스(fly back trans) 5, 고압 정류(整流)다이오드 6, 고압 출력단자 7, 저항기 8, 9, 16, 17, 검출용 트랜지스터 10, 가변(可變)저항기 11, 오차 증폭 트랜지스터 12, 제너 다이오드(Zener diode) 13, 역 전류 흡수 콘덴서 14, 제어 트랜지스터 15, 전원18으로 된다.
다음에 종래의 안정화 회로의 동작을 설명한다.
고압 출력 트랜지스터 2는, 스위칭 펄스 입력단자 1에 입력되는 주기(周期)T11의 스위칭 펄스에 따라서, 후라이 빽 트랜스 5의 1차 코일(coil)5a의 한쪽끝을 단락(短絡)한다. 이로인해, 후라이 빽 트랜스 5의 1차 코일 5a에 펄스(pulse)전류가 흘러, 2차측 코일 5b에 고전압이 유기(誘起)된다. 정류 다이오드 6은, 이 고전압을 정류하며, 고압 출력단자 7에 직류 고압 전압을 출력한다.
이 직류 고압 전압은 저항기 8,9에 의해 분할되고, 검출용 트랜지스터 10, 가변 저항기 11을 거쳐서, 오차 증폭 트랜지스터 12의 베이스에 인가(印加)된다. 검출용 트랜지스터 10은, 고 입력 임피던스가 요구되기 때문에, 에미터 플로워(emitter follower)회로로서 사용된다. 오차 증폭 트랜지스터 12의 에미터는 제너 다이오드 13과 저항기 17로 되는 기준전압원(源)에 접속되고, 콜렉터(collector)는 제어 트랜지스터 15의 베이스에 접속되어 있다.
우선, 후라이 빽 트랜스 5의 2차 코일 5b에, 고압출력 전류가 흘러서, 고압 출력 단자 7에 나타나는 고압 출력 전압이 저하하면, 검출용 트랜지스터 10의 베이스 전압이 저하하여, 오차 증폭 트랜지스터 12의 베이스 전압이 내려가서, 제어 트랜지스터 15의 베이스 전압이 상승한다.
그 결과, 제어 트랜지스터 15의 에미터 전압이 상승하여, 후라이 빽 트랜스 5의 1차 코일 5a로 흐르는 펄스 전류가 증가하고, 2차 코일 5b의 고압 출력 전압이 상승한다.
역으로, 고압 출력 단자 7에 나타나는 전압이 증가하면, 안정화 회로는 상기의 설명과 역으로 동작하여, 제어 트랜지스터 15의 베이스 전압이 하강하고, 후라이 빽 트랜스 5의 2차 코일 5a의 전압이 감소한다.
이와같이, 본 안정화 회로는, 고압 출력단자 7에 나타나는 전압을, 저항 17, 제너 다이오드 13으로 되는 기준 전압원의 전압과 비교해서, 항상 기준 전압원의 전압에 따른 전압이 되도록 제어하는 것이다.
이 종래의 전원 제어 방식에 고압 안정화 회로는, 동작은 안정화되지만, 응답 속도가 낮다는 결점이 있다. 이것을 다음에 설명한다.
제 10 도에 있어서, 제어 트랜지스터 15의 에미터 전압을 직류 전압으로 안정화 시키기 위해서, 역 전류 흡수 콘덴서 14는, 댐퍼 다이오드 3을 거쳐서 흐르는 역 방향 전류 IK를 충분히 흡수하기 위해서 대용량의 것으로 할 필요가 있다. 이로인해, 콘덴서 14의 충방전(充放電)의 시정수(時定數)가 커져서, 제어의 응답속도가 늦어지고 있다.
한편, 응답속도를 빨리하기 위해서, 콘덴서 14의 용량을 적게하면, 콘덴서 14의 단자 전압은 주기(周期)TH의 파라볼라(Parabola)상태의 파형(波形)을 가진 전압으로 되고, 제어 트랜지스터 15의 동작 파형은 제 11 도 a에서, 제 11 도 b에 도시한 파형으로 이행하여, 제어 트랜지스터 15의 에미터 전압 21'가 상승하고, 베이스 전압보다 높아졌을때에 차단해서, 스위칭 동작을 하도록 된다. 제 11 도에 있어서, 직선 19는 콜렉터 전압, 직선 20은 베이스 전압, 선 21, 21'는 에미터 전압을 표시한다.
제어 트랜지스터 15가 차단되면, 역 베이스 전류 Ibk가 베이스로부터 흘러나간다. 이로인해 제어트랜지스터 15의 베이스 전압이 불안정하게 되여 발진(發振)하게 된다.
이 발진을 방지하는 대책으로서 제 12 도에 도시한 것과 같이, 제어 트랜지스터 15의 베이스 끝과 접지 사이에, 역 방향 베이스 전류 흡수 콘덴서 14'를 마련해서, 베이스전압을 안정화시키는 방법을 생각할 수 있다.
그러나, 이 방법으로는, 역시, 콘덴서 14는 대용량으로 할 필요가 있고, 충 방전의 시정수가 커져서, 결과적으로는, 제어의 응답 속도를 빨리 할 수가 없었다.
또, 역류 방지 콘덴서 14의 용량치를 더욱 적게하면, 파라볼라 상태 파형의 콘덴서 14의 단자 전압의 피이크(peak)수치가 제어 트랜지스터 15의 에미터 베이스사이의 내압을 초과하여, 제어 트랜지스터 15가 파괴되여 버리는 결점이 있다.
또, 고압출력 단자 7에 접속되는 음극선관의 화면(畵面)내의 휘도(輝度)변화가 큰 부분이 있으면, 음극선관을 흐르는 고압 출력 전류가 급변하여, 이에 따라서 고압 출력 단자 7의 전압도 변동하지만, 이때, 안정화회로에 의한 전원 전압의 제어가, 상기 변동에 충분히 대응할 수 가 없었다. 그 결과, 화면 진폭의 변화, 콘버젠스(convergence)편차, 포오커스(focus)열화(劣化)등의 불합리한 점이 생겼다.
본 발명의 목적은, 역 전류 흡수 콘덴서의 용량을 적게 하고, 또한 응답속도가 빠르며, 또한 안정된 동작을 하는 고전압 발생 회로용의 안정화 회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 고압 전원회로의 급격한 출력 변동에 대해서도, 충분히 응답할 수 있는 안정화 회로를 제공하는 데 있다.
본 발명에 의한 고압 안정화 회로는, 코먼(common)에미터 형의 제어 트랜지스터와, 용량치를 콘덴서의 단자 전압이 상기 제어 트랜지스터의 베이스 전압을 초과 하지 않는 범위로 설정한 역 전류 흡수 콘덴서를 마련한 점에 특징이 있다.
또, 본 발명의 다른 특징은, 상기 코먼에 에미터 형의 제어 트랜지스터의 콜렉터에 애노드(anode)가 접속되고, 후라이 빽 트랜스의 1차 코일에 캐소드(cathode)가 접속된 다이오드를 마련해서, 그 다이오드의 캐소드로부터 고전압 발생회로에 전류를 공급하여, 고전압 발생 회로 출력 용량을 적게한 점이다.
본 발명의 또 다른 특징은 고전압 발생회로의 고압 출력 전류를 검출하고, 그 전류의 미분(微分)신호에 의해, 제어 트랜지스터를 고속으로 제어해서, 고압 출력 전류의 급격한 변화에도 충분히 대응할 수 있도록 한점에 있다.
본 발명의 제 1 의 실시예를 제 1 도에 도시한다.
본 발명의 안정화 회로는, 스위칭 펄스 입력단자 1, 고압 출력용 스위칭 트랜지스터 2, 댐퍼 다이오드 3, 공진 콘덴서 4, 후라이 빽 트랜스 5, 고압 정류 다이오드 6, 고압출력단자 7, 저항기 8, 9, 16, 17, 검출용 트랜지스터 10, 가변 저항기 11, 오차 증폭 트랜지스터 12a, 12b, 제너 다이오드 13, 역전류 흡수 콘덴서 14, 코먼 에미터 형의 제어 트랜지스터 15b, 전원 18로 된다.
즉, 본 발명의 안정화 회로와, 제 10 도에 도시한 종래의 안정화 회로와의 차이는, 제어 트랜지스터로서 코먼 에미터형의 트랜지스터를 사용한 것과, 오차 증폭용 트랜지스터 12a, 12b에 의해 된 차동 증폭 회로를 마련한 것이다.
또, 제 2 도는, 그 제어 트랜지스터 15b의 동작 파형을 도시한다. 제 2 도에 있어서, 선(line)24는, 에미터 전압, 선 25는베이스 전압, 선 26는 콜렉터 전압을 표시한다.
본 회로의 동작을 설명한다.
고압 출력단자 7을 통하여 고전압 발생회로로부터 고압 출력 전류가 흘러가면, 고압 출력 단자 7에 있어서의 고압 출력 전압이 저하된다. 이 전압의 변동은 분압저항 8, 9에 의해 분압되어서 트랜지스터의 10의 베이스 끝에 전달되여, 트랜지스터 10의 베이스 전압이 저하한다. 이에 따라서, 트랜지스터 10의 에미터 전류가 감소한다.
오차 증폭용 트랜지스터 12a, 12b는, 차동 증폭회로를 형성하는, 차동증폭회로의 한쪽의 트랜지스터 12a의 베이스 끝은, 저항 17, 제너 다이오드 13으로 되는 정전압원에 접속되고, 다른쪽의 트랜지스터 12b의 베이스 끝은, 트랜지스터 10의 에미터 전류를 전압으로 변환하는 저항11에 접속되여 있다.
따라서, 트랜지스터 10의 에미터 전류가 감소하면, 트랜지스터 12b의 베이스 전압이 감소하고, 트랜지스터 12b의 콜렉터 전류가 감소하여, 트랜지스터 12a의 콜렉터 전류가 증가한다.
트랜지스터 12a의 콜렉터 전류가 증가하면, 트랜지스터 15b의 베이스 전압이 내려가서, 제어 트랜지스터 15b의 콜렉터 전압이 상승하고, 후라이 빽 트랜스 5를 거쳐서 고압 출력단자 7의 전압이 상승하여, 단자 7의 전압이 감소가 보상(補償)된다.
그런데, 본 실시예에 있어서는, 제어 트랜지스터로서, 코먼 에미터형의 트랜지스터 15b를 사용하고 있으므로, 그 제어 트랜지스터 15b의 에미터 전압(제 2 도의 24)를 예를들면, 100V로하면, 베이스 전압(제 2 도의 25)는 99V정도로 된다. 이에 대해서, 상기 제 7 도의 종래 회로인 경우는, 제어 트랜지스터 15의 콜렉터 전압(제 8 도의 19)을 100V로 하면 그 에미터 전압(제 8 도의 20)은 90V정도로 된다.
이 때문에, 본 실시예에 있어서는, 역전류 흡수 콘덴서 14의 후라이 빽 트랜스 5측의 단자 전압을 종래회로보다 9V정도 높게 설정할 수가 있고, 그 분량만큼, 그 역전류 흡수 콘덴서 14의 용량을 적게 할 수가 있다.
역전류 흡수 콘덴서 14의 용량을 적게하면, 그 콘덴서 14의 단자 전압은, 제 2 도의 선 26으로 도시된 것과 같이, 주기 TH의 파라볼라상의 파형으로 되지만, 그 파라볼라상 파형의 최대치가 베이스 전압 25를 초과하지 않는 범위에 있어서, 그 콘덴서의 용량을 적게 할 수가 있다. 실험에서는 종래의 회로의 용량의 1/10정도로까지, 적게 할 수가 있었다.
이상과 같이, 본 사실예에 의하면, 역전류 흡수 콘덴서 14의 용량을 종래의 것과 비해서 적게 할 수 있으므로, 동작을 불안정하게 하는 일 없이 제어의 응답속도를 빠르게 할 수가 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시예를 제 3 도를 이용해서 설명한다.
본 실시예의 안정화 회로에서는, 상기 제어용 트랜지스터 15b의 콜렉터에 역류 방지용의 다이오드 23을 마련하였다.
제 4 도에, 제 3 도의 제어 트랜지스터 15b의 동작 파형을 도시한다. 그리고, 제 3 도와 제 4 도에 있어서, 제 1 과 제 2 도와 같은 부호를 붙인 것은 같은 것을 표시한다.
이 제 2 실시예에 있어서는, 제어 트랜지스터 15b는 베이스 에미터 사이가 언제나 순방향(順方向)바이어스이기 때문에, 차단 동작은 하지 않는다. 또 역류 방지용 다이오드 23에 의해, 제어용 트랜지스터 15b의 콜렉터 전압이 베이스 전압에 클램프(clamp)되어 있으므로, 역전류 흡수 콘덴서 14의 단자 전압이, 제어용 트랜지스터 15b의 베이스 전압 이상으로 되어도, 콜렉터에서 베이스로 역전류가 흐르는 것을 방지할 수가 있다. 이 때문에 역전류 흡수 콘덴서 14의 용량을 제 1 실시예의 것과 비해서 더욱 적게 할 수가 있다.
이와같이, 제 2 실시예에서는, 제어 트랜지스터로서 코먼 에미터 형 트랜지스터를 사용하여, 그 콜렉터에 역류 방지 다이오드를 접속하였으므로, 역전류 흡수 콘덴서 14를 종래의 것보다 매우 적은 수치로 동작시킬수가 있고, 제어 루프(loop)내와 그 이외에 시정수(時定數)회로가 개재(介石)하지 않으므로, 제어의 응답속도를 매우 빠르게 할 수 있다.
제 5 도에 종래의 고압 안정화 회로와, 본 발명의 제 2 실시예의 고압 안정화 회로와의 제어의 과도 응답 특성을 비교해서 도시한다. 제 5 도 A는 고압 출력단자 7에 흐르는 고압 출력전류의 수치를 도시한다. 제 5 도 B는 제 5 도 A에 도시한 것과 같이, 고압 출력단자 7에 펄스 폭 T(10msec), 전류의 7mA의 펄스상의 전류가 흘렀을 경우의 고압 출력단자 7에 있어서의 고압 출력전압의 변화를 도시한다.
제 5 도에 있어서, 선(line)27은 고압 출력전류, 선 28a는 고압 안정화 회로가 없을때의 고압 출력전압, 선 28b는 종래의 고압 안정화 회로에서의 고압 출력전압, 선 28c는, 본 실시예의 고압 안정화 회로에서의 고압 출력전압의 특성을 도시한다. 선 28c에서 이해되는 것과 같이, 본 발명에 의하면, 종래의 안정화 회로에 비해 응답속도가 빠르고, 목표전압으로부터의 편차가 최소로 억제되어 있다.
제 6 도에 본 발명의 제 3의 구체예를 도시한다.
본, 실시예의 안정화 회로는, 제어 트랜지스터 15b와 역류 방지용 다이오드 23의 사이에 제 2 의 제어 트랜지스터 15c를 직열로 접속하고, 저항 209를 제어 트랜지스터 15c의 베이스 끝과 제어 트랜지스터 15b의 에미터 끝에 마련하여, 저항 30을 제어 트랜지스터 15c의 베이스 끝과 콜렉터 끝의 사이에 마련한 것을 특징으로 한다.
제어 트랜지스터 15b, 15c, 직열 접속으로 되여있고, 저항기 29, 30을 적당한 수치로 선정하는 것에 의해, 각각의 콜렉터, 에미터 사이의 전압을 제 3 도의 제어 트랜지스터 15b의 1/2의 전압으로 구동될 수 있다. 이로 인해 전원전압이 고전압인 경우에도, 제어용 트랜지스터로서 낮은 전압용의 트랜지스터를 사용할 수가 있다.
제 6 도의 회로의 동작은, 상기의 점을 제외하고, 제 3 도의 회로의 동작과 마찬가지이다.
제 7 도에 본 발명의 제 4 도의 실시예를 도시한다.
본 실시예는, 제 2 의 실시예의 안정화 회로에 고압 출력전류에 따라서, 제어 트랜지스터 15b를 제어하는 제 2 의 제어회로 24를 마련한 것이다. 설명의 편이상, 제 2 의 실시예에서 기술한 트랜지스터 10, 12a, 12b에 의한 안정화 회로를 제 1 의 제어회로라고 부르기도 한다.
제 2 의 제어회로 24는, 저항 25, 26, 27, 트랜지스터 28, 29와 콘덴서 30 및 부(-)전원 입력단자 31로 된다. 콘덴서 30과 저항 26은 미분(微分)회로를 구성한다. 미분회로의 출력은, 트랜지스터 28, 29를 거쳐서 제어 트랜지스터 15b의 베어스 끝에 공급된다.
이 미분회로에서 후라이 빽 트랜스 5의 2차 코일로 흐르는 고압 출력전류의 변화를 검출하고, 검출전압에 따라서 제어 트랜지스터 15b의 베이스 전압을 제어하여, 안정화 회로의 응답속도를 높인다.
다음에 그 동작을 설명한다. 저항기 25에 의해, 후라이 빽 트랜스의 2차 코일 5b를 흐르는 고압 출력전류를 전압으로 변환해서 검출한다. 콘덴서 30과 저항기 26으로 되는 미분회로에서 고압 출력전류의 변화의 크기에 비례한 미분 전압 신호를 발생하여, 트랜지스터 28의 베이스로 공급한다. 트랜지스터 28의 콜렉터는 저항기 27을 거쳐서 부(-)전원 입력 단자 31에 접속되어 있다. 트랜지스터 29는, 저항기 27에 발생하는 전압에 의해, 제어 트랜지스터 15b의 베이스 전압을 제어 할 수 있도록 구성되어 있다.
지금, 고압 출력전류가 급격히 증가하였다고 하면, 트랜지스터 28의 베이스에는, 상기 미분회로를 거쳐서, 큰 부(-)의 전압이 인가되어, 트랜지스터 28의 콜렉터 전류가 급하게 증가한다. 그결과, 저항기 27에는 큰 전압 강하를 일으키며, 트랜지스터 29의 콜렉터 전압, 즉, 제어 트랜지스터 15b의 베이스 전압은 급속하게 저하해서, 제어 트랜지스터 15b의 콜렉터 전압을 급속히 상승시켜, 고압 출력전압의 저하를 억제한다. 이 동작을, 제 2 의 실시예에서 기술한 트랜지스터 10, 12a, 12b등에 의한 정전압 제어계의 제 1 의 제어수단이 동작할때까지의 사이에, 행하도록 상기의 미분회로 시정수를 설정하고, 이 제 2 의 제어수단과, 상기 제 1 의 제어수단과의 상호 작용을 방지한다. 즉, 제 7 도의 회로에 있어서는 고압부하(고압 출력전류)의 직류 및 비교적 낮은 주파수의 변화에 대해서 응답하는 고압 출력전압을 검출하는 것에 의한 정전압(절대치)제어계와 고압부하의 비교적 높은 주파수의 변화에 대해서 응답하는 고압 출력전류의 변화(미분 신호)를 검출하는 것에 의한 상대치 제어계와의 주파수 분할된 제1, 제 2 의 2개의 제어계를 구성하여 조합시키는 것에 의해, 안정하고, 또한 고속인 제어를 가능하게 하고 있다.
제 5 도의 선 28d에 본 실시예의 안정화 회로에 의한 과도 응답 특성을 도시한다.
제 5 도에서, 명확한 바와같이, 선 28d에 표시한 본 실시예의 특성은, 선 28c에 표시한 제 2 의 실시예의 특성보다도 더욱 응답속도가 빠르고, 전압의 변동도 낮게 억제되어 있다.
제 8 도에, 제 7 도에 도시한 안정화 회로의 변형예를 도시한다. 이 안정화 회로에서는, 제 2 의 제어회로 24의 출력 끝 24a를 오차 검출용 트랜지스터 12b의 베이스 끝에 접속하고 있다.
트랜지스터 12a, 12b가 차동 증폭기로 되어 있으므로, 트랜지스터 12b의 베이스 전압을 변화시키는 것은, 트랜지스터 15b의 베이스 전압을 변화시키는 것과 같고, 제 8 도에 도시한 안정화 회로는 제 7 도에 도시한 안정화 회로와 마찬가지로 동작한다.
제 9 도에 또 다른 변형예를 도시한다.
본 벌명예에서는, 제너 다이오드 3대신으로, 트랜지스터 32, 저항 33, 34에 의해 구성되는 전압 제어형 정전압회로를 기준전압원으로 마련하여, 제 2 의 제어회로의 출력끝을 트랜지스터 32의 베이스 끝에 접속하였다.
제 2의 제어회로 24의 출력에 따라서 정전압회로의 출력 전압이 변화하고, 트랜지스터 12a의 베이스 끝에 가해지는 기준전압이 변화하여, 제 7 도의 안정화 회로와 마찬가지로 고압 출력전류의 변화에 따라서 고압 출력전압의 제어가 행하여 진다.
본 발명에 있어서, 역전류 흡수 콘덴서 20의 용량을 적게하는 것에 대해서 기술하였으나, 실제 기기의 회로 구성, 부품의 종류 및 그 상대적 배치등에 의해, 결정되는 분포용량이, 사실상, 역전류 흡수 콘덴서 20의 역할을 완수 할 수도 있다.

Claims (11)

  1. ①고전압 발생회로는 후라이 빽 트랜스(5)와, 후라이 빽 트랜스의 1차 코일(5a)의 제 1 의 단자에 콜렉터 끝을 접속된 고압 출력 트랜지스터(2)와, 고압 출력 트랜지스터와 병렬로 접속된 공진 콘덴서(4)와, 후라이 빽 트랜스의 1차 코일의 제 2 의 단자에 접속된 역전류 흡수 콘덴서(14)와, 후라이 빽 트랜스의 2차 코일(5b)에 직열로 접속된 정류기를 가지며, ②검출회로는, 상기 고전압 발생회로의 출력단자에 접속되어 상기 고전압 발생회로의 출력전압을 검출하며, ③기준전압원은, 기준 전압을 발생하며, ④제어수단은, 상기 고전압발생회로, 상기 기준전압원 및 상기 검출 회로에 접속되고, 기준전압과 검출전압의 차전압이 적게 되도록 후라이 빽 트랜스(5)의 1차 코일(5a)에 가하는 전원 전압을 제어하며, ⑤전원(18)은, 상기 제어수단에 접속되어 있는 상기 고전압 발생용 안정화 회로에 있어서, 상기 제어수단은, a : 코먼 에미터형의 제어 트랜지스터(15b)는, 콜렉터 끝을 상기 후라이 빽 트랜스(5)의 1차 코일(5a)의 제 2 의 단자에 접속되어, 에미터 끝을 상기 전원에 접속되며, b : 차등 증폭회로는, 베이스 끝을 상기 기준전압원에 접속하고, 콜렉터 끝을 상기 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 끝에 접속된 제 1 의 트랜지스터(12a)와, 베이스 끝을 상기 검출 회로에 접속되고, 에미터 끝을 상기 제 1 의 트랜지스터의 에미터 끝에 접속된 제 2 의 트랜지스터(12b)와, 상기 제 1 의 트랜지스터의 콜렉터 끝과 상기 전원의 사이에 접속된 저항(16)을 갖는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  2. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 역전류 흡수 콘덴서(14)는, 그 용량치를 상기 역전류흡수 콘덴서의 단자 사이의 전압이 상기 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 전압을 초과하지 않는 범위로 설정하고 있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  3. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 제어회로는 애노드 끝을 상기 제어 트랜지스터(15b)의 콜렉터 끝에 접속되고, 캐소드 끝을 상기 역전류 흡수 콘덴서(14)에 접속되어 있는 다이오드(23)를 가지는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  4. 특허 청구의 제 3 항에 있어서, 상기 역 전류 흡수 콘덴서(14)는, 그 용량치를 상기 역전류 흡수 콘덴서의 단자 사이의 전압이 상기 제어 트랜지스터의 베이스 전압을 초과하지 않는 범위로 설정하고 있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  5. 특허 청구의 범위 제 3 항에 있어서, 상기 제어회로는 상기 제어 트랜지스터(15b)와 직열로 접속되어 있는 제 2 의 제어 트랜지스터(15c)를 가지는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  6. ①고전압 발생회로는, 후라이 빽 트랜스(5)와, 후라이 백 트랜스의 1차 코일(5a)의 제 1 의 단자에 콜렉터 끝이 접속된 고압 출력 트랜지스터(2)와, 고압 출력 트랜지스터와 병렬로 접속된 공진콘덴서(4)와, 후라이 빽 트랜스의 1차 코일의 제 2 의 단자에 접속된 역전류 흡수 콘덴서(14)와, 후라이 빽 트랜스의 2차 코일(15b)에 직열로 접속된 정류기(6)를 가지며, ②검출회로는, 상기 고전압 발생회로의 출력단자에 접속되어, 상기 고전압 발생회로의 출력전압을 검출하며, ③기준 전압원은, 기준전압을 발생하며 ④제어수단은, 상기 고전압 발생회로, 상기 기준 전압원과, 상기 검출회로에 접속되고, 기준전압과 검출전압의 차전압이 적어지도록 후라이 빽 트랜스(5)의 1차 코일(5a)에 가하는 전원전압을 제어하며, ⑤전원(18)은, 상기 제어수단에 접속되어 있는, 상기 고전압 발생회로용 안정화 회로에 있어서, 상기 제어수단은, a : 콜렉터 끝을 상기 후라이 빽 트랜스의 제 1 의 단자에 접속되어, 에미터 끝을 상기 전원(18)에 접속되어 있는 코먼 에미터형의 제어 트랜지스터(15b), b : 베이스 끝을 상기 기준 전압원에 접속되고, 콜렉터 끝을 상기 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 끝에 접속된 제 1 의 트랜지스터(12a)와, 베이스 끝을 상기 검출회로에 접속되어, 에미터 끝을 상기 제 1 의 트랜지스터(12a)의 에미터 끝에 접속된 제 2 의 트랜지스터(12b)와, 상기 제 1 의 트랜지스터의 콜렉터 끝과 상기 전원 사이에 접속된 저항(16)을 가지는 차동 증폭회로를 포함하는 제 1 의 제어회로, 상기 후라이 빽 트랜스(5)와, 상기 제 1 의 제어회로를 접속되고, 상기 후라이 빽 트랜스의 2차 코일 (5b)에 흐르는 고압 출력전류를 검출하는 제 2 의 검출회로를 갖고, 검출 출력에 따라서 상기 제 1 의 제어회로의 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 전압을 제어하는 제 2 의 제어회로(24)를 갖는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  7. 특허 청구의 범위 제 6 항에 있어서, 상기 역 전류 흡수 콘덴서(14)는, 그 용량치를 상기 역전류 흡수콘덴서의 단자 사이의 전압이 상기 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 전압을 초과하지 않는 범위로 설정하고 있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  8. 특허 청구의 범위 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 의 제어회로는, 상기 고압 출력 전류를 미분하는 미분회로(30, 26)를 갖는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  9. 특허 청구의 범위 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 의 제어회로(24)의 출력끝은, 상기 제어 트랜지스터(15b)의 베이스 끝에 접속되어 있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  10. 특허 청구의 범위 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 의 제어회로(24)의 출력끝(24a)은, 상기 제 2 의 트랜지스터(12b)의 베이스 끝에 접속되어 있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
  11. 특허 청구의 범위 제 8 항에 있어서, 상기 기준 전압원은 전압 제어형 정전압 회로(32, 33, 34)를 가지며, 상기 제 2 의 제어회로(24)의 출력끝은, 상기 전압 제어형 정전압 회로의 제어 입력단자에 접속되어있는 고전압 발생회로용 안정화 회로.
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