KR900001912Y1

KR900001912Y1 - 전원 장치

Info

Publication number: KR900001912Y1
Application number: KR2019870014174U
Authority: KR
Inventors: 최병열
Original assignee: 주식회사금성사; 최근선
Priority date: 1987-08-25
Filing date: 1987-08-25
Publication date: 1990-03-10
Also published as: KR890005754U

Abstract

내용 없음.

Description

전원 장치

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 고안의 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 트랜스 2 : 고압정류회로

3 : 지압 정류 회로 4 : 스위칭 제어회로

5 : 스위칭 회로

본 고안은 입력된 교류 전압의 변동에 따라 고압 정류회로와 지압 정류회로의 정류 전압을 각각 스위칭 전환시켜 정전압 회로에 공급하는 전원 장치에 관한 것으로서 특히 고압 정류 회로의 스위칭 전환시 전력소비를 줄일수 있도록 한 전원장치 회로 구성에 관한 것이다.

종래의 전원 장치는 제1도에 도시된 바와 같이 트랜스(가)의 1차측에 입력된 교류전압(ACV)의 변동에 따라 트랜스(가)의 2차측에 연결된 고압정류부(나)와 지압정류부(다)의 출력을 스위칭부(라)에서 스위칭 하여 정전압부(마)에 선택적으로 입력시키도록 하되 교류전압(ACV)의 변동은 검출부(마)에서 검출하여 스위칭부(라)를 온, 오프토록 되어 있다.

즉, 입력되는 교류전압(ACV)이 소정전압 이하인 경우에는 저압정류부(다)의 정류 출력이 낮아져서 제너다이오드(ZD₁₁)가 오프되므로 트랜지스터(Q₁₁)가 오프된다. 따라서 트랜지스터(Q₁₂)가 온되므로 이때에는 고압정류부(b)의 출력이 다이오드(D₁₁)를 통해 정전압부(마)에 입력된다.

그러나 교류전압(ACV)이 소정 전압 이상이 되면 저압 정류부(다)의 정류 출력이 높아져서 제너다이오드(ZD₁₁)가 온되므로 트랜지스터(Q₁₁)가 온된다.

따라서 트랜지스터(Q₁₁)가 오프되므로 이때에는 고압 정류부(나)의 출력이 차단되고 지압 정류부(다)의 출력이 정전압부(마)에 입력되는 것이다.

그러나 이러한 종래의 전원 장치는 고압 정류부(나)의 출력이 공급되는 경우 트랜지스터(Q₁₂)의 콜렉터-에미터 간의 전압 강하를 줄이기 위해 저항(R₁₁)값을 작게 해야 하고, 저항(R₁₁)값이 작으면 저항(R₁₁)에서의 소비전력이 증가하게 되어 효율이 낮아지게 되며 또한 다이오드(D₁₁)에 큰 전류가 흐르게 되므로 다이오드(D₁₁)에 의한 전압 강하분 만큼 고압정류부(나)의 출력 전압이 감소되고 전력소비가 더욱 커지게 되는 문제점이 있었다.

본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 전원 장치는 전력소비를 줄여서 효율을 높이고 고압 정류부의 동작시 전압의 강하분을 최소로 줄여서 정전압부에 공급할 수 있도록 한 전원 장치를 제공하는데 본 고안의 목적이 있는 것이며. 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 구성 및 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

우선 제2도를 참조하면 본 고안의 구성은, 트랜스(1)의 2차측에는 각각 브릿지 다이오드(D₀-D₃)와 콘덴서(C₀)로된 고압정류 회로(2)와, 브릿지 다이오드(D₄-D₇) 및 콘덴서(C₁)로 된 저압 정류회로(3)를 연결하되 고압정류 회로(2)의 출력은 스위칭 제어회로(4)를 구성하는 트랜지스터(Q₀)의 에미터-콜렉터를 통해 콜렉터 전지 트랜지스터(Q₁)의 베이스-에미터를 지나 다이오드(D₀, D₁)애노드에 연결하고, 트랜지스터(Q₀)베이스는 스위치 회로(5)를 구성하는 트랜지스터(Q₂)베이스에 연결함과 동시에 전압변동 검출회로(6)를 구성하는 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터에 연결하되 트랜지스터(Q₃)베이스는 저압 정류회로(3)의 출력전압을 검출하는 제너다이오드(ZD₀)가 베이스에 연결된 에미터 접지 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터에 연결 하여서된 것이다.

미설명 부호 R₀-R₃는 저항, C₂는 콘덴서, D₃은 고안 정류회로(2)동작시 고압 차단용 다이오드, ACV는 트랜스 1차측에 입력되는 교류전압, 7은 정전압 회로이다.

본 고안의 작용 효과를 제2도에 도시된 바와 같이 교류전압(ACV)이 소정 전압 이하인 경우에는 저압 정류회로(3)의 정류출력 전안이 낮으므로 이때에는 제너다이오드(ZD₀)가 오프되어 트랜지스터(Q₄)가 오프된다.

따라서 트랜지스터(Q₃)가 온 되므로 트랜지스터(Q₂) 및 트랜지스터(Q₀)가 온 되어 트랜지스터(Q₁)가 온 된다.

그러므로 고압 정류회로(2)의 정류 출력전압은 스위칭 회로(5)의 트랜지스터(Q₂) 에미터-콜렉터를 통해 정전압 회로(7)에 입력된다.

이때 고압 정류회로(2)의 정류 작용은 트랜스(1)의 2차측 일단이 양(+)인 반주기에는 그 일단으로부터 다이오드(D₂), 콘덴서(C₀), 접지, 트랜지스터(Q₁)콜렉터-에미터, 다이오드(D₁)를 통해 2차측 타단으로 폐회로가 형성되고, 그 타단이 양(+)인 반주기 동안에는 다이오드(D₃), 콘덴서(C₀), 접지, 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터-에미터, 다이오드(D₀)를 통해 2차측 일단으로 폐회로가 형성되어 정류 작용을 수행하게 된다.

그리고 교류전압(ACV)이 소정전압 이상 되면 정류회로(3)의 정류출력 전압이 증가하게 되므로 이때에는 제너다이오드(ZD₀)가 온 되어 트랜지스터(Q₄)가 온된다.

따라서 트랜지스터(Q₃)가 오프 되므로 트랜지스터(Q₂) 및 트랜지스터(Q₀)가 오프되어 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 인가되는 바이어스 전위가 차단되므로 트랜지스터(Q₁)의 에미터-콜렉터간의 전류 통로가 차단된다.

그러므로 트랜스(1)의 2차측 권선의 타단이 양(+)이 될때 트랜스(1)의 2차측 권선의 타단이 양(+)이 될때 트랜스(1)의 2차측 권선 차단→다이오드(D₇)→콘덴서(C₁)→트랜지스터(Q₁)의 콜렉터-에미터→다이오드(D₀)→2차측 권선의 일단의 통로가 차단됨과 동시에 그 반대로 트랜스(1)의 2차권선의 일단이 양(+)이 될때에의 전류 통로 2차측 권선 일단→다이오드(D₂)→콘덴서(C₀)-트랜지스터(Q₁)의 콜렉터-에미터→다이오드(D₁)→2차측 권선의 타단의 통로가 차단되어서 고압 정류회로(2)가 작동되지 않을 뿐아니라 고압 정류회로(2)의 양향이 저압정류 회로(3)에 미치지 않게 되는 것이다.

이와 같이 트랜지스터(Q₁)가 오프되면 상기한 고압 정류회로(2)의 폐회로가 차단되므로 고압 정류회로(2)는 동작 하지 않게 됨은 물론 트랜지스터(Q₂)가 오프되면 고압 정류 회로(2)의 출력과 정전압회로(7)의 입력이 분리되어 결국 고압정류회전(2)에 의한 지압 정류회로(3)에로의 영향이 배제됨과 동시에 고안정류회로(2), 스위칭 제어회로(4), 스위칭 회로(5)에서의 전력 소비는 전혀 없게 된다.

따라서 전력소비가 격감되는 것이고 이 경우에는 지압 정류 회로(3)의 정류 출력 전압이 다이오드(D₈)를 통해 정전압 회로(7)에 입력되는 것이다.

이와 같이 본 고안에 의하면 전원장치의 전력 소비를 줄일 수 있어서 효율증대를 도모할 수 있고 이를 통한 품질 향상을 기할 수 있게된 것이다.

Claims

트랜스(1)의 2차측에는 각각 브릿지 다이오드(D₀-D₃)와 콘덴서(C₀)로된 고압정류회로(2)와, 브릿지 다이오드(D₄-D₇) 및 콘덴서(C₁)로된 지압 정류회로(3)를 연결하되 고압 정류회로(2)의 출력은 스위칭 제어회로(4)를 구성하는 트랜지스터(Q₀)의 에미터-콜렉터를 통해 콜렉터 접지 트랜지스터(Q₁)의 베이스-에미터를 지나 다이오드(D₀, D₁)애노드에 연결하고 트랜지스터(Q₂)베이스에 연결함과 동시에 전압변동 검출 회로(6)를 구성하는 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터에 연결하되 트랜지스터(Q₃)베이스는 저압정류회로(3)의 출력전압을 검출하는 제너다이오드(ZD₀)가 베이스에 연결된 에미터 접지 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터에 연결하여서된 전원장치.