KR900001328Y1 - 고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로 - Google Patents

고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로 Download PDF

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KR900001328Y1
KR900001328Y1 KR2019870011287U KR870011287U KR900001328Y1 KR 900001328 Y1 KR900001328 Y1 KR 900001328Y1 KR 2019870011287 U KR2019870011287 U KR 2019870011287U KR 870011287 U KR870011287 U KR 870011287U KR 900001328 Y1 KR900001328 Y1 KR 900001328Y1
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유재설
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안시환
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    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
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Abstract

내용 없음.

Description

고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로
본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 클램프부 20 : 광도검출회로
30 : 궤환회로 Q1-Q7: 트랜지스터
R1-R12: 저항 C1-C5: 콘덴서
T : 트랩 SW1: 절환스위치
G1: 그리드 CP : 클램프신호
VD : 비데오 신호
본 고안은 고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로에 관한 것으로 촬상관을 사용하는 비데오 카메라에 적용을 시키고자 하는 것이다.
자동차의 헤드 라이트 및 보석류에서 반사되는 고광도 신호가 비데오 카메라의 촬상관으로 입력될때에는 픽업튜브의 광전막에 전자가 포화하게 되어 평상시의 빔 전류로서 주사시키게 되면 일반 주사시와 같이 고광도 신호에 의해 축전된 전하가 제대로 디스차아지(discharge)되지 못하므로 여러번 주사를 행하여야만 완전히 디스차이지 되어 몇번의 프레임이 지난후 까지도 고광도 피사체가 고광도 신호 전류로써 형성되어진다.
따라서 이때에는 유성의 꼬리현상(Comet tail effect)과 같이 길게 늘어지는 단점이 생기는 것이었다.
본 고안은 이와 같은 현상을 최소화시키기 위한 것으로 고광도의 피사체가 검출되었을 경우 픽업 튜브에 평상시보다 더 많은 빔 전류가 공급되게 함으로써 고광도 피사체 주사시 타켓트에 전자가 포화되어 남아있는 것을 방지할 수 있게 한것으로 기준 레벨을 설정하기 위한 클램프부와 고광도 신호를 검출하기 위한 광도 검출회로와 광도신호에 따라 전압분배비가 선택되는 궤환회로로 구성된 것이다.
이를 첨부 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
클램프 신호(CP)는 스피드업소자인 콘덴서(C1) 및 저항(R1)을 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스측에 인가되게 구성하고 비데오 신호는 저항(R2) 및 클램프용 콘덴서(C2)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 에미터측에 공급되게 클램프부(10)를 구성시키어 트랩(T)및 절환스위치(SW1)를 통하여 광도검출회로(20)와 연결되게 구성시킨다.
그리고 광도검출회로(20)는 저항(R4)(R5) 및 콘덴서(C3)를 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스측이 연결되게 구성하여 트랜지스터(Q2)의 베이스측에 인가되는 클램프 신호와 비교되게 구성시켜 저항(R6-R10) 및 콘덴서(C5)와 연결된 트랜지스터(Q4,Q5)와 연결되게 구성시킨다.
또한 광도검출회로(20)에 연결된 궤환회로(30)는 저항(R11)(R12)을 통하여 트랜지스터(Q6)(Q7)가 연결되게 구성시키되 고광도 입사시 트랜지스터(Q1)의 출력이 그리드(G1)에 공급되게 구성하고 평상시 트랜지스터(Q7)의 출력은 저항(R9-R12)으로 분배되어 그리드(G1)에 인가되게 구성시킨 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안에서 클램프부(10)에 클램프펄스(CP)가 콘덴서(C1) 및 저항(R1)으로 구성된 스피드업 소자를 통하여 스위칭 트랜지스터(Q1)의 베이스측에 인가되고, 비데오 신호(VD)가 저항(R2) 및 클램프용 콘덴서(C2)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에 인가되면 스위칭 트랜지스터 (Q1)가 턴온되어 일정량을 클램프시키므로 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에는 클램프된 비데오 신호가 저항 (R3)을 통하여 트랩(T)에 인가하게 된다.
트랩(T)에서는 3.58MHZ성분의 칼라 성분을 제거시켜 휘도 성분만 출력하게 되는 것으로 절환스위치(SW1)가 도면과 같이 개방되어 있는 상태에서 트랜지스터(Q2)의 베이스측에 인가되며 이 신호가 자동차의 헤드 라이트와 같이 밝은 피사체에 비추었을때 가해지는 신호가 된다.
따라서 트랜지스터 (Q3)의 베이스측에 저항(R4)(R5) 및 콘덴서(C3)를 통하여 인가되는 기준 전압인 바이어스 전압과 트랜지스터(Q2)의 베이스측에 인가되는 피사체의 휘도 신호를 비교하여 밝은 빛의 피사체에 비추었을때의 신호가 더 크기 때문에 트랜지스터(Q2)가 턴온되어 트랜지스터(Q4)의 베이스측에 인가된다.
이때 트랜지스터(Q4)(Q5)의 바이어스 볼티지가 기준레벨 이상의 클램프된 비데오 신호로서 인가될 경우에 턴온되고 경우에는 턴온오프되게 설정되어 있어 트랜지스터(Q4)(Q5)의 콜렉터측은 저항(R9)(R10)에 이하여 레벨이 조정된 같은 시그널이 흐르게 된다.
즉 레벨이 조정된 고광도 부분의 비데오 신호가 트랜지스터(Q6)의 베이스측으로 가해져 트랜지스터(Q6)는 턴온되고 트랜지스터(Q7)는 턴오프 상태를 유지하도록 되어 있어 트랜지스터(Q6)의 콜렉터측으로 흐르는 전류의 변화가 그리드 전압으로 인가되므로 픽업 튜브에서는 고광도 부분의 신호가 인가시 빔 전류를 더 많이 흐를수가 있게 된다.
그리고 평상시와 같은 광도 신호의 입력시에는 궤환회로(30)의 트랜지스터(Q6)는 턴오프 상태가 되고 트랜지스터(Q7)는 턴온 상태가 되므로 이때에는 바이어스 분배용 저항(R9-R12)에 의하여 분배된 전압이 그리드(G1)로 공급되어 정상적인 빔 전류가 흐르게 된다.
여기서 절환스위치(SW1)의 접속시에는 클램프된 비데오 신호를 그라운드로 바이패스 시키므로 빔전류 콘트롤에 전혀 영향을 주지 않게 된다.
이상에서와 같이 본 고안은 클램프부를 통한 직류 레벨이 광도 검출 회로에 인가되게 구성시켜 궤환회로를 제어함으로써 고광도의 신호가 입력될때에 타켓트에 보다 많은 빔전류가 흐르게 함으로써 타켓트가 포화됨으로써 생기는 유성 꼬리현상을 제거시킬 수가 있어 고광도시에 보다 선명한 화상을 유지할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 저항(R1)(R2), 콘덴서(C1)(C2), 트랜지스터(Q1)로 구성된 클램프부(10)가 트랩(T) 및 절환스위치(SW1)를 통하여 광도검출회로(20)와 연결되게 구성시키고 트랜지스터(Q2)(Q3)로 비교되게 구성시킨후 저항(R6-R10) 및 콘덴서(C5)를 통하여 동특성의 트랜지스터(Q4)(Q5)가 연결되게 광도검출회로(20)를 구성시키어 트랜지스터(Q6)(Q7) 및 저항(R11)(R12)으로 구성된 궤환회로(30)의 출력이 제어되게 구성시킨 고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로.
KR2019870011287U 1987-07-10 1987-07-10 고광도 입사시 빔전류 콘트롤 회로 KR900001328Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377017B1 (ko) * 2001-07-16 2003-03-26 삼성광주전자 주식회사 자동판매기

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