KR890017554A - 광 도파관 형성 방법 - Google Patents

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KR890017554A
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optical waveguide
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exchanged
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KR1019890005806A
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브루스 빈델 제프리
토마스 카고 제임스
제임스 홈즈 로날드
챨스 휴즈 마이클
Original Assignee
엘리 와이스
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

광 도파관 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따라 형성된 양자-교환 도파관을 포함한 전형적인 Z-컷트 리듐 니오베이트(niobate)기판의 설명도. 제 2 도는 본 발명에 따라 형성된 전형적인 양자-교환 도파관에 대한 깊이의 함수로서, 한측면("E"로 표시)에 양자 교환후의 굴절율을 나타내고, 다른 측면("A"로 표시)에 어니얼(anneal)에 따른 굴절율을 나타내는 굴절율을 설명하는 그래프.

Claims (7)

  1. 광 도파관 형성 방법에 있어서, 가) 합성물 LiXU3로 구성되고, 광 도파관을 형성하기 위해 상부 주표면을 갖는 것 처럼 한정된 광기판을 제공하는 단계와, 나) 마스크안된 지역이 소정의 광 도파관의 영역에 윤곽이 잡히도록 가) 단계에 제공된 기판의 상부 주표면을 마스킹하는 단계와, 다) 유황산 양자와 광기판의 리듐사이의 교환을 위해 충분히 제공된 선정된 온도(t)의 유황산 용액내에 나)단계의 마스크된 기판을 침지시키는 단계와, 라) 상기 상부 표면으로부터 상기 기판의 선정된 깊이(d1)로 교환을 충분히 제공하는 선정된 시간주시(T)후의 용액으로부터 교환된 기판을 제거하는 단계와, 마) 상기 상부 주표면으로부터 마스크를 제거하는 단계와, 바) 높은 온도와, 광 도파관이 충분히 제공되도록 결정된 어니일된 깊이(d2)가 교환된 깊이(d1) 보다 크게 교환된 양자의 이동을 충분히 일으키는 주기 시간에서 상기 교환된 기판을 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 단계 다)의 수행에서, 상기 유황산 용액은 약 110℃ 내지 약 210℃ 범위내에서 일정한 온도가 유지되는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 단계 라)의 수행에서, 상기 선정된 주기시간이 30분 내지 8시간의 범위내에 존재하는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 단계 바)의 수행에서, 상기 교환된 기판이 4시간 내지 5시간의 범위의 시간 주기동안 300℃ 내지 400℃의 범위내의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 단계 가)의 수행에서, 상기 LiXO3기판이 LiNbO3및 LiTaO3의 기(group)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 단계 가)의 수행에서, LiNbO3의 기판이 제공되는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 단계 가)의 수행에서, 상기 LiXO3기판이 Z-컷트 LiXO 결정체로서 제공되는 것을 특징으로 하는 광 도파관 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890005806A 1988-05-03 1989-05-01 광 도파관 형성 방법 KR890017554A (ko)

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