KR890011834A - 술폰아미드 및 이것을 활성성분으로서 함유하는 제초제 - Google Patents

술폰아미드 및 이것을 활성성분으로서 함유하는 제초제 Download PDF

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KR890011834A
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마나부 가쯔라다
도요히꼬 시께
오사무 이께다
히사오 와따나베
데쯔오 다께마쯔
고이찌 요네야마
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에또 다께토시
미쓰비시 가세이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

술폰아미드 및 이것을 활성성분으로서 함유하는 제초제
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 하기 일반식 (Ⅰ)에 의해 표시되는 술폰아미드 화합물:
    상기식에서, A는 치환될 수있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며; R은 저급알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고; W는 히드록시기 또는 할로겐 원자를 나타내며; 또 Z는 할로겐원자, 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, A가 하기 일반식으로 표시되는 기인 술폰아미드 화합물;
    상기식에서, X는 독립적으로 할로겐원자, 저급 알칼기, 저급 할로알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알킬술포닐기, 니트로기 또는 시아노기이고 : n은 0 또는 1 내지 3의 정수를 나타내며, 이때 인접한 2개의 X는 함께 하기 식의 기를 나타낼 수 있고;
    여기에서 r r2는 각각 수소원자 또는 저급알킬기를 나타내고 ; 1은 0 또는 1을 나타내며, 1′은 2 내지 4의 정수를 나타내고 또 1 및 1′의 합은 3 또는 4이다.
  3. 제1항에 있어서, B가 하기 일반식에 의해 표시되는 기인 술폰아미드 화합물 .
    상기식에서, Y는 독립적으로 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내고 ; m은 0, 1 또는 2를 나타낸다.
  4. 제1항에 있어서, Z가 할로겐 원자; 1 또는 그 이상의 할로겐 원자에 의해 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기; 또는 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알콕시기에 의해 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기인 술폰아미드 화합물.
  5. 하기 일반식(Ⅰ)에 의해 표시되는 술폰아미드 화합물을 제초 유효량 함유하고 또 제초제에 허용되는 담체(들) 및/또는 계면활성제(들)을 포함하는 제초제 조성물:
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며 ; R은 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고; W는 히드록시기 또는 할로겐 원자를 나타내며; 또 Z는 할로겐원자, 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기를 나타낸다.
  6. 제5항에 있어서, A가 하기 일반식의 기인 제초제 조성물:
    상기식에서, X는 독립적으로 할로겐원자, 저급 알킬기, 저급 알로알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알킬술포닐기, 니트로기 또는 시아노기를 나타내고; 또 n은 0 또는 1 내지 3의 정수를 나타내며, 이때 인접한 2개의 X는 함께 하기 식의 기를 나타낼 수 있고 ;
    여기에서, r1및 r2는 각각 수소원자 또는 저급 알칼기를 나타내고; 1 은 0 또는 1을 나타내며, 1'은 2 내지 4의 정수를 나타내고 또 1 및 1′의 합은 3 또는 4이다.
  7. 제5항에 있어서, B가 하기 식의 기인 제초제 조성물 ;
    상기식에서, Y는 독립적으로 할로겐원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기 또는, 저급 알콕시기; 또 m은 0, 1 또는 2이다.
  8. 제5항에 있어서, Z가 할로겐원자; 1 또는 그 이상의 할로겐 원자에 의해 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기이거나; 또는 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알콕시기에 의해 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기인 제초제 조성물.
  9. 담수 논밭 및 농경지의 토양 상에 하기 일반식(Ⅰ)의 술폰아미드 화합물을 제초 유효량 투여하는 것을 포함하는 잡초 제거방밥:
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며; R은 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고 ; W는 히드록시기 또는 할로겐 원자를 나타내며 ; 또 Z는 할로겐원자, 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기이다.
  10. 제9항에 있어서, A가 하기 일반식의 기인 방법:
    상기식에서, X는 독립적으로 할로겐원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알킬술포닐기, 니트로기 또는 시아노기를 나타내고; 또 n은 0 또는 1 내지 3의 정수를 나타내며, 이때 인접한 2개의 X는 함께 하기 식의 기를 나타낼 수 있고;
    여기에서 r1및 r2는 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 나타내고 ; 1은 0 또는 1을 나타내며, 1′은 2 내지 4의 정수를 나타내고 또 1 및 1′의 합은 3 또는 4이다.
  11. 제9항에 있어서, B가 하기 식의 기인 방법
    상기식에서, Y는 독립적으로 할로겐원자, 저급 알킬기 ,저급 할로알킬기, 또는 저급 알콕시기 ; 또 m은 0, 1 또는 2이다.
  12. 제9항에 있어서, Z가 할로겐 원자; 1 또는 그 이상의 할로겐 원자에 의해 치환될 수 있는 저급 알킬 술포닐옥시기이거나, 또는 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 할로알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알콕시기에 의해 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기인 방법.
  13. 산 및/또는 산화제의 존재 또는 부재하에 물 또는 수성 용매내에서 하기 일반식(Ⅱ)의 화합물을 차아할로겐산의 알칼리 금속염, 할로겐산의 알칼리 금속염, N-할로게노숙신이미드, 염소, 브롬 또는 요오드와 반응시키는 것을 포함하는, 하기 일반식(Ⅰ)로 표시하는 술폰아미드 화합물의 제조방법.
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며; R은 저급알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고; W는 히드록시기 또는 할로겐 원자를 나타내며; 또 Z는 할로겐원자, 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기를 나타낸다.
  14. 하기 일반식(Ⅴ)의 화합물을 하기 일반식 (Ⅴ-1)의 화합물과 반응시키는 것을 포함하는, 하기 일반식(Ib)로 표시하는 술폰아미드 화합물의 제조방법;
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며 ; R은 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고 ; Z2은 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기를 나타내며; Z21은 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐기 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐기를 나타내며, 또 Ⅴ는 할로겐원자이거나 또는 Z21에서 정의된 술포닐옥시기,에 상응하는 술포닐옥시기를 나타낸다.
  15. 하기 일반식(Ⅵ)의 화합물을 하기 일반식(Ⅵ-1)의 화합물과 반응시키는 것을 포함하는, 하기 일반식(I)로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조방법 :
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며; R은 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고 ; W는 히드록시기 또는 할로겐 원자를 나타내며 ; 또 Z는 할로겐원자, 치환될 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기, 또는 치환될 수 있는 페닐술포닐옥시기이다.
  16. 하기 일반식(Ⅱ)의 화합물을 하기 일반식 (Ⅱ-1)의 화합물과 반응시키는 것을 포함하는, 하기 일반식 (Ic)로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조방법 ;
    상기식에서, A는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내고; B는 치환될 수 있는 페닐기를 나타내며; R은 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 저급 할로알킬기를 나타내고 ; W1은 할로겐 원자이며; 또 Z3는 할로겐원자를 나타낸다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890000977A 1988-01-28 1989-01-27 술폰아미드 및 이것을 활성성분으로서 함유하는 제초제 KR890011834A (ko)

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