KR890008344A - 자전관(磁電管) 원리에 의한 분무음극 - Google Patents

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뷀쯔 페텔
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볼프-디에텔 밧텐슈라그, 볼프-디에틸 뮤엔쓰
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Abstract

내용 없음

Description

자전관(磁電管) 원리에 의한 분무음극
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 암흑공간 차폐를 위한 사각형의 덮개면이 형성되어있고 중앙이 절개된 직사각형 음극의 원근에 대한 사시도.
제2도는 제1도와 유사하지만, 고리모양의 절개면 내지 원통형의 절개면에 의하여 제한되고 음극의 단부에 상부면의 원근에 대한 사시도.
제3도는 진공실의 벽속에 설치된 회전 대칭적 분무음극에 의한 측 절단면도.

Claims (10)

  1. 침식지대(15)의 바깥에 놓여있는 타아깃(8)의 가장자리부분(16)에, 분무표면(9)에 평행으로 설치되고 내측 가장자리(11b)가 형성되어 있는 암흑공간 차폐(11)의 플랜지형 연장부(11a)가 덮이고, 한편으로는 연장(11a)가 형성되어 잇는 암흑공간 차폐(11)와, 분무표면(9)의제한된 가장자리부분(16) 사이에, 다른편으로는 타아깃(8)의 둘레면(10)과, 음극의 기본동체(1) 사이에, 중간전위를 조정할 수 있고 타아깃과 암흑공간 차폐(11)로 부터 떨어져 있으며 암흑공간 차폐(11)와 기하학적으로 유사하고 내측가장자리(12b)가 형성된 전극(12)이 설치된다는 것을 특징으로 하는 분무음극으로서, 음극의 기본동체(1), 분무표면(9)과 둘레면(10)이 형성된 타아깃(8), 타아깃(8)뒤에 배열된 자석 시스템(5)을 갖추고 있으며, 자석 시스템은 둘레에 폐쇄되어 서로 마주보고 있으면서 자장선으로 만들어내기 위한 양극을 가지고 있으며, 자장선은 타아깃에서 나와 활모양의통로를 지나간 다은 다시 타아깃 속으로 들어가며, 그래서 분무표면(9)상에는 폐쇄되고 자성을 띤 터어널이 형성되는데 이 터어널은 작동되는 플라스마를 둘러싸고, 이때문에 한편에서는 분무표면 내측에 놓여있는 침식지대(15)와 경계를 이루고, 다른편에서는 침식지대(15) 깔에 놓여있으면서 침식되지 않는 가장자리와 경계를 이루며, 이때 음극의 기본동체(1)와 타아깃의 둘레면(10)이 암흑공간 차폐(11)로 둘러싸인다는 것을 특징으로 하는 자전관 원리에 의한 분무음극.
  2. 제1항에 있어서, 따로 떨어진 전극(12)은 중간 전위를 자유롭게 조정할 수 있도록(떠있는 상태로)배열되는 것을 특징으로 하는 자전관 원리에 의한 분무음극.
  3. 제1항에 있어서, 중간 전위를 조정할 수 있는 전극(12)의 우희하는 내측가장 자리(12a)가, 기하학적으로 비슷하고 우회하는 암흑공간 차폐(11)의 플랜지형 연장부(11a)의 내측가장자리(11b)보다, 분무표면(9)의 중앙 "M"방향으로 "S"만큼 더 많이 튀어나와 있다는 것을 특징으로 하는 자전관 원리에 의한 분무음극.
  4. 제3항에 있어서, "S"의 크기는 2-5mm, 특히 3-4mm에 달한다는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
  5. 제1항에 있어서, 고리모양을 한 두개의 단부(15a)와 이 단부를 서로 연결시키는 선무양의 중앙부(15b)를 형성한 트랙형의 침식지대(15)를 만들어내기 위한 자석시스템(5)과, 길게 뻗은 분무표면(9)에 있어서, 중간 전위를 조정할 수 있는 전극(12)과 암흑공간 차폐(11)의 연장부(11a)의 우회하는 내측가장자리(12a)(11a)가 고리형 단부(15a) 내측에서 각각 하나의 반원으로 제한되고, 이들의 반경(R1)(R2)은 침식지대(15)의 단부(15a)의 바깥 쪽 반경(R3)에 일치한다는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
  6. 제5항에 있어서, 직사각형의 분무표면(9)이 형성된 타아깃(8)의 경우에, 암흑공간 차폐(11)의 연장부(11a)는, 기하하적으로 비슷한 직사각형의 외주면(11c)과, 두 개의 반원(K2)과, 이 두개의 반원을 서로 연결시키면서 직사각형의 긴측면에 평행으로 배열된 두개의 직선(G2)의 내측 가장자리(11a)와 경계를 짓고 있다는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분문음극.
  7. 제5항에 있어서, 직사각형의 분무표면(9)이 형성된 타아깃(8)의 경우에, 중간 전위를 조정할 수 있는 전극(12)은, 기하학적으로 비슷한 직사각형의 외주면(11c)과, 두 개의 반원(K1)과 이 두 개의 반원을 서로 연결시키면서 직사각형의 긴 측면에 평행으로 배열된 두 개의 직선(G1)의 내측 가장자리(12a)와 경계를 짓는다는(제1도)것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
  8. 제1항에 있어서, 분무표면(9)의 중앙(M)상에, 그리고 침식지대(15)에 의하여 경계진 중앙부(17)상에는 이 영역을 적어도 넓게 덮고 있으면서 조정이 가능한 전위에 있는 또 다른 전극(13)이 있다는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
  9. 제1항에 있어서, 음극의 기본동체(1)와 전극(12)은 전기에 의하여 그리고 기계적으로 서로 연결되며, 암흑공간 차폐(11)의 전위(어스)와 음극전위 사이의 중간전위를 조정할 수 있다(제2도)는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
  10. 제8항과 제9항에 있어서, 음극의 기본동체(1)와 분무표면(9)의 중앙(M)상에 놓여 있는 또 다른 전극(13)은 전기에 의해서 그리고 기계적으로 서로 연결되며, 암흑공간 차폐(11)의 전위(어스)와 음극 전위 사이의 중간전위를 고정할 수 있다(제2도)는 것을 특징으로 하는 전자관 원리에 의한 분무음극.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880014658A 1987-11-16 1988-11-08 자전관(磁電官) 원리에 의한 분무음극 KR930011412B1 (ko)

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3929695C2 (de) * 1989-09-07 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE4022461A1 (de) * 1990-07-14 1992-01-23 Leybold Ag Zerstaeubungskathode
GB9108553D0 (en) * 1991-04-22 1991-06-05 Ion Coat Ltd Ionised vapour source
DE4136951C2 (de) * 1991-11-11 1996-07-11 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten für Kathodenzerstäubungsanlagen
DE4137483A1 (de) * 1991-11-14 1993-05-19 Leybold Ag Kathode zum beschichten eines substrats
DE19627533A1 (de) * 1996-07-09 1998-01-15 Leybold Materials Gmbh Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19731025C2 (de) * 1997-07-18 1999-10-14 Ardenne Anlagentech Gmbh Targetkathodenanordnung
DE19747923C2 (de) 1997-10-30 2002-09-12 Leybold Systems Gmbh Sputterkathode
DE19750270A1 (de) * 1997-11-13 1999-05-20 Leybold Systems Gmbh Sputterkathode
DE19819785A1 (de) * 1998-05-04 1999-11-11 Leybold Systems Gmbh Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip
DE19947932C1 (de) * 1999-09-28 2001-04-26 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zum Magnetronzerstäuben
US6264804B1 (en) 2000-04-12 2001-07-24 Ske Technology Corp. System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system
DE102008023027B4 (de) * 2008-05-09 2012-06-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Elektrodenanordnung für magnetfeldgeführte plasmagestützte Prozesse im Vakuum
US10018337B2 (en) 2015-12-10 2018-07-10 Milwaukee Electric Tool Corporation Flood light

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2616270C3 (de) * 1976-04-13 1981-01-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer schweroxidierbaren Schicht auf einem Körper aus einem leichtoxidierenden Metall oder einer entsprechenden Metallegierung
DE3112104A1 (de) * 1981-03-27 1982-10-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum herstellen von elektrisch leitfaehigen transparenten oxidschichten
JPS607705B2 (ja) * 1981-12-03 1985-02-26 日本真空技術株式会社 スパツタリング装置
NL8202092A (nl) * 1982-05-21 1983-12-16 Philips Nv Magnetronkathodesputtersysteem.
US4414086A (en) * 1982-11-05 1983-11-08 Varian Associates, Inc. Magnetic targets for use in sputter coating apparatus
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor

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DE3738845A1 (de) 1989-05-24
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EP0316523A2 (de) 1989-05-24
ATE100240T1 (de) 1994-01-15
DE3887093D1 (de) 1994-02-24
JPH01156471A (ja) 1989-06-20
EP0316523A3 (de) 1991-01-16

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