KR890007291A - 백 바이어스 전압 발생기 - Google Patents

백 바이어스 전압 발생기 Download PDF

Info

Publication number
KR890007291A
KR890007291A KR870012041A KR870012041A KR890007291A KR 890007291 A KR890007291 A KR 890007291A KR 870012041 A KR870012041 A KR 870012041A KR 870012041 A KR870012041 A KR 870012041A KR 890007291 A KR890007291 A KR 890007291A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
back bias
bias voltage
oscillator
output
voltage
Prior art date
Application number
KR870012041A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900006192B1 (ko
Inventor
조수인
김창현
민동선
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 강진구, 삼성반도체통신 주식회사 filed Critical 강진구
Priority to KR1019870012041A priority Critical patent/KR900006192B1/ko
Priority to JP63267990A priority patent/JPH023153A/ja
Publication of KR890007291A publication Critical patent/KR890007291A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900006192B1 publication Critical patent/KR900006192B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

백 바이어스 전압 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 백 바이러스 전압발생기의 회로도.
제2도는 백 바이러스 전압 레벨감지부의 구체회로도.
제3도는 인버어터의 β비율에 따른 로직드레쉬홀드 전압의 변화그래프.

Claims (2)

  1. 반도체 칩상에 내장되며 반도체 기판에 백 바이어스를 공급하기 위한 백 바이어스 발생기에 있어서, 소정 주파수의 구형파를 발생하는 발진기(10)와, 상기 발진기의 출력을 입력하여 전원공급 전압레벨의 구형파를 만드는 버퍼회로(20)와, 상기 버퍼회로의 출력을 입력하여 백 바이어스 전압을 출력하는 차아지 펌프회로(30)와, 상기 차아지 펌프회로의 출력을 감지하여 상기 발진부를 제어하며 상기 전원공급 전압의 변동에 둔감하게 변하는 백 바이러스 전압을 유지하게 하는 백 바이어스 전압레벨 감지부(40)를 구비함을 특징으로 하는 반도체 회로.
  2. 제1항에 있어서, 백 바이어스 전압 레벨감지부는 백 바이어스 전압을 감지하는 스위칭수단과, 상기 스위칭수단과 전원공급 전압 사이에 접속되며 소정의 비로 전압을 분할하는 전압 디바이더 수단과, 상기 디바이더 수단과 접속하여 상기 디바이더 수단의 출력을 발진부로 반전출력 하는 반전수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870012041A 1987-10-30 1987-10-30 백 바이어스 전압 발생기 KR900006192B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019870012041A KR900006192B1 (ko) 1987-10-30 1987-10-30 백 바이어스 전압 발생기
JP63267990A JPH023153A (ja) 1987-10-30 1988-10-24 バックバイアス電圧発生回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019870012041A KR900006192B1 (ko) 1987-10-30 1987-10-30 백 바이어스 전압 발생기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890007291A true KR890007291A (ko) 1989-06-19
KR900006192B1 KR900006192B1 (ko) 1990-08-25

Family

ID=19265568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870012041A KR900006192B1 (ko) 1987-10-30 1987-10-30 백 바이어스 전압 발생기

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH023153A (ko)
KR (1) KR900006192B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807637B1 (ko) * 2000-06-16 2008-02-28 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션 반도체 및 반도체 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332696A (ja) 2000-05-24 2001-11-30 Nec Corp 基板電位検知回路及び基板電位発生回路
JP5142504B2 (ja) * 2005-09-29 2013-02-13 エスケーハイニックス株式会社 内部電圧発生回路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6159688A (ja) * 1984-08-31 1986-03-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0770215B2 (ja) * 1986-06-25 1995-07-31 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807637B1 (ko) * 2000-06-16 2008-02-28 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션 반도체 및 반도체 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH023153A (ja) 1990-01-08
KR900006192B1 (ko) 1990-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900010774A (ko) 백바이어스전압 발생회로
KR910001774A (ko) 반도체 집적소자에 내부전압 변환회로
TW354402B (en) Charge pump circuit for a semiconductor memory device
KR970029752A (ko) 반도체 메모리장치의 내부승압전원 발생회로
KR920700495A (ko) 주파수 합성기
KR950001107A (ko) 충전 펌프 및 그것을 구비한 시스템
KR880002328A (ko) 디지탈 위상동기 루우프
KR890001290A (ko) Mos 기법의 집적회로용 파워링 회로
KR960012710A (ko) 저항기 없는 전압 제어 발진기
KR19980058192A (ko) 반도체 메모리 소자의 기판 전압 발생 회로
KR890007291A (ko) 백 바이어스 전압 발생기
JPS57181232A (en) Voltage-controlled oscillator circuit
KR880001096A (ko) 정밀충격계수를 가진 정밀 위상 스타트-엎 전압조절된 오실레이터
KR920001482A (ko) 위상 동기 회로
KR900019025A (ko) 백 바이어스 전압발생회로
KR970017909A (ko) 외부 제어가능한 기판 바이어스 전압 발생회로
KR970023359A (ko) 워드라인 구동기용 부트스트랩회로
KR0146062B1 (ko) 내부전압 발생기의 전원발생 안정화 회로
KR910010880A (ko) 레벨 트랜스 레이터를 구비한 위상동기 루프회로
JPH0494566A (ja) 半導体記憶装置の基板バイアス発生回路
KR910013680A (ko) 수정발전기의 발진감지회로
KR960001941A (ko) 정전압 발생회로 및 그 방법
KR870004575A (ko) 범용 인버터의 주파수 가변회로
KR970055248A (ko) 병렬 커런트 싱크 구조의 전압제어발진기를 이용한 에프 ·엠(fm) 검파회로
KR920015728A (ko) 전압레벨검출회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060728

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee