KR880004636A - 광대역 저왜곡 b급 증폭기 - Google Patents

광대역 저왜곡 b급 증폭기 Download PDF

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KR880004636A
KR880004636A KR870010367A KR870010367A KR880004636A KR 880004636 A KR880004636 A KR 880004636A KR 870010367 A KR870010367 A KR 870010367A KR 870010367 A KR870010367 A KR 870010367A KR 880004636 A KR880004636 A KR 880004636A
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input
transistor
transistors
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KR870010367A
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에스. 테일러 스튜아트
Original Assignee
로버트 에스. 헐스
텍트로닉스 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

광대역 저왜곡 B급 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 B급 증폭기의 개략적인 전기회로도.

Claims (9)

  1. 입력트랜지스터 수단은 정극부(正極部)와 부극부(負極部)를 가진 입력신호를 수신하며, 정극부에 대응하여 제1여진신호와 부극부에 대응하여 제2여진신호를 발생하며, 동일 극성의 제1 및 제2트랜지스터는 입력 신호에 대응하여 부하임피던스를 통해서 전류를 흐르게 하며, 제1트랜지스터는 입력신호의 정극부에 대응하여 전류를 흐르게 하며, 제2트랜지스터는 입력신호의 부극부에 대응하여 전류를 흐르게하며, 전기 전도 수단은 제1트랜지스터를 여진시키기 위해 제1여진신호에 대한 제1전기신호로와,제2트랜지스터를 여진시키기 위해 제2여진시혼에 대한 제3전기신호로를 제공하며, 제1 및 제2 전기신호로는 입력트랜지스터수단에서 부하임피던스까지 대략 동일한 이득을 제공하는 것을 이루어지는 광대역 저왜곡 B급 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 부하임피던스는 Z1를 가지며, 제 1 및 제2트랜지스터는 NPN형이며, 전류 이득 β를 가지며 이 이득은 (1/2)×(gm×β×Z1)과 같은 전압이득 Av이며, 식중 gm는 증폭기의 상호 콘덕턴스를 나타내는 상기 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 부하임피던스는 저항치 RL의 레지스터이며, 전압이득 AV는 (1/2)×(gm×β×R1)과 같은 것으로 이루어지는 상기 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 입력트랜지스터 수단은 차동입력모드로 형성되고, 입력신호가 인가되는 차동입력단자를 가진 차동증폭기로 이루어지는 상기 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 입력트랜지스터수단은 싱글엔디드입력모드로 형성되고, 입력신호가 인가되는 입력단자를 가진 차동증폭기로 이루어지는 상기 증폭기.
  6. 제1항에 있어서,제1 및 제2트랜지스터는 2극형으로 되어 있으며, 이중 하나의 트랜지스터는 에미터단자가 부하임피던스에 직접 전기접속된 에미터 플로워이고, 다른 하나는 콜렉터단자가 부하임피던스에 직접 전기접속된 공통 에미터 증폭기인 상기 증폭기.
  7. 제1항에 있어서, 증폭기의 B급 동작을 제공하기 위한 제1바이어스저압루프수단으로 이루어지고, 제1바이어스 전압루프수단은 부전압이 발생함에 따라서 부하임피던스를 통해서 전류를 흐르게 하는 제1 및 제2트랜지스터 중 하나의 베이스 대 에미터전압의 복제전압을 포함하는 상기 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 부전압이 발생함에 따라서 이를 통해 부하임피던스를 통해서 전류를 흐르게 하는 제1 및 제2트랜지스터중 하나에 대한 차단을 막기 위한 제2바이어스 전압 루프 수단으로 이루어지는 상기 증폭기.
  9. 제1항에 있어서, 부전압이 발생함에 따라서 이를 통해 부하임피던스를 통해서 전류를 흐르게 하는 제1 및 제2트랜지스터 중 하나에 대한 차단을 막기 위한 제2바이어스전압 루프수단으로 이루어지는 상기 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870010367A 1986-09-30 1987-09-18 광대역 저왜곡 b급 증폭기 KR880004636A (ko)

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