KR870001584B1 - 온도 제어회로의 안전장치 - Google Patents

온도 제어회로의 안전장치 Download PDF

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KR870001584B1 KR1019830003114A KR830003114A KR870001584B1 KR 870001584 B1 KR870001584 B1 KR 870001584B1 KR 1019830003114 A KR1019830003114 A KR 1019830003114A KR 830003114 A KR830003114 A KR 830003114A KR 870001584 B1 KR870001584 B1 KR 870001584B1
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Abstract

내용 없음.

Description

온도 제어회로의 안전장치
제1도 내지 제6도는 본 발명의 실시예를 도시하는 것으로,
제1도는 전기회로도.
제2도는 히이터 와이어의 구조도.
제3도는 센서와이어의 구조도.
제4도는 제11도에 도시된 회로의 요부 개략도.
제5도 및 제6도는 제1도의 전기회로중의 전압 또는 전류 파형도.
제7도 및 제8도는 각기 본 발명의 다른 실시예들 도시하는 제4도에 상당하는 요부 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전기적 발열장치 2 : 히이터 와이어
2b : 발열선 3 : 센서와이어
6 : 다이리스터(스위칭소자) 15 : 분압회로
16 : 직류전원회로 23 : 동기회로
32 : 온도검출회로(검출전압발생회로) 39 : 샘플링용 게이트 회로
41 : 제1기준전압발생회로 46 : 연산증폭기(제1비교제어회로)
49 : 제2기준전압발생회로 51 : 연산증폭기(제2비교제어회로)
56 : 콘덴서(펄스전달회로) 60 : 검지회로
74 : 고장검지회로 96 : 펄스트랜스(펄스 전달회로)
본 발명은 전기모포나 전기카페트와 같은 전기적 발열장치의 발열체의 온도를 제어하기 위한 회로에 관한 것으로, 특히 동기회로에 동기한 제어신호를 펄스 전달회로를 통해 스위칭소자에 제공하여 이 스위칭 소자를 통단제어하도록 한 온도제어회로의 안전장치에 관한다.
종래, 전기 모포나 전기카페트와 같은 전기적 발열장치의 히이터등의 발열체를 통·단전 제어하는 것에 있어서는, 제어회로 및 온도센서의 고장시에 제어대상인 히이터의 온도가 비정상적으로 상승하거나, 제어소자에 고장이 발생하는 위험에 대처하여, 온도센서의 단선 검지회로 또는 제어용 스위칭 소자의 이상검출회로 등의 안전회로를 주제어회로내에 포함시키거나, 또는 주제어회로와는 별도의 계통으로 온도퓨우즈등의 안전장치를 설치함으로써, 이들의 위험을 회피하도록 하여 왔다.
그러나, 각 회로를 구성하는 트랜지스터, 다이오드, 연산증폭기 등의 소자는, 이들의 고장시, 통상쇼트 또는 오픈의 상태로 고장나고, 반도통상태로 고장나는 일은 거의 없으나, 예컨대, 스위칭 소자로서 사용된 다이리스터의 게이트에 하이레벨이 인가되었을 때에 도통되도록 설정된 것에서는, 그것보다도 먼저 전단의 주제어회로중의 소자의 어느 것인가가 쇼트 또는 오픈상태로 고장나서 게이트에 하이레벨이 인가되었을 경우에는 다이리스터가 온도센서에서의 온도정보와는 무관하게 통전되어 과열상태로 되고만다. 그리고, 이때 안전회로나 안전장치가 정상으로 동작하고 있으면, 얼마안가서 온도퓨우즈가 용융절단되는 등으로 발열체로의 통전이 차단되는 것이나, 만일 안전회로 또는 안전장치도 동시에 고장난 경우에는 전기모포나 전기카페트의 과열이 계속되어 화재를 일으키게 될 위험성이 있다.
본 발명은 상기 사정을 고려한 것으로, 그 목적은, 스위칭 소자를 제어하기 위한 주제어회로의 소자가 고장났을 때에는, 그 고장 모드가 쇼트 또는 오픈의 어느 경우라도 제어회로 자신이 스위칭소자를 즉시 오프상태로 하여 발열체로의 통전을 차단하고, 별도로 설치된 안전회로 또는 안전장치와는 독립하여 위험을 회피할 수 있도록 하며, 만일 주제어회로의 고장과안전장치나 안전회로의 고장이 동시에 일어났을 때에도 화재 등을 일으키지 않는, 소위 페일 세이프(fail safe)한 온도제어회로의 안전장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 스위칭 소자를 제어하기 위한 제어회로를 동기회로, 기준전압발생회로, 검출전압발생회로 및 비교제어회로로 구성하여, 정상시에 펄스형의 제어신호를 출력하도록 하고, 이 제어신호를 펄스 전달회로를 통해 스위칭소자에 제공하도록 한 것으로서, 제어신호가 펄스형이 아닌 때에는 스위칭소자가 차단상태로 되도록 하여, 고장시의 안전성을 향상시키도록 한 것이다.
이하 본 발명의 일실시예에 대하여서, 제1도 내지 제6도를 참조하면서 설명한다.
(1)은 전기모포와 같은 전기적 발열장치로서, 그 내부에 히이터와이어(2) 및 센서와이어(3)가 설치되어 있다. 히이터와이어(2)는, 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, 코어(2a)에 발열체로서의 발열선(2b)를 감고, 그 위에 소정의 온도로 용융되는 나이론층(2c)를 피복한 후, 다시 그 위에 과열감지선(2d)를 감아서, 그 외측에 전기절연층(2e)를 피복한 것이다. 또, 센서와이어(3)는 제3도에 도시된 바와 같이 코어(3a)에 제1의 도체(3b)를 감고, 그 위에 부온도 계수의 임피던스 특성을 갖는 감열층(3c)를 피복한 후 다시 그 위에 제2의 도체(3d)를 감아서, 그 외측에 전기절연층(3e)를 피복한 것이다. 한편, (4), (5)는 한쌍의 교류전원단자이며, 이들의 사이에는 발열선(2b)과 스위칭소자로서의 다이리스터(6)와, 안전기로서의 온도퓨우즈(7)와의 직렬회로가 접속되어 있다. (8)은 온도설정용의 가변저항, (9)는 고정저항으로서, 이들은 센서와이어(3)의 감열층(3c)의 임피던스, 과열감지선(2d), 온도퓨우즈(7)을 가열하는 히이터(10) 및 온도퓨우즈(7)를 통해 교류전원단자(4), (5)간에 접속되어 있으며, 도체(3b), (3d)에는 저항(11), (12), (13) 및 콘덴서(14)로 되는 분압회로(15)가 접속되어 있다. 한편, (16)은 직류전원회로로서, 저항(17), 제너다이오드(18), 다이오드(19) 및 (20), 콘덴서(21) 및 (22)로 구성된다. (23)은 동기회로로서, 4개의 다이오드(24a) 내지 (24d)로 구성된 전파정류기(24), 저항(25) 내지 (29), 트랜지스터(30) 및 (31)로 구성된다. (32)는 검출전압 발생회로로서의 온도검출회로인데, 제너다이오드(33) 및 (34), 연산증폭기(35), 다이오드(36), 저항(37), 콘덴서(38)로 구성된다. (39)는 샘플링용의 게이트회로로서, 7개의 다이오드(40)으로 구성된 제1의 기준전압 발생회로(41)와, 저항(42) 내지 (44), 트랜지스터(45)로 구성된다. (46)은 제1의 비교제어회로로서의 오픈 콜렉터형 연산증폭기이다. (47)은 샘플링용의 게이트회로로서, 3개의 다이오드(48a) 내지 (48c)로 구성된 제2의 기준전압발생회로(48)와 저항(49), (50)으로 구성된다. (51)은 제2의 비교제어 회로로서의 연산증폭기이다. (52)는 점호제어용 트랜지스터이고(53) 내지 (55)는 저항이다. (56)은 펄스 전달회로로서의 점호용 콘덴서(57)은 저항이다. (58) 및 (59)는 각각 잡음 방지용의 저항 및 콘덴서이다. (60)은 다이리스터(6)의 온·오프를 검지하는 검지회로로서, 4개의 다이오드(61a) 내지 (61d)로 구성되는 전파정류회로(61)와, 저항(62) 내지 (68), 트랜지스터(69) 내지 (73), 다이오드(74) 및 (75)로 구성된다. (76)은 다이리스터(6)의 고장을 검지하는 고장검지회로로서, 저항(77) 내지 (83), 콘덴서(84), 2개의 다이오드(85a) 및 (85b), 연산증폭기(86), 트랜지스터(87) 및 (88)로 구성된다. (89)는 온도 퓨우즈(7)을 가열하는 히이터, (90)은 다이오드, (91)은 히이터(89)의 통·단전을 제어하는 다이리스터, (92)는 점호용 콘덴서, (93)은 저항이다.
제1도에 있어서, 점선 P내에 배치된 직류전원회로(16), 검출전압발생회로(38), 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47), 연산증폭기(51), 검출회로(60), 고장검출회로(76) 등의 구성부품은 집적회로화 되어 1개의 Ic패키지내에 수용되고, 점선 P외부의 각 부품은 개별소자이다.
다음에, 상기 구성의 작용을 설명한다. 교류전원단자(4), (5)간의 교류전원 VAC가 인가되면, 가변저항(8), 고정저항(9), 감열층(3c)의 임피던스, 과열감지선(2d) 및 히이터(10)의 직렬회로에 전류가 흘러서, 도체(3b), (3d)간의 감열층(3c)에서 분압된 교류검출전압 Vs가 생성되고, 이것이 저항(11), (12)과 저항(13), 콘덴서(14)로 더욱 분압되어서, 분압회로(15)의 출력단자에 검출전압 Vi가 출력되어, 연산증폭기(35)의 비반전입력단자에 입력된다[제5(a)도, 제5(c)도 참조]. 그리고, 감열층(3c)의 임피던스는 전기적 발열장치(1)의 온도에 따라 변화하므로, 도체(3b), (3d)간에 발생하는 교류검출전압 Vs 및 분압회로(15)에서 출력되는 검출전압 Vi은 전기적 발열장치의 온도에 따른 것이 된다. 그리고, 분압회로(15)를 통해 온도검출회로(32)에 입력된 검출전압 Vi는 연산증폭기(35)에 완충증폭되고, 이것이 다이오드(36)에서 정류된 후 콘덴서(38)에서 평활하게 직류화되어 직류검출 전압 Vd으로 된다[제5(c)도 참조]. 따라서, 직류검출 전압 Vd도 전기적 발열장치(1)의 온도에 따른 전압으로 된다. 한편, 제너다이오드(18)의 양단에는 최대치가 일정화된 교류전압이 발생하고, 도선(94) 및 (95)간에는 다이오드(20)으로 정류된 후 전해콘덴서(21)로서 직류화된 낮은 직류전압(Vcc-Vee)이 인가된다. 그리고 동기회로(23)의 트랜지스터(30)의 베이스 에미터간에는 전파정류기(24)에서 직류화된, 제5(b)도에 표시한 바와 같은, 전압이 인가되므로, 이 트랜지스터(30)는 교류전원단자(4), (5)간에 인가된 교류전원의 영전압 근방에서 그 교류전원에 동기하여 차단된다. 트랜지스터(31)는, 트랜지스터(30)의 도통시에 도통하여 그 콜렉터가 로우레벨(Vee)로 되고, 또, 트랜지스터(30)의 차단시에는 차단되어 하이레벨(Vcc)로 되므로 제6(c)도에 표시한 바와 같은 파형 Vp이 출력된다. 한편, 트랜지스터(45)는 그 베이스에 하이레벨이 인가되었을 때에 도통하여 그 콜렉터가 로우레벨로 되고, 이때 제1의 기준전압 발생회로(41)가 유효화되어 게이트회로(39)의 출력단자인 다이오드(40)와 저항(43)의 공통접속에는 7개의 다이오드(40)의 순방향전압강하(약 0.7V×7)에 따라 모선(94)의 전압 Vcc에 대해 약 4.9V 낮은 제1의 기준전압-Vr1이 발생된다. 또, 이 트랜지스터(45)는 베이스에 로우레벨이 인가된 때에 차단되어 게이트회로(39)의 출력단자가 하이레벨(Vcc)로 된다. 그리고, 이 트랜지스터(45)의 베이스에는 동기회로(23)의 출력이 주어지므로 제1의 기준전압 -Vr1이 동기회로(23)에 의해 샘링되고, 게이트회로(39)의 출력단자에 제5(c)도에 표시한 바와 같은 샘풀링 결과 신호 V1가 출력된다. 한편, 온도검출회로(32)에서 출력되는 직류검출전압 Vd은 연산증폭기(46)의 비반전입력단자에 입력되고, 또한 게이트회로(39)의 샘풀링결과신호 V1가 이 연산증폭기(46)의 반전입력단자에 입력되어, 그 양자가 이 연산증폭기(46)에서 비교된다. 온도검출회로(32)에서 출력되는 직류검출전압 Vd은 회로가 정상적으로 작동하고 있을 때에는, 전기적 발열장치(1)의 온도가 실온정도일 때에도 제1의 기준 전압-Vr1보다 높은 값을 출력하도록 되어 있으므로 V1=-Vr1으로 되어 Vd가 -Vr1보다 높을 때 연산증폭기(46)가 오프상태로 되고, Vd가 -Vr1보다 낮을 때에는 연산증폭기(46)가 온상태로 된다. 그리고, 게이트회로(47)의 다이오드(48c)와 저항(49)의 공통접속점은 3개의 다이오드(48a) 내지 (48c)의 순방향 전압강하(약 0.7×3)에 의해 도선(94)의 전압 Vcc에 대해 약 2.1V 낮은 제2의 기준전압 -Vr2로 되어 있어, 연산증푹기(46)가 온·오프되는 정상작동시에는 게이트회로(47)의 출력단자 즉, 저항(50)과 연산증푹기(51)의 반전입력단자와의 공통접속점이 연산증푹기(46)의 출력에 의해 샘풀링되어, 제5(d)도에 표시한 바와 같은 샘풀링 결과신호 V2가 출력된다. 이 신호 V2는 교류전원의 영전압 근방에서 -Vr2로 되고, 그 이외에는 Vee로 된다. 그리고, 연산증푹기(51)의 반전입력단자에 신호 V2가 입력되고, 그 비반전 입력단자에는 직류검출전압 Vd이 입력되어 그 양자가 이 연산증푹기(51)에서 비교된다. 그리고, 전기적 발열장치(1)의 온도가 설정온도보다 낮아서, 전압 Vd가 신호 V2의 피크전압(전압 -Vr2)보다도 낮은 기간 T1에 있어서는, 연산증푹기(51)의 출력전압 Vo이 교류전압의 영전압 근방에서 전압 Vee까지 하강하는 펄스 파형으로 되고, 또 전기적 발열장치(1)의 온도가 설정온도보다 높고 전압 Vd가 전압 -Vr2보다도 높은 기간 T2에 있어서는 연상증푹기(37)의 출력전압 Vo1이 전압 Vcc와 같은 일정전압파형으로 된다[제5(e)도 참조]. 이 출력전압 Vo1이 트랜지스터(52)의 베이스에 저항(53)를 통해 입력되므로, 기간 T1에 있어, 전압 Vo1이 로우레벨일 때(전압 Vee와 동일할 때)에는 트랜지스터(52)가 도통되어 콜렉터전압 Vc이 상승하고[제5(f)도 참고], 다이리스터(6)의 게이트에는, 제5(g)도에 표시한 바와 같이 교류전원의 영전압근방에서 콘덴서(56)에 축적된 전하가 게이트전류(1g)로서 흘러들어서, 이 다이리스터(6)가 교류전원의 정(正)의 반사이클기간동안 도통하게 되므로, 발열선(2b)의 양단에, 제5(h)도에서 표시한 바와 같이, 교류전압 Vh이 인가되어, 발열선(2b)이 발열되고, 기간 T2에 있어서는 다이리스터(6)가 차단된다. 그런데, 상기 구성에 있어서 센서와이어(3)의 감열층(3c)의 임피던스를 통해 도체(3b), (3d)간에 분압되는 전압 Vs이 약 50V일 때에 전기적 발열장치(1)는 설정온도가 되도록하고, 전기적 발열장치(1)가 설정온도보다 낮을 때에는 전압 Vs이 50V 이상으로 되도록 설정하고 있다. 그리고, 다이리스터(6)가 정상의 차단상태를 나타내고 있을 때에는 이 다이리스터(6)의 애노우드·캐소우드간의 저항(62)를 통해 병렬접속된 전파정류기(61)에, 제6(a)도의 기간 Ta에 표시하는 바와 같은 교류전원이 인가되므로, 검지회로(60)의 트랜지스터(69)의 베이스·에미터간에는 전파정류기(61)에서 직류화된 전압이 인가되고, 이 트랜지스터(69)는 트랜지스터(30)와 동일한 타이밍으로 교류전원에 동기하여 도통 및 차단되어, 트랜지스터(71)의 콜렉터전압 Vt는 제6(b)도에 표시하는 바와 같이 되며, 다이오드(74), (75) 및 트랜지스터(72)로 되는 OR 게이트회로를 통해 동기회로(23)의 출력 Vp과 전압 Vt이 합성되어 트랜지스터(73)의 콜렉터에 검지전압 Va이 출력된다. 이 검지전압 Va이 로우레벨일 때 콘덴서(84)가 충전되고, 전압 Vo1이 로우레벨일 때 트랜지스터(78)가 온 상태로 되어 이 콘덴서(84)에 축적된 전하가 방전되므로, 기간 Ta에 있어서, 연산증푹기(86)의 비반전입력단자의 전압 Vca은 제6(f)도에서 표시하는 바와 같이 된다. 한편, 연산증푹기(86)의 반전입력단자에는 샘플링 결과신호 V2에 동기하여 상승하는 전압 V3이 입력되고 있어, 전압 Vca와 V3이 연상증폭기(86)에서 비교된다. 그리고, 기간 Ta에 있어서는, 콘덴서(84)의 충·방전이 주기적으로 행해지고 있으므로, 전압 Vca은 V2보다 높고, 연산증폭기(87)의 출력단자의 전압 Vo2이 제6(g)도에 표시하는 바와 같이 하이레벨로 되어 트랜지스터(88)가 차단됨과 동시에 사이리스터(91)이 차단된다. 그런데, 다이리스터(6)의 고장으로 예컨대, 순방향의 내압이 저하한 때에는, 제6도에 기간 Tb로 표시하는 바와 같이 연산증폭기(51)의 출력전압 Vo1이 하이레벨로 되고, 다이리스터(6)의 게이트에 점호신호가 제공되고 있지 않음에도 불구하고, 이 다이리스터(6)의 애노우드·캐소우드간의 전압 VSCr이 내압을 초과한 시점에서 도통 상태로 된다[제6(a)도 참조]. 그리고, 이와 같이하여, 다이리스터(6)가 고장상태로 도통하면, 발열선(2b)이 도통상태로 되는데, 검지회로(60)의 전파정류기(61)는 출력을 방지하지 않게 되어, 트랜지스터(69)는 다이리스터(6)이 도통하였을 때에 차단되고, 또한, 트랜지스터(71)가 도통되어, 전압 Vt이 로우레벨(Vee)로 되고, 전압 Va이 다이리스터(6)의 도통시에 로우레벨(Vee)로 되어, 콘덴서(84)를 충전하므로 전압 VCA이 저하되고, 얼마안가서, 전압 V3의 피크치를 하회하게 된다. 그러면, 전압 V3의 피크치에 동기하여 연산증폭기(86)의 출력단자의 전압 Vo2이 교류전원의 영전압 근방에서 제6(h)도에 표시하는 바와 같이 로우레벨로 되어 다이리스터(91)가 도통되므로, 하이터(89)가 통전되고, 온도퓨우즈(7)가 가열용융절단되어서, 발열선(2b)으로의 통전이 차단된다. 또, 다이리스터(6)의 역방향의 내압이 저하하였을 때에는 다이오드(90)을 통해 히이터(89)가 통전되어, 온도퓨우즈(7)가 가열용융되므로, 발열선(2b)으로 통전이 차단된다. 상기 구성에 의하면, 예컨대, 트랜지스터(52)가 고장나서 오픈상태로 되었을 때에는, 이 트랜지스터(52)의 콜렉터가 항상 로우레벨로 되어서, 콘덴서(56)에는 충전만이 행해지고 방전은 행해지지 않으므로, 가령 전기적 발열장치(1)의 온도가 낮은 때에는 다이리스터(6)는 도통되지 않고, 따라서 발열선(2b)으로의 통전이 차단되며, 또, 이 트랜지스터(52)가 고장나서 쇼트상태로 되었을 때에는, 이 트랜지스터(52)의 에미터가 항상 하이레벨로 되어 역시 콘덴서(50)의 충·방전이 행해지지 않으므로, 다이리스터(6)는 도통되지 않는다. 즉, 트랜지스터(52)가 고장났을 경우 오픈 또는 쇼트의 어느 것인가의 상태를 나타내는 것이 보통으로 반도 통상태대로 고장나는 일은 일반적으로 없고, 아울러, 고장상태에서 출력파형이 펄스형으로 되는 것은 생각할 수 없으며, 따라서 트랜지스터(52)의 고장모드가 쇼트인 때와 오픈인 때의 어느 경우에도 다이리스터(6)는 도통되지 않는다. 그리고, 트랜지스터(52)보다도 전단을 구성하는 연상증폭기(51), (46) 또는 동기회로의 트랜지스터(45), (31), (30) 등도 고장시에는 쇼트 또는 오픈의 어느 것의 모드로 되는 것으로 생각되나, 고장단보다도 후단에는 펄스형의 파형이 전달되지 않음에 따라, 트랜지스터(52)보다도 전단이 고장났을 경우에 이 트랜지스터(52)의 콜렉터는 하이 또는 로우의 어느 것인가의 상태를 나타내는 것으로 되며, 따라서, 트랜지스터(52)보다도 전단의 고장모드가 어느 경우라도, 트랜지스터(52)의 콜렉터에서는 펄스형 파형이 출력되지 않고, 따라서, 다이리스터(6)가 도통하는 것과 같은 일은 생기지 않는다. 요컨대, 순서로 직렬로 정렬시킨 케이트히로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47) 및 연산증폭기(51) 중 하나라도 고장났을 경우에는, 어느 경우도 다이리스터(6)가 차단되어서, 히이터(2)로의 통전을 단절시키므로, 가령 회로고장을 일으킨 때라도 전기적 발열장치(10)가 과열하는 일은 일어나지 않으며, 만일 온도퓨우즈 등의 안전회로 또는 안전장치 등이 정상으로 작동하고 있는지의 여부를 감시하는 제1의 비교제어회로(46)가 먼저 고장났을 경우에도, 이들 안전회로 또는 안전장치에 의하지 않고 히이터(2b)로의 통전을 단절할 수가 있는 것으로 되어, 소위 페일세이프로 작동하여, 고장이 각부에서 동시에 발생하였을 경우에도 화재를 일으키는 것과 같은 위험이 미연에 방지될 수 있다. 그런데, 상기 구성에 있어서는, 제1의 기준전압 발생회로(41)의 제1의 기준전압 -Vr1과 직류검출전압 Vd과를 연산증폭기(46)로 비교하고 있으며, 따라서 예컨대 감지선(2d), 도체(3d), 저항(10), 저항(12)나 콘덴서(14) 등이 단선되어, 전압 Vi의 절대치가 비정상적으로 커졌을 때에는, 직류검출전압 Vd이 제1의 기준전압 -Vr1보다 낮아져서 연산증폭기(46)는 온상태로 되어, 샘플링 결과신호 V2가 Vee와 같아지게 되므로, 연상증폭기(51)의 출력 Vo1는 항상 하이레벨, 트랜지스터(52)의 콜렉터는 로우레벨로 되어, 다이리스터(6)은 차단되고, 또, 다른 원인으로 전압 Vi이 비정상적으로 낮아졌을 때는 전압 Vd이 높아져서, Vcc와의 차가 Vr2이하로 되어, 전기적 발열장치(1)의 온도상태가 높을 때와 같은 상태로 되므로, 다이리스터(6)은 차단되어, 한층 안전성에 뛰어나고 있으나, 제1의 기준전압 발생회로(41), 게이트회로(39) 및 제1의 비교제어기로서의 연산증폭기(46) 등을 생략하여서 제7도에 표시하는 바와 같이 동기회로(23)의 출력을 직접 게이트회로(47)에 입력하도록 하여도 좋다.
또, 제8도에 표시하는 바와 같이 직류검출전압 Vd을 동기회로(23)의 동기신호에 의해 샘플링한 후에, 연산증폭기(51)로서 제2의 기준전압 -Vr2과 비교한 후, 연산증폭기(51)의 출력을 증폭회로(95)를 통해 펄스전달회로로서의 펄스트랜스(96)의 일차권선에 공급하고, 그것의 2차권선을 다이리스터(6)의 게이트에 접속하도록 하여도 상기한 실시예와 동일의 작용효과를 나타낸다.
또, 다이리스터(6) 대신에 스위칭소자로서 트라이액을 사용하여도 좋고, 또, 다이리스터(6)로 릴레이를 구동하여, 그 릴레이 접점으로 발열선(2b)의 통단전을 행하도록 해도 좋다.
본 발명은 이상의 설명에서 명백한 바와 같이 스위칭소자를 제어하기 위한 주제어회로의 소자가 고장났을 때에는 그 고장모드가 쇼트 또는 오픈의 어느 경우라도, 제어회로 자신이 스위칭소자를 즉시 오프상태로 하여, 발열체로의 통전을 단절하고, 별도로 설치된 안전회로 또는 안전장치와는 독립하여 위험을 회피할 수 있도록 하며, 만일 주제어회로의 고장과 안전장치나 안전회로의 고장이 동시에 일어났을 때에도 화재 등을 일으키지 않는 소위 페일 세이프한 온도제어회로의 안전장치를 제공할 수 있다.

Claims (2)

  1. 발열체를 교류전원에 동기한 제어신호에 의해 제어되는 스위칭소자로 통·단전 제어함에 있어서, 상기 교류전원과 동기하여 동기 펄스신호를 출력하는 동기회로(23)와, 기준전압 발생회로(41, 49)와 상기 발열체의 온도를 검지하고 그 온도에 따른 검출전압을 출력하는 검출전압 발생회로(32)와, 이 검출전압 발생회로로부터의 검출전압과 상기 기준전압중 어느 한쪽을 동기펄스에 의해 샘플링한 후 비교함에 따라 상기 동기회로로부터의 동기신호 출력시에 동기하여 펄스형의 제어신호를 출력하는 비교제어회로(46), (51)와, 이 비교제어회로로부터의 펄스형 제어신호를 콘덴서(56)를 거쳐 상기 스위칭소자(6)의 제어 단자에 제공하는 펄스전달회로를 구비한 것을 특징으로 하는 온도제어회로의 안전장치.
  2. 제1항에 있어서, 펄스전달회로는 콘덴서인 것을 특징으로 하는 온도제어회로의 안전장치.
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