KR870001583B1 - 부하의 통 · 단전 제어장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

부하의 통·단전 제어장치

제1도 내지 제6도는 본 발명의 제1의 실시예를 도시하는 것으로서,

제1도는 전기회로도.

제2도는 히이터 와이어의 구조도.

제3도는 센서 와이어의 구조도.

제4도는 제1도에 도시된 회로의 요부 개략도.

제5도 및 제6도는 제1도의 전기회로 중의 전압 또는 전류도.

제7도 내지 제9도는 본 발명의 제2의 실시예를 도시하는 것으로서,

제7도는 제4도에 상당하는 부분의 요부 개략도.

제8도는 요부의 구체적인 회로도.

제9도는 제8도의 회로중의 전압 또는 전류 파형도.

제10도는 본 발명의 다른 실시예의 전기 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 전기적 발열장치 2 : 히이터 와이어

2b : 발열선(부하) 3 : 센서 와이어

6 : 다이리스터(스위칭 소자) 15 : 분압회로

16 : 직류전원회로 23 : 동기회로

32 : 온도 검출회로(검출 전압 발생회로) 39 : 샘플링용 게이트회로

41 : 제1의 기준전압 발생회로 46 : 연산증폭기(제1비교 제어회로)

49 : 제2기준 전압발생회로 56 : 콘덴서(필터)

51 : 연산증폭기(제2비교 제어회로) 60 : 검지회로

74 : 고장 검지회로

본 발명은 전기 모포나 전기 카페트와 같은 전기적 발열장치의 히이터 등의 부하를 교류전원에 동기한 제어 신호에 의해 제어되는 스위칭 소자로 통·단전제어하도록 한 부하의 통·단전 제어장치에 관한 것이다.

종래, 전기 모포나 전기 카페트와 같은 전기적 발열장치의 히이터 등의 부하를 통·단전제어하는 것에 있어서는, 제어회로 및 온도센서의 고장시에 제어대상인 히이터 등의 부하의 온도가 비정상적으로 상승하거나, 제어소자에 고장이 발생하는 위험에 대처하여, 온도센서의 단선검지회로 또는 제어용 스위칭소자의 이상 검출회로 등의 안전회로를 주제어 회로내에 포함시키거나, 또는 주제어회로와는 별도의 계통으로 온도 퓨우즈등의 안정장치를 설치하여 이들의 위험을 회피하도록 하고 있었다.

그러나, 이와 같은 종래의 것은, 주제어회로보다 먼저 안전회로 또는 안정장치가 고장이 났을 경우에는 상기한 위험을 회피할 방도가 없었다.

본 발명은 상기한 사정을 고러하여 연구된 것으로, 그 목적은, 안전회로 및 안전장치가 정상적으로 작동하고 있는지의 여부를 항상 감시하는 제1의 비교제어기를 설치하고, 안전회로 및 안전장치의 고장은 물론 그 안전회로 및 안전장치의 고정을 감시하는 상기 제1의 비교 제어회로가 먼저 고장났을 경우에도, 제어회로의 고장시 부하의 통·단전을 제어하는 스위칭 소자를 즉시 오프상태로 하여 부하로의 통전을 차단시킴으로써, 상기한 위험을 회피할 수 있도록 한 부하의 통·단전 제어장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명은, 교류전원에 동기한 동기 펄스를 출력하는 동기회로로 검출전압과 제1의 기준전압을 샘플링하면서 제1의 비교제어회로로 비교하고, 그 제1의 비교제어회로가 상기 동기회로에 동기한 출력신호를 출력할때, 그 출력신호로 검출전압과 제2의 기준전압을 샘플링하면서 제2의 비교 제어회로로 비교하여, 그 제2의 비교제어 회로로부터의 출력신호가 상기 동기회로에 동기한 것일때에만 스위칭 소자를 통전제어하도록 하고, 회로의 고장시에는 제2의 비교 제어회로의 출력이 직류로 되어 스위칭 소자를 통정시키지 못하도록 함으로써, 제어회로 자체의 고장시에도 안정성을 도모한 것이다.

이하 본 발명의 제1의 실시예에 대하여 제1도 내지 제6도를 참조하면서 설명한다. (1)은 전기 모프와 같은 전기적 발열장치로서, 그 내부에 히이터 와이어(2) 및 센서와이어(3)가 설치된다. 히이터와이어(2)는, 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, 코어(2a)에 발열체로서의 발열선(2b)를 감고, 그 위에 소정의 온도로 용융되는 나일론층(2c)을 피복한 후, 다시 그 위에 과열감지선(2d)을 감아서, 그 외측에 전기절연층(2e)을 피복한 것이다. 또, 센서와이어(3)는, 제3도에 도시되어 있는 바와 같이, 코어(3a)에 제1의 도체(3b)를 감고, 그 위에 부(負)의 온도계수의 임피던스 특성을 갖는 감열층(3c)을 피복한 후, 다시 그 위에 제2의 도체(3d)을 감아서, 그 외측에 전기절연층(3e)을 피복한 것이다. 한편, (4), (5)는 한쌍의 교류 전원단자로서, 이들의 사이에는 발열선(2b)과, 스위칭소자로서의 다이리스터(6)와, 안전기로서의 온도퓨우즈(7)와의 직렬회로가 접속된다. (8)은 온도 설정용 가변저항이고, (9)는 고정저항으로서, 이들은 센서와이어(3)의 감열층(3c)의 임피던스, 과열감지선(2d), 온도퓨우즈(7)를 가열하는 히이터(10) 및 온도퓨우즈(7)를 통해 교류전원단자(4), (5) 사이에 접속되고, 도체(3b), (3d) 사이에는 저항(11), (12), (13) 및 콘덴서(14)로 구성되는 분압회로(15)가 접속된다. 한편, (16)은 직류전원회로로서, 저항(17), 제너다이오드(18), 다이오드(19) 및 (20), 콘덴서(21) 및 (22)로 구성된다. (23)은 동기 회로로서, 4개의 다이오드(24a) 내지 (24d)로 구성된 전파 정류기(24), 저항(25) 내지 (29), 트랜지스터(30) 및 (31)로 구성된다. (32)는 검출전압발생회로로서의 온도 검출회로인데, 제너다이오드(33) 및 (34), 연산증폭기(35), 다이오드(36), 저항(37), 콘덴서(38)로 구성된다. (39)는 샘플링용의 게이트 회로로서, 7개의 다이오드(40)로 구성된 제1기준전압발생회로(41)와, 저항(42) 내지 (44), 트랜지스터(45)로 구성된다. (46)은 제1비교제어회로로서의 오픈 콜렉터형연산증폭기이다. (47)은 샘플링용의 게이트회로서, 3개의 다이오드(48a) 내지 (48c)로 구성된 제2기준전압발생회로(48)와, 저항(49) 및 (50)으로 구성된다. (51)은 제2비교제어회로로서의 연산증폭기이다. (52)는 점호제어용 트랜지스터이고, (53) 내지 (55)저항이다. (56)은 직류 신호 차단용 필터로서 작용하는 점호용 콘덴서이고, (57)은 저항이다. (58) 및 (59)는 각각 잡음방지용의 저항 및 콘덴서이다. (60)은 다이리스터(6)의 온·오프를 검지하는 검지회로로서, 4개의 다이오드(61a) 내지 (61d)로 구성된 전파 정류회로(61)와, 저항(62) 내지 (68), 트랜지스터(69) 내지 (73), 다이오드(74) 및 (75)로 구성된다. (76)은 다이리스터(6)의 고장을 검지하는 고장검지회로로서, 저항(77) 내지 (83), 콘덴서(84), 다이오드(85) 및 (86), 연산증폭기(87), 트랜지스터(88)로 구성된다. (89)는 온도 퓨우즈(7)를 가열하는 히이터, (90)은 다이오드, 991)은 히이터(89)의 통·단전을 제어하는 다이리스터, (92)는 점호용 콘덴서, (93)은 저항이다.

제1도에 있어서, 점선 p내에 배치되는 직류 전원회로(16), 검출전압발생회로(38), 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47), 연산증폭기(51), 검출회로(60), 고정검출회로(76) 등의 구성부품은 집적회로화 되어 1개의 IC 패키지내에 수용되고, 점선 p외부의 각 부품은 개별소자이다.

다음에, 상기 구성의 작용을 설명한다. 교류 전원단자(4), (5) 사이에 교류전원 V_AC이 인가되면, 가변저항(8), 고정저항(9), 감열층(3c)의 임피던스, 과열감지선(2d) 및 히이터(10)의 직렬회로에 전류가 흘러서, 도체(3b), (3d) 사이에 감열층(3c)에서 교류검출 전압 V_s이 생성되고, 이것이 저항(11) 및 (12)과 저항(13), 콘덴서(14)에서 더욱 분압되어, 분압회로(15)의 출력단자에 검출전압 V_i이 출력되며, 이 검출전압 V_i은 연산증폭기(35)의 비반전 입력단자에 입력된다[제5(a)도, 제5(c)도 참조].

그리고, 감열층(3C)의 임피던스는 전기적 발열장치(1)의 온도에 따라 변화되므로, 도체(3b), (3d) 사이에 발생하는 교류검출전압 V_s및 분압회로(15)에서 출력되는 검출전압 V_i은 전기적발열장치(1)의 온도에 따른 것이 된다. 그리고, 분압회로(15)를 통해 온도검출회로 (32)에 입력된 검출전압 V_i은 연산증폭기(35)에서 완충증폭되고, 이것이 다이오드(36)에서 정류된 후, 콘덴서(38)에서 직류화되어, 직류검출전압 V_d으로 된다 [제5(c)도 참조].

따라서, 직류검출전압 V_d도 전기적 발열장치(1)의 온도에 따른 전압이 된다. 한편, 제너다이오드(18)의 양단에는 최대치가 일정화된 교류전압이 발생하여, 도선(94), (95) 사이에는, 다이오드(20)에서 정류된 후 전해콘덴서(21)에서 직류화된 낮은 직류전압(V_cc-V_ee)이 인가된다. 그리고, 동기회로(23)의 트랜지스터(30)의 베이스, 에미터간에는 전파정류기(24)에서 직류화된, 제5(b)도에 도시한 바와 같은 전압 V_a이 인가되므로, 이 트랜지스터(30)은 교류전원단자(4), (5) 사이에 인가된 교류전원의 영전압 근방에서 그 교류전원에 동기하여 차단된다. 트랜지스터(31)는, 트랜지스터(30)은 도통시에 도통하여 그 콜렉터가 로우레벨(V_ee)로 되고, 또 트랜지스터(30)의 차단시에는 차단되어 그 콜렉터가 하이레벨(V_cc)로 되므로, 제6(c)도에 도시한 바와 같은 파형 V_p이 출력된다.

한편 트랜지스터(45)는 그 베이스에 하이레벨이 인가되었을 때에 도통하여 그 콜렉터가 로우레벨로 되고, 이때 제1기준전압발생회로(41)가 유효화되어, 게이트회로(39)의 출력단자인 다이오드(40)와 저항(43)의 공통접속점에는, 7개의 다이오드(40)의 순방향전압강하(약 0.7V×7)에 따라 도선(94)의 전압 V_cc에 대해 약 4.9V 낮은 제1의 기준전압 -V_r1이 발생된다. 또, 이 트랜지스터(45)는 베이스로 로우레벨이 인가되었을 때 차단되어, 게이트회로(39)의 출력단자가 하이레벨(V_cc)로 된다.

그리고, 이 트랜지스터(45)의 베이스에는 동기회로(23)의 출력이 주어지므로, 제1의 기준전압 -V_r1이 동기회로(23)에 의해 샘플링되고, 게이트회로(39)의 출력단자에는 제5(c)도에 도시한 바와 같은 샘플링결과 신호 V₁가 출력된다. 한편, 온도 검출회로(32)에서 출력되는 직류검출전압 V_d은 연산증폭기(46)의 비반적입력단자에 입력되고, 또 게이트회로(39)의 샘플링 결과 신호 V₁는 이 연산증폭기(46)의 반전입력단자에 입력되어, 그 양자가 이 연산증폭기(46)에서 비교된다. 온도 검출회로(32)에서 출력되는 직류검출전압 V_d은, 회로가 정상적으로 작동하고 있을때에는, 전기 적발열장치(1)의 온도가 실온정도일때에도 제1의 기준 전압 -V_r1보다 높은 값을 출력하도록 되어 있으므로, V₁=-V_r1으로 되어 V_d가 -V_r1보다 높을 때, 이 연산증폭기(46)가 오프상태로 되고, V_d가 -V_r1보다 낮을때에는 그 연산증폭기(46)가 온상태로 된다. 그리고, 게이트회로(47)의 다이오드(48c)와 저항(49)의 공통접속점은, 3개의 다이오드(48a) 내지 (48c)의 순방향 전압강하(약 0.7V×3)에 따라 도선(94)의 전압 V_cc에 대해 약 2.1V 낮은 제2의 기준전압 -V_r2으로 되어 있고, 연산증폭기(646)가 온·오프되는 정상작동시에는 게이트회로(47)의 출력단자, 즉 저항(50)과 연산증폭기(51)의 반전입력단자와의 공통접속점이 연산증폭기(46)의 출력에 의해 샘플링되어, 제5(d)도에 도시한 바와 같은 샘플링 결과 신호 V₂가 출력된다. 이 신호 V₂는 교류전원의 영전압근방에서 -V_r2로 되고, 그 외에는 V_ee로 된다. 샘플링결과 신호 V₂는 연산증폭기(51)의 반전입력단자에 입력되고, 이 연산증폭기(51)의 비반전입력 단자에는 직류검출전압 V_d이 입력되어, 그 양자가 이 연산증폭기(51)에서 비교된다. 전기적 발열장치(1)의 온도가 설정온도보다 낮아서, 전압 V_d가 신호 V₂의 피크전압(전압 (V_r0)보다 낮은 기간 T₁에 있어서는, 연산증폭기(51)의 출력전압 V_o1이 교류전압의 영전압 근방에서 전압 V_ee까지 하강하는 파형으로 되고, 또, 전기적 발열장치(1)의 온도가 설정온도보다 높고, 전압 V_d이 전압 V_r0보다 높은 기간 T₂에 있어서는, 연산증폭기(37)의 출력전압 V_o1이 전압 V_cc와 같은 일정전압파형으로 된다(제5(e)도 참조). 이 출력전압 V_o1이 트랜지스터(52)의 베이스로 저항(53)을 통해 입력되므로, 기간 T₁에 있어서, 전압 V_o1이 로우 레벨일때(전압 V_ee와 동일할때)에는 트랜지스터(52)가 도통되어 콜렉터 전압 V_c이 상승하고[제5(f)도 참조], 다이리스터(6)의 게이트에는, 제5(g)도에 도시한 바와 같이, 교류전원의 영전압 근방에서 콘덴서(56)에 축적된 전하가 게이트전류 I_g로서 흐르게 되어, 이 다이리스터(6)가 교류전원의 정(正)의 반 사이클 기간동안 도통되게 되므로, 발열선(2b)의 양단에는 제5(h)도에 도시한 바와같은 교류전압 V_h이 인가되고, 이에 따라 발열선(2b)이 발열된다. 반면에 기간 T₂에 있어서는 다이리스터(6)가 차단된다.

그런데, 상기 구성에 있어서, 센서와이어(3)의 감열층(3c)의 임피던스를 통해 도체(3b), (3d) 사이에 분압되는 전압 V_s이 약 50V일때 전기적 발열장치(1)가 설정온도보다 낮을때에는, 전압 V_s가 50V 이상이 되도록 하고 있다. 그래서, 다이리스터(6)가 정상적으로 차단상태를 나타내고 있을 때에는, 이 다이리스터(6)의 애노우드와 캐소우드 사이에 저항(62)을 통해 병렬접속된 전파 정류기(61)에 제6(a)도에 도시한 바와같은 교류전원이기간 T_a동안 인가되므로, 검지회로(60)의 트랜지스터(69)의 베이스, 에미터간에는 전파정류기(61)에서 직류화된 전압이 인가되고, 이 트랜지스터(69)는 트랜지스터(30)와 동일한 타이밍으로 교류전원에 동기하여 도통 및 차단되어, 트랜지스터(71)의 콜렉터전압 V_t은 제6(b)도에 도시한 바와같이 되며, 다이오드(74) 및 (75)와 트랜지스터(72)로 구성되는 OR 게이트 회로를 통해, 동기회로(23)의 출력 V_p와 전압 V_t이 합성되어, 트랜지스터(73)의 콜렉터에 검지전압 V_a이 출력된다. 이 검지 전압 V_a이 로우레벨일때 콘덴서(84)가 충전되고, 전압 V_o1이 로우레벨일때 트랜지스터(78)가 온상태로 되어, 이 콘덴서(84)에 축적된 전하가 방전되므로, 기간 T_a에 있어서, 연산증폭기(87)의 비반전입력 단자의 전압 V_ca은 제6(f)도에 도시한 바와같이 된다.

한편, 연산증폭기(87)의 반전 입력단자에는 샘플링 결과 신호 V₂에 동기하여 상승하는 전압 V₃이 입력되고, 전압 V_ca와 V₃이 연산증폭기(87)에서 비교된다. 그리고, 기간 T_a에 있어서는, 콘덴서(84)의 충·방전이 주기적으로 이루어지고 있으므로, 전압 V_ca은 V₂보다 높고, 연산증폭기(87)의 출력단자의 전압 V_o2이 제6(h)도에 도시한 바와같이 하이레벨로 되어, 트랜지스터(88)가 차단됨과 동시에 다이리스터(91)가 차단된다. 그러나, 다이리스터(6)의 고장으로, 예를들어, 순방향의 내압이 낮아졌을때에는, 제6도에 기간 T_b으로 표시한 바와같이, 연산증폭기(51)의 출력전압 V_o1이 하이레벨로 되고, 다이리스터(6)의 게이트에 점호신호가 제공되고 있지 않음에도 불구하고, 이 다이리스터(6)의 애노우드 캐소우드간의 전압 V_SCR이 내압을 초과한 시점에서 도통 상태로 된다[제6(a)도 참조]. 이와같이 다이리스터(6)가 고장상태에서 도통하면, 발열선(2b)은 도통 상태가 되나, 검지회로(60)의 전파정류기(61)는 출력을 발생시키지 않게 된다. 이때, 트랜지스터(69)는 차단되고 트랜지스터(71)는 도통되어, 전압 V_t이 로우레벨(V_ee)로 된다.

또한, 전압 V_a이 다이리스터(6)의 도통시에 로우레벨(V_ee)로 되어 콘덴서(84)를 충전하므로, 전압 V_ca이 저하되고, 점차전압 V₃의 피크치를 하회하게 된다. 그 결과, 전압 V₃의 피크치에 동기해서 연산증폭기(87)의 출력단자의 전압 V_o2이 교류전원의 영전압 근방에서, 제6(h)도에 도시한 바와같이, 로우레벨이 되고, 다이리스터(91)가 도통되어 히이터(89)가 통전되므로, 온도 퓨우즈(7)가 가열용융 절단되어 발열선(2b)으로의 통전이 차단된다. 또, 다이리스터(6)의 역방향의 내압이 낮아졌을 때에는, 다이오드(90)를 통해 히이터(89)가 통전되고, 온도 퓨우즈(7)가 가열용융 절단되어, 발열선(2b)으로의 통전이 차단된다.

상기 구성에 의하면, 과열 감지선(2d), 도체(3d), 저항(10), 저항(12) 및 콘덴서(14)등이 단선되어 전압 V_i의 절대치가 비정상적으로 커졌을때에는, 직류검출전압 V_d이 제1기준전압 -V_r1보다 낮아져서 연산증폭기(46)는 온상태로 되고, 샘플링 결과 신호 V₂가 V_ee와 동일해지므로, 연상증폭기(51)의 출력 V_o1은 언제나 하이레벨로되어, 트랜지스터(52)의 콜렉터가 로우레벨로 되며, 이에 따라 다이리스터(6)가 차단된다. 또, 전압 V_i가 비정상적으로 낮아졌을 때에는, 전압 V_d가 높아져서 V_cc와의 차가 V_r2이하로 되고, 전기적 발열장치(1)의 온도상태가 높을때와 같은 상태가 되므로, 다이리스터(6)는 차단된다.

한편, 동기회로(23), 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47) 및 연산증폭기(51)가 순서적으로 직렬로 정렬되어 설치되고, 연산증폭기(51)의 출력이 이른바 펄스형 파형일때에만 다이리스터(6)가 도통되도록 구성된다. 따라서, 예를들면, 펄스형 파형의 소오스인 동기회로(23)나 게이트회로(39)의 고장시에는, 연산증폭기(46) 이하의 출력은 하이 또는 로우의 일정 레벨이 되어 다이리스터(6)가 계속 차단되고, 연산증폭기(46) 및 게이트회로(47)의 고장시에도, 연산증폭기(51)의 입력단자에 펄스형 파명이 입력되지 않으므로, 연산증폭기(51)의 출력은 하이 또는 로우레벨로 일정하게 되며, 또, 연산증폭기(51)나 트랜지스터(52) 자체가 고장일 때에도, 각각의 출력은 통상하이 또는 로우레벨의 일정전압이 되어, 시간의 경과와 함께 전압레벨이 변화되는 일이 없으므로, 다이리스터(6)가 계속적으로 차단되는 것이다. 요컨대, 순서적으로 직렬로 정렬된 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47) 및 연산증폭기(51)중 하나라도 고장났을 때에는, 어느 경우라도 다이리스터(6)가 차단되어 히이터(2)로의 통전이 차단되므로, 회로고장이 발생하더라도 전기적 발열장치(1)가 과열되는 일은 없고, 만일 온도 퓨우즈 등의 안전회로 또는 안전장치 등이 정상으로 작동하고 있는지의 여부를 감시하는 제1의 비교제어회로(46)가 먼저 고장났을 때에도, 이들 안전회로 또는 안전장치에 의하지 않고 히이터(2b)로의 통전을 차단할 수 있게 되어, 더욱 안정성을 향상할 수 있게 된다.

제7도 내지 제9도는 본 발명의 제2의 실시예를 도시하는 것으로, 제1의 실시예와 상이한 부분만을 설명한다. 즉 제1의 실시예에서는, 제1의 기준전압 V_r1및 제2의 기준전압 V_r2를 게이트회로(39) 및 게이트회로(47)에 입력하고, 온도 검출전압 V_d를 연산증폭기(46), (51)의 한쪽의 입력단자에 입력하도록 했으나, 이 제2의 실시예에서는, 온도 검출전압 V_d을 샘플링회로(96) 및 (97)에 입력해서 샘플링하고, 샘플링 결과 신호 V_d1와 제1의 기준전압 V_r1을 연산증폭기(46)로 비교한후, 샘플링 결과 신호 V_d2와 제2의 기준전압 V_r2를 연산증폭기(51)로 비교하도록 하여, 연상증폭기(51)의 출력으로 다이리스터(6)를 구동하도록 한 것이고, 제1의 실시예와 동일한 작용효과를 나타낸다. 이 경우에 샘플링회로(96), (97)은 트랜지스터(98) 내지 (100), 저항(101) 내지 (105)으로 구성하고, 온도검출전압 V_d을 연산증폭기(16)로 구성된 버퍼회로를 통해 입력하는 구성으로 한다.

또, 다이리스터(6) 대신에 제10도와 같이 스위칭 소자로서 트라이액(107)을 사용하여, 전압 V_c을 트랜지스터(108) 및 저항(109)으로 반전시켜서, 트라이액(107)의 게이트에 제공하도록 해도되고, 또 다이리스터(6)로 릴레이를 구동하여, 그 릴레이 접점으로 발열선(2b)의 통·단전을 실시하도록 해도 된다.

본 발명은 이상의 설명과 같이 안전회로 및 안전장치가 정상적으로 작동하고 있는지의 여부를 항상 감시하는 제1의 비교 제어기를 설치하고, 안전회로 및 안전장치의 고장은 물론 그 안전회로 및 안전장치의 고장을 감시하는 상기 제1의 비교 제어회로가 먼저 고장났을 때에도, 제어회로의 고장시에 부하의 통·단전을 제어하는 스위칭소자를 즉시 오프상태로 하여, 부하로의 통전을 차단함으로써 위험을 회피할 수 있도록 한 부하의 통·단전 제어장치를 제공하는 것이다.

Claims (2)

1. 교류전원에 동기한 제어신호에 의하여 제어되는 스위칭소자로 히이터 등의 부하를 통·단전 제어하는 것에 있어서, 상기 교류 전원과 동기해서 동기 펄스 신호를 출력하는 동기회로(23), 제1의 기준 전압발생회로(41) 및 제2의 기준 전압발생회로(49)와, 상기 제1의 기준전압과 제2의 기준전압사이에서 변화되는 검출전압을 발생하는 검출전압 발생회로(32)와, 상기 제1의 기준전압 및 검출전압의 한쪽을 상기 동기회로로 샘플링 한후에 그 샘플링 결과 신호와 상기 제1의 기준전압 및 검출전압의 나머지 한쪽을 비교하는 제1의 비교제어회로(46)와, 이 제1의 비교제어회로가 상기 동기회로에 동기한 출력신호를 출력할때 그 출력신호에 의하여 상기 제2의 기준전압 및 검출전압의 한쪽을 샘플링 한후에 그 샘플링 결과 신호와 상기 제2의 기준전압 및 검출전압의 나머지 한쪽을 비교하는 제2의 비교제어회로(51)로 구성되어, 상기 제2의 비교제어회로의 출력을 상기 스위칭 소자의 제어 신호로 한 것을 특징으로 하는 부하의 통·단전 제어장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2의 비교 제어회로의 출력은 직류신호 차단용 필터(56)를 통하여 스위칭 소자에 공급되는 것을 특징으로 하는 부하의 통·단전 제어장치.

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