KR860006733A - 기억장치의 정전시 보조 전원회로 - Google Patents

기억장치의 정전시 보조 전원회로 Download PDF

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KR860006733A
KR860006733A KR1019850001114A KR850001114A KR860006733A KR 860006733 A KR860006733 A KR 860006733A KR 1019850001114 A KR1019850001114 A KR 1019850001114A KR 850001114 A KR850001114 A KR 850001114A KR 860006733 A KR860006733 A KR 860006733A
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전종연
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이재연·하인츠 디터 케루트
금성통신 주식회사
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Abstract

내용 없음

Description

기억장치의 정전시 보조 전원회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 본 발명의 기억장치의 정전시 보조 전원회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
R1-R8: 저항 ZD1: 제너다이오드 D1: 다이오드 Q1-Q4: 트랜지스터 B1: 바테리 CR1,OR2: 오아게이트.

Claims (2)

  1. 전원 입력단자(Vin)를 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD1)를 통하여는 접지저항(R2) 및 트랜지스터(Q1), (Q3)의 베이스에 접속하고 저항(R3)을 통하여는 트랜지스터(Q2)의 에미터에 접속하여, 그 트랜지스터(Q2)의 베이스를 저항(R4) 및 발광다이오드(LED1)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 접속함과 아울러 그의 콜렉터를 베이스에 접지저항(R8)이 접속된 트랜지스터(Q4)의 콜렉터 및 전원출력단자(Vout)와 함께 저항(R5)을 통하여는 일측입력단자가 메모리 제어신호 입력단자(CE),(RD/WR)에 접속된 오아게이트(OR1),(OR2)의 타측 입력단자 및 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 접속하고 다이오드(D1) 및 저항(R6),(R7)을 통하여는 트랜지스터(Q4)의 에미터 및 바테리(B1)에 접속하여 구성함을 특징으로하는 기억장치의 정전시 보조 전원회로.
  2. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850001114A 1985-02-22 1985-02-22 기억장치의 정전시 보조 전원회로 KR870001260B1 (ko)

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