KR860001784A - N-아실-하이드록시 및 n-아실-아실옥시 방향족 아민의 제조방법 - Google Patents

N-아실-하이드록시 및 n-아실-아실옥시 방향족 아민의 제조방법 Download PDF

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KR860001784A
KR860001784A KR1019850002988A KR850002988A KR860001784A KR 860001784 A KR860001784 A KR 860001784A KR 1019850002988 A KR1019850002988 A KR 1019850002988A KR 850002988 A KR850002988 A KR 850002988A KR 860001784 A KR860001784 A KR 860001784A
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로널드 케이 실버스텐
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내용 없음

Description

N-아실-하이드록시 및 N-아실-아실옥시 방향족 아민의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (13)

  1. 하이드록시 방향족 케톤을 하이드록실아민염 및 염기와 접촉시켜 상기 케톤의 케톡심을 형성한 후; (ⅰ) 상기 케톡심을 벡크만 전의촉매와 접속시켜 N-아실-하이드록시 방향족 아민을 얻거나, (ⅱ) 상기 케톡심을 카복실산무수물 및 벡크만 전위촉매와 접촉시켜 N-아실-아실옥시 방향족 아민을 얻는 것으로 구성된 N-아실하이드록시- 및 N-아실-아실옥시-방향족 아민을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하이드록시 방향족 케톤이 4-하이드록시 아세토페논이며, 상기 케톡심이 4-하이드록시아세토페논 옥심이며 상기 N-아실-하이드록시 방향족 아민이 N-아세틸-파라-아미노페놀인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 케톡심을 이산화황, 디에틸에테르, 초산에틸, 아세톤, 테트라하이드로푸란 및 염화 메틸렌으로 구성된 군으로부터 선택된 용매중에서 촉매량의 염화티오닐과 접촉시키는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 용매가 이산화황이며, 전위가 온도 약 -70~40℃, 압력 약 0.1~10바아하에서 수행되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하이드록시 방향족 케톤이 4-하이드록시아세토페논이며, 상기 케톡심이 4-하이드록시아세토페논 옥심이며, 상기 무수물이 무수초산이며, 상기 N-아실-아실옥시방향족아민이 4-아세톡시아세트아닐리드인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 4-아세톡시아세트아닐리드가 가수분해 되어 N-아세틸-파라-아미노페놀을 형성하는 방법.
  7. 제1항, 제2항 또는 제5항에 있어서, 페놀화합물과 카복실산의 에스테르를 프리이스 전위촉매와 접촉시켜 하이드록시 방향족 케톤을 형성하는 것으로 구성된 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 프리이스 전위촉매가 불화수소인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 에스테르가 페닐아세테이트인 방법.
  10. 제1항, 제2항 또는 제5항에 있어서, 페놀화합물과 아실화제를 프리이델-크라프츠 촉매와 접촉시켜 하이드록시 방향족 케톤을 형성하는 것으로 구성된 방법.
  11. 제10항에 있어서 상기 프리이델-크라프츠 촉매가 불화수소인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 페놀 화합물이 페놀이며, 아실화제가 초산인 방법.
  13. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850002988A 1984-06-04 1985-05-02 N-아실-p-아미노페놀 및 4-아실옥시-N-아실 아닐리드의 제조방법 KR900004399B1 (ko)

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