KR860001466B1 - Method for removing flashes from mold resin product - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 본 발명에서, 합성수지입체에 크랙(crack)을 발생시키기 위한 일실시예를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing an embodiment for generating a crack in the synthetic resin solid body in the present invention.
제2도는 본 발명의 연마재 입자의 형상 및 크랙의 발생의 발생상태를 표시한 평면도,2 is a plan view showing the shape of the abrasive grains of the present invention and the occurrence of cracks;
제3도는 몰드 플래쉬(moldflash)를 갖가 반도체 장치의 몰드품의 평면도.3 is a plan view of a molded article of a semiconductor device having a moldflash.
제4도는 반도체장치 몰드품의 수지플래쉬 제거에 사용되는 습식 브라스트 장치의 모식도.4 is a schematic view of a wet blast device used for removing resin flash of a mold of a semiconductor device.
제5도는 연마재에 의한 수지플래쉬 제거를 설명하기 위한 단면도.5 is a cross-sectional view for explaining the resin flash removal by the abrasive.
제6도는 본발명의 실시예와 비교예와의 플래쉬 제거성을 비교하여 표시한 그래프.FIG. 6 is a graph showing comparison of flash removal property between Examples and Comparative Examples of the present invention. FIG.
제7a도, 제7b도 및 제7c도는 크랙을 갖는 연마재의 여러가지 형상의 예시도.7A, 7B and 7C are exemplary views of various shapes of the abrasive having cracks.
제8도는 연마재의 여러가지 종류의 형상과 연마 특성과의 관계를 표시한 그래프.8 is a graph showing the relationship between various types of abrasives and abrasive properties.
제9도는 연마재의 여러가지 종류의 형상과 연마 특성과의 관계를 표시한 그래프.9 is a graph showing the relationship between various types of abrasives and abrasive properties.
제9도는 본 발명의 일 실시예와 비교예와의 플래쉬제거성을 비교하여 표시한 그래프이다.9 is a graph showing comparison of flash removal ability between an embodiment of the present invention and a comparative example.
본 발명은 연마재에 관한 것으로 특히 합성수지 성형품의 플래쉬(flash)제거에 적합한 합성수지 연마재에 관한 것이다. IC나 LSI등의 반도체장치의 수지봉지(樹脂封止)공정을 거쳐 얻어지는 성형품에는 때때로 많은 풀래쉬가 발생한다. 예를들면, 반도체 소자가 마운트(mount)된 리드프레임을 성형품 금형내에 넣은 후, 이 금경내에에 폭시 수지를 주입하여 제3도에 나타낸 바와같이 리드 프레임(9)위에 반도체소자(도시않음)가 수지층(10)으로 봉지된 반도체 몰드품(11)이 얻어지게 되는바, 그러나 이러한 몰드품외 성형시에 있어서 수지층(10)부근의 리드프레임(9) 상부 및 리드프레임(9)의 리드사이에 수지 플래쉬(12)가 발생한다. 그러므로 성형후의 후가공으로서 수지 플래쉬(9)의 제거공정을 필요로 하는 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to abrasives and, in particular, to synthetic resin abrasives suitable for flash removal of plastic molded articles. In the molded article obtained through the resin encapsulation process of a semiconductor device such as IC or LSI, a lot of pull lash sometimes occurs. For example, after inserting a lead frame in which a semiconductor element is mounted, into a mold, a epoxy resin is injected into the mold, and a semiconductor element (not shown) is placed on the lead frame 9 as shown in FIG. The semiconductor mold product 11 encapsulated with the
따라서 종래에 있어서는, 알루미나, 탄화규소, 글라스 비즈등의 경질 연마재, 또는 호도 각분등의 연질 연마재를 상기 리드프레임(9)의 수지 플래쉬(12)…에 고속 분사하여 이 수지 플래쉬(12)…를 파괴시켜 제거하였다.Therefore, in the related art, hard abrasives such as alumina, silicon carbide, glass beads, or soft abrasives, such as arc arcs, are used for the
그러나, 경질 연마재를 사용했을 경우, 그 경도는 HRC 70이상인데 대하여, 일반 반도체 장치용 에폭시수지(cured)의 경도는 HRM 100전후이므로 연마재가 에폭시 수지에 비하여 현저히 단단하고 또 비중도 4배이상 크기 때문에, 수지플래쉬(12)…의 제겅에 있어서 몰드 성형품(11)의 표면에 상처를 주어 되관을 손상시킴과 동시에 몰드 성형품(11)의 상처부에서 수분이 침투하여 반도체소자의 신뢰성에 악영향을 미치게 한다는 문제가 있었다,However, when a hard abrasive is used, its hardness is more than H R C 70, whereas the hardness of epoxy resins for general semiconductor devices is around H R M 100 so that the abrasive is significantly harder and specific gravity than epoxy resin. Since it is four times larger, the
한편, 호도 각분(殼粉), 살구 각분등의 식물성의 연질연마재를 사용한 경우, 이들이 건조상태에서의 탄력이 크고 점성이 있어 이들 연마재의 날(edge)만이 둥그러져 단 시간에 연마력이 저하한다. 연마력이 약함으로서 경질연마재를 사용하는 경우보다도 시간이 더 걸리며, 단사간에 가공하려면 고압으로 가압분사할 필요가 있다. 그 결과 리드프레임(9)의 구부러짐이 발생할 염려가 있을뿐 아니라, 생산비가 고가로 되는 결점이 있고 또한, 연질 연마재는 일반적으로 유전체이므로 이것을 사용한 경우, 이 연마재와 몰드성형품(11) 등이 접촉함에 따라서 정전기가 발생하고 이 정전기에 의하여 연마재의 파쇄분이 몰드 성형품(11) 표면에 강고하게 부착하기 때문에, 다음의 납도포 또는 도금공정에 있어서, 납이나 도금이 없는 부분이 생겨 외관불량을 초래하거나, 이드프레임(9)의 부식발생 원인이 된다.On the other hand, when vegetable soft abrasives such as arc flour and apricot flour are used, they are highly elastic and viscous in a dry state, and only the edges of these abrasives are rounded and the polishing force decreases in a short time. Due to the weak polishing force, it takes longer than the case of using a hard abrasive material. In order to process between single yarns, it is necessary to apply pressure spraying at high pressure. As a result, not only there is a risk of bending the lead frame 9, but also a disadvantage that the production cost is expensive, and since the soft abrasive is generally a dielectric, when the abrasive is used, the abrasive and the molded article 11 come into contact with each other. Therefore, since static electricity is generated and the crushed powder of the abrasive is firmly adhered to the surface of the mold-molded product 11 by the static electricity, in the following lead coating or plating process, a portion without lead or plating is formed, resulting in a poor appearance. This causes the corrosion of the id frame 9.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 몰드제품, 기타의 합성수지 성형품의 성형시에 발생한 수지플래쉬의 제거에 있어서 이들 성형품의 손상을 초래함이 없이 또 정전기를 발생함이 없이 능률적으로 수지플래쉬를 제거할 수 있는 연마재를 제공함에있다.또 하나의 목적은 피가공물에의 분사가공에 있어서 우수한 연마력을 장기간에 걸쳐 발휘할 수 있는 연마재 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to efficiently remove resin flashes without causing damage to these molded articles and without generating static electricity in the removal of resin flashes generated during molding of semiconductor molded products and other synthetic resin molded articles. It is another object of the present invention to provide an abrasive and a method for producing the abrasive which can exert an excellent abrasive force for a long time in the spray processing on the workpiece.
즉, 본 발명은 복수의 인형(刃刑) 날(adge)을 갖고 동시에 피가공물과의 충돌에 의하여 쪼개져 갈라지기 쉬운 크랙(crack)을 갖는 합성수지 입체로 됨을 특징으로 하는 연마재를 제공하는 것이다.That is, the present invention provides an abrasive characterized in that it has a plurality of doll edges and at the same time becomes a synthetic resin solid having a crack that is easily cracked by cracking with the workpiece.
또한, 본 발명은 합성수지 소재(素材)를 성형하고 이어서 이것을 입상화한 합성수지 연마재의 제조방법에 있어서, 상기 성형공정 및 또는 입상화 공정에 있어서, 피가공물과의 충돌에 의하여 용이하게 쪼개져 갈라지는 크랙을 발생시킴을 특징으로 하는 합성수지 연마재의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, the present invention is a method for producing a synthetic resin abrasive obtained by molding a synthetic resin material and then granulating the resin, wherein in the forming step or granulation step, a crack which is easily split and cracked by a collision with a workpiece is eliminated. It is to provide a method for producing a synthetic resin abrasive, characterized in that the generation.
본 발명에 있어서 연마재를 구성하는 합성수지 입체는 복수의 크랙이 불규칙적으로 형성되어 있으며, 예를들면 분사가공등의 사용시에 피가공물과의 충돌에 의하여 상기 크랙에 따라 갈라지고, 탈락하고 새로운 예리한 날(adge)이 형성된다. (자생발인작용(自生發刃作用))In the present invention, the synthetic resin solids constituting the abrasive have a plurality of cracks irregularly formed, for example, in the case of use of spraying or the like, the cracks are separated by the cracks due to collisions with the workpieces, and a new sharp blade ( adge) is formed. (Spontaneous stimulus action (自 生發 刃 作用))
이와같이 항상 예리한 날로 수지플래쉬에 충돌하게 되므로 수지플래쉬의 제거는 효율적이 되고 그 지속시간도 길어진다.In this way, since the impact on the resin flash is always sharp, the removal of the resin flash becomes efficient and its duration is long.
한편, 본 발명에 있어서 “피가공물과의 충돌에 의하여 용이하게 쪼개져 갈라지는 크랙”이란 이하 설명에서 확실한 바와같이 합성수지의 성형시 및/또는 입상화 공정에 있어서 내부외(內部歪)를 고의로 발생시키는 공정, 혹은 물리적, 열적 또는 화학적 작용에 의하여 크랙을 고의로 발생시키는 공정을 부가함에 따라 다수 발생하는 쪼개져 갈라지기 쉬운 크랙을 의미한다.On the other hand, in the present invention, the "crack which is easily split and cracked by the collision with the workpiece" is a step of deliberately generating the inside and the outside during the molding of the synthetic resin and / or the granulation process, as is clear from the following description. By cracking or cracking, a number of cracks are generated by adding a process of intentionally generating cracks by physical, thermal or chemical action.
따라서, 합성수지 성형물을 단순히 분쇄기(crusher)등에 의하여 미립화시켜 그때에 다소 형성될지도 모를 미세 또는 소량의 크랙과는 구별하여 이해되지 않으면 안된다. 또 이러한 크랙은 피가공믈과의 충돌에 의하여 소모하는 날을 보급하여 그 성능을 알정하게 충분한 기능을 갖지 않기 때문이다.Therefore, it is to be understood that the synthetic resin molding is merely atomized by a crusher or the like to distinguish it from fine or small amount of cracks that may be formed at that time. This is because these cracks do not have enough functions to propagate the blades consumed by the collision with the workpiece and to determine the performance thereof.
본 발명에 있어서 적합한 합성수지로서는 비교적 경도가 크고 연성이 적은 것이 바람직하며 이러한 합성수지로서는 예컨대 에폭시수지, 요소수지, 폴리에텔수지, 메라민수지등의 열경화성 수지 경화물, 또는 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 폴리아크리레이트등의 비교적 경질의 열 가소성수지를 사용할 수 있다. 특히, 열경화성 수지는 경질로서 다각형으로 예리한 날을 갖는 입자를 만드는 것이 용이하기 때문에 수지 플래쉬제거에 적합하다.Preferred synthetic resins in the present invention are those having relatively high hardness and low ductility. Examples of such synthetic resins include cured products of thermosetting resins such as epoxy resins, urea resins, polyether resins, and melamine resins, or polystyrenes, polycarbonates, and polyacrylates. The relatively hard thermoplastic resin can be used. In particular, thermosetting resins are suitable for resin flash removal because they are hard and easy to make particles having sharp edges in polygons.
한편, 반도체몰드 성형품의 수지 플래쉬제거에 사용할 경우에는 봉지할 수지의 경도와 같든가, 또는 가까운 것 예를들면 경도 HRM 100후전의 에폭시수지 몰드품에 대하여 HRM 80-120의 경도를 갖는 불포화 폴리에스텔 수지나 알키드 수지가 적합하다. 이러한 합성수지 입상물의 입경은 연마재의 용도에 따라 자유로히 선정할 수 있으나, 예를들면 몰드성형품의 수지플래쉬 제거에 사용할 경우에는 입경(한개의 입자의 최대직경과 최소직경의 합의 1/2)이 0.05-2.0㎜의 범위내에 있는 피크 및 평균치를 갖는 것이 바람직하다.On the other hand, when using the resin flash removal of the semiconductor mold, the molded article deunga equal to the hardness of the resin to be sealed, or for example, will close to the hardness of H R M 80-120 with respect to the epoxy resin mold product before the hardness H R M 100 after Unsaturated polyester resin and alkyd resin which have is suitable. The particle size of the synthetic resin granules can be freely selected according to the use of the abrasive, but, for example, when used to remove the resin flash of the molded article, the particle size (1/2 of the sum of the maximum and minimum diameters of one particle) is 0.05. It is desirable to have peaks and average values within the range of -2.0 mm.
또, 이 입상물의 형상은 구상(球狀), 침상(針狀), 편평상(扁平狀), 다각체상(多角體狀)등 임의이며, 이들 형상이 상이한 합성수지 입체를 혼합하여 연마재를 구성하여도 무방하며, 이러한 혼합연마재는 오히려 플래쉬를 떼어내는데 효과적이다.Moreover, the shape of this granular material is arbitrary, such as spherical shape, acicular shape, flat shape, and polygonal shape, Comprising: The synthetic resin solids from which these shapes differ are comprised, and an abrasive | polishing material is comprised. The mixed abrasive may be effective for removing the flash.
이들 합성수지 입체는 건식 혹은 습식에 의한 분사가공에 의하여 피가공물의 연삭이나, 수지플래쉬 제거를 하는 목적에서는 다수의 절인(切刃)날을 갖는 구조로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that such synthetic resin solids have a plurality of pickled blades for the purpose of grinding the workpiece or removing the resin flash by dry or wet spraying.
한편, 연마재의 평균 입경, 형상은 피가공물의 특징필요로 하는 가공의 정도등을 고려하여 적절히 결정하면 된다.In addition, what is necessary is just to determine the average particle diameter and shape of an abrasive material suitably in consideration of the grade of processing required for the characteristic of a workpiece, and the like.
본 발명의 합성수지 연마재는 계면활성제(界面活性劑)를 연마재 입자표면 또는 내부에 혼재하도록 하여 유지시켜도 무방하다. 이 계면활성제는 합성수지 입상물의 충돌에 의하여 수지플래쉬등에 크랙을 발생시킨 경우, 이 연마재를 습식브라스트(blast)법에 사용한 경우에는 물이 그 크랙을 통하여 수지 플래쉬와 리드프레임등과의 간극에 침입하기 쉽게됨과 동시에 합성수지 입상물의 충돌로 발생한 피처리제품의 대전(帶電)을 방지시키는 역할을 한다. 이러한 계면활성제로는 양이온계, 음이온계, 비이온계, 양성을 불문하고 전부 사용할 수가 있다. 단, 반도체 몰드 성형품의 수지플래쉬 제거에 사용할 경우에는, 반도체 소자에 악영향을 미치는 금속이온, 할로겐성분, 암모니아성분, 인성분, 황성분등을 포함하지 않는 비이온계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 비이온 계면활성제로서는 폴리옥시 에틸렌 알킬에텔류, 폴리옥시 에틸렌 알킬에스텔류, 폴리옥시에틸렌 알킬 페놀 에텔류, 솔비탄 알킬에스텔류, 폴리옥시 에틸렌 솔비탄 알킬에스텔류등을 들 수 있다.The synthetic resin abrasive of the present invention may be maintained by mixing a surfactant with the abrasive particle surface or inside. When the surfactant causes cracks in the resin flash, etc., due to the impact of granular resin particles, when the abrasive is used in the wet blast method, water penetrates into the gap between the resin flash and the lead frame through the crack. At the same time, it serves to prevent the charging of the processed product caused by the collision of synthetic resin granules. As such surfactant, all can be used irrespective of cationic, anionic, nonionic, and amphoteric. However, when used to remove the resin flash of a semiconductor mold molded article, it is preferable to use a nonionic surfactant which does not contain metal ions, halogen components, ammonia components, phosphorus components, sulfur components and the like which adversely affect the semiconductor elements. Examples of the nonionic surfactants include polyoxy ethylene alkyl ethers, polyoxy ethylene alkyl esters, polyoxyethylene alkyl phenol ethers, sorbitan alkyl esters, and polyoxy ethylene sorbitan alkyl esters.
이러한 계면활성제의 합성수지 입상물에의 부착비율은 용도나 계면활성제의 종류에 따라 다르나, 통상 0.001-1중량%의 범위로 부착시키는 것이 좋다. 또 계면활성를 합성수지 입자중에 혼재시킬 경우는 계면활성제가 합성수지 입자표면에서 적당히 침출할 수 있을 정도로 혼입시킨다.The ratio of adhesion of the surfactant to the synthetic resin granular material varies depending on the use and the kind of the surfactant, but it is generally preferable to adhere the surfactant in the range of 0.001-1% by weight. In the case where the surfactant is mixed in the synthetic resin particles, the surfactant is mixed so that the surface of the synthetic resin particles can be properly leached.
본 발명에 있어서, 연마재를 구성하는 합성수지체에크랙을 발생시키는 방법은 아래와 같이 합성수지 소재의 성형 또는 입상화 공정에 있어 할 수가 있다.In the present invention, a method of generating cracks in the synthetic resin constituting the abrasive can be performed in the molding or granulating step of the synthetic resin material as follows.
합성수지 소재로서 열경화성 수지를 사용한 경우When using a thermosetting resin as a synthetic resin material
(A) 성형시에 내부의(歪)를 발생시키는 방법.(A) The method of generating an internal at the time of shaping | molding.
예:Yes:
(1) 열경화성 수지를 미리 분체화한것(예, 입경 0.01-2㎜)을 핵으로하여 합성수지 소재중에 분상하도록 하여 성형하고 이 성형시의 수축에 의하여 핵체주위에 발생시키는 방법.(1) A method in which a thermosetting resin is preliminarily powdered (e.g., a particle size of 0.01-2 mm) as a nucleus to be powdered in a synthetic resin material and molded around the nucleus body by shrinkage during molding.
(2) 합성수지 소재를 거열에 의하여 또는 촉매첨가에 의하여 절화시켜, 경화도중에 외력을 주어 조분쇄(粗粉碎)하고 이 조분쇄시 경화가 불충분한 단계의 성형물의 취약특성에 의하여 많은 크랙이 발생하는 것을 이용하는 방법.(2) The synthetic resin material is cut by heat or by the addition of a catalyst, and coarsely crushed by external force during curing, and many cracks are generated due to the fragility of the molded product having insufficient curing during the coarse grinding. How to use the thing.
(3) 합성수지 소재를 통상보다 높은 온도로 경화시켜 이 급격한 경화반응에 의하여 내부외를 발생시켜 크랙을 무수히 발생시키는 방법.(3) A method in which a synthetic resin material is cured at a higher temperature than usual, and internally and externally generated by this rapid curing reaction to generate a myriad of cracks.
(B) 합성수지 소재리 성형한 후, 아세톤, 메타놀등 적당한 영제에 침지하거나, 또는 끊는 물에 침지하여 성형물중에 크랙을 발생시키는 방법.(B) A method of forming a synthetic resin material, and then immersing in a suitable agent such as acetone, methanol, or immersed in water to break to generate cracks in the molding.
(C) 다수의 절인을 가진 가공구에 의하여 가압하여 조립체화한 것을 미세입체화시켜 강제적으로 크랙을 발생시키는 방법.(C) A method of forcibly producing granules by pressurizing the granulated material by pressing with a plurality of pickled tools.
(D) 합성수지 소재를 성형후 조립화한 것을 저온, 예 10℃이하, 보다 바람직하기는 -20℃이하의 온도로 냉각하여 부서지기 쉽게한 단계에서 미립화시키는 방법.(D) A method of granulating the synthetic resin material after granulation at a low temperature, for example, 10 ° C. or lower, more preferably -20 ° C. or lower, and brittle.
(E)합성수지 소재를 성형후 조립체화하고 이어서 고온(예 15℃이상)으로 가열하고 강도 저하상태로 하여 미립화시켜 크랙을 발생시키는 방법.(E) A method in which a synthetic resin material is granulated after molding, and then heated to a high temperature (eg 15 ° C. or more) and atomized in a state of reduced strength to generate cracks.
(F) 합성수지 소재 성형물에 급열 또는 급냉각으로 열충격을 가하여 크랙을 발생시키는 방법.(F) A method of generating cracks by applying thermal shock to a synthetic resin molded product by quenching or quenching.
(G) 상기 (A)-(F)의 방법을 2이상 조합하여 크랙을 발생시키는 방법.(G) A method of generating cracks by combining two or more of the methods (A)-(F).
합성수지 소재로서 열가소성 수지를 사용할 경우When using thermoplastic resin as synthetic resin material
상기(A)(1),(B),(C),(D),(F)의 방법 또는 그들을 임의로 조합하여 크랙을 발생시키는 방법.The method of said (A) (1), (B), (C), (D), (F), or the method of arbitrarily combining them, and generating a crack.
본 발명에서 합성수지 소재를 분쇄함에는 예를들면, 괴상의 합성수지 소재를 각종 분쇄기, 예컨데 조쇄기, 선동파쇄기, 로러분쇄기, 원반분쇄기, 콘분쇄기, 햄머밀, 에지런너, 볼밀 또는 튜브밀등으로 분쇄하는 방법을 이용할 수 있다.In the present invention, for pulverizing the synthetic resin material, for example, the pulverized synthetic resin material is pulverized by various crushers, for example, crusher, crushing crusher, roller crusher, disc crusher, cone crusher, hammer mill, edge runner, ball mill or tube mill Can be used.
본 발명의 연마재는 외력에 의하여 쪼개져 갈라지기쉬운 크랙을 갖는 합성수지 입체로 됨으로서 이를 건식 또는 습식브라스트법에 의하여 분사가공할 경우, 이 연마재의 충돌력에 의하여 피가공물의 연삭 혹은 플래쉬 제거를 할 수가 있음과 동시에 이 분사 가공중에서의 충격력에 의하여 상기 크랙을 따라 용이하게 갈라져 탈락을 발생하여 새로운 예리한 날이 형성되어 장기간 사용에 있어서도 피가공물의 연삭 혹은 플래쉬 제거성능을 유지할 수 있다.The abrasive of the present invention becomes a synthetic resin solid having a crack that is easily cracked by external force, so that when it is sprayed by a dry or wet blasting method, it is possible to grind or remove the workpiece by the collision force of the abrasive. At the same time, due to the impact force during the spraying process, the cracks are easily broken along the cracks, causing a new sharp blade to be formed to maintain the grinding or flash removal performance of the workpiece even in long-term use.
한편, 본 발명의 연마재는 반도체 몰드품의 수지플래쉬 제거에 한정되지 않고, 일반의 몰드품의 수지플래쉬제거나, 연질금속의 표면처리등에도 같이 적용할 수 있다.On the other hand, the abrasive of the present invention is not limited to the removal of the resin flash of the semiconductor mold product, but can also be applied to the resin flash agent of a general mold product or to the surface treatment of soft metal.
이하 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명한다. (%는 중량에 의거함)Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. (% Based on weight)
[실시예 1]Example 1
먼저 불포화폴 리에스텔소재 에스타 R253A-1(상품명 : 미쯔이 도오아쯔 가가구 가부시끼 가이샤제)에 MEKPO(55%의 메틸에텔케톤 퍼옥사이드)를 2%첨가하고 로새×가로×높이 3000mm×300mm×20mm의 형에 주형한다.First, 2% of MEKPO (55% methyl ether ketone peroxide) was added to unsaturated polyester material, Esta R253A-1 (trade name: manufactured by Mitsui Tooatsu Kagu Kaisha Co., Ltd.), and Rossa × W × H 3000mm × 300mm × Mold in 20mm mold.
이와같이 하여 얻어진 불포화폴리에스텔수지 경화물 불록을 절단하고 이어서 크랏셔, 햄머등에 의하여 조분쇄한 후, 볼밀, 로러밀 또는 충격분쇄기등을 사용하여 조입체를 미분쇄하여 평균직경이 0.7mm전후인 다수의 절인용날을 갖는 불포화폴리에스텔 수지입체를 만들었다. 이어서 제1도에 나타낸 바와같이 상하형 1,2의 대향면에 합성수지 보다 각단이 굳은 재료(에 : 다이야몬드)의 파쇄입자(3)…을 고착제층 4a,4b를 특하여 보지한 구조의 압축기를 준비하고 이 상하형 1,2사이에 상기 방법으로 만든 다수의 날을(5)…를 갖는 폴리에스텔수지입체(6)…을 넣고 상하형 1,2에 의하여 압압함에 의하여 상기 파쇄입자(3)…와 맞닿는 입체(6)를 다시 미세입체화하여 제2도에 나타낸 바와같이 외력에 의하여 쪼개져 갈라지기 쉬운 크랙(8a)…를 갖는 평균입경 0.3mm전후의 연마재(8)을 얻었다. 이와같이 하여 제2도에 나타낸 바와같은 대소의 많은 크랙(8a) 및 날(8b)을 갖는 연마재(8)를 얻었다.The unsaturated polyester resin cured product block thus obtained was cut and then pulverized by crusher, hammer, etc., and then the pulverized powder was pulverized using a ball mill, roller mill or impact pulverizer and the like, and the average diameter was around 0.7 mm. An unsaturated polyester resin solid having a pickling blade of was prepared. Next, as shown in FIG. 1, the crushed
다음에 상기 연마재에 의한 제3도에 나타낸 반도체 몰드 성형품의 수지플래쉬를 제4도에 나타낸 습식브라스트 장치를 사용하여 제거하는 방법을 설명한다.Next, a method of removing the resin flash of the semiconductor mold-molded product shown in FIG. 3 by the abrasive using the wet blast device shown in FIG. 4 will be described.
미리 반도체소자가 마운트된 리드프레임을 성형 금형내에 넣은후, 이 금형내에 에폭시 수지를 주입하여 제3도에 나타낸 바와같이 리드프레임(9)위의 반도체소자(도시않음)를 수지층(10)에서 봉지된 반도체몰드 성형품(11)을 성형하였다.After inserting a lead frame in which a semiconductor element is mounted in advance into a molding die, an epoxy resin is injected into the mold and a semiconductor element (not shown) on the lead frame 9 is removed from the
이 성형품(11)에. 몰드 성형시에 수지층(10)부근의 리드프레임(9)위 및 리드프레임(9)의 리드사이에 수지플래쉬(12)…가 발생하였다.To this molded product (11). The
이어서 제4도에 나타낸 가압실(13)내에 설치한 홈퍼(14)내에 상기 연마재(8)…과 물(15)을 1 : 3의 비율로 넣고 이어서 제1의 펌프(16)를 작동하여 연마재(8)…을 물(15)와 같이 흡이하고 이것을 홉퍼(14) 저부에 강제적으로 송급함에 따라서 교반되게 하고, 연마재(8)…를 균일하게 분산시켜서 스러리(slurry)를 조재하였다.Subsequently, the abrasive 8 is formed in the
이어서 제2펌프(17)를 작동시켜서 스러리를 빨아올려서 분사기(18)에 도입하여 이것을 공기도입관(19)에서의 압축공기에 의하여 분산가속시켜 물, 연마재 및 공기의 3상 고속분사류(20)로서 가공실(13)내로 반송된 전술의 반도체 몰드성형품(도시않음)을 향하여 분사시켰다. 이와같이 분사류가 몰드성형품에 분사되면, 제5도에 나타낸 바와같이 다수의 날(8)…을 갖는 연마재(8)가 몰드 성형품(11)의 리드프레임(9)위 및 리드프레임(9)의 리드사이에 부착한 수지플래쉬(12)에 충돌한다. 수지플레래쉬(12)는 열경화성의 에폭시 수지로 되어있고, 비교적 약한 연마재(8)의 날(8b)에 의한 집중적(국소적)인 충격력 및 이 충격력에 수반하는 진동에 의하여 수지플래쉬912)에 크랙(21)이 발생하고, 나아가 수지플래쉬(12)에 발생한 크랙(9)에 대하여 뜨도록 작용한다. 또 다수의 날(5)…를 갖는 연마재(8)가 수지플래쉬(12)의 크랙에 여러번 충돌하기 때문에 침입한물에 의한 수지플래쉬(21)의 부상작용과 상승작용하여 수지플래쉬(12)는 완전히 제거된다.Subsequently, the
또, 연마재(8)는 표면에서 내부를 향하여 불규칙적인 크랙(7)…을 갖기 때문에 상기 반도체몰드 성형품(11)에의 충돌에 의하여 연마재(8)의 크랙(8a)을 따라서 갈라지며 둥그렇게 된 날은 탈락하여 새로운 예리한 날이 형성된다. 이결과, 장기간의 사용에 있어서도 반도체 몰드 성형품(11)의 수지 플래쉬(12)의 제거성능을 유지할 수 있다.In addition, the abrasive 8 has
따라서, 본 발명의 연마재(8)를 사용하여 예를들면, 반도체 몰드 성형품(11)을 분사가공함에 따라서 이 성형품(11)의 수지플래쉬(12)를 효과적으로 제거할 수 있음과 동시에, 이 연마재(8)의 크랙(8a)…을 따라 갈라져 탈락함으로서 생기는 생로운 예리한 날이 성형품(11)의 미세한 곳(예 : 리드프레임(9)의 리드 사이등)에 부착한 수지플래쉬(12)에 작용하영 잔존 부분없이 완전하게 제거할 수 있다.Therefore, by using the abrasive 8 of the present invention, for example, by spraying the semiconductor mold molded article 11, the
이하 표시된 시험에 의하여 본 실시예 1의 연마재가 우수한 플래쉬 탈취성능을 가진 것임이 확인되었다. 이 시험에서는 비교예를 병기하여 설명한다.It was confirmed by the test indicated below that the abrasive of Example 1 had excellent flash deodorization performance. In this test, a comparative example is described together.
[비교예][Comparative Example]
불포화폴리에스텔소재에스타 R235A-1에 MEKPO를 2%첨가하여 세로×가로×높이=300mm×300mm×20mm의 형에 주형한다. 이와같이하여 얻어진 합성수지 블록을 크랏셔로 조분쇄한 후, 충격분쇄기를 이용하여 평균입경이 0.3mm전후의 합성수지 입체를 얻었다.MEKPO is added to unsaturated polyester material ester R235A-1 by 2%, and the mold is cast in a mold of length x width x height = 300 mm x 300 mm x 20 mm. The synthetic resin block thus obtained was coarsely crushed with a crusher, and then a solid resin solid having an average particle diameter of about 0.3 mm was obtained using an impact crusher.
실시예 1의 크랙이 있는 연마재 및 상기 비교예의 연마재를 사용하여 반도체장치의 수지플래쉬의 제거를 행하여 플래쉬제거성능을 조사한바, 제6도에 나타낸 바와같은 얻었다. 여기서, 시험조건은 연속24시간 습식 브라스트 장치에 의하여 반도체 장치를 플래쉬 제거 가공한 후, 다시 10,000개의 플래쉬제거한 것으로 이들 10,000개의 피가 공물중에서 임의로 1,000개를 표본용으로 한 피가공물중 완전히 플래쉬가 제거된 피가공물의 비율을 플래쉬 제거성으로서 100분율로 표시한 것이다. 이 제6도에서 확실한 바와같이 본 실시예 1의 연마재는 플래쉬 제거성이 대체로 100%인데 대항여 비교예의 연마재는 플래쉬 제거성이 대체로 80%로 낮아 본발명의 연마재는 우수한 플래쉬 제거성을 가진 것임이 확인되었다.Using the cracked abrasive of Example 1 and the abrasive of the said comparative example, the resin flash of the semiconductor device was removed and the flash removal performance was investigated, and it obtained as shown in FIG. Here, the test condition is that the semiconductor device is flash-deleted by a wet blasting device for 24 hours continuously, and then 10,000 flashes are removed. The percentage of the workpieces removed is expressed as a fraction of 100 as flash-removability. As is clear from FIG. 6, the abrasive of Example 1 has a flash removal property of about 100%, whereas the abrasive of the comparative example has a low flash removal property of about 80%. Thus, the abrasive of the present invention has excellent flash removal property. This was confirmed.
한편, 본 실시예의 연마재에 의한 분사 가공은 위와같이 반도체 몰드 성형품의 수지플래쉬제거를 목적으로 하는 경우에 한하지 않으며, 일반적인 몰드 성형품의 수지 플래쉬제거나, 연질금속의 표면처도등에도 같이 적용된다.On the other hand, the spraying process using the abrasive of the present embodiment is not limited to the case where the resin flash of the semiconductor mold molded article is removed as described above, but is also applied to the resin flash agent of the general molded molded article or the surface contour of the soft metal. .
[실시예 2]Example 2
상기 에스터 -R235A-1에 MEKPO를 2%첨가하고 통상성형물의 내부 반응열을 제거하기 위해 5mm이하 두께로 성형하는 것이 상식이나, 경화시의 반응열을 잉용하기 위해 세로×가로×높이=300mm×300mm×200mm의 형에 주형하여 경화시켜서 블록을 얻는다. 이때 블록 내부중앙의 온도는 250℃이상이 되어 내부외곡이 생겨 무수의 크랙이 발생한다. 이와같이 하여 크랙이 형성된 블록을 크랏셔로 조분쇄한 후, 충격분쇄기를 사용하여 입경이 0.3mm전후인 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 현저하게 향상되었다.It is common sense to add 2% MEKPO to the ester-R235A-1 and to form a thickness of 5 mm or less in order to remove the internal reaction heat of a conventional molding, but in order to use the reaction heat at the time of curing, the length × width × height = 300 mm × 300 mm × The mold is molded into a 200 mm mold and cured to obtain a block. At this time, the temperature in the center of the block is 250 ℃ or more, the inner outer grain occurs, anhydrous cracks occur. In this way, the blocks in which the cracks were formed were coarsely crushed with a crusher, and then, using an impact crusher, a large number of cracked abrasives having a particle diameter of about 0.3 mm were obtained. In the abrasive in this example, the flash removeability was remarkably improved as in Example 1.
[실시예 3]Example 3
실시예 2에서 얻은 입경 1mm이하의 분쇄물 20부를 상기 에스터 -R235A-1 100부에 핵으로서 혼합한후 MEKPO를 2부 추가하고 세로×가로×높이× 300mm×300mm×200mm의 형에 주형하여 경화시켜 블록을 얻는다. 그다음에 급격히 가열하여 열충격을 부여함으로서 블록내부 외를 유기(誘起)시킴과 동시에 무수의 크랙을 발생시킨후, 실시예 2와 동일 방법으로, 평균입경이 0.3mm전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도, 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 현저하게 향상되었다.20 parts of the pulverized product having a particle diameter of 1 mm or less obtained in Example 2 were mixed as 100 parts of the above ester-R235A-1, followed by adding 2 parts of MEKPO, followed by molding in a mold of length × width × height × 300 mm × 300 mm × 200 mm. Get a block. Then, by heating rapidly to impart thermal shock to induce the inside of the block and generate anhydrous cracks, and in the same manner as in Example 2, a plurality of cracked abrasives having an average particle diameter of about 0.3 mm were obtained. Got it. The abrasive material in this example also improved remarkably as in Example 1.
[실시예 4]Example 4
상기 에스터 -R235A-1에 MEKPO를 0.3%첨가하고 실시예 1과 같은 칫수의 형에 주형하고 5℃가까이서 반응시켜 겔화 후, 곧바로 충격외를 부가하여 블록안에 크랙을 발생시킨다. 그런다음 충분히 경화시킨 블록을 실시예 2와 같은 방법으로 평균입경이 0.3mm전후의 다수의 크랙이 생긴 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 향상되었다.After adding MEKPO to 0.3% of ester-R235A-1, casting it to the mold of the same dimension as Example 1, and reacting near 5 degreeC, it gelatinizes and immediately adds an impact shock, and produces a crack in a block. Thereafter, a sufficiently hardened block was obtained in the same manner as in Example 2 to obtain an abrasive having a large number of cracks of around 0.3 mm in average particle diameter. The abrasive material in this example was also improved in flash removal property as in Example 1.
[실시예 5]Example 5
실시예 4와 같이 성형할때 합성수지의 온도를 100-150℃로 하여 경화시켜 블록중의 내와외를 유기시켜서 크랙을 발생시킨후, 실시예 2부 같은 방법으로 평균입경이 0.3mm전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 현저하게 향상하였다.When molding as in Example 4, the temperature of the synthetic resin was set to 100-150 ° C. to harden inside and outside of the block to generate cracks, and in the same manner as in Example 2, the average particle diameter was about 0.3 mm. An abrasive with cracks was obtained. The abrasive removal in this example also improved remarkably as in Example 1.
[실시예 6]Example 6
실시예 1과 같은 수지, 동일 촉매조건에서 동일칫수의 형에 주형하여 경화시킨 블록을 150-200℃로 가열한 후 -10℃이하로 급냉하거나, 또는 -10℃이하의 온도에서 100-200℃의 온도까지 금속가열함에 의하여 상기 블록에 크랙을 발생시킨 후, 실시예 2와 같은 방법으로 평균 입경이 0.3mm 전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 현저하게 향상하였다.The same resin as in Example 1, and the block cured by casting to the same size mold under the same catalyst conditions is heated to 150-200 ℃ and then quenched below -10 ℃, or 100-200 ℃ at a temperature below -10 ℃ After the cracks were generated in the block by heating the metal to a temperature of, the abrasive having a large number of cracks having an average particle diameter of about 0.3 mm was obtained in the same manner as in Example 2. The abrasive removal in this example also improved remarkably as in Example 1.
[실시예 7]Example 7
실시예 1과 같은 수지, 같은 촉매조건으로 같은 칫수의 형에 주형하여 경화시킨 블록을, 실시예 2와 같은 방법으로 조분쇄하고, 조분쇄한 합성수지 입자를 아세톤용액의 약액에 1주간 침지한 후, 약액을 제거하여 미분쇄하고 평균 입경이 0.3mm 전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 제거성이 현저하게 향상하였다.After the same resin as in Example 1, the same mold was cast and cured in the same dimensions of the mold, and coarsely pulverized in the same manner as in Example 2, and the coarsely pulverized synthetic resin particles were immersed in the acetone solution for 1 week. The chemical liquid was removed, finely pulverized, and an abrasive having a large number of cracks having an average particle diameter of about 0.3 mm was obtained. The abrasive removal in this example also improved remarkably as in Example 1.
[실시예 8]Example 8
실시예 1과 같은 수지, 같은 촉매조건에서 같은 칫수의 형에 주형하여 경화시킨 블록을 실시예 2와 같은 방법으로 조분쇄하고 조분쇄한 합성수지 입자를 -20℃까지 냉각하고 실시예 2와 같은 방법으로 미분쇄하고 평균 입경이 0.3mm 전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬 정거성이 현저하게 향상하였다.The same resin as in Example 1, and the block cured by molding in the mold of the same dimension under the same catalyst conditions in the same manner as in Example 2 and the coarse-pulverized synthetic resin particles were cooled to -20 ℃ and the same method as in Example 2 The grinding | pulverization material which grind | pulverized and had many cracks whose average particle diameter was about 0.3 mm was obtained. In this example, the abrasive was also remarkably improved in the same manner as in Example 1.
[실시예 9]Example 9
실시예 2와 같은 방법으로 조분쇄하고 조분쇄한 합성수지 입자를 170℃까지 가열하고 이 온도에서 실시예 2와 같은 방법으로 미분쇄하고 평균입경이 0.3mm 전후의 다수의 크랙이 있는 연마재를 얻었다. 이 실시예에 있어서의 연마재도 실시예 1과 같이 플래쉬제거성이 현저하게 향상하였다.The coarsely pulverized synthetic resin particles in the same manner as in Example 2 were heated to 170 ° C., and then pulverized in the same manner as in Example 2 at this temperature to obtain an abrasive having a large number of cracks with an average particle diameter of about 0.3 mm. In this example, the abrasive was also remarkably improved in the same manner as in Example 1.
[실시예 10]Example 10
먼저 불포화폴리에스텔 수지액에 폴리옥시에틸렌노닐에텔(비 이온 계면활성제)을 0.1중량%첨가 교반하여 균일하게 혼합한 후, 실시예 1과 같이 경화제MEKPO(55%)를 2%첨가하고 300mm×300mm×20mm의 형에 주형하여 경화시켰다.First, 0.1% by weight of polyoxyethylene nonyl ether (non-ionic surfactant) was added to the unsaturated polyester resin solution, and the mixture was uniformly mixed. Then, 2% of the curing agent MEKPO (55%) was added as in Example 1, and 300 mm × 300 mm. It casted and hardened | cured to the mold of * 20mm.
이 경화물은 경도 HRM 100이었다. 이어서 이 경화물을 크랏셔등으로 조분쇄한 후, 충격분쇄기등을 사용하여 조립자를 미분쇄한 후, 분급하여 평균 입경 0.7mm의 합성수지 입상물을 얻었다.This cured product was hardness H R M 100. Subsequently, this hardened | cured material was coarsely pulverized with a crusher etc., and the fine granules were pulverized using an impact grinder etc., and classified, and the granular material of the average resin diameter 0.7mm was obtained.
이어서 실시예 1에서 설명한 것과 같은 압축기를 사용하여 상기 입상물을 눌러부심에 의하여 미세화하여 쪼개져 갈라지기 쉬운 크랙을 다수 갖는 평균 입경 0.3mm전후의 연마재를 얻었다.Subsequently, an abrasive having an average particle diameter of about 0.3 mm having a large number of cracks that were easily cracked and cracked by pressing down the granular material by using a compressor as described in Example 1 was obtained.
다음에 계면활성제를 포함한 본 실시예의 연마재와, 계면 활성제를 포함하지 않은 실시예 1의 연마재를 사용실시예 1의 장치로 분사압력, 분사유량, 분사시간이 같은 조건에서 수지플래쉬가 부착한 10,000개의 시험편에 대하여 플래쉬제거를 하고 10,000개의 시험편 전부에 대하여 완전히 수지플래쉬가 제거될 때까지의 처리시간을 비교하였다. 그 결과, 계면활성제를 포함한 연마재측이 20% 처리시간을 단축할 수 있었다.Next, the abrasive of the present embodiment including the surfactant and the abrasive of Example 1 without the surfactant were used. The apparatus of Example 1 was used to apply 10,000 resin flashes to the resin flash under the same conditions of injection pressure, injection flow rate and injection time. The test pieces were deflashed and the treatment time for all 10,000 specimens until the resin flash was completely removed was compared. As a result, the side of the abrasive containing the surfactant was able to shorten the processing time by 20%.
계면 활성제에 의한 세정작용이 작동하여 플래쉬나 연마조각이 시험편 및 플래쉬 제거에 사용하는 도구에 부착하기 어렵게되어 후공정에서의 세정처리에서 보다 쉽게 플래쉬나, 연마조각을 제거할 수 있음이 확인되었다. 건식 브라스트에 의한 경우에는 대전 방지에 도움이 되는 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that the cleaning action by the surfactant was activated, making it difficult to attach the flash or polishing pieces to the test piece and the tool used for removing the flash, so that the flash or polishing pieces could be easily removed in the cleaning process in the post process. In the case of dry blasting, it was confirmed that it was helpful for antistatic.
본 실시예의 연마재는 수지 입상물의 표면 및 내부에 계면 활성제가 부착, 혼재하고 있어서 연마재를 물과같이 스러리 상태로 장기간 사용하여도 계면 활성제가 물에대하여 서서히 용해하여 소정의 계면 활성제농도로 유지되어 계면활성제의 보급이 불필요하고 그 결과 플래쉬 제거성능을 항사, 안정적으로 유지될 수 있음이 확인되었다. 한편, 크랙이 존재하면 계면활성제는 내부에서의 침출(渗出)이 용이한 것임이 확인되었다.In the abrasive according to the present embodiment, surfactants are attached and mixed on the surface and inside of the resin granular material, and even though the abrasive is used in a slurry state like water for a long time, the surfactant gradually dissolves in water and is maintained at a predetermined surfactant concentration. It was confirmed that the diffusion of the surfactant was unnecessary, and as a result, the flash removal performance could be always kept stable. On the other hand, when cracks existed, it was confirmed that the surfactant is easily leached from the inside.
[실시예 11]Example 11
실시예 3에서 얻은 다수의 크랙이 있는 연마재를 솔비탄 알킬에스텔의 약 1중량% 수용액중에 수회 침지한 후, 건조시켜서 계면 활성제에 의하여 코팅된 연마재를 얻었다.Many cracked abrasives obtained in Example 3 were immersed several times in an aqueous solution of about 1% by weight of sorbitan alkylesters and then dried to obtain an abrasive coated with a surfactant.
이 얻어진 연마재 및 실시예 3에서 얻은 연마재를 사용하여 상기 실시예 10과 같은 실험을 하였다. 그 결과 실시예 10과 대체로 같은 결과를 얻었다.The same experiment as in Example 10 was carried out using the obtained abrasive and the abrasive obtained in Example 3. As a result, the same results as in Example 10 were obtained.
[실시예 12]Example 12
실시예 2에서 얻은 다수의 크랙이 있는 조분쇄입자를 조분쇄기, 선동파쇄기, 원반분쇄기, 콘분쇄기, 햄머밑, 에지런너 원심밀등을 사용하여 미분쇄함에 따라 혹은 필요에 따라서 편평상, 괴상 또는 침상으로 형서하기 쉽게하기 위하여 합성수지 소재의 성형체의 두께를 엷게 하거나, 약간 두껍게 하거나, 사상(絲狀)으로 하거나하여 이것을 미분쇄함에 따라 편평상, 괴상, 침상의 입자를 대체로 균등하게 포함하는 연마재(평균입경 약 1mm)를 얻었다.A plurality of cracked coarse particles obtained in Example 2 were pulverized using a coarse mill, agitator, disc mill, cone mill, bottom hammer, edge runner centrifugal mill or the like or flattened, bulky or In order to make it easy to form into a needle shape, the molded article of synthetic resin material is made thinner, slightly thicker, or roughly, and then pulverized. An average particle diameter of about 1 mm).
한편, 비교를 위하여 제7a도, 제7b도, 제7c도에 나타낸 바와같이 평균입경이 대체로 같은 편평상, 괴상 혹은 침상의 것7a,7b,7c로 되며 크랙(8a)을 갖는 연마재 및 이들의 혼합물로 된 연마재도 준비하였다.On the other hand, for comparison,
이들 4종류의 연마재를 각각 실시예 1과 같이하여 반도체 몰드품의 플래쉬 제거가공에 적용하였다. 그 결과를 제8도에 표시한다. 여기서 플래쉬 제거성은 연속 12시간 습식 브라스트 장치에 의하여 반도체 장치를 플래쉬 제거 가공한후 다시 10,000개의 플래쉬를 제거한 것으로 이들 10,000개의 피가공물중에서 임의로 1,000개 샘플링한 피가공물중 완전히 플래쉬를 탈취한 피가공물의 비율을 플래쉬 제거성으로서 100분율로 표시한 것이다. 이것으로 혼합물, 괴상만, 편평상만, 침상만의 순으로 플래쉬 제거성이 양호했음이 판명되었다.Each of these four kinds of abrasives was applied to flash removal processing of a semiconductor mold product in the same manner as in Example 1. The results are shown in FIG. Flash elimination is the removal of 10,000 flashes after the semiconductor device has been flash-processed by a wet blast device for 12 consecutive hours. The ratio is expressed in 100 fractions as the flash removing ability. It turned out that flash removal property was favorable in this order, only a mixture, a block, only a flat, and only a bed.
[실시예 13]Example 13
실시예 1에 있어서의 불포화폴리에스텔수지 경화물 블록대신에 폴리스틸렌, 폴리아크리레이트, 경질 폴리염화비닐을 사용한 외는 각각 실시예 1과 같이하여 크랙이 있는 미립체를 만들고, 실시예 1과 같이하여 반도체장치 몰드품의 플래쉬 제거가능을 하였다.In the same manner as in Example 1, except that polystyrene, polyacrylate, and hard polyvinyl chloride were used instead of the cured block of unsaturated polyester resin in Example 1, cracked fine particles were made, and in the same manner as in Example 1, the semiconductor was Flash removal of the device mold was made possible.
그 결과 실시예 1의 것과 대체로 같은 플래쉬 탈취성을 나타내었다.The result was the same flash deodorization as in Example 1.
한편, 비교을 위하여 이들 열가소성 수지로 된 평균입경은 0.2-1.6mm의 구상 또는 원주상의 것으로, 실시예 1과 같이 플래쉬 제거가공을 하였다. 그 결과를 제9도에 표시한다. 플래쉬 제거성은 실시예 1의 경우와 같이하여 샘플링하여 퍼센트로 표시하였다.On the other hand, for comparison, the average particle diameter of these thermoplastic resins was 0.2-1.6 mm spherical or circumferential, and the flash removal processing was carried out as in Example 1. The results are shown in FIG. Flash removal was sampled and expressed as a percentage as in Example 1.
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