KR850003072A - 무질서화된 활성재료로 제조된 전극 및 그 제조방법 - Google Patents

무질서화된 활성재료로 제조된 전극 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

무질서화된 활성재료로 제조된 전극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 급속 고체화 과정에서 사용되는 장치의 개략적인 측면도. 제3도는 본 발명 전극에 콜렉터를 용착시키는 장치의 개략도.

Claims (32)

  1. 무질서화된 활성재료(15,115,165,225)를 특징으로 하는 전기화학 전지(10,85,100,150)내에 사용하기 위한 전극(15,115,165,225)
  2. 제1항에 있어서, 무정질, 미세결정질, 다결정질 및 이러한 구조중 하나이상으로 결합된 혼합물 중에서 선택된 구조의 상기 재료(15, 115, 165, 225)를 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225)
  3. 제1항에 있어서, 상기 무질서화된 재료(15, 115, 165, 225)는 빠른 고체화에 의해 형성되어짐을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225)
  4. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)의 인장특성은 이방성임을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  5. 제1항에 있어서, 상기 재료(15,115, 165, 225)는 전해질에 대해 비침투성임을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  6. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)은 5g/cc보다 작지 않고 8g/cc보다 크지 않는 밀도를 가짐을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225)
  7. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)는 전해질과 접촉하여 작용하는 표면과 상기 표면상에 분포된 코팅을 포함하며, 상기 코팅은 미코팅된 표면을 가진 재료에 비하여 상기 표면과 상기 재료의 잔류분과의 사이의 전자교환수도를 증가시키는 수단을 가짐을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  8. 제7항에 있어서, 상기 코팅은 니켈, 티타늄, 팔라듐으로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 한 개의 원소를 가짐을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225)
  9. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)는 지르코늄, 알루미늄, 주석, 인듐, 납, 회귀토금속, 코발트, 코르뮴, 구리, 철, 바나듐, 니오븀, 마그네슘, 몰리브데늄, 팔라듐, 실리콘, 붕소, 탄소 및 하프늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 원소와 티타늄, 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  10. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)는 니오븀, 바나듐, 실리콘, 붕소 및 탄소로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 원와 니켈을 포함하는 것을 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  11. 제10항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)는 지르코늄, 알루미늄, 주석, 인듐, 납, 회토류 금속, 크로뮴, 구리, 철, 코발트, 마그네슘, 몰리브데슘, 팔라듐 및 하프늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225)
  12. 제1항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)는 원자 백분율로 최소한 약 40%, 그러나 약 75%를 넘지 않는 티타늄; 최소한 약 15%, 그러나 약 55%를 넘지않는 니켈; 및 최소한 미량의 그러나 약 15%를 넘지않는 알루미늄을 함유함을 특징으로하는 전극(15, 115, 165, 225)
  13. 제12항에 있어서, 상기 재료(15, 115, 165, 225)은 니오븀, 지르코늄, 바나듐 및 하프늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225),
  14. 제13항에 있어서, 상기 선택된 원소는 원자백분율로 약 11%를 초과하지 않는 양을 존재함을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  15. 제12항에 있어서, 상기의 재료(15, 115, 165, 225)는 원자백분율로 최소한 약 5%의, 그러나 약 55%를 초과하지 않는 티타늄; 최소한 약 30%의, 그러나 60%를 초과하지 않는 니켈; 최소한 약 10%, 그러나 약 20% 초과하지 않는 니오븀; 및 최소한 약 30%, 그러나 약 10%를 초과하지 않는 지르코늄을 함유함을 특징으로 하는 전극(15, 115, 165, 225).
  16. 제15항에 있어서, 상기 재료는 원자백분율로 약 5%의 바나듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
  17. 에너지를 저장하는 적어도 하나의 전극(15, 115, 165, 225), 상기 전극과 접촉작용하게 떨어져 있고, 상기 전지에 위치하며 상기 전극에 저장된 에너지를 방출하도록 제공된 적어도 하나의 대응-전극(30, 115, 165, 225). 상기 전극과 대응-전극들을 그안에 지니는 케이징(60), 무질서화된 활성재료를 지니는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 화학전지(10, 85, 100, 150, 200).
  18. 제17항에 있어서, 다수의 상기 전지(85)들이 축전지(75)를 이루는 것을 특징으로 하는 전지(10, 85, 100, 150, 200).
  19. 제17항에 있어서, 상기 전극 (15, 115)은 상기 재료의 납족한 박판(15, 115)으로 이루어져 있으며, 다수의 전기 전도체 탭(20, 110)들은 적어도 하나의 박판과 부분적으로 접촉하며 다수의 박판들 사이에 끼워져 있으며, 버스탭(25)은 다수의 상기 탭들과 전기적으로 접촉하며, 상기 대응-전극(30, 125)들은 박판(40)으로 이루어져 있고, 납작한 격리핀(35)는 상기 전극과 대응-전극 사이에 물리적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전지(10. 85, 100)
  20. 제17항에 있어서, 상기 대응-전극(155)은 납작한 장방형 몸체(155)로 이루어져 있고, 격리판(160)은 상기 몸체(155)를 덮고 있으며, 상기 전극(165)은 상기 몸체를 거의 덮기 위하여 상기 몸체에 감겨진 상기 재료의 리본(165)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지(150).
  21. 제20항에 있어서, 상기 납작한 장방형 몸체(155)는 상기 몸체의 축에 비스듬하게 감겨져진 상기 리본(165)을 수잡하도록된 톱니형 모서리(180)를 지니는 것을 특징으로 하는 전지(150).
  22. 제17항에 있어서, 상기 대응-전극(205)은 봉모양 몸체(205)와 상기 몸체를 덮는 격리판(210)을 포함하며, 상기 전극(215)는 상기 재료로된 다수의 와셔형 몸체(215)를 포함하며, 상기 몸체(205)의 각각은 중심 구멍(220)을 지니며, 상기 봉 모양 몸체는 상기 와셔형 몸체의 각기 구멍을 통해배치된 것을 특징으로 하는 전지(150).
  23. 제17항에 있어서, 상기 전극(15, 115)과 대응-전극(30. 125)들은 축(105)에 대해 젤리를 형상으로 나선형으로 감겨진 것을 특징으로 하는 전지(100).
  24. 무질서화된 활성재료를 생산하며, 전극을 전지 케이징의 설정된 위치에 배치시키는 단계들을 특징으로 하는 자력으로 지지되는 전극을 사용하는 전기화학 전지를 만드는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 생산 단계는 상기 무질서화된 재료를 급히 고체화시키는 것을 포함하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 방법은 전해질과 접촉작용하는 상기 재료의 표면에 니켈, 티타늄, 팔라듐 등의 그룹으로부터 선정된 적어도 한 원소를 용착시키는 단계를 포함하며, 상기 용착단계는 상기 생산하는 단계 다음인 것을 특징으로하는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 재료를 대응-전극과 접촉 작용하게 감는 단계를 포함하며, 상기 감는 단계는 상기 생산하는 단계 다음인 것을 특징으로 하는 단계.
  28. 제24항에 있어서, 상기 재료로부터 설정된 형상을 절단하는 단계를 포함하며, 상기 절단하는 단계는 상기 생산하는 단계 다음인 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 무질서화된 재료를 급히 고체화하는 단계를 특징으로 하는 전극 만드는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 방법은 전해질과 접촉작용하는 상기 재료의 표면에 니켈, 티타늄, 팔라듐의 그룹으로부터 선정된 적어도 한 원소를 용착시키는 단계를 포함하며, 상기 용착단계는 고체화시키는 단계 다음인 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 방법은 대응-전극과 접촉작용하는 상기 재료를 감는 단계를 포함하며, 상기 감는 단계를 상기 고체화시키는 단계 다음인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 방법은 상기 재료로부터 설정된 형상을 절단하는 단계를 포함하며, 상기 절단하는 단계는 상기 고체화시키는 단계 다음인 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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