KR840008730A - 단극 다행정 전자스위치 - Google Patents

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KR840008730A
KR840008730A KR1019840001815A KR840001815A KR840008730A KR 840008730 A KR840008730 A KR 840008730A KR 1019840001815 A KR1019840001815 A KR 1019840001815A KR 840001815 A KR840001815 A KR 840001815A KR 840008730 A KR840008730 A KR 840008730A
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South Korea
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diode
coupled
junction
potential
ports
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KR1019840001815A
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죠지 태머(외 1) 그레고리
Original Assignee
글렌 에이취. 브르스틀
알. 씨. 에이 코포레이션
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/74Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
    • H03K17/76Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

단극 다행정 전자스위치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 디코더, VCR(비데오 카세트 레코더) 및 텔레비젼 수상기에 연결된 원격제어가능한 텔레비전 신호 스위치 모듈의 전체적 배열에 대한 도해도.
제2도는 제1도의 스위치 모듈의 신호처리 부분에 대한 개략도.
제5도는 본 발명의 단극(sing-pole) 쌍투(drouble-throw)스위치 실시예에 대한 개략도.

Claims (8)

  1. 공통 포트를 제2포트(226),(228)의 제1다수 포트 가운데 한 포트에 결합시키기 위한 단극 다행정 전자 스위치(210)로서, 상기 제1다수 포트와 동일한 수효의 다수의 신호스위치 부분 A,B으로서 상기 다수의 신호 스위치 부분 A,B은 제1접합부(545),(550)에 함께 결합되어 여기를 통과하는 신호의 흐름에 대해 직렬로 연결된 유사 다이오드 단자를 갖춘 제1 및 제2다이오드를 각각 구비하고 상기 각각의 다이오드 쌍은 상기 다수의 제2포트 가운데 한 포트에 ac 결합된 제1접합부로부터 떨어져 있는 상기 제2다이오드(512),(520)의 단자(544)를 구비하는 다수의 신호 스위치 부분 A,B과, 상기 제1다수 포트와 동일한 수효의 다수의 제3다이오드(549,(552)로서 상기 각각의 제3다이오드는 상기 제1접합부 가운데 한 접합부에 연결된 한 단자를 구비하는데 상기 제1접합부에 결합된 상기 제3다이오드의 단자가 상기 제1접합부에 결합된 상기 제1 및 제2 다이오드의 단자와는 다른 다수의 제3다이오드(549),(552)와, 기준 전위와 관련된 제1전위점+5V과, 상기 제1다수 포트와 동일한 수효의 다수의 제1저항수단(555),(556)으로서 상기 제3다이오드 가운데 한 다이오드의 한 단자와 상기 제1전위접에 각각 연결된 다수의 제1저항수단(553),(558)과, 상기 제1다수 포트와 동일한 수효의 다수의 저임피던스 수단(553),(558)으로서 상기 제1접합부로부터 간격져 있는 상기 제3다이오드 가운데 한 다이오드의 단자에 결합되고 동(同) 제3다이오드가 전도될 때 상기 제1접합부에 나타나는 모든 신호를 상기 기준 전위점으로 바이패스 시키기 위해 기준 전위점에 결합된 다수의 저임피던스 수단(553),(558)과, 상기 제1다수 포트와 동일한 수효의 다수의 바이어싱 수단(546),(547),(560),(554)으로서 상기 제접합부로부터 떨어져 있는 상기 제2다이오드의 상기 단자중 한 단자에 결합된 단자를 구비하여 제2접합부를 형성하고 전위점에도 결합된 단자를 구비하는 다수의 바이어싱 수단(546),(547),(560),(554)과, 상기 제1다수와 동일한 수효의 제2저항수단(540),(562)으로서 최소한 상기 바이어싱 수단을 통과하는 바이어스 전류의 흐름을 위한 선로를 제공하기 위해 상기 제2접합부중 하나와 기준 전위점 GND에 결합된 제2저항 수단(540),(562)과, 상기 제1전위보다 큰 제2전위원+12V과, 상기 제1전위(+5V)보다 큰 전위를 상기 제1다수의 제1접합부 가운데 하나에 결합시키기 위해 상기 제2전위원+12V, 상기 기준 전위점 GND 및 상기 제1 접합부(545),(550)에 결합되고 동 제2포트와 상기 제1접합부 사이에 흐르도록 하기 위해 동 제3다이오드를 역방향 바이어스 시키고 동 제2다이오드를 순방향 바이어스 시키도록 극을 갖는 제1제어식 dc(직결합) 스위치 수단(528),(530)과, 상기 제1접합부로부터 떨어져 있는 상기 제1다이오드의 각 단자에 직결합되고 상기 제1스위칭 수단이 상기 제1전위보다 큰 상기 전위를 결합하는 제1접합부 하나에 결합된 상기 1다제오드를 통해 전류의 흐름 선로를 제공하기 위해 기준 전위점 GND에 결합되어 바이어스 전압이 나타나게 되는 제3저항 수단(536)과, 상기 바이어스 전압이 상기 공통 포트에 나타나는 것을 방지하기 위하여 상기 공통 포트(24)와 상기 제3저항수단(536)에 결합된 공통 dc 블로킹 수단(516)과, 상기 제2다이오드를 역방향 바이어스 시키기 위해 상기 제1다수의 제1접합부 가운데 하나가 아니라 상기 각각의 제1접합부에 기준 전위를 인가시키도록 상기 제1제어식 스위치 수단에 의해 전위가 인가되는 상기 제1다수의 제1접합부중 하나가 아닌 상기 각각의 제1접합부에 결합되어 이에 의해 상기 바이어스 전압이 상기 다수의 제2포트로부터 상기 공통 포트를 절연시키도록 상기 다른 제1접합부에 결합된 제1다이오드를 역방향 바이어스 시키게 되는 제2 제어식 dc 스위칭 수단(549),(552)과, 상기 제1제어식 dc 스위칭 수단이 상기 선택된 신호 스위치 부분의 상기 제1접합부에 상기 제1전위 이상의 전위를 인가시킬때 상기 선택된 스위치 부분 가운데 하나에 신호가 흐르도록 허용하고 상기 신호 스위치 가운데 나머지 스위치의 제1접합부가 상기 제2제어식 dc 스위칭 수단에 의해 기준 전위에 결합될 때 상기 다수의 스위치 부분 가운데 나머지를 블로킹시키기 위해 상기 제1 및 제2제어식 dc 스위칭 수단을 동시에 작동시키도록 상기 제1 및 제2제어식 dc 스위칭 수단에 결합된 제어수단(584)을 구비하는 것을 특징르로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어식 스위칭 수단은 인덕턴스 수단(524),(526)을 구비하는 것을 특징으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이어싱 수단은 저항 수단(547),(560)을 구비하는 것을 특징으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  4. 제1항에 있어서, 다수의 제4다이오드(546),(554)는 상기 제1다수의 제2포트 수효와 동일하고 상기 각각의 제4다이오드는 상기 제1접합부로부터 떨어져 있는 제2다이오드의 상기 단자가운데 하나에 연결된 단자를 구비하여 제2접합부(554)를 형성하며 상기 제2다이오드 및 제4다이오드의 상기 결합단자는 서로 유사하며, 다수의 제4저항수단(547),(560)는 상기 제1다수의 제2포트 수효와 동일하고 상기 각각의 제4저항수단은 전위점+5V과 상기 제2접합부로부터 떨어져 있는 상기 제4다이오드의 단자에 결합되며 상기 각각의 제4저항수단은 동 제1 및 제2다이오드가 비전도 상태이고 동 제4다이오드가 전도상태일때 매칭 임피던스를 동제2포트에 나타내기 위해 시스템의 디자인 특승 임피던스와 동일한 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2dc스위치 수단은 신호가 전위원에 이르는 것을 방지하는 절연수단(524),(526)을 구비하는 것을 특징으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연 수단은 초크(524),(526)을 구비하는 것을 특징으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제4저항 수단이 결합되는 상기 전위점은 상기 제1전위점+5V이며 상기 제1전위점은 신호 주파수에서 상기 기준 전위 GND인 것을 특지으로 하는 단극 다행정 전자 스위치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제1접합부로부터 떨어져 있는 상기 제1다이오드의 접합부는 상기 공통 포트에 결합된 스터브 전송 라인의 길이를 감소시키도록 근접하게 간격진 것을 특징으로하는 단극 다행정 전자 스위치.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840001815A 1983-04-06 1984-04-06 단극 다행정 전자스위치 KR840008730A (ko)

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GB8309270 1983-04-06
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