KR830002915A - 금속석판지의 크롬전해석출 - Google Patents

금속석판지의 크롬전해석출

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Abstract

내용 없음

Description

금속석판지의 크롬전해석출
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 설비공정의 개요도.
제2a내지 2c도는 1100알루미늄합금지를 주사전자 촬영현미경으로 1000,5000,10000배로 확대한 사진견본.

Claims (33)

  1. 본문에 설명하고 도면에 예시한 바와 같이,
  2. 전해석출된 크롬층에 있어서, 일반적으로 평면형 외부표면들과 비교적 날카로운 돌출부의 효과적인 결여로 특징된 소열편의 곡선외형을 갖는 구상입자들의 합체적으로 집적된 집합체들로 구성되는 금속 기질의 표면과 접착계면 접착되도록 위치된 전해석출된 크롬층.
  3. 청구범위 제1항에서 밝힌 전해석출된 크롬층에 있어서 상기 금속기질이 알루미늄과 강기본합금을 구성하는 그룹으로부터 택해지며 상기 전해석출된 크롬층이 직접 접착하는 계면접촉부에 위치되는 전해석출된 크롬층.
  4. 청구범위 제1항에서 밝힌 전해석출된 크롬층에 있어서, 비등방성이며 불연속적으로 노출된 표면과 모세관 칫수의 미로형 하부표면구조에 의해 더욱 특징된 전해 석출된 크롬층.
  5. 청구범위 제3항에 밝힌 전해석출된 크롬층에 있어서, 상기 금속 기질이 알루미늄과 상기 본 합금을 구성하는 그룹으로부터 택해지며 상기 전해석출된 크롬층이 직접 접착하는 계면접촉부에 위치되는 전해석출된 크롬층.
  6. 청구범위 제1항에서 밝힌 바와 같은 금속기질에 전해석출된 크롬층에 있어서, 소열편의 외형을 갖는 상기의 집적된 구상입자들이 현저하게 적은 칫수들을 갖는 구상 입자들의 집적된 집합체로부터 형성되는 전해석출된 크롬층.
  7. 청구범위 제1항에서 밝힌 바와 같은 금속기질에 전해석출된 크롬층에 있어서, 상기 전해석출된 크롬층에 덮혀 있는 관계로 계면적으로 접촉되도록 위치된 감광물질층을 포함하는 전해석출된 크롬층.
  8. 청구범위 제4항에서 밝힌 바와 같은 금속기질에 전해석출된 크롬층에 있어서 상기 전해석출된 크롬층에 덮혀있는 관계로 계면적으로 접촉되도록 위치된 감광물질층을 포함하는 전해석출된 크롬층.
  9. 석판에 있어서, 알루미늄과 강기본합금을 구성하는 그룹으로부터 택해진 금속기질과; 상기 알루미늄 기질의 표면과 접착계면접촉되도록 위치되며, 일반적으로 평면형 외부표면들과 비교적 날카로운 돌출부의 효과적인 결여로 특징된 소열편의 곡선외형을 갖는 구상입자들의 합체적으로 집적된 집합체들로 구성되는 전해석출된 크롬층과; 현저하게 작은 칫수를 갖는 구상입자들의 집적된 집합체를 형성되는 소열편의 외형을 갖는 상기 집적된 입자들과; 모세관칫수를 갖는 미로형 하부표면과 비등방성이며 불연속적인 노출표면에 의해 더욱 특징된 상기 크롬층과; 상기 전해 석출된 크롬층에 덮혀 있는 관계로 계면적으로 접촉되도록 위치된 감광물질층; 들을 포함하며, 그럼으로써 상기 전해석출된 크롬층의 기본금속 기질과의 접착적인 계면접촉이 상기 감광피복재의 노출 및 전개에 후속인 표면판으로서 상기 석판의 사용을 허락한다는 점에서 특징된 석판.
  10. 금속기질의 표면에 대한 크롬의 전해석출에 있어서, 75내지 180범위의 Cr+6/SO4 -2정량을 얻기 위해 물과 크롬산화물과 유황산으로 선택적으로 구성된 도금조에서의 상기 금속기질의 침지단계와, 상기도금조에서 300내지 1000A/f1t2의 도금전류를 적어도 30초 이상 침지된 금속기질에 쐬는 쏘임단계들을 포함하는 전해석출.
  11. 청구범위 제9항에서 밝힌 방법에 있어서, 도금전류의 흐름중에 약 90 내지 100℉사이의 도금조의 온도의 유지를 포함하는 전해석출방법.
  12. 금속기질의 표면에 대한 크롬의 전해석출에 있어서, 중플루오르화물을 포함하며 조절된 온도를 갖는 그레이너 배드에서 상기 금속기질을 적어도 10초이상 침지시키는 단계와, 75내지 180범위의 Cr+6/SO4 -2정량을 얻기 위해 물과 크롬산화물과 유황산으로 선택적으로 구성된 도금조에서 상기 중플루오르화물의 입자를 금속기질에 침지시키는 단계와, 상기 도금조에서 300내지 1000A/f1t2의 도금절류를 적어도 30초이상 침지된 금속기질에 쐬는 단계들을 포함하는 전해석출방법.
  13. 내용 없음
  14. 청구범위 제11항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 그레이너배드가 물에 대한 알루미늄중 플루오르화물의 용액인 전해석출방법.
  15. 청구범위 제11항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 도금조의 온도가 약 90 내지 100℉사이로 유지되는 전해석출방법.
  16. 청구범위 제11항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 금속기질이 알루미늄 기본합금이며 상기 크롬이 직접 그곳에 도금되는 전해석출방법.
  17. 알루미늄 하부층의 표면에 대한 크롬의 직접 전해석출에 있어서, 상기 알루미늄기질을 도금전류에 쐬기에 앞서 약 10초 이상 중플루오르화물 그레이너배드에서 침지시키는 단계를 포함하는 전해석출방법.
  18. 상기 중플루오르화물 그레이너배드가 암모늄 중플루오르화물과 나트륨중 플루오르화물로 구성되는 그룹으로부터 택해진 중플루오르화물의 불용액인 전해 석출방법.
  19. 청구범위 제16항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 그레이너배드가 물 1개론(gallon)당 약 4내지 16온스(ounce)의 암모늄 중플루오르화물의 용액인 전해석출방법.
  20. 청구범위 제18항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 그레이너배드의 온도가 약 110내지 150℉ 사이로 유지되는 전해석출방법.
  21. 알루미늄기질의 표면에 대한 크롬의 직접 전해 석출에 있어서, 일개론의 물당 4내지 16온스의 암모늄 중플루오르화물을 포함하는 그레이너용액에서 적어도 10초이상 상기 알루미늄기질을 침지시키는 단계와; 상기 그레이너 용액에서 상기 알루미늄을 제거시키자마자 린싱시키는 단계와; 75 내지 180범위의 Cr+6/SO4 -2정량을 얻기 위해 물과 크롬산화물과 유황산으로 선택적으로 구성된 도금조에서 상기 알루미늄기질을 침지시키는 단계와; 상기 도금조에서 300내지 1000A/f1t2의 도금전류를 적어도 30초 이상 침지된 금속기질에 쐬는 단계들을 포함하는 전해석출방법.
  22. 청구범위 제20항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 그레이너용액이 약 110내지 150℉사이의 온도로 유지되는 전해석출방법.
  23. 청구범위 제20항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기그레이너용액이 1개론의 물당 약 8온스의 암모늄 중플루오르화물을 포함하며 상기알루미늄 기질이 약 120℉의 조온도에서 약 60초 동안 침지되는 전해석출방법.
  24. 청구범위 제20항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 린싱단계가 탈이온화된 물로 초래되는 전해석출방법.
  25. 청구범위 제20항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 도금조가 1개론의 탈이온화된 물당 약 0.27온스의 유황산과 약 34온스의 크롬산으로 선택적으로 구성되는 전해석출방법.
  26. 청구범위 제20항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 도금조가 약 90 내지 100℉ 사이의온도로 유지되는 전해석출방법.
  27. 크롬이 표면에 직접적으로 전해석출되는 알루미늄 석판의 제작에 있어서, 상기 알루미늄기질을 1개론의 물당 약 8온스의 암모늄 중플루오르화물을 포함하며 110 내지 150℉의 온도를 갖는 그레이너용액에서 약 60초동안 침지시키는 단계와; 1개론의 탈이온화된 물당 약 34온스의 크롬산과 약 0.27온스의 유황산으로 선택적으로 구성된 도금조에서 상기 중플루오르화물의 알루미늄 기질을 첨가시키는 단계와; 약 90 내지 100℉사이의 온도로 유지되는 상기 도금조에서 300내지 1000A/f1t2의 도금전류를 적어도 30초 이상상기 침지된 금속기질에 쐬는 단계들을 포함하는 알루미늄석판의 제작.
  28. 청구범위 제26항에서 밝힌 방법에 있어서 상기 전해석출된 크롬표면을 감광물질로 피복시키는 단계를 포함하는 알루미늄석판의 제작.
  29. 강기질의 표면에 대한 크롬의 직접 전해석출에 있어서, 상기 강기질을 도금전류에 쐬기에 앞서 적정도 10초 이상 중플루오르화물 그레이너드에 침지시키는 단계를 포함하는 전해석출방법.
  30. 청구범위 제16항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 중플루오르화물 그레이너배드가 암모늄 중플루오르화물과 나트륨 중플루오르화물을 구성하는 그룹으로부터 택해진 중플루오루화물의 수용액인 전해석출방법.
  31. 청구범위 제16항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 그레이너배드가 1개론의 몰당 약 4내지 16온스의 암모늄 증풀루오르화물의 용액인 전해석출방법.
  32. 청구범위 제26항에서 밝힌 방법에 있어서, 상기 전해석출된 크롬표면에 감광물질을 피복시키는 단계를 포함하는 전해석출방법.
  33. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019800002092A 1979-04-27 1980-05-27 알루미늄 기질 기판상에 크롬의 전착방법 KR880001585B1 (ko)

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