KR830002227A - 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 - Google Patents
영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 Download PDFInfo
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
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- G01L27/00—Testing or calibrating of apparatus for measuring fluid pressure
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 한 동일 발명자에 의하여 제안된 Strain Gauge Pressure Transducer Apparatus를 설명하기 위한 도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 압력검출장치의 일실시예를 나타낸는 도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 압력검출장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
Claims (6)
- 반도체 압력검출장치는 다음과 같은 것을 포함한다. 양단이 접속된 2개의 다리를 갖는 왜량-전기신호변환브리지, 그 두 개의 다리의 중점과 다리의 일단과의 사이에 적어도 1개의 반도체 왜 게이지가 포함된다. 이 브리지의 2개의 다리를 흐르는 전류의 합을 소정의 값으로 유지하는 수단, 반전 입력단이 서로 저항을 통하여 접속되고, 이 브리지의 2개의 다리의 중점과 비반전 입력단이 집속된 2개의 부권환 증폭기, 이 2개의 증폭기의 출력을 차동 증폭하는 차동증폭기, 반도체 왜 게이지가 소정의 온도 및 압력에서 평형상태에 있을때, 그 두 개의 다리의 중점의 전위와 같은 전위를 발생하는 수단:그리고 이 두 개의 부귀환증폭기의 한쪽의 반전 입력단에 중점 전위발생수단의 중점의 전위와 동등한 전위를 저항을 거쳐 인가하는 수단.
- 반도체 압력검출장치는 다음의 것을 포함한다. 양단이 접속된 2개의 다리를 갖는 왜량-전기신호변환 브리지, 그 2개의 다리의 중점과 다리의 일단과의 사이에 적어도 1개의 반도체 왜 게이지가 포함되고, 이 브리지의 2개의 다리를 흐르는 전류의 합을 소정치로 유지하는 수단, 그 반전 입력이 서로 저항을 거쳐 접속되고, 브리지의 2개의 다리의 중점과 비반전 입력단이 접속되어 있는 2개의 부귀환 증폭기:이 두 개의 증폭기의 출력을 차동증폭하는 차동증폭기:반도체 왜 게이지가 소정의 온도 및 압력에서 평형상태 에 있을 때, 두 개의 다리의 중점의전위와 동등한 전위를 발생하는 수단:그리고 이 두 개의 부귀환 증폭기의 반전 입력단에 각각 저항을 거쳐, 중점전위발생수단의 중점의 전위와 동등한 전위를 인가하는 수단.
- 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서, 중점전위 발생수단은 전원전압에 직열로 접속된 2개의 저항으로 형성된다.
- 청구범위 제1항에서 청구된 반도체 압력변환장치에서 중점전위인가수단은 절환스위치로 형성된다.
- 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서 왜량-전기신호변환브리지는 4개의 반도체 왜 게이지를 갖는다.
- 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서, 2개의 부귀한 증폭기는 연산증폭기로 형성된다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019800000658A KR830001352B1 (ko) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019800000658A KR830001352B1 (ko) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 |
Publications (2)
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KR830002227A true KR830002227A (ko) | 1983-05-23 |
KR830001352B1 KR830001352B1 (ko) | 1983-07-14 |
Family
ID=19215585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019800000658A KR830001352B1 (ko) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR830001352B1 (ko) |
-
1980
- 1980-02-19 KR KR1019800000658A patent/KR830001352B1/ko active
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR830001352B1 (ko) | 1983-07-14 |
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