KR830002227A - 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 - Google Patents

영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 Download PDF

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KR830002227A
KR830002227A KR1019800000658A KR800000658A KR830002227A KR 830002227 A KR830002227 A KR 830002227A KR 1019800000658 A KR1019800000658 A KR 1019800000658A KR 800000658 A KR800000658 A KR 800000658A KR 830002227 A KR830002227 A KR 830002227A
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히데오 사또
간지 기와가미
모도히사 니시하라
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요시야마 히로기찌
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
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    • G01L27/00Testing or calibrating of apparatus for measuring fluid pressure

Abstract

내용 없음

Description

영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 한 동일 발명자에 의하여 제안된 Strain Gauge Pressure Transducer Apparatus를 설명하기 위한 도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 압력검출장치의 일실시예를 나타낸는 도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 압력검출장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.

Claims (6)

  1. 반도체 압력검출장치는 다음과 같은 것을 포함한다. 양단이 접속된 2개의 다리를 갖는 왜량-전기신호변환브리지, 그 두 개의 다리의 중점과 다리의 일단과의 사이에 적어도 1개의 반도체 왜 게이지가 포함된다. 이 브리지의 2개의 다리를 흐르는 전류의 합을 소정의 값으로 유지하는 수단, 반전 입력단이 서로 저항을 통하여 접속되고, 이 브리지의 2개의 다리의 중점과 비반전 입력단이 집속된 2개의 부권환 증폭기, 이 2개의 증폭기의 출력을 차동 증폭하는 차동증폭기, 반도체 왜 게이지가 소정의 온도 및 압력에서 평형상태에 있을때, 그 두 개의 다리의 중점의 전위와 같은 전위를 발생하는 수단:그리고 이 두 개의 부귀환증폭기의 한쪽의 반전 입력단에 중점 전위발생수단의 중점의 전위와 동등한 전위를 저항을 거쳐 인가하는 수단.
  2. 반도체 압력검출장치는 다음의 것을 포함한다. 양단이 접속된 2개의 다리를 갖는 왜량-전기신호변환 브리지, 그 2개의 다리의 중점과 다리의 일단과의 사이에 적어도 1개의 반도체 왜 게이지가 포함되고, 이 브리지의 2개의 다리를 흐르는 전류의 합을 소정치로 유지하는 수단, 그 반전 입력이 서로 저항을 거쳐 접속되고, 브리지의 2개의 다리의 중점과 비반전 입력단이 접속되어 있는 2개의 부귀환 증폭기:이 두 개의 증폭기의 출력을 차동증폭하는 차동증폭기:반도체 왜 게이지가 소정의 온도 및 압력에서 평형상태 에 있을 때, 두 개의 다리의 중점의전위와 동등한 전위를 발생하는 수단:그리고 이 두 개의 부귀환 증폭기의 반전 입력단에 각각 저항을 거쳐, 중점전위발생수단의 중점의 전위와 동등한 전위를 인가하는 수단.
  3. 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서, 중점전위 발생수단은 전원전압에 직열로 접속된 2개의 저항으로 형성된다.
  4. 청구범위 제1항에서 청구된 반도체 압력변환장치에서 중점전위인가수단은 절환스위치로 형성된다.
  5. 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서 왜량-전기신호변환브리지는 4개의 반도체 왜 게이지를 갖는다.
  6. 청구범위 제1항 또는 제2항에서 청구된 반도체 압력검출장치에서, 2개의 부귀한 증폭기는 연산증폭기로 형성된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019800000658A 1980-02-19 1980-02-19 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 KR830001352B1 (ko)

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