KR820001040B1 - 비 전해 금속도금에 의한 인쇄회로의 제조방법 - Google Patents

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Description

비 전해 금속도금에 의한 인쇄회로의 제조방법

본 발명은 비전해 금속 도금에 의해 절연기판상에 인쇄회로를 제조하는 방법에 관한 것이다.

절연 기판의 표면상에 절연금속용 기착제로 작용하는 파라듐, 금, 백금등과 같은 귀금속을 도포하고 그 기판을 비전해 금속도금 용액중에 침지(dip)함으로써 프라스틱등과 같은 절연층에 절연 금속도금을 하는것은 잘 알려져 있다.

전술한 공지기술의 방법에 따라 비전해 금속상에 관통공을 포함하는 기대되는 회로 형성영역(이하 "포지티브 패턴"(positive pattern)이라고 함)상에만 회로를 형성하는 데는 두가지 방법이 통용된다.

한가지는 포지티브 패턴상에만 기착제를 선택적으로 용착하는 것이며, 다른 한가지는 기판의 전표면상에 기착제를 용착하여 기대되는 패턴 이외의 영역(이하 네가티브 패턴이라고 함)리지스터 (resist)로 차폐하는 것이다.

이 두가지 방법들중 전자는 비전해 금속 도금을 위한 사전 처리에서 비전해 금속도금까지의 연속작업을 보증하나 포지티브 패턴상에 기착제를 선택적으로 용착하는 것이 어렵다.

후자에서는 리지스트가 기착제의 용착후에 네가티브 패턴상에 형성되어야만하고 층이 도중에 부가 작업으로서 한번 건조되어야만 하며 네가티브 패턴상의 리지스트상에 용착된 기대되지 않은 비전해 금속이 완전히 제거될 수 없다.

미국특허 3,443,988은 기대하지 않은 비전해 금속 용착은 비전해 금속 도금용매에 노출시키는 동안 전하의 이탈 또는 활성 수소 또는 수소 화물에 의해 촉매가 되는 작은 얼룩 또는 흠과 같은 표면의 불안전함에 기안하는 것이라는 가정을 개진하고 표면의 불완전부내에서 리지스트에의 촉매작용을 중화시킬수 있는 중화제를 가할것을 제의하고 있다(2단, 14-26행).

그런데, 본 발명자의 실험에 의하면 포지티브 패턴 상에만 비전해 금속을 도금시키기 위한 기착제의 용착은 불가능하였다.

기착제를 선택적으로 용착시키고 비전해 금속도금에 의해 인쇄회로를 제조하기 위해서 예를 들면 다음방법들이 통용된다.

1) 산화제를 포함하는 차폐물질로 네가티브 패턴상에 리지스트막을 형성하고, 산화제의 산화작용에 의해 네가티브 패턴상에 기착제로서 Pd를 용착시키는 것을 포함하는 방법.

2) 왁스, 파라핀, 규소 수지등을 포함하는 소수성 차폐물질로 네가티브 패턴상에 리지스트를 형성하고, 포지티브 패턴상에 비전해 금속도금을 위한 기착제를 용착시키는 것을 포함하는 방법. 이 방법에 의하면 몇가지 효과를 얻을 수는 있다. 그런데, 인쇄회로를 위한 도체회로 막의 두께는 대체로 30-35㎛정도인것이 필요하며, 도체회로용 비전해 금속막의 특성으로서, 예를 들면 미국 인쇄회로학회(부가회로 배선출원, 제의를 위한 비전해 동막 명세서, 1972년 가을회합)에서 제의된 바와 같이 적어도 3%신장율 및 적어도 21kg/mm²의 인장강도일것이 요구된다. 대체로 이러한 특성을 만족시키는 비전해 금속막은 pH12-13(20℃)라는 고 알카리성 및 60-80℃의 높은 온도에서의 엄격한 도금 조건하에서만 얻어질 수 있다. 이러한 비전해 금속도금의 용착율은 보통 약 0.5-약 5㎛/h이며, 이리하여 30-35㎛℃의 두께를 갖는 막을 얻는데는 필연적으로 많은 시간이 소요된다. 전술한 방법 1) 및 2)에서 많지는 않지만, 기대하지 않는 금속용착은 도금 개시 2-3시간후에 리지스트 표면상에 발생한다. 그러나 금속용착은 회로들내에서 단락회로의 원인이 될 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 산화제 또는 소수작용은 리지스트상에의 Pd등과같은 기착제의 용착을 완전히 방지할 수는 없음을 의미한다.

이러한 결점을 개선하기 위하여 다음 방법이 제의되었다.

예를 들면,

3) 전술한 산화제 1)을 포함하는 차폐물질로 네가티브 패턴상에 리지스트를 형성하고, 기착제를 용착하고, 리지스트상에만 기착제를 제거하고, 포지티브 패턴상에만 비전해 금속도금을 실시하는 것을 포함하는 방법, 독일특허공보(DAS)No. 2,506,150

4) 네가티브 패턴상에 소수성 2)를 갖는 리지스트를 형성하고, 기착제를 용착하고, 납 착화합물을 형성할 수 있는 화합물로서 리지스트상에 용착된 납을 제거하는 것 등을 포함하는 방법, 또는 네가티브 패턴상에 소수성 2)을 갖는 리지스트를 가하고, Sn⁺⁺을 용착시키고, 산으로서 리지스트상에 있는 Sn⁺⁺만 제거하고, 가속단계에서 포지티브상의 납을 용착하고, 비전해 금속도금을 실시하는것 등을 포함하는 방법.

전술한 방법 3) 및 4)에서, 포지티브 패턴상에만 비전해 금속을 용착시키는 것은 가능하다.

그러나 전술한 방법 1) 및 2)에는 없는 다른 문제들이 나타난다. 즉, 리지스트내의 산화제는 산 또는 알카리 용액에 약하다. 이리하여 비전해 금속도금용 사전처리용액 내에서의 용해 또는 비전해 금속도금용액 자체가 용액의 저하 및 분해를 촉진하게 된다 . 예를 들면, Pb CrO₄또는 PbO는 Sn⁺⁺을 Sn⁺⁺⁺⁺로 산화시키는 효과가 있어서 기착제로서 납의 용착을 억제한다. 이러한 산화제는 고 알카리성 금속 도금용액 중에서 용해되어 비전해 금속의 용착 또는 용착된 금속망의 메짐(embrittling)을 억제한다.

한편, 왁스 또는 파라핀을 포함하는 소수성 리지스트는 비전해 금속도금온도(60-80℃)에 견딜 수 없으므로 연화(軟化)에 의한 패턴의 변형 또는 용해와 같은 문제가 제기된다.

미국특허 제 3,562,038호는 산화제 또는 중화제를 포함하는 리지스트를 사용하지 않고 다만 산으로만 세척하는 것을 포함하는 방법을 제의하고 있다. 그러나 비전해 금속도금이 오랜 시간동안 수행될때 비전해 금속은 리지스트 상에도 용착되어 기착제가 완전히 제거될 수 없는 것 같다.

본 발명의 한 목적은 절연 기판상의 네가티브 패턴상에 형성된 도금 레지스트상에 기대하지 않은 어떠한 비전해 금속이 용착되지 않고 간단한 방법으로 비전해 금속 도금용 기착제를 완전히 제거시킬 수 있으며, 강산 또는 강 알카리에 견딜 수 있는 차폐금속이 채택되는 비전해 금속도금에 의해 인쇄회로를 제조하기 위한 개선된 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적들은 하기 본 발명의 상세한 설명으로 부터 명백해질 것이다.

본 발명은 차폐물질로 관통공을 포함하는 절연기판의 표면(일면 또는 양면)상의 네가티브 패턴상에 도금 리지스트를 형성하고, 비전해 금속도금용 기착제를 용착하고, 가속 후 리지스트상의 기착제를 제거하고 절연기판 표면상의 포지티브상에만 비전해 금속의 회로를 형성하는 것을 포함하는 인쇄회로 제조를 위한 방법을 제공하는 것으로서 개선점으로는 (1)티타늄, 니켈 및 안티몬 산화물의 고용체(固溶體)를 포함하는 하차물질과(2)과 황산 암모늄의 염산용액과의 접촉을 통한 도금 리지스트상의 기착제를 제거 하는 것을 포함한다.

즉, 본 발명은 산과 알카리에 저항력을 갖는 전술한 금속의 산화물의 고용체를 포함하는 리지스트를 형성함으로써 어떠한 금속도 리지스트상에 용착되지 않는다는 사실의 발견과, 기착제, 가속제 등의 용착을 포함하는 비전해 금속을 위한 일련의 사전 처리 후에 기판을 전술한 염산 용액과 접촉시키는 것에 바탕을 두고 있다. 금속 산화물의 고용체는 산과 알카리 용액에 대하여 안정하다는 것은 알려져 있으나, 본 발명은 고용체는 또한 황산 및 염산을 포함하는 다수의 산과, 금속 키일레이트제등을 포함하는 비전해 금속도금용 사전 처리제, 그리고 알카리성 비전해 금속도금 용액에 대하여도 안정하며, 나아가서 기착제의 리지스트에의 결합력을 약화시킬수 있으며, 과황산 암모늄의 염산용액과의 접촉을 통해 리지스트상의 기착제는 바로 제거시킬수 있도록 구성하였다.

본 발명의 특성중 하나인 금속 산화물의 고용체는 세가지 종류의 금속산화물 즉 티타늄, 니켈 및 안티몬의 고용체로서 일메나이트의 온침(溫浸)된 황산용액을 가수분해하고 그 결과 생성되는 티타늄의 가수산화물을 니켈 및 안티몬과 혼합하고 그 혼합물을 하소(

燒)시켜 금홍석(金紅石)형의 티타늄 산화물 결정체로된 후술하는 금속의 고용체를 형성함으로써 얻을 수 있으며 특히 그것은 TiO₂-NiO-Sb₂O₅로서 나타내며 그 고용체의 미세분말이 채택될 수 있다.

분산력, 인쇄적성등의 관점에서 그 미세 분말의 입자크기는 10㎛를 초과하지 않는것, 오히려 1.2㎛보다 작은 것이 바람직하다.

차폐물질을 구성하는 수지성분의 중량 100에 대하여 금속 산화물의 고용체의 중량은 2-40이 가해진다.

한편 중량이 그 이하이면 고용체는 보다 비 효율적이며 반면에 중량이 40이상이면 물론 비효율적이며 안정화하거나 인쇄적성등에서 실제적인 어려움이 있다.

수지성분으로는 열경화성 수지, 예컨데 에폭시수지, 규소, 페놀수지, 요소수지, 멜라민수지, 아크릴수지, 불포화 폴리에스텔 수지등이 바람직하다. 리지스트막의 광택을 증가시키기 위해서는 열경화성 수지에 열가소성 수지를 가할수도 있다.

리지스트는 보통 스크린 인쇄(실크 스크린 또는 스테인레스 스틸스크린을 사용하는 인쇄 방법)에 의해 진술한 차폐물질로서 네가티브 패턴상에 형성된다.

이리하여 차폐물질은 유기 용매내에서 분해되어, 그 결과 생성되는 용액의 점성도를 조절함으로써 리지스트 잉크로서 사용된다. 유기용매는 예를 들면 케톤, 알콜, 에테르화한 또는 에스텔화한 알콜, 다가(多價) 알콜, 디메틸형 아미드등을 포함한다. 용액의 점성도를 조절하기전에 필요한 경우, 안료 및 첨가제를 용액에 가할수도 있다.

안료는 예를 들면 기그네츠 그린, 코발트, 블루우, 프탈로시아닌 블루우, 프탈로시아닌 그린, 나프톨그린등을 포함한다. 첨가제는 예를 들면 규소산화물, 알루미늄산화물, 지르코늄규산염, 알루미늄규산염, 칼슘 탄산염, 바륨황산염, 진흙, 자기(Ceramic의 미세분말등을 포함한다. 안료 및 첨가제의 양은 전적으로 수지의 종류, 기대되는 인쇄특성, 인쇄막의 색체등에 달려 있어서 특별히 정할 수는 없으나 대개 수지성분의 중량 100에 안료 및 첨가제의 중량 1-20을 가할수 있다.

본 발명의 가장 바람직한 차폐물질은 다음)구성물을 갖는다.

a) 에폭시 수지 100중량부,

b) 에폭시 수지용 경화제 및 또는 경화촉진제 효율적인 양,

c) 분자량 10,000-50,000인 적어도 두 종류의 아크릴산 단위체를 포함하는 아크릴산의 혼성 중합체 0.5-3중량부,

d) 티타늄, 니켈 및 안티몬 산화물의 고용체 2-40중량부,

e) 생성된 용액의 점성도를 150-450포이스(20℃ B-형회전식 점성도계, Sc4- 14회전자, 100rpm)로 하기 위하여 전술한 성분(a)-(d)를 혼합, 분해 및 분산시키기 위한 유기용매에 필요한 양.

에폭시 수지(a)로서 비스페놀 A형 에폭시 수지가 바람직하다. 특히 도금막을 기판에 결합시키기 위하여 점착성의 니트릴 고무가 사용되면 에폭시 수지의 종류에 따라 때때로 그 결합력이 저하되거나 평탄하고 광택있는 리지스트막이 얻어지지 않기도 한다.

그래서 전술한 사실의 관점에서 에폭시 수지로서 900또는 그 이상의 해당량을 에폭시를 갖는 비스페놀-에폭시 A형 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직하다.

이경우 분산성이 저하되므로 분산성을 증대시키기 위하여 500이하의 등가량의 에폭시를 갖는 비스페놀A형 또는 노보락형 에폭시 수지를 동시에 사용하는 것이 바람직하다. 500이하의 등가량의 에폭시를 갖는 전술한 에폭시 수지의 양은 전 에폭시 수지의 중량 40%이하이다.

(b) 보통 채택되는 에폭시 수지용 경화제 또는 경화 촉진제로는 예를 들면 에틸렌 디아민, 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민, 데트라에틸렌펜트 아민, 디시안 디아미드, 사이클로 헥시아민, 벤질아민, 트리에타놀아민, 피페리딘, N-(아미노에틸)피페라진, 디아미노 벤젠산등이 사용될 수 있다. 또 디아미노-디페닐메탄, 메타페니렌 디아민등의 방향족 아민도 사용될 수 있다. 촉진제로는 BF₃-아민 착화합물, 벤질디메틸아민, N,N,N', N'-테트라메틸-1,3-부탄디아민, 이미다졸, 4가 암모늄염, 2가 주석 옥토에이트, 2,4,6-트리스(디메틸 아미노페놀), 테트라 메틸과니딘, 1,8-디아조 비 사이클로(5,4,0)-7-운데칸, 테트라 페닐포스포니움 붕산염, 테트라에틸 암모늄 붕산염, 테트라 메틸 암모늄 불화물, 메타프토벤조타졸염등이 사용될 수 있다.

경화제 또는 경화촉진계는 사용되는 에폭시 수지 또는 채택되는 조건에 따라 적당히 선택할 수 있으며 또 경화제 또는 경화 촉진제의 종류에 따라 적당한 방식으로 예를 들면 에폭시 수지에 직접 가하거나 보통 채택되는 2팩형으로 즉 채택되기 직전에 함께 혼합되는 두가지 용액으로 가할수 있다.

(c) 아크릴산 에스테르의 혼성 중합체는 일본 공개 특허 출원명세서 제 125,744/75,에 개진된 과정에 따라 합성될 수 있으며, 에폭시 수지 100중량부에 바람직한 분자량 10,000-50,000의 혼성 중합체 0.5-3중량부가 가해져서 리지스트막이 형성될때 리지스트 막 표면이 오렌지형 표면으로 변하는 오렌지 껍질 현상으로 되는 것이 방지될 수 있다.

(d) 티타늄, 니켈 및 안티몬 산화물의 고용체는 TiO₂-NiO-Sb₂O₅의 고용체이며 앞서 설명한 것처럼 수지 성분의 100중량부에 고용체의 2-40중량부를 가하는 것이 바람직하다.

(e) 용매는 생성된 용액의 점성도를 15C-450포이스(B-형 회전식 점성도계, SC4-14)회전자, 100rpm 20℃)로 하기 위하여 전술한 성분(a)-(d)를 혼합, 분해 및 분산시키기에 필요한 양이 가해진다. 앞서의 구성물을 갖는 차폐물질은 스크린 인쇄 또는 다른 방법에 따라 절연기판의 네가티브 패턴상에 도포되어 100℃-160℃에서 10-60분 동안 경화되어 리지스트 막이 형성된다.

공지의 물질인 기착제는 공지의 공정에 따라 형성된 리지스트를 갖는 절연기판상에 용착되어 촉진된다.

전술한 사전처리 단계에서 사용되는 기착제 용액의 한 예는 염화주석(SnCl₂-2H₂O) 및 염화팔라듐(PdCl₂)의 염산용액이다.

촉진작용을 산 또는 알카리 용액에 의해 수행된다.

산 용액은 예를 들면 불화수소 또는 수산 또는 염산용액에서 용해되어 물로 묽어진 다른것들을 포함하며 알카리 용액은 예를 들면 용액상태의 트리에탄올아민, 에틸렌아민 테트라아세테이트염 등과 같은 금속키일레이트제를 포함하는 가성소다 용액을 포함한다.

리지스트상에 용착된 기착제는 리지스트상의 기대되지 않은 비전해 금속 용착읖을 방지하도록 전술한 촉진제 용액으로 처리된 절연기판으로부터 제거되어야 한다.

기착제 제거용액으로서 묽은 염산으로 용해된 과황산 암모늄이 사용된다.

리지스트상에 용착된 기착제는 기판을 그 용액에 접촉시킨후 기판을 물로 씻어내야만 바로 제거될 수 있다.

염산 황산, 질산등은 기착제 제거용액으로 적용할 수 있을 것으로 생각된다. 기판에 작용하여 포지티브 패턴 자체에 용착된 기착제까지도 제거한다.

과황산 암모늄의 묽은 염산용액은 금속산화물을 고용체와 상승효과를 일으킴으로써 리지스트상의 기착제를 제거하는테 가장 효과적이다. 바람직한 구성성분은 35%염산 5C-200ml에 0.5-20g의 과항암모늄을 용해시켜 생성된 용액을 물 1ℓ로 묽게함으로써 얻을 수 있다. 절연기판을 이런 무기산 용액과 접촉, 예를 들면 침지시킬때는 액체온도 15-25℃(실온)에서 3-15분 동안 침지시키면 충분하다.

금속 산화물의 고용체를 포함하는 리지스트상의 기착제가 전술한 무기산 용액에 접촉하면 어째서 이탈가능한지는 분명하지 않다. 기착제, 예를 들면 리지스트상의 Pd가 아마도 전술한TiO₅-NiO-Sb₂O₅에 의한 Pd(Ti-Ni-Sb)의 같은 합성체로 변환되어 생성된 합성체는 곧 바로 전술한 무기산 용액내에서 용해될 수 있는 듯하다.

금속산 화물의 고용체는 전술한 무기산 용액으로 사전처리를 하지 않는다면 비전해 금속이 리지스트상에 용착되기 쉽다는 사실로부터 명백하듯이 미국특허 3,443,988호에 언급한 것처럼 결코 독물이 아니다.

본 발명에서 사용된 절연 기판을 예를 들면 종이 바탕의 페놀수지 적층체, 종이 바탕의 에폭시 수지 적층체, 유리섬유 바탕의 에폭시 수지 적층체, 유리섬유 바탕의 포리미드 적층체등이다. 적층체에는 기대되는 회로에 따라 구멍이 제공된다.

본 발명의 효과는 예를 들면 비전해 금속 도금을 제공하기 위하여 기판을 연마하거나 화학적으로 거칠게 하는등의 방법으로 기판의 습윤도를 증가시킴으로써 더욱 개선시킬 수 있다.

비전해 금속도금 용액, 예를 들면 비전해 동 도금용액으로서는 다음 성분을 포함한다.

금속염으로서 :황산동, 초산동, 탄산동, 개미산동 등,

착화제로서 : 롯셀염, 에틸렌 디아민 테트라 아세틱산등,

경화제로서 : 포르마린, 파라포르말 델라이드등

조절제로서 : 수산화나트륨 또는 칼륨.

이러한 기본 성분들에 추가하여 생성된 도금막의 도금용액 또는 물리적 성질의 안전도를 증진시키기 위해 예를 들면 황 화합물, 시아니드화합물, 피리딘, 알콜 또는 그리콜등이 가해질수도 있다. 기대되는 도금막은 이러한 비전해 동 도금용액을 pH12-13(20℃)와 60-80℃의 도금온도에서 대략 5-36시간동안 도금시킴으로써 얻어질 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하겠다. 여기에서 숫자는 중량이다.

[실시예 1]

니트릴 고무 바탕의 개질 페놀수지, 열경화성 점착제(NB-3033, 일본 세일 틸니(주)제품)를 커어튼 피막방법에 따라 종이 바탕의 페놀수지 적증체(Lp-43N, 일본 히다치 가세이 고교(주)제품)에 가하고 165℃에서 80분 동안 가열하여 경화시켰다. 그리고 적층체에는 필요한 곳에 구멍을 뚫고, 산화물의 고용체를 포함한 다음의 성분(20℃에서의 점성도 200포이스)을 갖는 차폐물질을 스테인 스틸 인쇄방법에 따라 네가티브 패턴상에 형성시켰다 .

그리고 적층체상에 리지스트막을 형성하도록 차폐물질을 145℃에서 40분동안 가열하였다.

그리고 적층판을 크롬-황산 혼합용액(진한황산 200ml에 CrO₃50g을 용해시켜서 생성된 용액을 물을 가하여 1ℓ로 만든것)에 포지티브 패턴을 거칠게 하도록 40℃에서 7분간 침지시키고 물로 세척시키고 중화시켰다.

그런다음 적층판을 35%염산 400ml와 물 600ml로 구성된 용액에 1분간 침지 시키고 기착제 용액(감광제 HS101H, 일본 히타치 가세이 고교(주)제품)으로서 용액상태인 염화주석 및 염화파라듐을 포함하는 수성염산에 5분간 침지시키고 1분동안 물로 세척시켰다.

그런다음 촉진제 용액(점착 촉진제 ADP101, 일본 히타치 화학(주)제품)으로서 금속 키일레이트를 포함하는 수성 알카리용액에 적층판을 5분간 침지시키고 1분간 물로 세척했다.

그리고 다음 구성물을 갖는 무기산 용액내에 적층판을 4분간 침지시키고 1분간 물로 세척하였다.

무기산 용액 구성물 :

과황산 암모늄 30g

35%염산 80ml

전 용액을 1ℓ로 만들기 위한 물 두께가 약 35㎛인 도금막이 70℃애에 11시간 이상 지나 다음 구성물을 갖는 비전해 동 도금용액으로 기판의 포지티브 패턴상에 용착되었으며 어떠한 비금속도 금속산화물의 고용체를 포함하는 기판 표면의 네가티브 패턴상에 인쇄된 리지스트 상에는 형성되지 않았다.

비전해 동 도금 용액 구성물 :

금속염 : 황산동 10g

착화제 : 에틸렌 디아민테트라아세틱 산 30g

경화제 : 37%포르마린 4ml

pH조절제 : pH12.9(20℃)로 하기 위한 양의 수산화나트륨

첨가체 : 포리에틸렌 그리콜(분자량 : 400)30ml

전용액을 1ℓ로 만들기 위한 물.

[실시예 2]

실시예 1의 차폐물질이 다음 구성물을 갖는 것으토 대치되었다.

전술한 차폐물질은 실시예 1에서와 같이 스크린 인쇄방법에 의해 적층판상의 네가티브 패턴상에 인쇄되었으며 140℃에서 45분간 경화되었다.

이후의 작업을 일본 쉬프리사에서 제조된 촉매 6F가 기착제 용액에 사용되었으며 일본 쉬프리사에서 제조된 촉진제 19가 비전해 동 도금의 사전처리 단계에서 촉진제 용액내에 산성형으로서 사용되었다는 점을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방식으로 수행된다.

다음 구성물을 갖는 무기산 용액이 그후의 단계에 사용되었으며 적층판을 거기에 10분간 침지시켰다.

무기산 용액 구성물 :

과황산 암모늄 10g

35%염산 100ml

전용액을 1ℓ로 만들기 위한 물

그후의 단계에서 실시예 1에서와 같은 조건하에서 실시예 1에서와 같은 동 도금용액으로 포지티브 패턴상에만 도금된 막이 용착되었으며, 리지스트상에는 어떠한 비전해 용액의 용착도 형성되지 않았다.

[실시예 3]

실시예 1에서의 차폐물질내에 40중량부의 산화물 고용체(TiO₂-NiO-Sb₂O₅)가 사용되었으며 적층체를 다음 구성물을 갖는 무기산 용액에 15분동안 침지 하였다는 점을 제외하고는 작업은 인쇄회로를 제조하기 위한 실시예 2에서와 같은 방법으로 실시되었다.

무기산 용액 구성분 :

과황산 암모늄 0.7g

35%염산 180ml

전용액을 1ℓ로 만들기 위한 물

어떠한 비전해 동의 용착도 산화물의 고용체를 포함하는 리지스트상에서 발견되지 않았다.

[실시예 4]

실시예 1에서의 차폐물질내에 그의 산화물 고용체(TiO₂-NiO-Sb₂O₅)가 사용되었으며 적층체를 다음 구성물을 갖는 무기산 용액에 5분간 침지하였다는 점을 제외하고는 작업은 인쇄회로를 제조하기 위한 실시예 1에서와 같은 방법으로 실시되었다.

무기산 용액 구성물 :

과황산 암모늄 18g

35%염산 55ml

전용액을 1ℓ로 만들기 위한 물

어떠한 비전해동의 용착도 산화물의 고용체를 포함하는 리지스트 상에서 발견되지 않았다.

[실시예 5]

전 표면이 실시예 2에서 사용된 것 같은 금속산화물의 고용체 10을 포함하는 차폐물질로 도포된 종이바탕의 페놀 수지 적층체와 전 표면이 전술한 금속 산화물의 고용체 대신에 산화제 10을 포함하는 차폐물질로 도포된 종이 바탕의 페놀수지 적층체를 각각 개별적으로 실시예 1에서 주어진 것과 같은 비전해 동도금용액 내에 침지 하였다.

그 결과 PbCrO₄가 PbCrO₄를 포함하는 차폐물질로 도포된 적층체로부터 도금용액내로 용해 되었으며 리지스트막의 색이 그 후 2-3시간지나 퇴색되었다.

한편 60시간 동안 침지한 후에도 금속 산화물의 고용체를 포함하는 본 차폐물질로 도포된 적층체의 리지스트 막상에서는 어떠한 변화도 발견되지 않았다.

전술한 시험을 개별적으로 한 후 전술한 두 가지 도금용액을 사용한 즉 스테인레스 스틸판이 도금이 되었다.

용해된 PbCrO₄를 포함하는 도금액내에서는 어떠한 도금반응도 일어나지 않았다.

그런데 퍼센트 신장율 3.3%이며 인장강도 32.8kg/mm²인 도금막이 금속 산화물의 고용체를 포함하는 리지스트가 침지된 도금용액으로 부터 얻어졌으며 그 도금된 막의 특성은 보통 도금용액에서 얻어진 특성과 전혀 다르지 않았다.

[실시예 6]

아크릴산의 공중합체(이소부틸 메타크릴레이트 93%몰 및 그리사이크릴 15%몰의 공중합체 : 분자량 : 30,000) 1.5가 실시예 2에서와 같은 구성물을 갖는 차폐물질에 가하여 졌다. 그결과 인쇄적성이 개선되었으며 경화후 좋은 광택막을 갖는 리지스트막이 얻어졌다.

에폭시 해당량 188을 갖는 에폭시 수지 30을 에폭시 해당량 900또는 그 이상을 갖는 에폭시 수지 70중량부에 가하였더니 스크린과 적층판간의 이탈성이 증진되었다. 생성된 적층판에 비전해 금속도금을 하였더니 리지스트상에 어떠한 비전해 금속의 용착도 발견되지 않았다.

[실시예 7]

포리비닐 부티랄(분자량 : 약 13,000) 0.5가 실시예 6에서와 같은 차폐물질에 가하여 졌을때 적층판에의 리지스트막의 결합력은 가하지 않았을때 보다 대략, 2배(600kg/cm²)정도 증가되었다. 비전해 금속이 실시예 1에서와 같은 방법으로 실시되었을때 리지스트상에는 어떠한 비전해 금속의 용착도 형성되지 않았다. 지금까지 상세히 설명한 것처럼 도금 반응용 기착제는 리지스트 표면에서 간단히 제거될 수 있으며 리지스트상에는 기대하지 않은 비전해 금속의 용착은 되지 않는다.

비전해 도금을 위한 비전해 금속 도금 용액 또는 사전처리 용액상에 어떠한 역효과도 주어지지 않는다.

Claims (1)

1. 비전해 금속도금용 기착제의 용착 및 점착을 억제시키는 효과를 갖는 차폐물질로 기판의 회로상의 네가티브 패턴상에 도금리지스트를 형성하고 기판 전 표면상에 기착제를 용착시키며(I), 리지스트상의 기착제를 제거하고(II), 기판을 비전해 금속도금용액에 침지시켜 회로의 포지티브 패턴상에 비전해 금속막을 형성시키되 상기( I )단계에서는 차폐물질로서 티타늄, 니켈 및 안티몬 산화물의 고용체를 열 경화성 수지를 포함하는 개선점이 있고, 상기(II)단계에서는 리지스트상의 기착제를 제거하는 수단으로서 기판을 과황산 암모늄의 염산용액과 접촉시키는 단계들을 포함하는 비전해 금속도금에 의한 인쇄회로의 제조방법.