KR810001416Y1 - 반도체장치 - Google Patents

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KR810001416Y1
KR810001416Y1 KR7706041U KR770006041U KR810001416Y1 KR 810001416 Y1 KR810001416 Y1 KR 810001416Y1 KR 7706041 U KR7706041 U KR 7706041U KR 770006041 U KR770006041 U KR 770006041U KR 810001416 Y1 KR810001416 Y1 KR 810001416Y1
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KR
South Korea
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semiconductor device
chassis
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KR7706041U
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도시 아끼 모리야마
Original Assignee
신닛뽄덴기 가부시기 가이샤
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    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치
제1도는 본 고안에 관한 반도체장치의 수지를 제거할 경우를 도시한 평면도.
제2도는 제1도에 도시한 반도체장치를, 샤시등에 취부한 경우의 제1도 A-A선에 상당하는 단면도.
제3도는 본 고안의 다른 실시예의 소자 취부판만을 도시한 단면도.
본 고안은 반도체장치, 특히 수지 봉지형(封止型)이고, 또 소자취부판의 양단에 샤시등에 취부용공을 설치한 반도체장치에 관한 것이다.
일반적으로, 수지봉지형 반도체장치는, 방열판도 겸하는 소자취부판과, 소자의 각 전극에 접속되는 복수계의 리이드선과, 소자를 위요하는 수지로 되는 것이다.
그런데, 이것을 샤시등에 취부할 경우, 비교적 소전력용의 것에서는, 소자취부판의 단부에 설치한 단일의 취부용공을 개재해서 나사로 정지시키기만 하면 충분하지만, 대전력용의 것에서는, 발생열량의 증대에 따라서, 방열판을 겸한 소자취부판이 대형으로 되기 때문에, 소전력용의 경우와 같이, 단일의 취부용공만으로서는, 충분히 고정시킬 수 없고, 소자취부관의 샤시등에의 밀착성이 저하되어서, 충분한 방열이 되지 못하는 결점이 있었다.
이 때문에, 종래에 있어서는, 소자취부판의 양단에 한쌍의 취부용공을 설치하여, 양취부용공에서 나사로 정지시키는 것인 바, 소자취부판의 양취부용공의 간격이, 양취부용공에 대응해서 설치하 샤시등의 취부용공의 간격과 상이하면, 소자취부판에, 압축 또는 인장응력(引張應力)이 작용해서, 그 응력으로 소자취부판상에 고정된 소자가 파괴되는 결점이 있었다.
특히, 소자취부판의 양취부용공의 간격이, 샤시등의 취부용공의 간격보다도 큰 경우에는, 압축응력으로 소자취부판이 굽어서 파괴되기 쉽게 된다.
본 고안은 상기한 결점을 개량하여, 제거하기 위해서 제안된 것이며, 이하, 그 한 실시예를 도면에 따라서 설명한다.
제1도 및 제2도에 있어서, (1)은 열전도성이 양호한 동판을 두들겨 빼내서 형성된 방열판도 겸한 소자취부판, (2)는, 소자취부판(1)이 거의 중앙부에 납으로 부착시켜 고정된 소자, (31),(32),(33)은, 소자(2)의 각 전극에, 연결부의 가는선(41),(42) 혹은 소자취부판(1)을 개재해서 접속한 리이드선, (5)는 소자(2)를 위요해서 피복된 수지, (61),(62)는 소자취부판(1)의 양단에 설치된 샤시등에의 취부용공이고, 그 주연에는, 방사상의 절결부(7)(7)……을 형성시켜 놓았다.
또, 제2도에 있어서, (8)은 취부용공(91),(92)를 설치하 샤시등이고, 또 (101),(102)는, 취부용의 나사이다.
다음에, 제3도는, 본 고안의 다른 실시예이고, 소자취부판(1)이 두껍고, 절결 7,7……을 형성하기 어려운 경우 소자취부판(1)에 요부(凹部)(111),(112)를 형성하며, 이들 요부(111),(112) 취부용공(61),(62)와 방사상의 절결부(7),(7)……을 형성하도록 한 것이다.
본 고안은 이상과 같이, 소자취부판의 양단에 설치한 샤시등에의 취부용공에, 방사상의 절결부를 형성했으므로, 소자취부판의 취부용공의 간격과, 샤시등의 취부용공의 간격과의 상위에 따른 소자취부판에 작용하는 압축 또는 인장응력은, 방사상의 절결에 의해서 흡수되고, 압축 또는 인장응력에 의한 소자의 파괴를 방지하는 것이 가능하게 되었다.

Claims (1)

  1. 소자취부판의 양단에 샤시등에 취부용공을 설치하고, 중앙부에 반도체소자를 고정시킨 반도체장치에 있어서, 상기한 취부용공에 방사상의 절결을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
KR7706041U 1977-10-14 1977-10-14 반도체장치 KR810001416Y1 (ko)

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