KR20240133555A

KR20240133555A - 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기

Info

Publication number: KR20240133555A
Application number: KR1020237036407A
Authority: KR
Inventors: 유스케 다카하시; 히로아키 이토이; 쇼타 다나카; 다쿠토 후카미; 쓰카사 사와토
Original assignee: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date: 2022-04-12
Filing date: 2023-04-06
Publication date: 2024-09-04
Also published as: US20240324450A1; JP7538360B2; CN117279901A; WO2023199832A1; JPWO2023199832A1

Abstract

하기 식(1)로 표시되는 화합물.

(식(1) 중의 각 기호는 명세서에서 정의한 바와 같다.), 해당 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자, 및 해당 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기.

Description

화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기

본 발명은, 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 해당 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.

일반적으로 유기 전기발광 소자(이하, "유기 EL 소자"라고 기재하는 경우도 있다)는 양극, 음극, 및 양극과 음극에 끼워진 유기층으로 구성되어 있다. 양 전극 사이에 전압이 인가되면, 음극측으로부터 전자, 양극측으로부터 정공이 발광 영역에 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광 영역에 있어서 재결합하여 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 돌아올 때에 광을 방출한다. 따라서, 전자 또는 정공을 발광 영역에 효율 좋게 수송하고, 전자와 정공의 재결합을 용이하게 하여, 여기자를 효율 좋게 발광시키는 재료의 개발 및 그 조합을 발견하는 것은 고성능 유기 EL 소자를 얻는 데 있어서 중요하다.

특허문헌 1∼4에는, 유기 전기발광 소자용 재료로서 사용하는 화합물이 개시되어 있다.

국제 공개 제2022/009999호 국제 공개 제2019/185061호 중국 공개 특허 제112430225호 공보 중국 공개 특허 제108689972호 공보

종래, 많은 유기 EL 소자용의 화합물이 보고되어 있지만, 유기 EL 소자의 성능을 더 향상시키는 것이 여전히 요구되고 있다.

본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 유기 EL 소자의 성능을 보다 개선하는 화합물, 특정의 화합물을 포함하는 것에 의해 소자 성능이 보다 개선된 유기 EL 소자, 그와 같은 유기 EL 소자를 포함하는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 특허문헌 1∼4에 기재된 화합물을 포함하는 유기 EL 소자의 성능에 대해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 식(1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 EL 소자는, 성능이 보다 개선됨을 발견했다.

일 태양에 있어서, 본 발명은 하기 식(1)로 표시되는 화합물을 제공한다.

[화학식 1]

(식(1) 중,

N^*는 중심 질소 원자이다.

R¹∼R⁴는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

R¹∼R⁴로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

L¹∼L⁴는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기, 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.

Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 하기 식(a)로 표시되는 기이다.

[화학식 2]

(식(a) 중,

*1은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

R^a와 R^b는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이고, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이고,

상기 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개가, 서로 결합하여 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

단, R^a와 R^b가 서로 결합하여, 플루오렌 골격의 9위의 탄소 원자와 함께 치환 혹은 비치환된 스파이로플루오렌환을 형성하는 경우, R²²∼R²⁷로부터 선택되는 1개가 *2에 결합하는 단일 결합이고,

L¹∼L⁴가 모두 단일 결합이고, Ar¹ 및 Ar²가 식(a)로 표시되는 기이고, 또한 R²² 또는 R²⁷이 *2에 결합하는 단일 결합인 경우, 2개의 R^a 및 2개의 R^b로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.)

Ar³은, 하기 식(x)으로 표시되는 기이다.

[화학식 3]

(식(x) 중,

*3은 L⁴에의 결합 위치이다.

R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기, -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,

R₉₀₁∼R₉₀₇은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,

R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₆이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₆은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₇이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₇은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.

m은 0 또는 1이고, n은 0 또는 1이다.

m 및 n이 0일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,

*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁸, 및 R⁴¹∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

m이 1이고 n이 0일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,

R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 한쪽이 *c에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *d에 결합하는 단일 결합이고,

*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *c 및 *d에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

m이 0이고 n이 1일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,

R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 한쪽이 *e에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *f에 결합하는 단일 결합이고,

*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *e 및 *f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵⁵∼R⁵⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

m이 1이고 n이 1일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,

R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷, 및 R³⁷과 R³⁸의 합계 3조 중 어느 1조 중에 있어서의 한쪽이 *c에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *d에 결합하는 단일 결합이고,

R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 나머지 2조 중 어느 1조 중에 있어서의 한쪽이 *e에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *f에 결합하는 단일 결합이고,

*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *c∼*f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

단, L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³³이 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³⁴가 *b에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R³⁴가 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³³이 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³¹, R³², R³⁵∼R³⁷, 및 R⁴¹∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이고,

L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³¹이 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³²가 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³³∼R³⁸, 및 R⁴²∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이고,

L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³²가 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³¹이 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³³∼R³⁸, 및 R⁴¹∼R⁴³으로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

X¹은, 산소 원자 또는 황 원자이다.))

다른 태양에 있어서, 본 발명은 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 EL 소자용 재료를 제공한다.

추가로 다른 태양에 있어서, 본 발명은, 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 유기층을 포함하는, 유기 전기발광 소자로서, 해당 유기층이 발광층을 포함하고, 해당 유기층의 적어도 1층이 상기 식(1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자를 제공한다.

추가로 다른 태양에 있어서, 본 발명은, 상기 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기를 제공한다.

상기 식(1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 EL 소자는 개선된 소자 성능을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 또 다른 예를 나타내는 개략도이다.

[정의]

본 명세서에 있어서, 수소 원자란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium), 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.

본 명세서에 있어서, 화학 구조식 중, 「R」 등의 기호나 중수소 원자를 나타내는 「D」가 명시되어 있지 않은 결합 가능 위치에는, 수소 원자, 즉, 경수소 원자, 중수소 원자, 또는 삼중수소 원자가 결합하고 있는 것으로 한다.

본 명세서에 있어서, 환형성 탄소수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예를 들어, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 및 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자 중의 탄소 원자의 수를 나타낸다. 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 환형성 탄소수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 탄소수」에 대해서는, 별도 기재가 없는 한 마찬가지로 한다. 예를 들어, 벤젠환은 환형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 환형성 탄소수가 10이고, 피리딘환은 환형성 탄소수 5이고, 퓨란환은 환형성 탄소수 4이다. 또한, 예를 들어, 9,9-다이페닐플루오렌일기의 환형성 탄소수는 13이고, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기의 환형성 탄소수는 25이다.

또한, 벤젠환에 치환기로서, 예를 들어, 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는, 벤젠환의 환형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환하고 있는 벤젠환의 환형성 탄소수는, 6이다. 또한, 나프탈렌환에 치환기로서, 예를 들어, 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는, 나프탈렌환의 환형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환하고 있는 나프탈렌환의 환형성 탄소수는, 10이다.

본 명세서에 있어서, 환형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예를 들어, 단환, 축합환, 및 환집합)의 화합물(예를 들어, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 및 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 환을 구성하지 않는 원자(예를 들어, 환을 구성하는 원자의 결합을 종단하는 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 원자수」에 대해서는, 별도 기재가 없는 한 마찬가지로 한다. 예를 들어, 피리딘환의 환형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환의 환형성 원자수는 10이고, 퓨란환의 환형성 원자수는 5이다. 예를 들어, 피리딘환에 결합하고 있는 수소 원자, 또는 치환기를 구성하는 원자의 수는, 피리딘환 형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자, 또는 치환기가 결합하고 있는 피리딘환의 환형성 원자수는, 6이다. 또한, 예를 들어, 퀴나졸린환의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, 또는 치환기를 구성하는 원자에 대해서는, 퀴나졸린환의 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자, 또는 치환기가 결합하고 있는 퀴나졸린환의 환형성 원자수는 10이다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 탄소수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수를 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는, 「XX」보다도 크고, 「XX」는, 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는, 2 이상의 정수를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 원자수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수를 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는, 「XX」보다도 크고, 「XX」는, 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는, 2 이상의 정수를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 비치환된 ZZ기란 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」가 「비치환된 ZZ기」인 경우를 나타내고, 치환된 ZZ기란 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」가 「치환된 ZZ기」인 경우를 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「비치환」이란, ZZ기에 있어서의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있지 않은 것을 의미한다. 「비치환된 ZZ기」에 있어서의 수소 원자는, 경수소 원자, 중수소 원자, 또는 삼중수소 원자이다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」이란, ZZ기에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가, 치환기로 치환되어 있는 것을 의미한다. 「AA기로 치환된 BB기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」도 마찬가지로, BB기에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가, AA기로 치환되어 있는 것을 의미한다.

「본 명세서에 기재된 치환기」

이하, 본 명세서에 기재된 치환기에 대해 설명한다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 아릴기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 헤테로환기」의 환형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이며, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알켄일기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킨일기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 사이클로알킬기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 3∼50이며, 바람직하게는 3∼20, 보다 바람직하게는 3∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 아릴렌기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 2가의 헤테로환기」의 환형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이며, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킬렌기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」의 구체예(구체예군 G1)로서는, 이하의 비치환된 아릴기(구체예군 G1A) 및 치환된 아릴기(구체예군 G1B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 아릴기란 「치환 혹은 비치환된 아릴기」가 「비치환된 아릴기」인 경우를 가리키고, 치환된 아릴기란 「치환 혹은 비치환된 아릴기」가 「치환된 아릴기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「아릴기」라고 하는 경우는, 「비치환된 아릴기」와 「치환된 아릴기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 아릴기」는, 「비치환된 아릴기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 아릴기」로서는, 예를 들어, 하기 구체예군 G1A의 「비치환된 아릴기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 하기 구체예군 G1B의 치환된 아릴기의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 아릴기」의 예, 및 「치환된 아릴기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 아릴기」에는, 하기 구체예군 G1B의 「치환된 아릴기」에 있어서의 아릴기 자체의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 하기 구체예군 G1B의 「치환된 아릴기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 아릴기(구체예군 G1A):

페닐기,

p-바이페닐기,

m-바이페닐기,

o-바이페닐기,

p-터페닐-4-일기,

p-터페닐-3-일기,

p-터페닐-2-일기,

m-터페닐-4-일기,

m-터페닐-3-일기,

m-터페닐-2-일기,

o-터페닐-4-일기,

o-터페닐-3-일기,

o-터페닐-2-일기,

1-나프틸기,

2-나프틸기,

안트릴기,

벤즈안트릴기,

페난트릴기,

벤조페난트릴기,

페날렌일기,

피렌일기,

크라이센일기,

벤조크라이센일기,

트라이페닐렌일기,

벤조트라이페닐렌일기,

테트라세닐기,

펜타센일기,

플루오렌일기,

9,9'-스파이로바이플루오렌일기,

벤조플루오렌일기,

다이벤조플루오렌일기,

플루오란텐일기,

벤조플루오란텐일기,

페릴렌일기, 및

하기 일반식(TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 아릴기.

[화학식 4]

[화학식 5]

· 치환된 아릴기(구체예군 G1B):

o-톨릴기,

m-톨릴기,

p-톨릴기,

파라-자일릴기,

메타-자일릴기,

오쏘-자일릴기,

파라-아이소프로필페닐기,

메타-아이소프로필페닐기,

오쏘-아이소프로필페닐기,

파라-t-뷰틸페닐기,

메타-t-뷰틸페닐기,

오쏘-t-뷰틸페닐기,

3,4,5-트라이메틸페닐기,

9,9-다이메틸플루오렌일기,

9,9-다이페닐플루오렌일기

9,9-비스(4-메틸페닐)플루오렌일기,

9,9-비스(4-아이소프로필페닐)플루오렌일기,

9,9-비스(4-t-뷰틸페닐)플루오렌일기,

사이아노페닐기,

트라이페닐실릴페닐기,

트라이메틸실릴페닐기,

페닐나프틸기,

나프틸페닐기, 및

상기 일반식(TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기.

· 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 환형성 원자에 헤테로원자를 적어도 1개 포함하는 환상의 기이다. 헤테로원자의 구체예로서는, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 및 붕소 원자를 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 단환의 기이거나, 또는 축합환의 기이다.

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 방향족 헤테로환기이거나, 또는 비방향족 헤테로환기이다.

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」의 구체예(구체예군 G2)로서는, 이하의 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A), 및 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 헤테로환기란 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」가 「비치환된 헤테로환기」인 경우를 가리키고, 치환된 헤테로환기란 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」가 「치환된 헤테로환기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「헤테로환기」라고 하는 경우는, 「비치환된 헤테로환기」와 「치환된 헤테로환기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 헤테로환기」는, 「비치환된 헤테로환기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 헤테로환기」의 구체예는, 하기 구체예군 G2A의 「비치환된 헤테로환기」의 수소 원자가 치환된 기, 및 하기 구체예군 G2B의 치환된 헤테로환기의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 헤테로환기」의 예나 「치환된 헤테로환기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 헤테로환기」에는, 구체예군 G2B의 「치환된 헤테로환기」에 있어서의 헤테로환기 자체의 환형성 원자에 결합하는 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 구체예군 G2B의 「치환된 헤테로환기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다.

구체예군 G2A는, 예를 들어, 이하의 질소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A1), 산소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A2), 황 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A3), 및 하기 일반식 (TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 헤테로환기(구체예군 G2A4)를 포함한다.

구체예군 G2B는, 예를 들어, 이하의 질소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B1), 산소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B2), 황 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B3), 및 하기 일반식(TE MP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4)를 포함한다.

· 질소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A1):

피롤릴기,

이미다졸릴기,

피라졸릴기,

트라이아졸릴기,

테트라졸릴기,

옥사졸릴기,

아이속사졸릴기,

옥사다이아졸릴기,

싸이아졸릴기,

아이소싸이아졸릴기,

싸이아다이아졸릴기,

피리딜기,

피리다진일기,

피리미딘일기,

피라진일기,

트라이아진일기,

인돌릴기,

아이소인돌릴기,

인돌리진일기,

퀴놀리진일기,

퀴놀릴기,

아이소퀴놀릴기,

신놀릴기,

프탈라진일기,

퀴나졸린일기,

퀴녹살린일기,

벤즈이미다졸릴기,

인다졸릴기,

페난트롤린일기,

페난트리딘일기,

아크리딘일기,

페나진일기,

카바졸릴기,

벤조카바졸릴기,

모폴리노기,

페녹사진일기,

페노싸이아진일기,

아자카바졸릴기, 및 다이아자카바졸릴기.

· 산소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A2):

퓨릴기,

옥사졸릴기,

아이속사졸릴기,

옥사다이아졸릴기,

잔텐일기,

벤조퓨란일기,

아이소벤조퓨란일기,

다이벤조퓨란일기,

나프토벤조퓨란일기,

벤즈옥사졸릴기,

벤즈아이속사졸릴기,

페녹사진일기,

모폴리노기,

다이나프토퓨란일기,

아자다이벤조퓨란일기,

다이아자다이벤조퓨란일기,

아자나프토벤조퓨란일기, 및

다이아자나프토벤조퓨란일기.

· 황 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A3):

싸이엔일기,

싸이아졸릴기,

아이소싸이아졸릴기,

싸이아다이아졸릴기,

벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기),

아이소벤조싸이오펜일기(아이소벤조싸이엔일기),

다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기),

나프토벤조싸이오펜일기(나프토벤조싸이엔일기),

벤조싸이아졸릴기,

벤조아이소싸이아졸릴기,

페노싸이아진일기,

다이나프토싸이오펜일기(다이나프토싸이엔일기),

아자다이벤조싸이오펜일기(아자다이벤조싸이엔일기),

다이아자다이벤조싸이오펜일기(다이아자다이벤조싸이엔일기),

아자나프토벤조싸이오펜일기(아자나프토벤조싸이엔일기), 및

다이아자나프토벤조싸이오펜일기(다이아자나프토벤조싸이엔일기).

· 하기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 헤테로환기(구체예군 G2A4):

[화학식 6]

[화학식 7]

상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, X_A 및 Y_A는, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, NH, 또는 CH₂이다. 단, X_A 및 Y_A 중 적어도 하나는, 산소 원자, 황 원자, 또는 NH이다.

상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, X_A 및 Y_A 중 적어도 어느 하나가 NH, 또는 CH₂인 경우, 상기 일반식(TEM P-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기에는, 이들 NH, 또는 CH₂로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 1가의 기가 포함된다.

· 질소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B1):

(9-페닐)카바졸릴기,

(9-바이페닐릴)카바졸릴기,

(9-페닐)페닐카바졸릴기,

(9-나프틸)카바졸릴기,

다이페닐카바졸-9-일기,

페닐카바졸-9-일기,

메틸벤즈이미다졸릴기,

에틸벤즈이미다졸릴기,

페닐트라이아진일기,

바이페닐릴트라이아진일기,

다이페닐트라이아진일기,

페닐퀴나졸린일기, 및

바이페닐릴퀴나졸린일기.

· 산소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B2):

페닐다이벤조퓨란일기,

메틸다이벤조퓨란일기,

t-뷰틸다이벤조퓨란일기, 및

스파이로[9H-잔텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.

· 황 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B3):

페닐다이벤조싸이오펜일기,

메틸다이벤조싸이오펜일기,

t-뷰틸다이벤조싸이오펜일기, 및

스파이로[9H-싸이오잔텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.

· 상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4):

상기 「1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자」란, 해당 1가의 헤테로환기의 환형성 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, X_A 및 Y_A 중 적어도 어느 하나가 NH인 경우의 질소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, 및 X_A 및 Y_A 중 한쪽이 CH₂인 경우의 메틸렌기의 수소 원자로부터 선택되는 1개 이상의 수소 원자를 의미한다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」의 구체예(구체예군 G3)로서는, 이하의 비치환된 알킬기(구체예군 G3A) 및 치환된 알킬기(구체예군 G3B)를 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알킬기란 「치환 혹은 비치환된 알킬기」가 「비치환된 알킬기」인 경우를 가리키고, 치환된 알킬기란 「치환 혹은 비치환된 알킬기」가 「치환된 알킬기」인 경우를 가리킨다.) 이하, 간단히 「알킬기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알킬기」와 「치환된 알킬기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알킬기」는, 「비치환된 알킬기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알킬기」(구체예군 G3A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 치환된 알킬기(구체예군 G3B)의 예 등을 들 수 있다. 본 명세서에 있어서, 「비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기는, 쇄상의 알킬기를 의미한다. 그 때문에, 「비치환된 알킬기」는, 직쇄인 「비치환된 알킬기」, 및 분기상인 「비치환된 알킬기」가 포함된다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 알킬기」의 예나 「치환된 알킬기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 알킬기」에는, 구체예군 G3B의 「치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기 자체의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 구체예군 G3B의 「치환된 알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 알킬기(구체예군 G3A):

메틸기,

에틸기,

n-프로필기,

아이소프로필기,

n-뷰틸기,

아이소뷰틸기,

s-뷰틸기, 및

t-뷰틸기.

· 치환된 알킬기(구체예군 G3B):

헵타플루오로프로필기(이성체를 포함한다),

펜타플루오로에틸기,

2,2,2-트라이플루오로에틸기, 및

트라이플루오로메틸기.

· 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」의 구체예(구체예군 G4)로서는, 이하의 비치환된 알켄일기(구체예군 G4A), 및 치환된 알켄일기(구체예군 G4B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알켄일기란 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」가 「비치환된 알켄일기」인 경우를 가리키고, 「치환된 알켄일기」란 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」가 「치환된 알켄일기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「알켄일기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알켄일기」와 「치환된 알켄일기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알켄일기」는, 「비치환된 알켄일기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알켄일기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알켄일기」(구체예군 G4A)이 치환기를 갖는 기, 및 치환된 알켄일기(구체예군 G4B)의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 알켄일기」의 예나 「치환된 알켄일기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 알켄일기」에는, 구체예군 G4B의 「치환된 알켄일기」에 있어서의 알켄일기 자체의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 구체예군 G4B의 「치환된 알켄일기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 알켄일기(구체예군 G4A):

바이닐기,

알릴기,

1-뷰텐일기,

2-뷰텐일기, 및

3-뷰텐일기.

· 치환된 알켄일기(구체예군 G4B):

1,3-뷰테인다이엔일기,

1-메틸바이닐기,

1-메틸알릴기,

1,1-다이메틸알릴기,

2-메틸알릴기, 및

1,2-다이메틸알릴기.

· 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」의 구체예(구체예군 G5)로서는, 이하의 비치환된 알킨일기(구체예군 G5A) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알킨일기란, 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」가 「비치환된 알킨일기」인 경우를 가리킨다.) 이하, 간단히 「알킨일기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알킨일기」와 「치환된 알킨일기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알킨일기」는, 「비치환된 알킨일기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알킨일기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알킨일기」(구체예군 G5A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 등을 들 수 있다.

· 비치환된 알킨일기(구체예군 G5A):

에틴일기

· 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」의 구체예(구체예군 G6)로서는, 이하의 비치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6 A), 및 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 사이클로알킬기란 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」가 「비치환된 사이클로알킬기」인 경우를 가리키고, 치환된 사이클로알킬기란 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」가 「치환된 사이클로알킬기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「사이클로알킬기」라고 하는 경우는, 「비치환된 사이클로알킬기」와 「치환된 사이클로알킬기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 사이클로알킬기」는, 「비치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 사이클로알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 사이클로알킬기」(구체예군 G6A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B)의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 사이클로알킬기」의 예나 「치환된 사이클로알킬기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 사이클로알킬기」에는, 구체예군 G6B의 「치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 사이클로알킬기 자체의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 구체예군 G6B의 「치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6A):

사이클로프로필기,

사이클로뷰틸기,

사이클로펜틸기,

사이클로헥실기,

1-아다만틸기,

2-아다만틸기,

1-노보닐기, 및

2-노보닐기.

· 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B):

4-메틸사이클로헥실기.

· 「-Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G7)로서는,

-Si(G1)(G1)(G1),

-Si(G1)(G2)(G2),

-Si(G1)(G1)(G2),

-Si(G2)(G2)(G2),

-Si(G3)(G3)(G3), 및

-Si(G6)(G6)(G6)

을 들 수 있다. 여기에서,

G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다.

G2는, 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」이다.

G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다.

G6은, 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」이다.

-Si(G1)(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G1)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G1)(G1)(G2)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G2)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G6)(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

· 「-O-(R₉₀₄)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G8)로서는,

-O(G1),

-O(G2),

-O(G3), 및

-O(G6)을 들 수 있다.

여기에서,

· 「-S-(R₉₀₅)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G9)로서는,

-S(G1),

-S(G2),

-S(G3), 및

-S(G6)을 들 수 있다.

여기에서,

· 「-N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G10)로서는,

-N(G1)(G1),

-N(G2)(G2),

-N(G1)(G2),

-N(G3)(G3), 및

-N(G6)(G6)을 들 수 있다.

여기에서,

-N(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

· 「할로젠 원자」

본 명세서에 기재된 「할로젠 원자」의 구체예(구체예군 G11)로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 플루오로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 플루오로알킬기」는, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기를 의미하고, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기(퍼플루오로기)도 포함한다. 「비치환된 플루오로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환된 플루오로알킬기」는, 「플루오로알킬기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 한편, 본 명세서에 기재된 「치환된 플루오로알킬기」에는, 「치환된 플루오로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 「치환된 플루오로알킬기」에 있어서의 치환기의 1개 이상의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다. 「비치환된 플루오로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 할로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 할로알킬기」는, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 적어도 1개의 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기를 의미하고, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 모든 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기도 포함한다. 「비치환된 할로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환된 할로알킬기」는, 「할로알킬기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 한편, 본 명세서에 기재된 「치환된 할로알킬기」에는, 「치환된 할로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기, 및 「치환된 할로알킬기」에 있어서의 치환기의 1개 이상의 수소 원자가 추가로 치환기로 치환된 기도 포함된다. 「비치환된 할로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다. 할로알킬기를 할로젠화 알킬기라고 칭하는 경우가 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 알콕시기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알콕시기」의 구체예로서는, -O(G3)으로 표시되는 기이며, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. 「비치환된 알콕시기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬싸이오기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬싸이오기」의 구체예로서는, -S(G3)으로 표시되는 기이며, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. 「비치환된 알킬싸이오기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴옥시기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴옥시기」의 구체예로서는, -O(G1)로 표시되는 기이며, 여기에서, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 「비치환된 아릴옥시기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30이며, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴싸이오기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴싸이오기」의 구체예로서는, -S(G1)로 표시되는 기이며, 여기에서, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 「비치환된 아릴싸이오기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30이며, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 트라이알킬실릴기」

본 명세서에 기재된 「트라이알킬실릴기」의 구체예로서는, -Si(G3)(G3)(G3)으로 표시되는 기이며, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. -Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다. 「트라이알킬실릴기」의 각 알킬기의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼20이며, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」의 구체예로서는, -(G3)-(G1)로 표시되는 기이며, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이고, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 따라서, 「아르알킬기」는, 「알킬기」의 수소 원자가 치환기로서의 「아릴기」로 치환된 기이며, 「치환된 알킬기」의 일 태양이다. 「비치환된 아르알킬기」는, 「비치환된 아릴기」가 치환된 「비치환된 알킬기」이며, 「비치환된 아르알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 7∼50이고, 바람직하게는 7∼30이며, 보다 바람직하게는 7∼18이다.

「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」의 구체예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 및 2-β-나프틸아이소프로필기 등을 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 아릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 페닐기, p-바이페닐기, m-바이페닐기, o-바이페닐기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o -터페닐-4-일기, o-터페닐-3-일기, o-터페닐-2-일기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 트라이페닐렌일기, 플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기, 9,9-다이메틸플루오렌일기, 및 9,9-다이페닐플루오렌일기 등이다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 헤테로환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 피리딜기, 피리미딘일기, 트라이아진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 퀴나졸린일기, 벤즈이미다졸릴기, 페난트롤린일기, 카바졸릴기(1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 또는 9-카바졸릴기), 벤조카바졸릴기, 아자카바졸릴기, 다이아자카바졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 아자다이벤조퓨란일기, 다이아자다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 다이아자다이벤조싸이오펜일기, (9-페닐)카바졸릴기((9-페닐)카바졸-1-일기, (9-페닐)카바졸-2-일기, (9-페닐)카바졸-3-일기, 또는 (9-페닐)카바졸-4-일기), (9-바이페닐릴)카바졸릴기, (9-페닐) 페닐카바졸릴기, 다이페닐카바졸-9-일기, 페닐카바졸-9-일기, 페닐트라이아진일기, 바이페닐릴트라이아진일기, 다이페닐트라이아진일기, 페닐다이벤조퓨란일기, 및 페닐다이벤조싸이오펜일기 등이다.

본 명세서에 있어서, 카바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 8]

본 명세서에 있어서, (9-페닐)카바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 9]

상기 일반식(TEMP-Cz1)∼(TEMP-Cz9) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 다이벤조퓨란일기, 및 다이벤조싸이오펜일기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 10]

상기 일반식(TEMP-34)∼(TEMP-41) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 알킬기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 및 t-뷰틸기 등이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 아릴기」로부터 아릴환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」의 구체예(구체예군 G12)로서는, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」로부터 아릴환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」의 구체예(구체예군 G13)로서는, 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」의 구체예(구체예군 G14)로서는, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 아릴렌기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-68)의 어느 하나의 기이다.

[화학식 11]

[화학식 12]

상기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, Q₁∼Q₁₀은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

상기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 13]

상기 일반식(TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, Q₁∼Q₁₀은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

식 Q₉ 및 Q₁₀은, 단일 결합을 개재시켜 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.

상기 일반식(TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 14]

상기 일반식(TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, Q₁∼Q₈은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

상기 일반식(TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식(TEMP-69)∼(TEMP-102)의 어느 하나의 기이다.

[화학식 15]

[화학식 16]

[화학식 17]

상기 일반식(TEMP-69)∼(TEMP-82) 중, Q₁∼Q₉는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

[화학식 18]

[화학식 19]

[화학식 20]

[화학식 21]

상기 일반식(TEMP-83)∼(TEMP-102) 중, Q₁∼Q₈은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

이상이, 「본 명세서에 기재된 치환기」에 대한 설명이다.

· 「결합하여 환을 형성하는 경우」

본 명세서에 있어서, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않는」이라고 하는 경우는, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우와, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우와, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하지 않는」 경우를 의미한다. 본 명세서에 있어서의, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 및 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우(이하, 이들 경우를 통틀어 「결합하여 환을 형성하는 경우」라고 칭하는 경우가 있다.)에 대해, 이하, 설명한다. 모골격이 안트라센환인 하기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물의 경우를 예로 하여 설명한다.

[화학식 22]

예를 들어, R₉₂₁∼R₉₃₀ 중의 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 환을 형성하는」 경우에 있어서, 1조가 되는 인접하는 2개로 이루어지는 조란, R₉₂₁과 R₉₂₂의 조, R₉₂₂와 R₉₂₃의 조, R₉₂₃과 R₉₂₄의 조, R₉₂₄와 R₉₃₀의 조, R₉₃₀과 R₉₂₅의 조, R₉₂₅와 R₉₂₆의 조, R₉₂₆과 R₉₂₇의 조, R₉₂₇과 R₉₂₈의 조, R₉₂₈과 R₉₂₉의 조, 및 R₉₂₉와 R₉₂₁의 조이다.

상기 「1조 이상」이란, 상기 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 2조 이상이 동시에 환을 형성해도 됨을 의미한다. 예를 들어, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 환 Q_A를 형성하고, 동시에 R₉₂₅와 R₉₂₆이 서로 결합하여 환 Q_B를 형성했을 경우는, 상기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은, 하기 일반식(TEMP-104)로 표시된다.

[화학식 23]

「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조」가 환을 형성하는 경우란, 전술한 예와 같이 인접하는 「2개」로 이루어지는 조가 결합하는 경우뿐만 아니라, 인접하는 「3개 이상」으로 이루어지는 조가 결합하는 경우도 포함한다. 예를 들어, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 환 Q_A를 형성하고, 또한, R₉₂₂와 R₉₂₃이 서로 결합하여 환 Q_C를 형성하고, 서로 인접하는 3개(R₉₂₁, R₉₂₂ 및 R₉₂₃)로 이루어지는 조가 서로 결합하여 환을 형성하여, 안트라센 모골격에 축합하는 경우를 의미하고, 이 경우, 상기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은, 하기 일반식(TEMP-105)로 표시된다. 하기 일반식(TEMP-105)에 있어서, 환 Q_A 및 환 Q_C는, R₉₂₂를 공유한다.

[화학식 24]

형성되는 「단환」, 또는 「축합환」은, 형성된 환만의 구조로서, 포화의 환이어도 불포화의 환이어도 된다. 「인접하는 2개로 이루어지는 조의 1조」가 「단환」, 또는 「축합환」을 형성하는 경우여도, 당해 「단환」, 또는 「축합환」은, 포화의 환, 또는 불포화의 환을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 일반식(TEMP-104)에 있어서 형성된 환 Q_A 및 환 Q_B는, 각각, 「단환」 또는 「축합환」이다. 또한, 상기 일반식(TEMP-105)에 있어서 형성된 환 Q_A, 및 환 Q_C는, 「축합환」이다. 상기 일반식(TEMP-105)의 환 Q_A와 환 Q_C는, 환 Q_A와 환 Q_C가 축합하는 것에 의해 축합환이 되고 있다. 상기 일반식(TEMP-104)의 환 Q_A가 벤젠환이면, 환 Q_A는, 단환이다. 상기 일반식(TEMP-104)의 환 Q_A가 나프탈렌환이면, 환 Q_A는, 축합환이다.

「불포화의 환」이란, 방향족 탄화수소환, 또는 방향족 헤테로환을 의미한다. 「포화의 환」이란, 지방족탄화수소환, 또는 비방향족 헤테로환을 의미한다.

방향족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G1에 있어서 구체예로서 들어진 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

방향족 헤테로환의 구체예로서는, 구체예군 G2에 있어서 구체예로서 들어진 방향족 헤테로환기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

지방족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G6에 있어서 구체예로서 들어진 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

「환을 형성하는」이란, 모골격의 복수의 원자만, 혹은 모골격의 복수의 원자와 추가로 1 이상의 임의의 원소로 환을 형성하는 것을 의미한다. 예를 들어, 상기 일반식(TEMP-104)에 나타내는, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 형성된 환 Q_A는, R₉₂₁이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R₉₂₂가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 1 이상의 임의의 원소로 형성하는 환을 의미한다. 구체예로서는, R₉₂₁과 R₉₂₂로 환 Q_A를 형성하는 경우에 있어서, R₉₂₁이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R₉₂₂가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 4개의 탄소 원자로 단환의 불포화의 환을 형성하는 경우, R₉₂₁과 R₉₂₂로 형성하는 환은, 벤젠환이다.

여기에서, 「임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는, 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 및 황 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 임의의 원소에 있어서(예를 들어, 탄소 원소, 또는 질소 원소의 경우), 환을 형성하지 않는 결합은, 수소 원자 등으로 종단되어도 되고, 후술하는 「임의의 치환기」로 치환되어도 된다. 탄소 원소 이외의 임의의 원소를 포함하는 경우, 형성되는 환은 헤테로환이다.

단환 또는 축합환을 구성하는 「1 이상의 임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 2개 이상 15개 이하이고, 보다 바람직하게는 3개 이상 12개 이하이며, 더 바람직하게는 3개 이상 5개 이하이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」, 및 「축합환」 중, 바람직하게는 「단환」이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「포화의 환」, 및 「불포화의 환」 중, 바람직하게는 「불포화의 환」이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」은, 바람직하게는 벤젠환이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「불포화의 환」은, 바람직하게는 벤젠환이다.

「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상」이, 「서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 또는 「서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는, 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 모골격의 복수의 원자와, 1개 이상 15개 이하의 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 및 황 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소로 이루어지는 치환 혹은 비치환된 「불포화의 환」을 형성한다.

상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 예를 들어 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.

상기의 「포화의 환」, 또는 「불포화의 환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 예를 들어 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.

이상이, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 및 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우(「결합하여 환을 형성하는 경우」)에 대한 설명이다.

· 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기

본 명세서에 있어서의 일 실시형태에 있어서는, 상기 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기(본 명세서에 있어서, 「임의의 치환기」라고 부르는 경우가 있다.)는, 예를 들어, 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기,

비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기,

비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기,

비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기,

-Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃),

-O-(R₉₀₄),

-S-(R₉₀₅),

-N(R₉₀₆)(R₉₀₇),

할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기,

비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및

비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기 등이며,

여기에서, R₉₀₁∼R₉₀₇은, 각각 독립적으로,

수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기,

치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기,

치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는

치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이다.

일 실시형태에 있어서는, 상기 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기는,

탄소수 1∼50의 알킬기,

환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및

환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이다.

탄소수 1∼18의 알킬기,

환형성 탄소수 6∼18의 아릴기, 및

환형성 원자수 5∼18의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이다.

상기 임의의 치환기의 각 기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기의 구체예이다.

본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 인접하는 임의의 치환기끼리로, 「포화의 환」, 또는 「불포화의 환」을 형성해도 되고, 바람직하게는, 치환 혹은 비치환된 포화의 5원환, 치환 혹은 비치환된 포화의 6원환, 치환 혹은 비치환된 불포화의 5원환, 또는 치환 혹은 비치환된 불포화의 6원환을 형성하고, 보다 바람직하게는, 벤젠환을 형성한다. 본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 임의의 치환기는, 추가로 치환기를 가져도 된다. 임의의 치환기가 추가로 갖는 치환기로서는, 상기 임의의 치환기와 마찬가지이다.

본 명세서에 있어서, 「AA∼BB」를 이용하여 표시되는 수치 범위는, 「AA∼BB」의 앞에 기재되는 수치 AA를 하한치로 하고, 「AA∼BB」의 뒤에 기재되는 수치 BB를 상한치로 하여 포함하는 범위를 의미한다.

이하, 본 발명의 화합물을 설명한다.

본 발명의 화합물은 상기 식(1)로 표시된다. 이하, 식(1) 및 식(1)에 포함되는 후술하는 각 식 중의 기호를 설명한다. 특별히 언급하지 않는 한, 동일한 기호는 동일한 의미를 갖는다.

식(1) 및 식(1)에 포함되는 후술하는 식으로 표시되는 본 발명의 화합물을 "발명 화합물"이라고 칭하는 경우가 있다.

[화학식 25]

N^*는 중심 질소 원자이다.

상기 R¹∼R⁴가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, 또는 t-뷰틸기이며, 보다 바람직하게는, 메틸기 또는 t-뷰틸기이다.

상기 R¹∼R⁴가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기는, 예를 들어, 페닐기, 바이페닐릴기, 바이페닐렌일기, 또는 나프틸기이고, 바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 혹은 1- 또는 2-나프틸기이며, 보다 바람직하게는, 페닐기이다.

R¹∼R⁴는, 모두 수소 원자여도 된다.

L¹∼L⁴는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 비치환된 환형성 탄소수 6∼30, 바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼12의 아릴렌기, 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13의 2가의 헤테로환기이다.

L¹∼L⁴는, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 단일 결합, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, L³이 단일 결합인 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 태양에 있어서, L⁴가 단일 결합인 것이 바람직하다.

상기 L¹∼L⁴가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기란, 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 얻어지는 2가의 기이다. 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기는, 예를 들어, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 바이페닐렌일기, 나프틸기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 피센일기, 펜타페닐기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오렌일기, 플루오란텐일기, 페릴렌일기, 또는 트라이페닐렌일기이고, 바람직하게는, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 또는, 나프틸기이며, 보다 바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-o-터페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-m-터페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-p-터페닐릴기, 혹은, 1- 또는 2-나프틸기이고, 더 바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 혹은, 1- 또는 2-나프틸기이며, 특히 바람직하게는, 페닐기이다.

상기 L¹∼L⁴가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기란, 비치환된 헤테로환기로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 얻어지는 2가의 기이다.

상기 L¹∼L⁴가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 방향족 헤테로환기는, 예를 들어, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 이미다조피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤조아이소싸이아졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 잔텐일기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기, 이하 동일), 아이소벤조싸이오펜일기(아이소벤조싸이엔일기, 이하 동일), 나프토벤조싸이오펜일기(나프토벤조싸이엔일기, 이하 동일), 다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기, 이하 동일), 또는 카바졸릴기이고, 바람직하게는, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 다이벤조싸이오펜일기, 또는 카바졸릴기(9-카바졸릴기, 또는, 1-, 2-, 3- 또는 4-카바졸릴기)이다.

Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30, 바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼12의 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13의 헤테로환기, 또는 하기 식(a)로 표시되는 기이다.

[화학식 26]

식(a) 중, *1은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30, 바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30, 바람직하게는 6∼25, 보다 바람직하게는 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30, 바람직하게는 5∼18, 보다 바람직하게는 5∼13의 헤테로환기이다. R^a와 R^b는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.

상기 R^a 및 R^b가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 또는 도데실기이고, 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 또는 펜틸기이며, 보다 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, 또는 t-뷰틸기이고, 더 바람직하게는, 메틸기 또는 t-뷰틸기이다.

상기 R^a 및 R^b가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세는, L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R^a 및 R^b가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기의 상세는, L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R^a 및 R^b에 의해 형성되는 비치환된 단환은, 예를 들어, 벤젠환, 사이클로펜테인환, 사이클로헥세인환이다.

R^a 및 R^b에 의해 형성되는 비치환된 축합환은, 예를 들어, 나프탈렌환, 안트라센환이다.

또한, R^a 및 R^b가, 서로 결합하여 비치환된 단환 또는 비치환된 축합환을 형성하는 경우, R^a 및 R^b는, 이것들이 결합하고 있는 플루오렌 골격과 함께 환 형성하여, 스파이로환을 형성해도 된다. 상기 스파이로환은 탄화수소환 또는 헤테로환이며, 단환, 축합환, 브리지(bridge)된 바이사이클로환, 브리지된 트라이사이클로환으로부터 선택된다. 치환 혹은 비치환된 스파이로환의 예를 이하에 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. *는 플루오렌 골격의 벤젠환에의 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 27]

R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이고, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이며,

상기 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸이 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸이 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기의 상세는, 환형성 원자수가 5∼13인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R^a와 R^b가 서로 결합하여, 플루오렌 골격의 9위의 탄소 원자와 함께 치환 혹은 비치환된 스파이로플루오렌환을 형성하는 경우, R²²∼R²⁷로부터 선택되는 1개가 *2에 결합하는 단일 결합이고,

L¹∼L⁴가 모두 단일 결합이고, Ar¹ 및 Ar²가 식(a)로 표시되는 기이고, 또한 R²² 또는 R²⁷이 *2에 결합하는 단일 결합인 경우, 2개의 R^a 및 2개의 R^b로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸의 모두가 수소 원자여도 된다.

Ar¹ 및 Ar²가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기의 상세는, 6원환만으로 이루어지는 아릴기인 것을 제외하고, L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

Ar¹ 및 Ar²가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기의 상세는, L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이며, 보다 바람직하게는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기이다.

Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 하기 식(1a)∼(1e) 중 어느 하나로 표시되는 기이며, 보다 바람직하게는, 하기 식(1a), (1b) 및 (1d) 중 어느 하나로 표시되는 기이다.

[화학식 28]

식(1a) 중, *21은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R¹⁰¹∼R¹¹⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 단, R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 1개는 *23에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않고,

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

상기 R¹⁰¹∼R¹¹⁰이 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹⁰¹∼R¹¹⁰이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

*22에 결합하는 단일 결합은 아니고, *23에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹¹⁰의 모두가 수소 원자여도 된다.

k는 0 또는 1이고, l은 0 또는 1이고, k＋l은 0∼2의 정수이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, k는 0, l은 0이다. 이 경우, *23이 *21을 나타내고, 식(1a)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 29]

본 발명의 다른 태양에 있어서, k는 1, l은 0이다. 이 경우, *23이 *22를 나타내고, 식(1a)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 30]

본 발명의 다른 태양에 있어서, k는 0, l은 1이다. 이 경우, *22가 *21을 나타내고, 식(1a)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 31]

본 발명의 다른 태양에 있어서, k는 1, l은 1이다. 이 경우, 식(1a)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 32]

본 발명의 일 태양에 있어서, k＋l은 1인 것이 바람직하다.

R¹¹¹∼R¹¹⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.

R¹¹¹∼R¹¹⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기의 상세는, 환형성 원자수가 5∼13인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R¹¹¹∼R¹¹⁵의 모두가 수소 원자여도 된다.

식(1a)로 표시되는 기는, 바람직하게는 하기 식으로 표시된다. 하기 식에 있어서 R은 간략화를 위해서 생략했다.

[화학식 33]

식(1b)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 34]

식(1b) 중,

*24는 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R¹²¹∼R¹²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

단, R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *25에 결합하는 단일 결합이고, 상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

상기 R¹²¹∼R¹²⁸이 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹²¹∼R¹²⁸이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R¹²¹이 *25에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하고, 다른 태양에 있어서는 R¹²²가 *25에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하다.

*25에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸의 모두가 수소 원자여도 된다.

식(1c)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 35]

식(1c) 중,

*26은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R¹³¹∼R¹⁴⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

단, R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개는 *27에 결합하는 단일 결합이고, 상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

상기 R¹³¹∼R¹⁴⁰이 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹³¹∼R¹⁴⁰이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R¹³¹, R¹³² 및 R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개가 *27에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하다. 본 발명의 일 태양에 있어서는 R¹³¹이, 다른 태양에 있어서는 R¹³²가, 추가로 다른 태양에 있어서는 R¹⁴⁰이 *27에 결합하는 단일 결합이다.

*27에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰의 모두가 수소 원자여도 된다.

식(1d)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 36]

식(1d) 중,

*26은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

X²는 산소 원자, 황 원자, 또는 NR^A이다.

X²는, 바람직하게는, 산소 원자 또는 NR^A이다.

R^A는 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

상기 R^A가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R^A가 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R¹⁴¹∼R¹⁴⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다. 단, 상기 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 R^A로부터 선택되는 1개는 *29에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

상기 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸이 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세는, 환형성 탄소수가 6∼12인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

상기 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸이 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기의 상세는, 환형성 원자수가 5∼13인 것을 제외하고 L¹∼L⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

*29에 결합하는 단일 결합은 아닌, R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 R^A의 모두가 수소 원자여도 된다.

X²가 산소 원자 또는 황 원자인 경우, 바람직하게는 R¹⁴¹∼R¹⁴⁴로부터 선택되는 1개가 *29에 결합하는 단일 결합이다.

X²가 NR^A인 경우, 바람직하게는 R¹⁴¹∼R¹⁴⁴ 및 R^A로부터 선택되는 1개가 *29에 결합하는 단일 결합이다.

R^A는, *29에 결합하는 단일 결합, 비치환된 페닐기, 또는 나프틸기인 것이 특히 바람직하다.

식(1e)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 37]

식(1e) 중,

*30은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.

R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 페닐기이다.

단, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 1개는 *31에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 다른 1개는 *32에 결합하는 단일 결합이다.

*31에 결합하는 단일 결합은 아니고, *32에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

상기 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

*31에 결합하는 단일 결합은 아니고, 또한, *32에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵의 모두가 수소 원자여도 된다.

R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기이다.

단, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 되고,

R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

상기 R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵가 나타내는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기의 상세는, R¹∼R⁴에 관해서 기재한 바와 같다.

R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵의 모두가 수소 원자여도 된다.

식(1e)는 하기 식(1e-1)∼(1e-5)로 표시되는 기를 포함하고, 식(1e-1), (1e-2) 또는 (1e-4)가 바람직하다.

[화학식 38]

Ar³은, 하기 식(x)으로 표시되는 기이다.

[화학식 39]

식(x) 중,

*3은 L⁴에의 결합 위치이다.

R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸은, 각각 독립적으로, 바람직하게는 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이며, 더 바람직하게는 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼12의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이고, 보다 더 바람직하게는 수소 원자이다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 할로젠 원자의 상세는 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에 있어서 기재한 바와 같으며, 바람직하게는 불소 원자이다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세는 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 비치환된 알킬기는, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, 또는 t-뷰틸기이고, 보다 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 아이소프로필기, 또는 t-뷰틸기이며, 더 바람직하게는 메틸기 또는 t-뷰틸기이다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 2∼50의 알켄일기의 상세는 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 2∼50의 알킨일기의 상세는 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세는 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 상기 비치환된 사이클로알킬기는, 바람직하게는 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 또는 2-노보닐기이며, 보다 바람직하게는 사이클로펜틸기, 또는 사이클로헥실기이다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃), 상기-O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기, 및 -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기의 상세는, 「본 명세서에 기재된 치환기」에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세는, 「본 명세서에 기재된 치환기」에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R¹∼R⁸ 및 R¹¹∼R¹⁸이 나타내는 비치환된 아릴기는, 바람직하게는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기이고, 보다 바람직하게는 페닐기, 바이페닐기, 또는 나프틸기이며, 더 바람직하게는 페닐기이다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세는, 「본 명세서에 기재된 치환기」에 있어서 기재한 바와 같다.

상기 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 비치환된 헤테로환기는, 바람직하게는 다이벤조퓨란일기, 또는 다이벤조싸이오펜일기이다.

m은 0 또는 1이고, n은 0 또는 1이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 바람직하게는, m은 0이다.

본 발명의 다른 태양에 있어서, 바람직하게는, n은 0이다.

본 발명의 추가로 다른 태양에 있어서, 바람직하게는, m이 0이고 n은 0이다.

m이 0이고 n이 1일 때, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³³, 및 R³⁶∼R³⁸로부터 선택되는 1개가 *4에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹ 및 R³², 및 R³⁷ 및 R³⁸로부터 선택되는 1개가 *4에 결합하는 단일 결합인 것이 보다 바람직하고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³² 또는 R³⁷이 *4에 결합하는 단일 결합인 것이 더 바람직하다.

X¹은, 산소 원자 또는 황 원자이다.

X¹은, 바람직하게는 산소 원자이다.

상기한 바와 같이, 본 명세서에 있어서 사용하는 「수소 원자」는 경수소 원자, 중수소 원자, 및 삼중수소 원자를 포함한다. 따라서, 발명 화합물은 천연 유래의 중수소 원자를 포함하고 있어도 된다.

또한, 원료 화합물의 일부 또는 모두에 중수소화한 화합물을 사용하는 것에 의해, 화합물(1)에 중수소 원자를 의도적으로 도입해도 된다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 화합물(1)은 적어도 1개의 중수소 원자를 포함한다. 즉, 발명 화합물은, 식(1)로 표시되는 화합물로서, 해당 화합물에 포함되는 수소 원자의 적어도 1개가 중수소 원자인 화합물이어도 된다.

하기의 수소 원자로부터 선택되는 적어도 1개의 수소 원자가 중수소 원자여도 된다. 한편, 이하에 있어서 "치환 혹은 비치환", 탄소수 및 원자수는 생략했다.

식(1)의 R¹∼R⁴가 나타내는 수소 원자;

식(1)의 R¹∼R⁴가 알킬기, 또는 아릴기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자;

식(1)의 L¹∼L⁴가 아릴렌기, 또는 2가의 헤테로환기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자;

식(1)의 Ar¹ 및 Ar²가 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 또는 헤테로환기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자;

식(a)의 R^a 및 R^b가 나타내는 수소 원자;

식(a)의 R^a 및 R^b가 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자;

식(a)의 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸이 나타내는 수소 원자;

식(a)의 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸이 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자;

식(x)의 *a∼*f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 나타내는 수소 원자;

식(x)의 *a∼*f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸이 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기, -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기, 아릴기 또는 헤테로환기인 경우, 이들이 갖는 수소 원자.

발명 화합물의 중수소화율은, 사용하는 원료 화합물의 중수소화율에 의존한다. 소정의 중수소화율의 원료를 이용했다고 해도, 천연 유래의 일정한 비율로 경수소 동위체가 포함될 수 있다. 따라서, 하기에서 나타나는 발명 화합물의 중수소화율의 태양은, 단순히 화학식으로 표시되는 중수소 원자의 수를 카운트하여 구해지는 비율에 대해, 천연 유래의 미량의 동위체를 고려한 비율이 포함된다.

발명 화합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상이다.

발명 화합물은, 중수소화된 화합물과 중수소화되어 있지 않은 화합물을 포함하는 혼합물, 상이한 중수소화율을 갖는 2 이상의 화합물의 혼합물이어도 된다. 이와 같은 혼합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상, 또한, 100% 미만이다.

또한, 발명 화합물중의 전체 수소 원자수에 대한 중수소 원자수의 비율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 또한, 100% 이하이다.

상기 각 식의 정의에 포함되는 「치환 혹은 비치환된 XX기」가 치환 XX기인 경우, 해당 치환기의 상세는, 「「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기」에 있어서 기재한 바와 같으며, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 환형성 원자수 5∼13의 방향족 헤테로환기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 각 기의 상세는 상기한 바와 같다.

발명 화합물은, 당업자이면, 하기 합성예 및 공지된 합성 방법을 참고로 하여 용이하게 제조할 수 있다.

이하에 발명 화합물의 구체예를 나타내지만, 이하의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, D는 중수소 원자를 나타낸다.

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유기 EL 소자용 재료

본 발명의 유기 EL 소자용 재료는 발명 화합물을 포함한다. 유기 EL 소자용 재료에 있어서의 발명 화합물의 함유량은, 1질량% 이상(100%를 포함한다)이며, 10질량% 이상(100%를 포함한다)인 것이 바람직하고, 50질량% 이상(100%를 포함한다)인 것이 보다 바람직하고, 80질량% 이상(100%를 포함한다)인 것이 더 바람직하고, 90질량% 이상(100%를 포함한다)인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 유기 EL 소자용 재료는, 유기 EL 소자의 제조에 유용하다.

유기 EL 소자

본 발명의 유기 EL 소자는 양극, 음극, 및 해당 양극과 음극 사이에 배치된 유기층을 포함한다. 해당 유기층은 발광층을 포함하고, 해당 유기층의 적어도 1층이 발명 화합물을 포함한다.

발명 화합물이 포함되는 유기층의 예로서는, 양극과 발광층 사이에 마련되는 정공 수송 대역(정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 여기자 저지층 등), 발광층, 스페이스층, 음극과 발광층 사이에 마련되는 전자 수송 대역(전자 주입층, 전자 수송층, 정공 저지층 등) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 발명 화합물은 바람직하게는 형광 또는 인광 EL 소자의 정공 수송 대역 또는 발광층의 재료, 보다 바람직하게는 정공 수송 대역의 재료, 더 바람직하게는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 또는 여기자 저지층의 재료, 특히 바람직하게는 정공 주입층 또는 정공 수송층의 재료로서 이용된다.

본 발명의 유기 EL 소자는, 형광 또는 인광 발광형의 단색 발광 소자여도, 형광/인광 하이브리드형의 백색 발광 소자여도 되고, 단독의 발광 유닛을 갖는 심플형이어도, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤형이어도 되고, 그 중에서도, 형광 발광형의 소자인 것이 바람직하다. 여기에서, 「발광 유닛」이란, 유기층을 포함하고, 그 중의 적어도 1층이 발광층이며, 주입된 정공과 전자가 재결합하는 것에 의해 발광하는 최소 단위를 말한다.

예를 들어, 심플형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.

(1) 양극/발광 유닛/음극

또한, 상기 발광 유닛은, 인광 발광층이나 형광 발광층을 복수 갖는 다층형이어도 되고, 그 경우, 각 발광층 사이에, 인광 발광층에서 생성된 여기자가 형광 발광층에 확산하는 것을 막을 목적으로, 스페이스층을 갖고 있어도 된다. 심플형 발광 유닛의 대표적인 층 구성을 이하에 나타낸다. 괄호 내의 층은 임의이다.

(a) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(b) (정공 주입층/) 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(c) (정공 주입층/)정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(d) (정공 주입층/)정공 수송층/제1 인광 발광층/제2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(e) (정공 주입층/)정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(f) (정공 주입층/)정공 수송층/전자 저지층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(g) (정공 주입층/)정공 수송층/여기자 저지층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(h) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(i) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/제 1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

(j) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층/정공 저지층/전자 수송층(/전자 주입층)

(k) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층/여기자 저지층/전자 수송층(/전자 주입층)

(l) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

(m) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제3 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

(n) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제3 정공 수송층/형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

상기 각 인광 또는 형광 발광층은, 각각 서로 상이한 발광색을 나타내는 것으로 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 발광 유닛(f)에 있어서, (정공 주입층/)정공 수송층/제1 인광 발광층(적색 발광)/제2 인광 발광층(녹색 발광)/스페이스층/형광 발광층(청색 발광)/전자 수송층과 같은 층 구성 등을 들 수 있다.

한편, 각 발광층과 정공 수송층 혹은 스페이스층 사이에는, 적절히, 전자 저지층을 마련해도 된다. 또한, 각 발광층과 전자 수송층 사이에는, 적절히, 정공 저지층을 마련해도 된다. 전자 저지층이나 정공 저지층을 마련함으로써, 전자 또는 정공을 발광층 내에 가두어, 발광층에 있어서의 전하의 재결합 확률을 높여, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

탠덤형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.

(2) 양극/제1 발광 유닛/중간층/제2 발광 유닛/음극

여기에서, 상기 제 1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛으로서는, 예를 들어, 각각 독립적으로 전술한 발광 유닛으로부터 선택할 수 있다.

상기 중간층은, 일반적으로, 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층이라고도 불리고, 제1 발광 유닛에 전자를, 제2 발광 유닛에 정공을 공급하는, 공지된 재료 구성을 이용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 구성의 일례를 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(1)은, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(10)을 갖는다. 발광 유닛(10)은, 발광층(5)을 갖는다. 발광층(5)과 양극(3) 사이에 정공 수송 대역(6)(정공 주입층, 정공 수송층 등), 발광층(5)과 음극(4) 사이에 전자 수송 대역(7)(전자 주입층, 전자 수송층 등)을 갖는다. 또한, 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 저지층(도시하지 않음)을, 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 저지층(도시하지 않음)을, 각각 마련해도 된다. 이것에 의해, 전자나 정공을 발광층(5)에 가두어, 발광층(5)에 있어서의 여기자의 생성 효율을 더 높일 수 있다.

도 2는, 본 발명의 유기 EL 소자의 다른 구성을 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(11)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(20)을 갖는다. 발광 유닛(20)은, 발광층(5)을 갖는다. 양극(3)과 발광층(5) 사이에 배치된 정공 수송 대역은, 정공 주입층(6a), 제 1 정공 수송층(6b) 및 제2 정공 수송층(6c)으로부터 형성되어 있다. 또한, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 배치된 전자 수송 대역은, 제1 전자 수송층(7a) 및 제2 전자 수송층(7b)으로부터 형성되어 있다.

도 3은, 본 발명의 유기 EL 소자의 다른 구성을 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(12)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(30)을 갖는다. 발광 유닛(30)은, 발광층(5)을 갖는다. 양극(3)과 발광층(5) 사이에 배치된 정공 수송 대역은, 정공 주입층(6a), 제 1 정공 수송층(6b), 제2 정공 수송층(6c), 및 제3 정공 수송층(6d)으로부터 형성되어 있다. 또한, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 배치된 전자 수송 대역은, 제 1 전자 수송층(7a) 및 제2 전자 수송층(7b)으로부터 형성되어 있다.

한편, 본 발명에 있어서, 형광 도펀트 재료(형광 발광 재료)와 조합된 호스트를 형광 호스트라고 칭하고, 인광 도펀트 재료와 조합된 호스트를 인광 호스트라고 칭한다. 형광 호스트와 인광 호스트는 분자 구조만에 의해 구분되는 것은 아니다. 즉, 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 형성하는 재료를 의미하고, 형광 발광층을 형성하는 재료로서 이용할 수 없음을 의미하고 있는 것은 아니다. 형광 호스트에 대해서도 마찬가지이다.

기판

기판은, 유기 EL 소자의 지지체로서 이용된다. 기판으로서는, 예를 들어, 유리, 석영, 플라스틱 등의 판을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용해도 된다. 가요성 기판으로서는, 예를 들어, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에터설폰, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리불화 바이닐, 폴리염화 바이닐로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 또한, 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다.

양극

기판 상에 형성되는 양극에는, 일함수가 큰(구체적으로는 4.0eV 이상) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 산화 인듐-산화 주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 혹은 산화 규소를 함유한 산화 인듐-산화 주석, 산화 인듐-산화 아연, 산화 텅스텐 및 산화 아연을 함유한 산화 인듐, 그래펜 등을 들 수 있다. 이 외에, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 타이타늄(Ti), 또는 상기 금속의 질화물(예를 들어, 질화 타이타늄) 등을 들 수 있다.

이들 재료는, 통상, 스퍼터링법에 의해 성막된다. 예를 들어, 산화 인듐-산화 아연은, 산화 인듐에 대해 1∼10wt%의 산화 아연을 가한 타겟을, 산화 텅스텐 및 산화 아연을 함유한 산화 인듐은, 산화 인듐에 대해 산화 텅스텐을 0.5∼5wt%, 산화 아연을 0.1∼1wt% 함유한 타겟을 이용하는 것에 의해, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 그 외, 진공 증착법, 도포법, 잉크젯법, 스핀 코팅법 등에 의해 제작해도 된다.

정공 수송 대역

전술한 바와 같이, 상기 유기층이 상기 양극과 상기 발광층 사이에 정공 수송 대역을 포함하고 있어도 된다. 정공 수송 대역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 등으로 구성된다. 정공 수송 대역이 발명 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 정공 수송층을 구성하는 이들 층 중 적어도 1개의 층에 발명 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 특히 정공 수송층에 발명 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.

양극에 접하여 형성되는 정공 주입층은, 양극의 일함수에 관계없이 정공 주입이 용이한 재료를 이용하여 형성되기 때문에, 전극 재료로서 일반적으로 사용되는 재료(예를 들어, 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소)를 이용할 수 있다. 일함수가 작은 재료인, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들어, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 이용할 수도 있다. 한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금을 이용하여 양극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 더욱이, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.

정공 주입층

정공 주입층은, 정공 주입성이 높은 재료(정공 주입성 재료)를 포함하는 층이고, 양극과 발광층 사이, 또는, 존재하는 경우에는, 정공 수송층과 양극 사이에 형성된다.

발명 화합물 이외의 정공 주입성 재료로서는, 몰리브데넘 산화물, 타이타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크로뮴 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등을 이용할 수 있다.

저분자의 유기 화합물인 4,4',4''-트리스(N, N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)바이페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등도 정공 주입층 재료로서 들 수 있다.

고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스타이렌설폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.

더욱이, 하기 식(K)로 표시되는 헥사아자트라이페닐렌(HAT) 화합물 등의 억셉터 재료를 이용하는 것도 바람직하다.

[화학식 358]

(상기 식 중, R²²¹∼R²²⁶은, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH₂, 카복실기, 또는 -COOR²²⁷(R²²⁷은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기를 나타낸다)을 나타낸다. 또한, R²²¹ 및 R²²², R²²³ 및 R²²⁴, 및 R²²⁵ 및 R²²⁶으로부터 선택되는 인접하는 2개가 서로 결합하여 -CO-O-CO-로 나타나는 기를 형성해도 된다.)

R²²⁷로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.

정공 수송층

정공 수송층은, 정공 수송성이 높은 재료(정공 수송성 재료)를 포함하는 층이고, 양극과 발광층 사이, 또는, 존재하는 경우에는, 정공 주입층과 발광층 사이에 형성된다. 발명 화합물을 단독으로 또는 하기의 화합물과 조합하여 정공 수송층에 이용해도 된다.

정공 수송층은, 단층 구조여도 되고, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조여도 된다. 예를 들어, 정공 수송층은 제1 정공 수송층(양극측)과 제2 정공 수송층(음극측)을 포함하는 2층 구조여도 된다. 즉, 상기 정공 수송 대역이 양극측의 제1 정공 수송층과 음극측의 제2 정공 수송층을 포함하고 있어도 된다. 또한, 정공 수송층은 양극측으로부터 순차로 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층과 제3 정공 수송층을 포함하는 3층 구조여도 된다. 즉, 제2 정공 수송층과 발광층 사이에, 제3 정공 수송층이 배치되어 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 정공 수송층은 발광층에 인접하고 있는 것이 바람직하고, 또한, 상기 다층 구조 중의 가장 음극에 가까운 정공 수송층, 예를 들어, 상기 2층 구조의 제2 정공 수송층이나 상기 3층 구조의 제3 정공 수송층은 발광층에 인접하고 있는 것이 바람직하다. 본 발명의 다른 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 정공 수송층과 발광층 사이에, 또는, 상기 다층 구조 중의 가장 발광층에 가까운 정공 수송층과 발광층 사이에, 후술하는 전자 저지층 등을 개재시켜도 된다.

정공 수송층이 2층 구조인 경우, 제1 정공 수송층 및 제2 정공 수송층 중 적어도 한쪽이 발명 화합물을 포함한다. 즉, 발명 화합물은 제1 정공 수송층만, 제2 정공 수송층만, 또는 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 쌍방에 포함된다. 본 발명의 일 태양에 있어서는, 발명 화합물이 제2 정공 수송층에 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 발명 화합물이 제2 정공 수송층에만 포함되거나, 발명 화합물이 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층에 포함되는 것이 바람직하다.

정공 수송층이 3층 구조인 경우, 제1∼제3 정공 수송층 중 적어도 1개가 발명 화합물을 포함한다. 즉, 발명 화합물은 제1∼제3 정공 수송층으로부터 선택되는 1층만(제1 정공 수송층만, 제2 정공 수송층만, 또는 제3 정공 수송층만), 제1∼제3 정공 수송층으로부터 선택되는 2층만(제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층만, 제1 정공 수송층과 제3 정공 수송층만, 또는 제2 정공 수송층과 제3 정공 수송층만), 또는 제1∼제3 정공 수송층의 모든 층에 포함된다.

본 발명의 일 태양에 있어서는, 발명 화합물이 제3 정공 수송층에 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 발명 화합물이 제3 정공 수송층에만 포함되거나, 발명 화합물이 제3 정공 수송층 및 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방에 포함되는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 각 정공 수송층에 포함되는 발명 화합물은, 제조 비용의 관점에서, 경수소체인 것이 바람직하다. 상기 경수소체란, 발명 화합물 중의 모든 수소 원자가 경수소 원자인 발명 화합물이다.

따라서, 본 발명은, 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방(2층 구조의 경우), 제1∼제3 정공 수송층 중 적어도 1개가 실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 발명 화합물을 포함하는 유기 EL 소자를 포함한다. 「실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 발명 화합물」이란, 발명 화합물의 총량에 대한 경수소체의 함유 비율이, 90몰% 이상, 바람직하게는 95몰% 이상, 보다 바람직하게는 99몰% 이상(각각 100%를 포함한다)인 것을 의미한다.

발명 화합물 이외의 정공 수송층 재료로서는, 예를 들어, 방향족 아민 화합물, 카바졸 유도체, 안트라센 유도체 등을 사용할 수 있다. 방향족 아민 화합물로서는, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BAFLP), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4',4"-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 및, 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB)을 들 수 있다. 상기 화합물은, 10^-6cm²/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는다.

카바졸 유도체로서는, 예를 들어, 4,4'-다이(9-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 9-[4-(9-카바졸릴)페닐]-10-페닐안트라센(약칭: CzPA), 및, 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA)을 들 수 있다.

안트라센 유도체로서는, 예를 들어, 2-t-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 및, 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth)을 들 수 있다.

폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.

단, 전자 수송성보다도 정공 수송성이 높은 화합물이면, 상기 이외의 화합물을 이용해도 된다.

본 발명의 2층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층이, 하기 식(11) 또는 식(12)로 표시되는 1종 또는 복수종의 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 3층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방이 하기 식(11) 또는 (12)로 표시되는 1종 또는 복수종의 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 n층 구조(n은 4 이상의 정수)의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층∼제(n-1) 정공 수송층의 적어도 1층이 하기 식(11) 또는 식(12)로 표시되는 1종 또는 복수종의 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 359]

상기 식(11) 및 식(12) 중,

L^A1, L^B1, L^C1, L^A2, L^B2, L^C2 및 L^D2는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이고,

k는, 1, 2, 3 또는 4이고,

k가 1인 경우, L^E2는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이고,

k가 2, 3 또는 4인 경우, 2, 3 또는 4개의 L^E2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

k가 2, 3 또는 4인 경우, 복수의 L^E2는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

상기 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 축합환을 형성하지 않는 L^E2는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이고,

A¹, B¹, C¹, A², B², C², 및 D²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 또는 -Si(R'₉₀₁)(R'₉₀₂)(R'₉₀₃)이고,

R'₉₀₁, R'₉₀₂ 및 R'₉₀₃은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,

R'₉₀₁이 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R'₉₀₂가 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R'₉₀₃이 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.]

식(11) 및 식(12)에 있어서, A¹, B¹, C¹, A², B², C², 및 D²는, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 페닐렌기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐기, 치환 혹은 비치환된 터페닐기, 치환 혹은 비치환된 나프틸기, 치환 혹은 비치환된 플루오렌일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조퓨란일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조싸이오펜일기, 및, 치환 혹은 비치환된 카바졸릴기로부터 선택된다.

또한, 보다 바람직하게는, 식(11)에 있어서, A¹, B¹ 및 C¹ 중 적어도 1개, 및, 식(12)에 있어서, A², B², C² 및 D² 중 적어도 1개가, 치환 혹은 비치환된 바이페닐기, 치환 혹은 비치환된 터페닐기, 치환 혹은 비치환된 나프틸기, 치환 혹은 비치환된 플루오렌일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조퓨란일기, 또는, 치환 혹은 비치환된 다이벤조싸이오펜일기, 치환 혹은 비치환된 카바졸릴기이다.

A¹, B¹, C¹, A², B², C², 및 D²가 취할 수 있는 플루오렌일기는, 9위에 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어, 9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기여도 된다. 또한, 9위의 치환기끼리로 환을 형성하고 있어도 되고, 예를 들어, 9위의 치환기끼리로 플루오렌 골격이나 잔텐 골격을 형성해도 된다.

L^A1, L^B1, L^C1, L^A2, L^B2, L^C2 및 L^D2는, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴렌기이다.

식(11) 및 식(12)로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 예를 들어, 이하의 화합물을 들 수 있다.

[화학식 360]

발광층의 도펀트 재료

발광층은, 발광성의 높은 재료(도펀트 재료)를 포함하는 층이고, 여러 가지 재료를 이용할 수 있다. 예를 들어, 형광 발광 재료나 인광 발광 재료를 도펀트 재료로서 이용할 수 있다. 형광 발광 재료는 일중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이며, 인광 발광 재료는 삼중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이다.

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 발광층은 단일한 층이다.

또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 다른 일 태양에 있어서, 발광층은 제1 발광층과 제2 발광층을 포함한다.

발광층에 이용할 수 있는 청색계의 형광 발광 재료로서, 피렌 유도체, 스타이릴아민 유도체, 크라이센 유도체, 플루오란텐 유도체, 플루오렌 유도체, 다이아민 유도체, 트라이아릴아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 형광 발광 재료로서, 방향족 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭 : 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 적색계의 형광 발광 재료로서, 테트라센 유도체, 다이아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 발광층이 형광 발광 재료(형광 도펀트 재료)를 포함하는 것이 바람직하다.

발광층에 이용할 수 있는 청색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스[2-(3',5'비스 트라이플루오로메틸페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: FIracac) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체 등이 사용된다. 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-다이페닐-1H-벤즈이미다졸레이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 적색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 테르븀 착체, 유로퓸 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]싸이엔일)피리디네이토-N,C3']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기금속 착체를 들 수 있다.

또한, 트리스(아세틸아세토네이트)(모노페난트롤린)테르븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-텐오일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는, 희토류 금속 이온으로부터의 발광(상이한 다중도 사이의 전자 전이)이기 때문에, 인광 발광 재료로서 이용할 수 있다.

발광층의 호스트 재료

발광층은, 전술한 도펀트 재료를 다른 재료(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 해도 된다. 도펀트 재료보다도 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 재료를 이용하는 것이 바람직하다.

호스트 재료로서는, 예를 들어

(1)알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 또는 아연 착체 등의 금속 착체,

(2) 옥사다이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 또는 페난트롤린 유도체 등의 헤테로환 화합물,

(3)카바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 또는 크라이센 유도체 등의 축합 방향족 화합물,

(4) 트라이아릴아민 유도체 또는 축합 다환 방향족 아민 유도체 등의 방향족 아민 화합물이 사용된다.

예를 들어, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III) (약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체;

2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 헤테로환 화합물;

9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이피렌(약칭: TPB3), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크라이센 등의 축합 방향족 화합물; 및

N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물을 이용할 수 있다. 호스트 재료는 복수종 이용해도 된다.

특히, 청색 형광 소자의 경우에는, 하기의 안트라센 화합물을 호스트 재료로서 이용하는 것이 바람직하다.

[화학식 361]

[화학식 362]

[화학식 363]

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 발광층이 제1 발광층과 제2 발광층을 포함하는 경우, 제1 발광층을 구성하는 성분 중 적어도 1개가 제2 발광층을 구성하는 성분과는 상이하다. 예를 들어, 제1 발광층에 포함되는 도펀트 재료가 제2 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 상이한 태양이나, 제1 발광층에 포함되는 호스트 재료가 제2 발광층에 포함되는 호스트 재료와 상이한 태양을 들 수 있다.

본 발명의 유기 EL 소자에 있어서, 발광층은, 주 피크 파장이 500nm 이하인 형광 발광을 나타내는 발광성 화합물(이하, 간단히 "형광 발광성 화합물"로 칭하는 경우도 있다)을 함유하고 있어도 된다.

화합물의 주 피크 파장의 측정 방법은, 다음과 같다. 측정 대상이 되는 화합물의 5μmol/L 톨루엔 용액을 조제하여 석영 셀에 넣고, 상온(300K)에서 이 시료의 발광 스펙트럼(세로축: 발광 강도, 가로축: 파장으로 한다.)을 측정한다. 발광 스펙트럼은, 주식회사 히타치 하이테크 사이언스제의 분광 형광 광도계(장치명: F-7000)에 의해 측정할 수 있다. 한편, 발광 스펙트럼 측정 장치는, 여기에서 이용한 장치로 한정되지 않는다.

발광 스펙트럼에 있어서, 발광 강도가 최대가 되는 발광 스펙트럼의 피크 파장을 주 피크 파장으로 한다. 한편, 본 명세서에 있어서, 주 피크 파장을 형광 발광 주 피크 파장(FL-peak)이라고 칭하는 경우가 있다.

상기 형광 발광성 화합물은, 상기 도펀트 재료여도 되고, 상기 호스트 재료여도 된다.

발광층이 단일한 층인 경우, 도펀트 재료와 호스트 재료 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다.

또한, 발광층이 제1 발광층(양극측)과 제2 발광층(음극측)을 포함하는 경우, 제1 발광층과 제2 발광층 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하고 있어도 되고, 양쪽의 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하고 있어도 된다. 제1 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하는 경우, 제1 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 호스트 재료 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다. 또한, 제2 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하는 경우, 제2 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 호스트 재료 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다.

전자 수송층

전자 수송층은 전자 수송성이 높은 재료(전자 수송성 재료)를 포함하는 층이고, 발광층과 음극 사이, 또는, 존재하는 경우는, 전자 주입층과 발광층 사이에 형성된다.

전자 수송층은, 단층 구조여도 되고, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조여도 된다. 예를 들어, 전자 수송층은 제1 전자 수송층(양극측)과 제2 전자 수송층(음극측)을 포함하는 2층 구조여도 된다. 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 전자 수송층은 발광층에 인접하고 있는 것이 바람직하고, 또한, 상기 다층 구조중의 가장 양극에 가까운 전자 수송층, 예를 들어, 상기 2층 구조의 제1 전자 수송층은 발광층에 인접하고 있는 것이 바람직하다. 본 발명의 다른 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 전자 수송층과 발광층 사이에, 또는, 상기 다층 구조중의 가장 발광층에 가까운 전자 수송층과 발광층 사이에, 후술하는 정공 저지층 등을 개재시켜도 된다.

전자 수송층에는, 예를 들어,

(1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 아연 착체 등의 금속 착체,

(2) 이미다졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 아진 유도체, 카바졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등의 헤테로방향족 화합물,

(3) 고분자 화합물을 사용할 수 있다.

금속 착체로서는, 예를 들어, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ)을 들 수 있다.

헤테로방향족 화합물로서는, 예를 들어, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(ptert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs)을 들 수 있다.

고분자 화합물로서는, 예를 들어, 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy)을 들 수 있다.

상기 재료는, 10^-6cm²/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 재료이다. 한편, 정공 수송성보다 전자 수송성의 높은 재료이면, 상기 이외의 재료를 전자 수송층에 이용해도 된다.

전자 주입층

전자 주입층은, 전자 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 전자 주입층에는, 리튬(Li), 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속, 및 이들 금속을 포함하는 화합물을 이용할 수 있다. 그와 같은 화합물로서는, 예를 들어, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 할로젠화물, 알칼리 금속 함유 유기 착체, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 할로젠화물, 알칼리 토류 금속 함유 유기 착체, 희토류 금속 산화물, 희토류 금속 할로젠화물, 및 희토류 금속 함유 유기 착체를 들 수 있다. 또한, 이들 화합물을 복수 혼합하여 이용할 수도 있다.

그 외, 전자 수송성을 갖는 재료에 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 또는 그들의 화합물을 함유시킨 것, 구체적으로는 Alq 중에 마그네슘(Mg)을 함유시킨 것 등을 이용해도 된다. 한편, 이 경우에는, 음극으로부터의 전자 주입을 보다 효율 좋게 행할 수 있다.

혹은, 전자 주입층에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 이용해도 된다. 이와 같은 복합 재료는, 유기 화합물이 전자 공여체로부터 전자를 수취하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 수취한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들어 전술한 전자 수송층을 구성하는 재료 (금속 착체나 헤테로방향족 화합물 등)를 이용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대해 전자 공여성을 나타내는 재료이면 된다. 구체적으로는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 및 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 에르븀, 이테르븀등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토류 금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화 마그네슘과 같은 루이스 염기를 이용할 수도 있다. 또한, 테트라싸이아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 이용할 수도 있다.

음극

음극에는, 일함수가 작은(구체적으로는 3.8eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 음극 재료의 구체예로서는, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들어, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.

한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 이들을 포함하는 합금을 이용하여 음극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.

한편, 전자 주입층을 마련하는 것에 의해, 일함수의 대소에 상관없이, Al, Ag, ITO, 그래펜, 규소 혹은 산화 규소를 함유한 산화 인듐-산화 주석 등 다양한 도전성 재료를 이용하여 음극을 형성할 수 있다. 이들 도전성 재료는, 스퍼터링법이나 잉크젯법, 스핀 코팅법 등을 이용하여 성막할 수 있다.

절연층

유기 EL 소자는, 초박막에 전계를 인가하기 때문에, 리크나 쇼트에 의한 화소 결함이 생기기 쉽다. 이것을 방지하기 위해서, 한 쌍의 전극 사이에 절연성의 박막층으로 이루어지는 절연층을 삽입해도 된다.

절연층에 이용되는 재료로서는, 예를 들어, 산화알루미늄, 불화 리튬, 산화 리튬, 불화 세슘, 산화 세슘, 산화 마그네슘, 불화 마그네슘, 산화 칼슘, 불화 칼슘, 질화 알루미늄, 산화 타이타늄, 산화 규소, 산화 저마늄, 질화 규소, 질화 붕소, 산화 몰리브데넘, 산화 루테늄, 산화 바나듐 등을 들 수 있다. 한편, 이들의 혼합물이나 적층물을 이용해도 된다.

스페이스층

상기 스페이스층이란, 예를 들어, 형광 발광층과 인광 발광층을 적층하는 경우에, 인광 발광층에서 생성되는 여기자를 형광 발광층에 확산시키지 않거나, 혹은, 캐리어 밸런스를 조정할 목적으로, 형광 발광층과 인광 발광층 사이에 마련되는 층이다. 또한, 스페이스층은, 복수의 인광 발광층의 사이에 마련할 수도 있다.

스페이스층은 발광층 사이에 마련되기 때문에, 전자 수송성과 정공 수송성을 겸비하는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 인접하는 인광 발광층 내의 삼중항 에너지의 확산을 막기 위해, 삼중항 에너지가 2.6eV 이상인 것이 바람직하다. 스페이스층에 이용되는 재료로서는, 전술한 정공 수송층에 이용되는 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.

저지층

전자 저지층, 정공 저지층, 여기자 저지층 등의 저지층을 발광층에 인접하여 마련해도 된다. 전자 저지층이란 발광층으로부터 정공 수송층에 전자가 새는 것을 막는 층이고, 정공 저지층이란 발광층으로부터 전자 수송층에 정공이 새는 것을 막는 층이다. 여기자 저지층은 발광층에서 생성된 여기자가 주변의 층에 확산하는 것을 방지하여, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 갖는다.

상기 유기 EL 소자의 각 층은 종래 공지의 증착법, 도포법 등에 의해 형성할 수 있다. 예를 들어, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 등의 증착법, 혹은, 층을 형성하는 화합물의 용액을 이용한, 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.

각 층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 구동 전압이 필요해져 효율이 나빠지기 때문에, 통상 5nm∼10μm이며, 10nm∼0.2μm가 보다 바람직하다.

본 발명의 2층 구조 또는 3층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층의 두께와 제2 정공 수송층의 두께의 합계는, 바람직하게는 30nm 이상, 150nm 이하, 보다 바람직하게는, 40nm 이상, 130nm 이하이다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 2층 구조 또는 3층 구조의 제2 정공 수송층의 두께는, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 20nm 이상, 더 바람직하게는 25nm 이상, 특히 바람직하게는 35nm 이상이며, 또한, 바람직하게는 100nm 이하이다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 발광층과 인접하는 정공 수송층의 두께는, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 20nm 이상, 더 바람직하게는 25nm 이상, 특히 바람직하게는 30nm 이상이며, 또한, 바람직하게는 100nm 이하이다.

또한, 본 발명의 2층 구조 또는 3층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제2 정공 수송층 막 두께 D2와 제1 정공 수송층의 막 두께 D1의 비는, 바람직하게는 0.3＜D2/D1＜4.0, 보다 바람직하게는 0.5＜D2/D1＜3.5, 더 바람직하게는 0.75＜D2/D1＜3.0이다.

본 발명의 유기 EL 소자의 바람직한 실시태양으로서는, 예를 들어,

(1) 2층 구성의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자

· 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제1 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제1 실시태양;

· 제1 정공 수송층 및 제2 정공 수송층의 쌍방이 발명 화합물을 포함하는 제2 실시태양;

· 제1 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제3 실시태양;

(2) 3층 구성의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자

· 제1 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제2 및 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제4 실시태양;

· 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제1 및 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제5 실시태양;

· 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제1 및 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제6 실시태양;

· 제1 및 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제7 실시태양;

· 제1 및 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제2 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제8 실시태양;

· 제2 및 제3 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하고, 제1 정공 수송층이 발명 화합물을 포함하지 않는 제10 실시태양;

· 제1∼제3 정공 수송층의 모두가 발명 화합물을 포함하는 제10 실시태양; 등을 들 수 있다.

전자 기기

본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 소자는, 표시 장치나 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다. 표시 장치로서는, 예를 들어, 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대전화, 태블릿 혹은 퍼스널 컴퓨터 등을 들 수 있다. 발광 장치로서는, 예를 들어, 조명, 혹은 차량용 등구 등을 들 수 있다.

상기 유기 EL 소자는, 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 표시 장치, 및, 조명, 차량용 등구의 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다.

실시예

이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

실시예 1의 유기 EL 소자(I)의 제조에 이용한 발명 화합물

[화학식 364]

비교예 1의 유기 EL 소자(I)의 제조에 이용한 비교 화합물

[화학식 365]

실시예 1 및 비교예 1의 유기 EL 소자(I)의 제조에 이용한 다른 화합물

[화학식 366]

유기 EL 소자(I)의 제작

＜실시예 1＞

25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극(양극) 부가 유리 기판(지오마텍 주식회사제)을, 아이소프로필 알코올 중에서 5분간 초음파 세정한 후, 30분간 UV 오존 세정했다. ITO의 막 두께는, 130nm로 했다. 세정 후의 ITO 투명 전극 부가 상기 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극이 형성되어 있는 측의 면 상에 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 HT-1과 화합물 HA를 공증착하여, 막 두께 10nm의 정공 주입층을 형성했다. 화합물 HT-1과 화합물 HA의 질량비(HT-1:HA)는 97:3이었다.

다음에, 정공 주입층 상에 화합물 HT-1을 증착하여, 막 두께 40nm의 제1 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 정공 수송층 상에 화합물 Inv-1을 증착하여, 막 두께 5nm의 제2 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제2 정공 수송층 상에, 화합물 BH-1(호스트 재료)과 화합물 BD-1(도펀트 재료)을 공증착하여, 막 두께 10nm의 제1 발광층을 형성했다. 화합물 BH-1과 화합물 BD-1의 질량비(BH-1:BD-1)는 99:1이었다.

다음에, 이 제1 발광층 상에, 화합물 BH-2(호스트 재료)와 화합물 BD-1(도펀트 재료)을 공증착하여, 막 두께 10nm의 제2 발광층을 형성했다. 화합물 BH-2와 화합물 BD-1의 질량비(BH-2:BD-1)는 99:1이었다.

다음에, 이 발광층 상에, 화합물 ET-1을 증착하여 막 두께 5nm의 제1 전자 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 전자 수송층 상에, 화합물 ET-2와 Liq를 공증착하여 막 두께 25nm의 제2 전자 수송층을 형성했다. 화합물 ET-2와 Liq의 질량비(ET-2:Liq)는 50:50이었다.

다음에, 이 제2 전자 수송층 상에, Yb를 증착하여 막 두께 1nm의 전자 주입성 전극을 형성했다.

그리고, 이 전자 주입성 전극 상에 금속 Al을 증착하여 막 두께 50nm의 금속 음극을 형성했다.

이와 같이 하여 얻어진 실시예 1의 유기 EL 소자(I)의 층 구성을 이하에 나타낸다.

ITO (130)/HT-1:HA=97:3 (10)/HT-1 (40)/Inv-1 (5)/BH-1:BD-1=99:1 (10)/BH-2:BD-1=99:1 (10)/ET-1 (5)/ET-2:Liq=50:50 (25)/Yb (1)/Al (50)

상기 층 구성에 있어서, 괄호 내의 숫자는 막 두께(nm)이며, 비는 질량비이다.

＜비교예 1＞

발명 화합물 Inv-1 대신에 비교 화합물 Ref-1을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 각 유기 EL 소자(I)를 제작했다.

유기 EL 소자(I)의 평가

(1) 95% 수명(LT95)

얻어진 유기 EL 소자(I)를 전류 밀도 50mA/cm²로 직류 정전류 구동하고, 휘도가 초기 휘도의 95%로 감소할 때까지의 시간을 측정하여, 이것을 95% 수명(LT95)으로 했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, 화합물 Inv-1은 비교 화합물 Ref-1에 비해 수명이 긴 유기 EL 소자를 제공한다.

실시예 2∼11의 유기 EL 소자(II)의 제조에 이용한 발명 화합물

[화학식 367]

비교예 2의 유기 EL 소자(II)의 제조에 이용한 비교 화합물

[화학식 368]

실시예 2∼11 및 비교예 2의 유기 EL 소자(II)의 제조에 이용한 다른 화합물

[화학식 369]

유기 EL 소자(II)의 제작

＜실시예 2＞

25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극(양극) 부가 유리 기판(지오마텍 주식회사제)을, 아이소프로필 알코올 중에서 5분간 초음파 세정한 후, 30분간 UV 오존 세정했다. ITO의 막 두께는, 130nm로 했다.

세정 후의 ITO 투명 전극 부가 상기 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극이 형성되어 있는 측의 면 상에 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 HT-2와 화합물 HA를 공증착하여, 막 두께 10nm의 정공 주입층을 형성했다. 화합물 HT-2와 화합물 HA의 질량비(HT-2:HA)는 97:3이었다.

다음에, 정공 주입층 상에 화합물 HT-2를 증착하여, 막 두께 85nm의 제1 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 정공 수송층 상에 화합물 Inv-4를 증착하여, 막 두께 5nm의 제2 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제2 정공 수송층 상에, 화합물 BH-3(호스트 재료)과 화합물 BD-2(도펀트 재료)를 공증착하여, 막 두께 20nm의 제1 발광층을 형성했다. 화합물 BH-3과 화합물 BD-2의 질량비(BH-3:BD-2)는 99:1이었다.

다음에, 이 발광층 상에, 화합물 ET-3을 증착하여 막 두께 5nm의 제1 전자 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 전자 수송층 상에, 화합물 ET-4와 Liq를 공증착하여 막 두께 31nm의 제2 전자 수송층을 형성했다. 화합물 ET-4와 Liq의 질량비(ET-4:Liq)는 50:50이었다.

다음에, 이 제2 전자 수송층 상에, Liq를 증착하여 막 두께 1nm의 전자 주입성 전극을 형성했다.

그리고, 이 전자 주입성 전극 상에 금속 Al을 증착하여 막 두께 80nm의 금속 음극을 형성했다.

이와 같이 하여 얻어진 실시예 2의 유기 EL 소자(II)의 층 구성을 이하에 나타낸다.

ITO (130)/HT-2:HA=97:3 (10)/HT-2 (85)/Inv-4 (5)/BH-3:BD-2=99:1 (20)/ET-3 (5)/ET-4:Liq=50:50 (31)/Liq (1)/Al (80)

＜실시예 3∼11 및 비교예 2＞

화합물 Inv-2 대신에 표 2에 기재된 화합물을 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(II)를 제작했다.

유기 EL 소자(II)의 평가

얻어진 유기 EL 소자(II)를, 유기 EL 소자(I)의 평가와 마찬가지의 방법으로, 95% 수명(LT95)을 측정했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

표 2의 결과로부터 분명한 바와 같이, 화합물 Inv-4∼12 및 20은 비교 화합물 Ref-2에 비해 수명이 긴 유기 EL 소자를 제공한다.

실시예 12∼18의 유기 EL 소자(III)의 제조에 이용한 발명 화합물

[화학식 370]

비교예 3의 유기 EL 소자(III)의 제조에 이용한 비교 화합물

[화학식 371]

실시예 12∼18 및 비교예 3의 유기 EL 소자(III)의 제조에 이용한 다른 화합물

[화학식 372]

유기 EL 소자(III)의 제작

＜실시예 12＞

세정 후의 ITO 투명 전극 부가 상기 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극이 형성되어 있는 측의 면 상에 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 HT-3과 화합물 HA를 공증착하여, 막 두께 10nm의 정공 주입층을 형성했다. 화합물 HT-3과 화합물 HA의 질량비(HT-3:HA)는 97:3이었다.

다음에, 정공 주입층 상에 화합물 HT-3을 증착하여, 막 두께 80nm의 제1 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 정공 수송층 상에 화합물 Inv-13을 증착하여, 막 두께 7.5nm의 제2 정공 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제2 정공 수송층 상에, 막 두께 20nm의 BH(호스트 재료):BD-3(도펀트 재료)막을 성막했다. 이 BH:BD-3막은 발광층으로서 기능한다. 발광층에 포함되는 BH[화합물 BH-4 및 BH-5(모두 호스트 재료)]는, 질량비로 3:2이며, BD-3의 농도는, 발광층 전체에 대해서 2질량%이다.

다음에, 이 발광층 상에, 화합물 ET-5를 증착하여 막 두께 5nm의 제1 전자 수송층을 형성했다.

다음에, 이 제1 전자 수송층 상에, 화합물 ET-6과 Liq를 공증착하여 막 두께 25nm의 제2 전자 수송층을 형성했다. 화합물 ET-6과 Liq의 질량비(ET-6:Liq)는 67:33이었다.

이와 같이 하여 얻어진 실시예 12의 유기 EL 소자(III)의 층 구성을 이하에 나타낸다.

ITO (130)/HT-3:HA=97:3 (10)/HT-3 (80)/Inv-13 (7.5)/BH-4:BH-5:BD-3=60:40:2 (20)/ET-5 (5)/ET-6:Liq=67:33 (25)/Yb (1)/Al (80)

＜실시예 13∼18 및 비교예 3＞

화합물 Inv-13 대신에 표 3에 기재된 화합물을 이용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(III)를 제작했다.

유기 EL 소자(III)의 평가

얻어진 유기 EL 소자(III)을, 유기 EL 소자(I)의 평가와 마찬가지의 방법으로, 95% 수명(LT95)을 측정했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.

표 3의 결과로부터 분명한 바와 같이, 화합물 Inv-13∼19는 비교 화합물 Ref-3에 비해 수명이 긴 유기 EL 소자를 제공한다.

합성예에서 합성한 발명 화합물

[화학식 373]

[화학식 374]

중간체 합성예 1: 벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란-4-일트라이플루오로메테인설포네이트의 합성

[화학식 375]

아르곤 분위기하, 5-메톡시-1-나프톨 10.0g(57.4mmol), 1-브로모-2-플루오로벤젠 50.2g(287mmol), 탄산 세슘 28.1g(86.0mmol), N-메틸-2-피롤리돈 287mL의 혼합물을 145℃에서 12시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 톨루엔으로 추출하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 14.7g의 1-(2-브로모페녹시)-5-메톡시나프탈렌을 무색 액체로서 얻었다. 수율은 78%였다.

아르곤 분위기하, 얻어진 1-(2-브로모페녹시)-5-메톡시나프탈렌 14.7g(44.8mmol), [1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센]팔라듐(II) 다이클로라이드 다이클로로메테인 부가물 1.83g(2.24mmol), 탄산 세슘 21.9g(67.2mmol), N-메틸-2-피롤리돈 224mL의 혼합물을 130℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 톨루엔으로 추출하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 8.0g의 4-메톡시벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란을 백색 고체로서 얻었다. 수율은 72%였다.

아르곤 분위기하, 얻어진 4-메톡시벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란 2.48g(10.0mmol), 다이클로로메테인 100mL의 혼합물을 0℃로 냉각한 후, 1.0mol/L 삼브로민화 붕소 다이클로로메테인 용액 20mL를 가하고, 실온에서 5시간 교반했다. 반응액을 -78℃로 냉각한 후, 물을 가하고, 다이클로로메테인으로 추출하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 2.13g의 벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란-4-올을 백색 고체로서 얻었다. 수율은 91%였다.

아르곤 분위기하, 얻어진 벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란-4-올 1.17g(5.0mmol), N,N-다이메틸-4-아미노피리딘 0.061g(0.50mmol), 피리딘 10.0mL(125mmol), 트라이플루오로메테인설폰산 무수물 1.01mL(6.00mmol), 다이클로로메테인 25mL의 혼합물을 0℃에서 5시간 교반했다. 물을 가하고, 다이클로로메테인으로 추출하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 1.48g의 벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란-4-일트라이플루오로메테인설포네이트를 백색 고체로서 얻었다. 수율은 81%였다.

중간체 합성예 2: 중간체 A-1의 합성

[화학식 376]

아르곤 분위기하, 5-브로모벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란(원료 1) 6.66g(22.4mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보롤란-2-일)아닐린(원료 2) 5.21g(23.8mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.205g(0.224mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐(XPhos) 0.427g(0.897mmol), 2M 인산 칼륨 수용액 33.6mL(67.2mmol), 1,4-다이옥세인 149mL의 혼합물을 110℃에서 7시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 6.01g의 백색 고체인 중간체 A-1을 얻었다. 수율은 87%였다.

중간체 합성예 3 및 4: 중간체 A-2 및 A-3의 합성

중간체 합성예 2에 있어서, 원료 1 및 2를 표 4에 기재된 것으로 한 것 이외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 중간체 A-2 및 A-3을 얻었다. 중간체 A-2 및 A-3의 각각의 수율을 표 4에 나타낸다.

중간체 합성예 5: 중간체 B-1의 합성

[화학식 377]

아르곤 분위기하, 5-브로모벤조[b]나프토[2,1-d]퓨란(원료 1) 11.0g(30.0mmol), 2-클로로페닐보론산(원료 2) 5.16g(33.0mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 1.04g(0.90mmol), 2M 탄산 나트륨 수용액 37.5mL(75.0mmol), DME 100mL의 혼합물을 5시간 비점 환류했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 8.15g의 백색 고체인 중간체 B-1을 얻었다. 수율은 83%였다.

중간체 합성예 6∼9: 중간체 B-2∼B-5의 합성

중간체 합성예 5에 있어서, 원료 1 및 2를 표 5에 기재된 것으로 한 것 이외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 중간체 B-2∼B-5를 얻었다. 중간체 B-2∼B-5의 각각의 수율을 표 5에 나타낸다.

중간체 합성예 10: 중간체 C-1의 합성

[화학식 378]

아르곤 분위기하, 중간체 A-3(원료 1) 21.5g(69.5mmol), 4-브로모바이페닐(원료 2) 16.2g(69.5mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 1.27g, (1.39mmol), BINAP 1.73g(2.78mmol), 나트륨-t-뷰톡사이드 7.35g(76.0mmol), 톨루엔 460mL의 혼합물을 7시간 비점 환류했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 26.2g의 백색 고체인 중간체 C-1을 얻었다. 수율은 82%였다.

중간체 합성예 11∼14: 중간체 C-2∼C-5의 합성

중간체 합성예 10에 있어서, 원료 1 및 2를 표 6에 기재된 것으로 한 것 이외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 중간체 C-2∼C-5를 얻었다. 중간체 C-2∼C-5의 각각의 수율을 표 5에 나타낸다.

합성예 1-1: 발명 화합물 Inv-1의 합성

[화학식 379]

아르곤 분위기하, 중간체 A-1(중간체 1) 3.09g(10.0mmol), 4-브로모바이페닐(중간체 2) 4.90g(21.0mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.366g, (0.400mmol), 트라이-tert-뷰틸포스포늄 테트라플루오로보레이트 0.464g(1.60mmol), 나트륨-t-뷰톡사이드 2.69g(28.0mmol), 톨루엔 100mL의 혼합물을 7시간 비점 환류했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 3.87g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 63%였다. 얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 Inv-1이며, 분자량 613.76에 대해 m/e=614였다.

합성예 1-2 및 1-3: 발명 화합물 Inv-2 및 Inv-3의 합성

합성예 1-1에 있어서, 중간체 1 및 2를 표 7에 기재된 것으로 한 것 이외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 발명 화합물 Inv-2 및 Inv-12를 얻었다. 발명 화합물 Inv-2 및 Inv-12의 각각의 수율을 표 7에 나타낸다.

합성예 2-1: 발명 화합물 Inv-3의 합성

[화학식 380]

아르곤 분위기하, 중간체 B-1(중간체 1) 3.45g(10.5mmol), N-[1,1'-바이페닐]-4-일[1,1'-바이페닐]-4-아민(중간체 2) 3.21g(21.0mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.366g, (0.400mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(SPhos) 0.328g(0.800mmol), 나트륨-t-펜톡사이드(40% 톨루엔 용액) 4.2mL, 톨루엔 67mL의 혼합물을 7시간 비점 환류했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 4.16g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 68%였다. 얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 Inv-3이며, 분자량 613.76에 대해 m/e=614였다.

합성예 2-2∼2-17: 발명 화합물 Inv-4∼Inv-11 및 Inv -13∼Inv-20의 합성

합성예 2-1에 있어서, 중간체 1 및 2를 표 8∼10에 기재된 것으로 한 것 이외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 발명 화합물 Inv-4∼Inv-11 및 Inv-13∼Inv-20을 얻었다. 발명 화합물 Inv-4∼Inv-11 및 Inv-13∼Inv-20의 각각의 수율을 표 8∼10에 나타낸다.

1, 11, 12 유기 EL 소자
2 기판
3 양극
4 음극
5 발광층
5a 제1 발광층
5b 제2 발광층
6 정공 수송 대역(정공 수송층)
6a 정공 주입층
6b 제1 정공 수송층
6c 제2 정공 수송층
6d 제3 정공 수송층
7 전자 수송 대역(전자 수송층)
7a 제1 전자 수송층
7b 제2 전자 수송층
10, 20, 30 발광 유닛

Claims

하기 식(1)로 표시되는 화합물.

(식(1) 중,
N^*는 중심 질소 원자이다.
R¹∼R⁴는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
R¹∼R⁴로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.
L¹∼L⁴는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기, 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.
Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기, 또는 하기 식(a)로 표시되는 기이다.

(식(a) 중,
*1은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.
R^a와 R^b는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.
R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이고, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이고,
상기 단일 결합은 아닌 R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개가, 서로 결합하여 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.
단, R^a와 R^b가 서로 결합하여, 플루오렌 골격의 9위의 탄소 원자와 함께 치환 혹은 비치환된 스파이로플루오렌환을 형성하는 경우, R²²∼R²⁷로부터 선택되는 1개가 *2에 결합하는 단일 결합이고,
L¹∼L⁴가 모두 단일 결합이고, Ar¹ 및 Ar²가 식(a)로 표시되는 기이고, 또한 R²² 또는 R²⁷이 *2에 결합하는 단일 결합인 경우, 2개의 R^a 및 2개의 R^b로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.)
Ar³은, 하기 식(x)으로 표시되는 기이다.

(식(x) 중,
*3은 L⁴에의 결합 위치이다.
R³¹∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기, -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,
R₉₀₁∼R₉₀₇은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,
R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₆이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₆은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₇이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₇은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
m은 0 또는 1이고, n은 0 또는 1이다.
m 및 n이 0일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,
*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁸, 및 R⁴¹∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
m이 1이고 n이 0일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,
R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 한쪽이 *c에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *d에 결합하는 단일 결합이고,
*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *c 및 * d에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
m이 0이고 n이 1일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,
R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 한쪽이 *e에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *f에 결합하는 단일 결합이고,
*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *e 및 *f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵⁵∼R⁵⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
m이 1이고 n이 1일 때, R³¹과 R³², R³²와 R³³ 또는 R³³과 R³⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고,
R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷, 및 R³⁷과 R³⁸의 합계 3조 중 어느 1조 중에 있어서의 한쪽이 *c에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *d에 결합하는 단일 결합이고,
R³⁵와 R³⁶, R³⁶과 R³⁷ 또는 R³⁷과 R³⁸의 나머지 2조 중 어느 1조 중에 있어서의 한쪽이 *e에 결합하는 단일 결합이며, 다른 쪽이 *f에 결합하는 단일 결합이고,
*a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³¹∼R³⁴, *c∼*f에 결합하는 단일 결합은 아닌 R³⁵∼R³⁸, R⁴¹∼R⁴⁴, 및 R⁵¹∼R⁵⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
단, L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³³이 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³⁴가 *b에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R³⁴가 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³³이 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³¹, R³², R³⁵∼R³⁷, 및 R⁴¹∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이고,
L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³¹이 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³²가 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³³∼R³⁸, 및 R⁴²∼R⁴⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이고,
L³ 및 L⁴가 단일 결합이고, m 및 n이 0이고, R³²가 *a에 결합하는 단일 결합이고, 또한 R³¹이 *b에 결합하는 단일 결합인 경우, R³³∼R³⁸, 및 R⁴¹∼R⁴³으로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
X¹은, 산소 원자 또는 황 원자이다.))
제 1 항에 있어서,
X¹은, 산소 원자인, 화합물.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
m이 0인, 화합물.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
n이 0인, 화합물.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 6원환만으로 이루어지는 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기인, 화합물.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
L⁴가 단일 결합인, 화합물.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
L³이 단일 결합인, 화합물.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로, 하기 식(1a)∼(1e) 중 어느 하나로 표시되는 기인, 화합물.

(식(1a) 중,
*21은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 단, R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 1개는 *23에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않고,
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.
k는 0 또는 1이고, l은 0 또는 1이고,
k＋l은 0∼2의 정수이다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

(식(1b) 중,
*24는 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
R¹²¹∼R¹²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
단, R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *25에 결합하는 단일 결합이고, 상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.)

(식(1c) 중,
*26은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
R¹³¹∼R¹⁴⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
단, R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개는 *27에 결합하는 단일 결합이고, 상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.)

(식(1d) 중,
*28은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
X²는 산소 원자, 황 원자, 또는 NR^A이다.
R^A는 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
R¹⁴¹∼R¹⁴⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다. 단, 상기 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 R^A로부터 선택되는 1개는 *29에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

(식(1e) 중,
*30은 L¹ 또는 L²에의 결합 위치이다.
R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 비치환된 페닐기이다.
단, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 1개는 *31에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 다른 1개는 *32에 결합하는 단일 결합이다.
*31에 결합하는 단일 결합은 아니고, *32에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.
R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 비치환된 탄소수 1∼6의 알킬기이다.
단, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 되고,
R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)
제 8 항에 있어서,
Ar¹ 및 Ar²는, 식(1a), (1b) 및 (1d) 중 어느 하나로 표시되는 기인, 화합물.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
R³² 또는 R³⁷은, *4에 결합하는 단일 결합인, 화합물.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
R¹∼R⁴는, 수소 원자인, 화합물.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 1개의 중수소 원자를 포함하는, 화합물.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자용 재료.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 정공 수송층 재료.
음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극의 사이에 유기층을 갖는 유기 전기발광 소자로서, 해당 유기층이 발광층을 포함하고, 해당 유기층의 적어도 1층이 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 15 항에 있어서,
상기 유기층이 상기 양극과 상기 발광층 사이에 정공 수송 대역을 포함하고, 해당 정공 수송 대역이 상기 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 16 항에 있어서,
상기 정공 수송 대역이 양극측의 제1 정공 수송층과 음극측의 제2 정공 수송층을 포함하고, 상기 제 1 정공 수송층 및 상기 제 2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방이 상기 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 17 항에 있어서,
상기 발광층과 상기 제 2 정공 수송층이 직접 접하고 있는 유기 전기발광 소자.
제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 정공 수송층의 두께와 상기 제 2 정공 수송층의 두께의 합계가 30nm 이상, 150nm 이하인 유기 전기발광 소자.
제 15 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층이 단일한 층인 유기 전기발광 소자.
제 15 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은, 주 피크 파장이 500nm 이하인 형광 발광을 나타내는 발광성 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
제 15 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층이 형광 도펀트 재료를 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 15 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기.