KR20240102703A - 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 대한 것으로, 보다 상세하게는 전자 주입 및 수송능 및 열적 안정성이 우수한 화합물 및 이를 하나 이상의 유기물층에 포함함으로써 발광효율, 구동 전압, 수명 등의 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자에 대한 것이다.
Description
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자 주입 및 수송능 및 열적 안정성이 우수한 화합물 및 이를 하나 이상의 유기물층에 포함함으로써 발광효율, 구동 전압, 수명 등의 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자(이하, '유기 EL 소자')는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이때 유기물층으로 사용되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
유기 EL 소자의 발광층 형성재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다. 그 밖에, 보다 나은 천연색을 구현하기 위한 발광재료로 노란색 및 주황색 발광재료도 사용된다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 도판트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도판트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도판트로 나눌 수 있다. 이러한 인광 재료의 개발은 이론적으로 형광에 비해 4배까지의 발광 효율을 향상시킬 수 있어 인광 도판트 뿐만 아니라 인광 호스트 재료들에 대해 관심이 집중되고 있다.
현재까지 정공 주입층, 정공 수송층. 정공 차단층, 전자 수송층으로는, 하기 화학식으로 표현된 NPB, BCP, Alq3 등이 널리 알려져 있고, 발광 재료는 안트라센 유도체들이 형광 도판트/호스트 재료로서 보고되고 있다. 특히 발광재료 중 효율 향상 측면에서 큰 장점을 가지고 있는 인광 재료로서는 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등과 같은 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 청색, 녹색, 적색 도판트 재료로 사용되고 있다. 현재까지는 CBP가 인광 호스트 재료로 우수한 특성을 나타내고 있다.
그러나 종래의 유기물층 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮고 열적 안정성이 매우 좋지 않아 유기 EL 소자에서의 수명 측면에서 만족할 만한 수준이 되지 못하고 있다. 따라서, 성능이 뛰어난 유기물층 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 전자 주입 및 수송능이 개선되고, 열안정성이 우수하여 유기 전계 발광 소자의 유기물층 재료, 구체적으로 전자수송층 재료나 전자수송 보조층 재료 등으로 사용될 수 있는 신규 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 전술한 신규 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광 효율이 높으며, 수명 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
(상기 화학식 1에서,
X1은 C, Si, Ge 또는 Sn이고,
A1 내지 A5는 각각 N 또는 C(E1)이고,
다만 A1 내지 A5 중 적어도 하나는 C(E1)이고, 이때 N이 아닌 C(E1) 중 하나는 L4와 연결되고,
복수의 E1은 서로 동일하거나 상이하며,
a, b, c, d, e 및 f는 각각 0 내지 3의 정수이고,
g는 0 내지 4의 정수이며,
L1 내지 L6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, 또는 C1~C20의 알킬렌기, C6~C30의 아릴렌기, 핵원자수 5 내지 30개의 헤테로아릴렌기 및 에테르기(-O-)로 이루어진 군에서 선택되고,
E1 및 R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성하고,
EWG는 전자끌게기이고,
상기 L1 내지 L6의 알킬렌기, 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 E1 및 R1 내지 R5의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이함).
또, 본 발명은 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 전술한 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층 또는 전자수송 보조층일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 전자 수송 및 주입능, 내열성, 전기화학적 안정성 등이 우수하기 때문에 유기 전계 발광 소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 화합물을 전자수송층 재료 또는 전자수송 보조층 재료로 사용할 경우, 종래 재료에 비해 우수한 발광 성능, 낮은 구동전압, 높은 효율, 빠른 모빌리티(mobility) 및 장수명 특성을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있고, 나아가 성능 및 수명이 향상된 풀 칼라 디스플레이 패널도 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명에 대해 설명한다.
<신규 화합물>
본 발명에 따른 화합물은 주기율표상의 14족 원소를 함유하는 작용기가 결합된 제1 환 모이어티; 상기 제1 환 모이어티에 직접 또는 링커기(L4)를 통해 결합된 제2 환 모이어티; 및 상기 제2 환 모이어티에 직접 또는 링커기(L5)를 통해 결합된 전자끌게기(electron withdrawing group, EWG)를 포함하는 구조로, 상기 화학식 1로 표시된다. 이러한 화학식 1로 표시되는 본원발명의 화합물은 전자 주입 및 수송능, 전기화학적 안정성, 내열성 등이 우수하여 유기 전계 발광 소자의 고효율, 장수명, 구동전압 특성을 향상시킬 수 있는 전자수송층 재료 또는 전자수송 보조층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물에서, 제1 환 모이어티는 벤젠환 모이어티 또는 6원-헤테로환 모이어티로, 상기 제1 환 모이어티에는 주기율표상의 14족 원소를 함유하는 작용기(이하, '14족 원소-함유 작용기')가 결합되어 있다. 상기 14족 원소의 예로는 탄소(C), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등일 수 있는데, 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 화합물이 14족 원소-함유 작용기를 함유함으로써, 컨쥬게이션(conjugation)이 끊어지고, 벌키(bulky)한 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 화합물은 높은 삼중항 에너지(triplet energy)와 높은 밴드 갭(band gap)을 갖게 되어 정공 및 전자의 밸런스(balance)를 조절할 수 있고, 높은 T1 에너지로 인해 엑시톤(exciton)을 호스트 측으로 모이게 하면서, 엑시톤이 역으로 넘어오는 것을 방지할 수 있어 소자 효율 및 수명을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화합물에서, 전자흡수성이 큰 전자끌게기 (electron withdrawing group, EWG)는 직접 또는 링커기(L5)를 통해 제2 환 모이어티(구체적으로, 벤젠환 모이어티)에 결합되는 것으로, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 2-퓨라닐, N-이미다졸릴 등과 같이 헤테로 원자(예: 질소 원자, 산소 원자, 황 원자)를 1 이상 함유하는 헤테로환 모이어티일 수 있고, 또는 아릴포스핀옥사이드기나 시아노기, 할로겐기, 또는 -CF3 등일 수 있다. 이러한 EWG는 전자 이동도를 향상시켜 화합물의 전자 수송 및 주입성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물이 유기 전계 발광 소자의 전자 수송층 또는 전자수송 보조층의 재료로 적용될 경우, 전자는 음극(또는 전자 주입층)에서 발광층으로 원활히 전달될 수 있고, 그 결과 소자의 구동전압이 낮아지고, 고효율 및 장수명 특성이 구현될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 주입 및 수송능, 열적 안정성, 전기화학적 안정성 등이 우수하다. 따라서, 본 발명의 화합물은 유기 전계 발광 소자의 유기물층, 바람직하게 전자수송 보조층 재료로 사용될 수 있다. 이러한 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자는 성능 및 수명 특성이 크게 향상될 수 있고, 이러한 유기 전계 발광 소자가 적용된 풀 칼라 유기 발광 패널도 성능이 극대화될 수 있다.
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 제1 모이어티(), 제2 모이어티() 및 제3 모이어티()는 페닐 고리의 다양한 위치에 결합될 수 있다. 다만, 상기 제1 내지 제3 모이어티가 각각 페닐 고리의 1, 2, 3번 위치에 결합될 경우, 화합물을 합성하기 어렵고, 또 페닐 고리를 중심으로 각 모이어티가 과도하게 꺾이는 구조를 갖기 때문에, 성능이 개선되지 않을 수 있다. 이에, 본 발명의 화합물에서, 상기 제1 내지 제3 모이어티는 페닐 고리를 중심으로 페닐 고리의 1, 2, 4번 위치나, 페닐 고리의 1, 3, 5번 위치, 또는 페닐 고리의 1, 3, 6번 위치, 혹은 페닐 고리의 1, 4, 5번 위치 중 하나에 결합될 수 있다.
이러한 제1 내지 제3 모이어티의 결합 위치에 따라, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물로 구체화될 수 있는데, 이에 한정되지 않는다.
상기 화학식 2 내지 8에서,
X1, A1 내지 A5, a, b, c, d, e, f, g, L1 내지 L6, R1 내지 R5, 및 EWG는 각각 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, X1은 C, Si, Ge 또는 Sn이고, 구체적으로 Si, Ge 또는 Sn일 수 있다. 일례로 X1은 Si일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, A1 내지 A5는 각각 N 또는 C(E1)이다. 다만, A1 내지 A5 중 적어도 하나는 C(E1)이고, 이때 N이 아닌 C(E1) 중 하나는 L4와 연결되고, 복수의 E1은 서로 동일하거나 상이하다.
하나 이상의 E1은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성하고, 구체적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, C6~C30의 아릴기, 핵원자수 5 내지 30개의 헤테로아릴기, 및 C6~C30의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 E1의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다. 이때, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, a, b, c, d, e 및 f는 각각 0 내지 3의 정수이고, 구체적으로 각각 0 또는 1일 수 있다.
여기서, a가 0인 경우, L1이 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미하고, b가 0인 경우, L2가 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미하며, c가 0인 경우, L3가 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미하고, d가 0인 경우, L4가 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미하며, e가 0인 경우, L5가 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미하고, f가 0인 경우, L6가 직접 결합(단일 결합)인 것을 의미한다. 한편, a, b, c, d, e 및 f이 각각 1 내지 3의 정수인 경우, L1 내지 L6이 각각 2가의 링커기(linker)로, C1~C20의 알킬렌기, C6~C30의 아릴렌기, 핵원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기 및 에테르기(-O-)로 이루어진 군에서 선택되고, 구체적으로 C1~C12의 알킬렌기, C6~C18의 아릴렌기, 핵원자수 5 내지 18의 헤테로아릴렌기 및 에테르기(-O-)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 여기서, 복수의 L1 내지 복수의 L6는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 L1 내지 L6의 알킬렌기, 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다. 이때, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
일례에 따르면, L1 내지 L6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, C6~C30의 아릴렌기이고, 상기 L1 내지 L6의 아릴렌기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다. 이때, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
다른 일례에 따르면, L1 내지 L6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기, 인데닐렌기, 피란트레닐렌기, 카르바졸릴렌기, 티오페닐렌기, 인돌일렌기, 푸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 피롤일렌기, 이미다졸릴렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아졸릴렌기, 피리디닐렌기, 및 피리미디닐렌기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기, 인데닐렌기, 피란트레닐렌기, 카르바졸릴렌기, 티오페닐렌기, 인돌일렌기, 푸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 피롤일렌기, 이미다졸릴렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아졸릴렌기, 피리디닐렌기, 및 피리미디닐렌기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, C1~C10의 알킬기, 핵원자수 5 내지 10의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환되거나 비(非)-치환될 수 있다.
상기 L1 내지 L6에 따라, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있는데, 이에 한정되지 않는다.
상기 화학식 9 내지 15에서,
X1, A1 내지 A5, a, b, c, f, g, L1 내지 L3, L6, R1 내지 R5, 및 EWG는 각각 상기 화학식 1에 정의된 바와 같고,
n1 및 n2는 각각 0 내지 3의 정수이고,
o 및 p는 각각 0 내지 4의 정수이며,
복수의 R6 및 복수의 R7은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, EWG는 전자흡수성이 큰 전자끌게기(electron withdrawing group)로, 적어도 하나의 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 함유하는 헤테로방향족 고리[예: 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 2-퓨라닐, N-이미다졸릴 등]나; 아릴포스핀옥사이드기; 시아노기(-CN); 할로겐기(예: -F, -Cl, -Br, -I 등); 또는 트리플루오로메틸기(-CF3)일 수 있고; 혹은 시아노기, 할로겐기(예: -F, -Cl, -Br, -I 등), 트리플루오로메틸기(-CF3), 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 싸이오케톤기(=S)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 아릴기나; 시아노기, 할로겐기(예: -F, -Cl, -Br, -I 등), 트리플루오로메틸기(-CF3), 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 싸이오케톤기(=S)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 아릴실릴기일 수 있다.
일례로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 EWG는 시아노기(-CN); 할로겐기; 트리플루오로메틸기(-CF3); 시아노기, 할로겐기, -CF3, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 싸이오케톤기(=S)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환된 C6~C60의 아릴기; 시아노기, 할로겐기, -CF3, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 싸이오케톤기(=S)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환된 C6~C60의 아릴실릴기; C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기; C6~C60의 아릴카르보닐기; C6~C60의 아릴설포닐기; 및 N, O 및 S 중 1 이상을 함유하는 (5~21원)의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 EWG의 아릴포스핀옥사이드기, 아릴카르보닐기, 아릴설포닐기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 시아노기, 할로겐기, -CF3, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 싸이오케톤기(=S)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다. 이때, 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
다른 일례로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 EWG는 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 및 하기 화학식 S1 내지 S15로 표시되는 치환기 중에서 선택된 것일 수 있다:
상기 화학식 S1 내지 S15에서,
h는 0 내지 5의 정수이고,
h1 및 h2는 각각 0 내지 5의 정수이며,
h3 내지 h5는 각각 0 내지 5의 정수이며,
h6은 0 내지 7의 정수이고,
h7은 0 내지 8의 정수이며,
h8은 0 내지 6의 정수이고,
Ar1 및 Ar4는 각각 독립적으로 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기로 이루어진 군에서 선택된 것이고;
Ar2 및 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6~C60의 아릴기이고;
Y1은 O, S, C(Q1)(Q2), Si(Q3)(Q4), 및 설폰기()로 이루어진 군에서 선택되고;
복수의 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 R9는 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 R10은 서로 동일하거나 상이하고,
R8 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기(-CN), 할로겐기 및 트리플루오로메틸기(-CF3)로 이루어진 군에서 선택된 것이고;
Z1 내지 Z5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 C(Ar5)이고, 다만, Z1 내지 Z5 중 1개 또는 2개는 N이며, 이때 복수의 Ar5는 서로 동일하거나 상이하고;
Z6 내지 Z10는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, N(Ar6), C, C(Ar7), C(Ar8)(Ar9), O 또는 S이고, 다만, Z6 내지 Z10 중 적어도 하나는 N, N(Ar6), O 또는 S이며, 이때 복수의 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 Ar7은 서로 동일하거나 상이하며;
Z11 내지 Z14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, C(Ar10), O 또는 S이고, 다만, Z11 내지 Z14 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이며, 이때 복수의 Ar10은 서로 동일하거나 상이하고;
Z15 내지 Z18는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 C(Ar12)이고, 다만, Z15 내지 Z18 중 적어도 하나는 N이며, 이때 복수의 Ar12는 서로 동일하거나 상이하고;
Y2 및 Y3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 O, S, N(Ar13), 또는 C(Ar14)(Ar15)이고,
Y4는 O 또는 S이고,
Z19 내지 Z21는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, O, S 또는 C(Ar16)이고, 다만, Z19 내지 Z21 중 적어도 하나는 N, O, 또는 S이며, 이때 복수의 Ar16은 서로 동일하거나 상이하고;
Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar10, Ar12 내지 Ar16 및 R은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고;
상기 Ar2 및 Ar3의 아릴기, 및 상기 Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar10, Ar12 내지 Ar16의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 아릴포스피닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기 및 (아릴)(헤테로아릴)아민기는각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
또 다른 일례로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 EWG는 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 및 하기 화학식 A-1 내지 A-87로 표시되는 치환체 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다:
상기 화학식 A-1 내지 A-87에서,
j는 0 내지 4의 정수이고,
k는 0 내지 3의 정수이며,
l는 0 내지 6의 정수이고,
m은 0 내지 5의 정수이며,
Y1은 O, S, C(Q1)(Q2), Si(Q3)(Q4), 및 설폰기()로 이루어진 군에서 선택되고;
Y5는 O 또는 S이고,
환 CyA는 C6~C18의 축합 방향족환 또는 핵원자수 5~21개의 축합 헤테로방향족환이고,
복수의 Ar5는 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar7은 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar11은 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar12는 서로 동일하거나 상이하고,
Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar12은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고;
상기 Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar12의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 아릴포스피닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기 및 (아릴)(헤테로아릴)아민기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, g는 0 내지 4의 정수이다. 여기서, g가 0인 경우, 수소가 치환기 R4로 비(非)-치환되는 것을 의미한다. 한편, g가 1 내지 4의 정수인 경우, 1개 또는 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성할 수 있다. 여기서, 상기 헤테로시클로알킬기 및 헤테로아릴기는 각각 N, S, O 및 Se로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있고, 한편 상기 축합 고리는 C3~C60의 축합 지방족 고리(구체적으로, C3~C30의 축합 지방족 고리), C6~C60의 축합 방향족 고리(구체적으로, C6~C30의 축합 방향족 고리) 및 5원~60원의 축합 헤테로방향족고리(구체적으로, 5원~30원의 축합 헤테로방향족고리)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
구체적으로, 1개 또는 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소(D), C1~C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기(예: R4-R3, R4-L3, R4-L1, R4-L4, R4-R1)와 결합하여 C3~C30의 축합 방향족 고리를 형성할 수 있고, 더 구체적으로 각각 독립적으로 C6~C30의 아릴기, 및 핵원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기(예: R4-R3, R4-L3, R4-L1, R4-L4, R4-R1)와 결합하여 C3~C12의 축합 방향족 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서, R1 내지 R3, 및 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성할 수 있다.
구체적으로, R1 내지 R3, 및 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소(D), C1~C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기(예: R1-L1, R1-R4, R2-L2, R2-R4, R3-L3, R3-R4, R5-L6)와 결합하여 C3~C30의 축합 방향족 고리를 형성할 수 있고, 더 구체적으로 각각 독립적으로 C6~C30의 아릴기, 및 핵원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기(예: R1-L1, R1-R4, R2-L2, R2-R4, R3-L3, R3-R4, R5-L6)와 결합하여 C3~C12의 축합 방향족 고리를 형성할 수 있다.
상기 R1 내지 R5의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S) 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이함).
일례에 따르면, 상기 R5는 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 및 하기 화학식 B1 내지 B25로 표시되는 치환체로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있다:
상기 화학식 B1 내지 B25에서,
a1은 0 내지 5의 정수이고,
a2는 0 내지 4의 정수이며,
a3는 0 내지 3의 정수이고,
a4는 0 내지 7의 정수이며,
a5는 0 내지 9의 정수이고,
W1 및 W2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 S, O, Si(R13)(R14), 및 C(R15)(R16)으로 이루어진 군에서 선택되고,
W3는 S, O, Si(R17)(R18), C(R19)(R20) 및 N(R21)로 이루어진 군에서 선택되고,
W4는 Si, Ge 또는 C이며,
W5는 S 또는 O이고,
환 Cy1은 C6~C18의 축합 방향족환 또는 핵원자수 5~21개의 축합 헤테로방향족환이고,
복수의 R11은 서로 동일하거나 상이하고,
R11 내지 R21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성하고,
상기 R12 내지 R21의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기,옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S) 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이함).
전술한 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1 내지 150 중 어느 하나로 구체화될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 "알킬"은 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알케닐(alkenyl)"은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서"알키닐(alkynyl)"은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "시클로알킬"은 탄소수 3 내지 40의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 노르보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "헤테로시클로알킬"은 핵원자수 3 내지 40의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "아릴"은 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "헤테로아릴"은 핵원자수 5 내지 60의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리 및 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알킬옥시"는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 탄소수 1 내지 40의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함할 수 있다. 이러한 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "아릴옥시"는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 5 내지 40의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알킬실릴"은 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 실릴을 의미하며, 모노-뿐만 아니라 디-, 트리-알킬실릴을 포함한다. 또, "아릴실릴"은 탄소수 5 내지 60의 아릴로 치환된 실릴을 의미하고, 모노-뿐만 아니라 디-, 트리-아릴실릴 등의 폴리아릴실릴을 포함한다.
본 발명에서 "알킬보론기"는 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 보론기를 의미하며, "아릴보론기"는 탄소수 6 내지 60의 아릴로 치환된 보론기를 의미한다.
본 발명에서 "알킬포스피닐기"는 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 포스핀기를 의미하고, 모노- 뿐만 아니라 디-알킬포스피닐기를 포함한다. 또, 본 발명에서 "아릴포스피닐기"는 탄소수 6 내지 60의 모노아릴 또는 디아릴로 치환된 포스핀기를 의미하고, 모노- 뿐만 아니라 디-아릴포스피닐기를 포함한다.
본 발명에서 "아릴아민"은 탄소수 6 내지 60의 아릴로 치환된 아민을 의미하며, 모노-뿐만 아니라 디-아릴아민를 포함한다.
본 발명에서 "헤테로아릴아민"은 핵원자수 5 내지 60의헤테로아릴로 치환된 아민을 의미하며, 모노-뿐만 아니라 디-헤테로아릴아민를 포함한다.
본발명에서 (아릴)(헤테로아릴)아민은 탄소수 6 내지 60의 아릴 및 핵원자수 5 내지 60의헤테로아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 "축합고리"는 탄소수 3 내지 40의 축합지방족 고리, 탄소수 6 내지 60의 축합 방향족 고리, 핵원자수 3 내지 60의축합헤테로지방족 고리, 핵원자수 5 내지 60의축합헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
<유기 전계 발광 소자>
한편, 본 발명은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자(이하, '유기 EL 소자')를 제공한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 애노드(anode)(100), 캐소드(cathode)(200) 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층(300)을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화합물은 단독으로 사용되거나, 또는 2 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 1층 이상의 유기물층(300)은 정공 주입층(310), 정공 수송층(320), 발광층(330), 전자 수송층(340), 및 전자 주입층(350) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 선택적으로 전자 수송 보조층(360)을 추가적으로 더 포함할 수 있다. 이때, 적어도 하나의 유기물층(300)은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층(340) 또는 전자수송 보조층(360)일 수 있다.
일례에 따르면, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 및 전자주입층을 포함하고, 선택적으로 전자수송보조층을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자수송층 물질로 유기 전계 발광 소자에 포함된다. 이러한 유기 전계 발광 소자에서, 전자는 상기 화학식 1의 화합물 때문에, 캐소드 또는 전자주입층에서 전자수송층으로 용이하게 주입되고, 또한 전자수송층에서 발광층으로 빠르게 이동할 수 있어, 발광층에서의 정공과 전자의 결합력이 높다. 그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 발광효율, 전력효율, 휘도 등이 우수하다. 게다가, 상기 화학식 1의 화합물은 열적 안정성, 전기화학적 안정성이 우수하여, 유기 전계 발광 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 화학식 1의 화합물은 단독으로 사용되거나, 또는 당 분야에 공지된 전자수송층 재료와 혼용될 수 있다.
본 발명에서 상기 화학식 1의 화합물과 혼용될 수 있는 전자수송층 재료는 당 분야에서 통상적으로 공지된 전자수송 물질을 포함한다. 사용 가능한 전자 수송 물질의 비제한적인 예로는 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸(isothiazole)계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 티아다아졸(thiadiazole)계 화합물, 페릴렌(perylene)계 화합물, 알루미늄 착물(예: Alq3, tris(8-quinolinolato)-aluminium), 갈륨착물(예: Gaq'2OPiv, Gaq'2OAc, 2(Gaq'2)) 등이 있다. 이들을 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상 혼용할 수 있다.
본 발명에서, 상기 화학식 1의 화합물과 전자수송층 재료를 혼용할 경우, 이들의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 공지된 범위 내에서 적절히 조절될 수 있다.
다른 일례에 따르면, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송 보조층, 전자수송층, 및 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송 보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자수송 보조층 물질로 유기 전계 발광 소자에 포함된다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 이 때문에, 상기 화학식 1의 화합물을 전자수송 보조층 물질로 포함할 경우, TTF(triplet-triplet fusion) 효과로 인해 유기 전계 발광 소자의 효율이 상승될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층에서 생성된 엑시톤이나 정공이 발광층에 인접하는 전자수송층으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 발광층 내에서 발광에 기여하는 엑시톤의 수가 증가되어 소자의 발광 효율이 개선될 수 있고, 소자의 내구성 및 안정성이 향상되어 소자의 수명이 효율적으로 증가될 수 있다.
이와 같은 화학식 1의 화합물은 단독으로 사용되거나, 또는 당 분야에 공지된 전자수송층 보조층 재료와 혼용될 수 있다.
본 발명에서 상기 화학식 1의 화합물과 혼용될 수 있는 전자수송 보조층 재료로는 당 분야에서 통상적으로 공지된 전자수송 물질을 포함하며, 예컨대 옥사디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체(예, BCP), 질소를 포함하는 헤테로환 유도체 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
전술한 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 기판 위에, 애노드(100), 1층 이상의 유기물층(300) 및 캐소드(200)가 순차적으로 적층될 수 있다(도 1 내지 도 3 참조). 뿐만 아니라, 도시되지 않았지만, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입된 구조일 수 있다.
일례에 따르면, 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 위에, 애노드(100), 정공주입층(310), 정공수송층(320), 발광층(330), 전자수송층(340) 및 캐소드(200)가 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전자수송층(340)과 캐소드(200) 사이에 전자주입층(350)이 위치할 수 있다. 또, 상기 발광층(330)과 전자수송층(340) 사이에 전자수송 보조층(360)이 위치할 수 있다(도 3 참조).
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층(300) 중 적어도 하나[예, 전자수송층(340) 또는 전자수송 보조층(360)]가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법으로 유기물층 및 전극을 형성하여 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 사용 가능한 기판은 특별히 한정되지 않으며, 비제한적인 예로는 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리판, 금속판, 플라스틱 필름 및 시트 등이 있다.
또, 애노드 물질의 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 및 카본블랙 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
또, 캐소드 물질의 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은(Ag), 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
또한, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자 주입층은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당 업계에 알려진 통상의 물질을 사용할 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[준비예 1] 화합물 J-1의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 2-(3-bromo-5-chlorophenyl)-4,6-diphenylpyrimidine (4.21 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-1 (3.38 g, 수율 50 %)을 얻었다.
[준비예 2] 화합물 J-2의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 1-bromo-2-chloro-4-(phenylsulfonyl)benzene (3.31 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-2 (2.87 g, 수율 49 %)을 얻었다.
[준비예 3] 화합물 J-3의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 2-(3-bromo-4-chlorophenyl)-9-methyl-1,10-phenanthroline (3.83 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-3 (3.06 g, 수율 48 %)을 얻었다.
[준비예 4] 화합물 J-4의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 2-(2-bromo-5-chlorophenyl)-5-(4-(tert-butyl)phenyl)-1,3,4-oxadiazole (3.91 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-4 (3.04 g, 수율 47 %)을 얻었다.
[준비예 5] 화합물 J-5의 합성
triphenyl(2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 3'-bromo-5'-chloro-[1,1'-biphenyl]-3,5-dicarbonitrile (3.17 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-5 (2.63 g, 수율 46 %)을 얻었다.
[준비예 6] 화합물 J-6의 합성
2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-(triphenylsilyl)pyridine (4.63 g, 10 mmol), (3'-bromo-5'-chloro-[1,1'-biphenyl]-2-yl)(phenyl)methanone (3.71 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-6 (2.82 g, 수율 45 %)을 얻었다.
[준비예 7] 화합물 J-7의 합성
methyldiphenyl(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.00 g, 10 mmol), 4-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-6-(3-bromo-5-chlorophenyl)-2-phenylpyrimidine (4.97 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-7 (3.04 g, 수율 44 %)을 얻었다.
[준비예 8] 화합물 J-8의 합성
dimethyl(phenyl)(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (3.38 g, 10 mmol), 4-(3-bromo-5-chlorophenyl)-9H-fluorene-9-thione (3.85 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-8 (2.22 g, 수율 43 %)을 얻었다.
[준비예 9] 화합물 J-9의 합성
trimethyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (2.76 g, 10 mmol), 8-(3-bromo-5-chloro-[1,1':3',1''-terphenyl]-5'-yl)-1,3,3a1,4,6,7,9-heptaazaphenalene (5.14 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-9 (2.45 g, 수율 42 %)을 얻었다.
[준비예 10] 화합물 J-10의 합성
(4-(tert-butyl)phenyl)diphenyl(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (5.18 g, 10 mmol), 5-(3-bromo-4-chlorophenyl)-6-phenylpyrazine-2,3-dicarbonitrile (3.95 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-10 (2.90 g, 수율 41 %)을 얻었다.
[준비예 11] 화합물 J-11의 합성
5-([1,1'-biphenyl]-2-yldiphenylsilyl)-2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)pyridine (5.39 g, 10 mmol), 2-(3-bromo-5-chlorophenyl)-4-phenylbenzo[4,5]thieno[3,2-d]pyrimidine (4.51 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-11 (3.21 g, 수율 41 %)을 얻었다.
[준비예 12] 화합물 J-12의 합성
tri([1,1'-biphenyl]-3-yl)(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (6.90 g, 10 mmol), (3-bromo-5-chlorophenyl)diphenylphosphine oxide (3.91 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-12 (3.67 g, 수율 42 %)을 얻었다.
[준비예 13] 화합물 J-13의 합성
4-(diphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silyl)benzonitrile (4.87 g, 10 mmol), (3'-bromo-5'-chloro-[1,1'-biphenyl]-3-yl)diphenylphosphine oxide (4.67 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-13 (3.21 g, 수율 43 %)을 얻었다.
[준비예 14] 화합물 J-14의 합성
ethyldiphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.14 g, 10 mmol), 5-(4-bromo-3-chlorophenyl)-2,3-diphenylpyrazine (4.21 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-14 (2.76 g, 수율 44 %)을 얻었다.
[준비예 15] 화합물 J-15의 합성
5-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-3'-(triphenylsilyl)-[1,1'-biphenyl]-3-carbonitrile (5.63 g, 10 mmol), 3-bromo-5-chloro-4'-(trifluoromethyl)-1,1'-biphenyl (3.35 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-15 (3.11 g, 수율 45 %)을 얻었다.
[준비예 16] 화합물 J-16의 합성
2-(diphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silyl)-5-phenylpyridine (5.39 g, 10 mmol), 6-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methyl-1H-isochromen-1-one (3.49 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-16 (3.13 g, 수율 46 %)을 얻었다.
[준비예 17] 화합물 J-17의 합성
3-(3-(diphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silyl)phenyl)pyridine (5.39 g, 10 mmol), 2-(3-bromo-5-chlorophenyl)-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyridine (3.08 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-17 (3.01 g, 수율 47 %)을 얻었다.
[준비예 18] 화합물 J-18의 합성
(3-chlorophenyl)diphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.96 g, 10 mmol), 2-(4-bromo-3-chlorophenyl)-4-phenylquinazoline (3.95 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-18 (3.29 g, 수율 48 %)을 얻었다.
[준비예 19] 화합물 J-19의 합성
di([1,1'-biphenyl]-4-yl)(phenyl)(3'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-yl)silane (6.90 g, 10 mmol), 6-(3-bromo-5-chlorophenyl)-2-(4-(tert-butyl)phenyl)-1H-benzo[de]isoquinoline-1,3(2H)-dione (5.18 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-19 (4.91 g, 수율 49 %)을 얻었다.
[준비예 20] 화합물 J-20의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)germane (5.07 g, 10 mmol), 4-(3-bromo-5-chlorophenyl)-2,6-diphenylpyrimidine (4.21 g, 10 mmol), Pd(PPh3)4 (0.34 g, 0.3 mmol), 및 K2CO3 (2.76 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/ H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 여과하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 목적 화합물 J-20 (3.60 g, 수율 50 %)을 얻었다.
[합성예 1] 화합물 1의 합성
준비예 1에서 합성된 화합물 J-1 (6.77 g, 10 mmol), triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 1 (4.00 g, 수율 41 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 977
[합성예 2] 화합물 2의 합성
준비예 2에서 합성된 화합물 J-2 (5.87 g, 10 mmol), triphenyl(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 2 (3.72 g, 수율 42 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 887
[합성예 3] 화합물 3의 합성
준비예 3에서 합성된 화합물 J-3 (6.39 g, 10 mmol), 2'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2,7-dicarbonitrile (4.92 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 3 (4.15 g, 수율 43 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 967
[합성예 4] 화합물 4의 합성
준비예 4에서 합성된 화합물 J-4 (6.47 g, 10 mmol), 5,5-dimethyl-3-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-5H-dibenzo[b,d]silole (4.12 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 4 (3.94 g, 수율 44 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 897
[합성예 5] 화합물 5의 합성
준비예 5에서 합성된 화합물 J-5 (5.73 g, 10 mmol), 10,10-dimethyl-1-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-10H-dibenzo[b,e][1,4]oxasiline (3.52 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 5 (3.43 g, 수율 45 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 763
[합성예 6] 화합물 6의 합성
준비예 6에서 합성된 화합물 J-6 (6.28 g, 10 mmol), 2-(dibenzo[b,d]furan-3-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2.94 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 6 (3.49 g, 수율 46 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 759
[합성예 7] 화합물 7의 합성
준비예 7에서 합성된 화합물 J-7 (6.91 g, 10 mmol), 2-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (3.20 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 7 (3.99 g, 수율 47 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 849
[합성예 8] 화합물 8의 합성
준비예 8에서 합성된 화합물 J-8 (5.17 g, 10 mmol), 9-phenyl-3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole (3.69 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 8 (3.47 g, 수율 48 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 724
[합성예 9] 화합물 9의 합성
준비예 9에서 합성된 화합물 J-9 (5.84 g, 10 mmol), 8-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)acenaphtho[1,2-b]pyridine (3.29 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 9 (3.67 g, 수율 49 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 750
[합성예 10] 화합물 10의 합성
준비예 10에서 합성된 화합물 J-10 (7.07 g, 10 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2-(6-phenyldibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-1,3,2-dioxaborolane (3.86 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 10 (4.27 g, 수율 50 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 855
[합성예 11] 화합물 11의 합성
준비예 11에서 합성된 화합물 J-11 (7.84 g, 10 mmol), 5-phenyl-5-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-5H-dibenzo[b,d]silole (4.60 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 11 (4.43 g, 수율 41 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1082
[합성예 12] 화합물 12의 합성
준비예 12에서 합성된 화합물 J-12 (8.75 g, 10 mmol), 3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzo[4,5]imidazo[1,2-a]pyridine (2.94 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 12 (4.23 g, 수율 42 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1007
[합성예 13] 화합물 13의 합성
준비예 13에서 합성된 화합물 J-13 (7.48 g, 10 mmol), 2-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-6-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)pyridine (3.71 g, 10 mmol), Pd(Oac)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 13 (4.11 g, 수율 43 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 957
[합성예 14] 화합물 14의 합성
준비예 14에서 합성된 화합물 J-14 (6.29 g, 10 mmol), 3-(3-(diphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silyl)phenyl)pyridine (5.39 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 14 (4.42 g, 수율 44 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1006
[합성예 15] 화합물 15의 합성
준비예 15에서 합성된 화합물 J-15 (6.92 g, 10 mmol), 4'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-3,2':6',3''-terpyridine (3.59 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 15 (4.00 g, 수율 45 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 889
[합성예 16] 화합물 16의 합성
준비예 16에서 합성된 화합물 J-16 (6.82 g, 10 mmol), N,N-diphenyl-4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (3.71 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 16 (4.09 g, 수율 46 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 891
[합성예 17] 화합물 17의 합성
준비예 17에서 합성된 화합물 J-17 (6.41 g, 10 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2-(4-phenoxyphenyl)-1,3,2-dioxaborolane (2.96 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 17 (3.64 g, 수율 47 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 775
[합성예 18] 화합물 18의 합성
준비예 18에서 합성된 화합물 J-18 (6.85 g, 10 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2-(3-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl)-1,3,2-dioxaborolane (9.16 g, 20 mmol), Pd(OAc)2 (0.44 g, 2 mmol), X-Phos (1.90 g, 4 mmol), 및 Cs2CO3 (13.02 g, 40 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고, 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 18 (6.13 g, 수율 48 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1277
[합성예 19] 화합물 19의 합성
준비예 19에서 합성된 화합물 J-19 (10.02 g, 10 mmol), 1-phenyl-2-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1H-benzo[d]imidazole (3.96 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 19 (6.05 g, 수율 49 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1236
[합성예 20] 화합물 20의 합성
준비예 20에서 합성된 화합물 J-20 (7.21 g, 10 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2-(spiro[fluorene-9,9'-xanthen]-2-yl)-1,3,2-dioxaborolane (4.58 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 20 (5.08 g, 수율 50 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 1017
[합성예 21] 화합물 21의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 4-(4''-chloro-[1,1':2',1''-terphenyl]-4-yl)-2,6-diphenylpyrimidine (4.95 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 21 (3.25 g, 수율 41 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 795
[합성예 22] 화합물 122의 합성
4,4,5,5-tetramethyl-2-(3-tritylphenyl)-1,3,2-dioxaborolane (4.46 g, 10 mmol), 2-(5-chloro-[1,1'-biphenyl]-3-yl)-4-(dibenzo[b,d]furan-3-yl)-6-phenyl-1,3,5-triazine (5.09 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 22 (3.33 g, 수율 42 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 792
[합성예 23] 화합물 123의 합성
triphenyl(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)stannane (5.53 g, 10 mmol), 4-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-2-(3''-chloro-[1,1':3',1''-terphenyl]-3-yl)-6-phenylpyridine (5.70 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 23 (4.13 g, 수율 43 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 960
[합성예 24] 화합물 24의 합성
triphenyl(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)silane (4.62 g, 10 mmol), 4-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-6-(5-chloro-[1,1'-biphenyl]-3-yl)-2-phenylpyrimidine (4.95 g, 10 mmol), Pd(OAc)2 (0.22 g, 1 mmol), X-Phos (0.95 g, 2 mmol), 및 Cs2CO3 (6.51 g, 20 mmol)를 1,4-Dioxane 100 ml/H2O 25 ml에 넣고 100℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 추출하고 MgSO4를 넣고 필터하여 유기층을 얻었다. 여과된 유기층의 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 24 (3.49 g, 수율 44 %)을 얻었다.
Mass : [(M+H)+] : 795
[실시예 1 내지 24] 청색 유기 전계 발광 소자의 제작
상기 합성예 1 내지 24에서 각각 합성된 화합물을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 아래의 과정에 따라 청색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1200 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에, HI + 2% HAT-CN6 (10 nm)/HI(140 nm)/EB (5 nm)/BH + 2 % BD (20nm)/표 1의 전자 수송 보조층 재료 (5 nm)/ET + Liq (1:1)(30 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다. 이때, 사용된 HI, HAT-CN6, EB, BH, BD, ET, Liq의 구조는 각각 하기와 같다.
[비교예 1 내지 3] 청색 유기 전계 발광 소자의 제조
전자 수송 보조층 재료로서 화합물 1 대신 하기 화합물 HB1, HB2 및 HB3을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 청색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 이때 사용된 HB1, HB2 및 HB3의 구조는 하기와 같다.
[평가예 1]
실시예 1 내지 24 및 비교예 1 내지 3에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 발광파장, 전류효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 샘플 | 전자 수송 보조층 재료 | 구동 전압(V) | 발광 피크(nm) | 전류효율(cd/A) |
| 실시예 1 | 1 | 4.2 | 452 | 7.5 |
| 실시예 2 | 2 | 4.8 | 455 | 6.3 |
| 실시예 3 | 3 | 4.9 | 455 | 6.1 |
| 실시예 4 | 4 | 4.5 | 455 | 6.9 |
| 실시예 5 | 5 | 4.1 | 453 | 6.2 |
| 실시예 6 | 6 | 4.3 | 455 | 6.5 |
| 실시예 7 | 7 | 4.7 | 456 | 7.3 |
| 실시예 8 | 8 | 5.1 | 455 | 7.4 |
| 실시예 9 | 9 | 5.0 | 458 | 7.5 |
| 실시예 10 | 10 | 4.5 | 454 | 6.5 |
| 실시예 11 | 11 | 4.7 | 452 | 7.1 |
| 실시예 12 | 12 | 4.2 | 453 | 6.6 |
| 실시예 13 | 13 | 4.5 | 456 | 7.4 |
| 실시예 14 | 14 | 4.1 | 456 | 6.8 |
| 실시예 15 | 15 | 4.5 | 457 | 7.7 |
| 실시예 16 | 16 | 4.1 | 457 | 7.1 |
| 실시예 17 | 17 | 4.0 | 451 | 6.9 |
| 실시예 18 | 18 | 4.8 | 455 | 7.5 |
| 실시예 19 | 19 | 4.9 | 459 | 6.0 |
| 실시예 20 | 20 | 5.1 | 458 | 7.1 |
| 실시예 21 | 21 | 4.0 | 457 | 6.3 |
| 실시예 22 | 22 | 4.2 | 456 | 6.2 |
| 실시예 23 | 23 | 4.4 | 455 | 6.9 |
| 실시예 24 | 24 | 4.6 | 454 | 6.8 |
| 비교예 1 | HB1 | 5.1 | 458 | 5.9 |
| 비교예 2 | HB2 | 5.2 | 454 | 5.5 |
| 비교예 3 | HB3 | 5.4 | 452 | 5.1 |
상기 표 1로부터 실시예 1 내지 24에서 제조된 유기 발광 소자는 각각 비교예 1 내지 3에서 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광피크 및 전류효율에 비하여 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 25 내지 48] 청색 유기 전계 발광 소자의 제작
상기 합성예 1 내지 24에서 각각 합성된 화합물을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 아래의 과정에 따라 청색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1200 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에, HI + 2% HAT-CN6 (10 nm)/HI(140 nm)/EB (5 nm)/BH + 2 % BD (20nm)/HB(5 nm)/표 2의 전자 수송층 재료 + Liq (1:1)(30 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다. 이때, 사용된 HI, HAT-CN6, EB, BH, BD, HB, Liq의 구조는 각각 하기와 같다.
[비교예 4 내지 6] 청색 유기 전계 발광 소자의 제조
전자 수송층 재료로서 화합물 1 대신 하기 화합물 ET1, ET2 및 ET3을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 25와 동일하게 수행하여 청색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 이때 사용된 ET1, ET2 및 ET3의 구조는 하기와 같다.
[평가예 2]
실시예 25 내지 48 및 비교예 4 내지 6에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 발광파장, 전류효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 샘플 | 전자 수송층 재료 | 구동 전압(V) | 발광 피크(nm) | 전류효율(cd/A) |
| 실시예 25 | 1 | 4.8 | 454 | 7.2 |
| 실시예 26 | 2 | 4.1 | 457 | 6.9 |
| 실시예 27 | 3 | 4.2 | 452 | 6.5 |
| 실시예 28 | 4 | 4.4 | 455 | 6.7 |
| 실시예 29 | 5 | 4.9 | 454 | 6.5 |
| 실시예 30 | 6 | 4.6 | 458 | 6.4 |
| 실시예 31 | 7 | 4.4 | 455 | 7.1 |
| 실시예 32 | 8 | 4.1 | 452 | 7.4 |
| 실시예 33 | 9 | 5.0 | 459 | 7.4 |
| 실시예 34 | 10 | 5.0 | 458 | 6.9 |
| 실시예 35 | 11 | 4.7 | 455 | 7.0 |
| 실시예 36 | 12 | 5.1 | 458 | 6.2 |
| 실시예 37 | 13 | 4.4 | 453 | 7.0 |
| 실시예 38 | 14 | 4.2 | 453 | 6.9 |
| 실시예 39 | 15 | 4.7 | 454 | 7.5 |
| 실시예 40 | 16 | 4.1 | 457 | 7.5 |
| 실시예 41 | 17 | 4.0 | 453 | 6.3 |
| 실시예 42 | 18 | 4.0 | 457 | 7.8 |
| 실시예 43 | 19 | 4.9 | 454 | 6.2 |
| 실시예 44 | 20 | 5.1 | 457 | 7.2 |
| 실시예 45 | 21 | 4.8 | 456 | 6.5 |
| 실시예 46 | 22 | 4.7 | 456 | 6.8 |
| 실시예 47 | 23 | 4.6 | 455 | 6.9 |
| 실시예 48 | 24 | 4.6 | 455 | 6.8 |
| 비교예 4 | ET1 | 5.2 | 457 | 5.8 |
| 비교예 5 | ET2 | 5.4 | 450 | 5.6 |
| 비교예 6 | ET3 | 5.5 | 451 | 5.5 |
상기 표 2로부터 실시예 25 내지 48에서 제조된 유기 발광 소자는 각각 비교예 4 내지 6에서 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광피크 및 전류효율에 비하여 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.
100: 애노드,
200: 캐소드,
300: 유기물층, 310: 정공주입층,
320: 정공수송층, 330: 발광층,
340: 전자수송층, 350: 전자주입층,
360: 전자수송 보조층
300: 유기물층, 310: 정공주입층,
320: 정공수송층, 330: 발광층,
340: 전자수송층, 350: 전자주입층,
360: 전자수송 보조층
Claims (11)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
X1은 C, Si, Ge 또는 Sn이고,
A1 내지 A5는 각각 N 또는 C(E1)이고,
다만 A1 내지 A5 중 적어도 하나는 C(E1)이고, 이때 N이 아닌 C(E1) 중 하나는 L4와 연결되고,
복수의 E1은 서로 동일하거나 상이하며,
a, b, c, d, e 및 f는 각각 0 내지 3의 정수이고,
g는 0 내지 4의 정수이며,
L1 내지 L6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, 또는 C1~C20의 알킬렌기, C6~C30의 아릴렌기, 핵원자수 5 내지 30개의 헤테로아릴렌기 및 에테르기(-O-)로 이루어진 군에서 선택되고,
E1 및 R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성하고,
EWG는 전자끌게기이고,
상기 L1 내지 L6의 알킬렌기, 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 E1 및 R1 내지 R5의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 설포닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이함). - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 8 중 어느 하나로 표시되는 것인, 화합물:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
(상기 화학식 2 내지 8에서,
X1, A1 내지 A5, a, b, c, d, e, f, g, L1 내지 L6, R1 내지 R5, 및 EWG는 각각 제1항에 정의된 바와 같음). - 제1항에 있어서,
L1 내지 L6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, C6~C30의 아릴렌기이고,
상기 L1 내지 L6의 아릴렌기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O)), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이한 것인, 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 9 내지 15 중 어느 하나로 표시되는 것인, 화합물:
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
(상기 화학식 9 내지 15에서,
X1, A1 내지 A5, a, b, c, f, g, L1 내지 L3, L6, R1 내지 R5, 및 EWG는 각각 제1항에 정의된 바와 같고,
n1 및 n2는 각각 0 내지 3의 정수이고,
o 및 p는 각각 0 내지 4의 정수이며,
복수의 R6 및 복수의 R7은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 것임). - 제1항에 있어서,
상기 EWG는 시아노기(-CN); 할로겐기; 트리플루오로메틸기(-CF3); 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S)로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환된 C6~C60의 아릴기; 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S)로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환된 C6~C60의 아릴실릴기; C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기; C6~C60의 아릴카르보닐기; C6~C60의 아릴설포닐기; 및 N, O 및 S 중 1 이상을 함유하는 (5~21원)의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 EWG의 아릴포스핀옥사이드기, 아릴카르보닐기, 아릴설포닐기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S)로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이한 것인, 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 EWG는 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 및 하기 화학식 S1 내지 S15로 표시되는 치환기 중에서 선택된 것인, 화합물:
(상기 화학식 S1 내지 S15에서,
h는 0 내지 5의 정수이고,
h1 및 h2는 각각 0 내지 5의 정수이며,
h3 내지 h5는 각각 0 내지 5의 정수이며,
h6은 0 내지 7의 정수이고,
h7은 0 내지 8의 정수이며,
h8은 0 내지 6의 정수이고,
Ar1 및 Ar4는 각각 독립적으로 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기로 이루어진 군에서 선택된 것이고;
Ar2 및 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6~C60의 아릴기이고;
Y1은 O, S, C(Q1)(Q2), Si(Q3)(Q4), 및 설폰기()로 이루어진 군에서 선택되고;
복수의 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 R9는 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 R10은 서로 동일하거나 상이하고,
R8 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기(-CN), 할로겐기 및 트리플루오로메틸기(-CF3)로 이루어진 군에서 선택된 것이고;
Z1 내지 Z5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 C(Ar5)이고, 다만, Z1 내지 Z5 중 1개 또는 2개는 N이며, 이때 복수의 Ar5는 서로 동일하거나 상이하고;
Z6 내지 Z10는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, N(Ar6), C, C(Ar7), C(Ar8)(Ar9), O 또는 S이고, 다만, Z6 내지 Z10 중 적어도 하나는 N, N(Ar6), O 또는 S이며, 이때 복수의 Ar6는 서로 동일하거나 상이하고, 복수의 Ar7은 서로 동일하거나 상이하며;
Z11 내지 Z14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, C(Ar10), O 또는 S이고, 다만, Z11 내지 Z14 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이며, 이때 복수의 Ar10은 서로 동일하거나 상이하고;
Z15 내지 Z18는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 C(Ar12)이고, 다만, Z15 내지 Z18 중 적어도 하나는 N이며, 이때 복수의 Ar12는 서로 동일하거나 상이하고;
Y2 및 Y3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 O, S, N(Ar13), 또는 C(Ar14)(Ar15)이고,
Y4는 O 또는 S이고,
Z19 내지 Z21는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N, O, S 또는 C(Ar16)이고, 다만, Z19 내지 Z21 중 적어도 하나는 N, O, 또는 S이며, 이때 복수의 Ar16은 서로 동일하거나 상이하고;
Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar10, Ar12 내지 Ar16 및 R은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고;
상기 Ar2 및 Ar3의 아릴기, 및 상기 Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar10 및 Ar12 내지 Ar16의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 아릴포스피닐기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기 및 (아릴)(헤테로아릴)아민기는각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S)C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이함). - 제1항에 있어서,
상기 EWG는 시아노기(-CN), 할로겐기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 및 하기 화학식 A-1 내지 A-87로 표시되는 치환체 중에서 선택된 것인, 화합물:
(상기 화학식 A-1 내지 A-87에서,
j는 0 내지 4의 정수이고,
k는 0 내지 3의 정수이며,
l는 0 내지 6의 정수이고,
m은 0 내지 5의 정수이며,
Y1은 O, S, C(Q1)(Q2), Si(Q3)(Q4), 및 설폰기()로 이루어진 군에서 선택되고;
Y5는 O 또는 S이고,
환 CyA는 C6~C18의 축합 방향족환 또는 핵원자수 5~21개의 축합 헤테로방향족환이고,
복수의 Ar5는 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar7은 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar11은 서로 동일하거나 상이하고,
복수의 Ar12는 서로 동일하거나 상이하고,
Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar12은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고;
상기 Q1 내지 Q5, Ar5 내지 Ar12의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 아릴포스피닐기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기 및 (아릴)(헤테로아릴)아민기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), C6~C60의 아릴아민기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴아민기, (C6~C60의 아릴)(핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴)아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 복수의 치환기는 서로 동일하거나 상이함). - 제1항에 있어서,
상기 R5는 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기(-CN), 및 하기 화학식 B1 내지 B25로 표시되는 치환체로 이루어진 군에서 선택된 것인, 화합물:
(상기 화학식 B1 내지 B25에서,
a1은 0 내지 5의 정수이고,
a2는 0 내지 4의 정수이며,
a3는 0 내지 3의 정수이고,
a4는 0 내지 7의 정수이며,
a5는 0 내지 9의 정수이고,
W1 및 W2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 S, O, Si(R13)(R14), 및 C(R15)(R16)로 이루어진 군에서 선택되고,
W3는 S, O, Si(R17)(R18), C(R19)(R20) 및 N(R21)로 이루어진 군에서 선택되고,
W4는 Si, Ge 또는 C이며,
W5는 S 또는 O이고,
환 Cy1은 C6~C18의 축합 방향족환 또는 핵원자수 5~21개의 축합 헤테로방향족환이고,
복수의 R11은 서로 동일하거나 상이하고,
R11 내지 R21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 축합하여 축합 고리를 형성하고,
상기 R12 내지 R21의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 및 아릴아민기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기, 옥소기(=O), C1~C40의 알킬카르보닐기, C6~C60의 아릴카르보닐기, 설포닐기, C1~C40의 알킬설포닐기, C6~C60의 아릴설포닐기, 싸이오케톤기(=S), 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이함). - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1 내지 150으로 이루어진 군에서 선택된 것인, 화합물:
. - 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자. - 제10항에 있어서,
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층 또는 전자수송 보조층인, 유기 전계 발광 소자.
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