KR20240079145A - Surface modifier and manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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KR20240079145A
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히로키 다츠미
준 하라
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코니카 미놀타 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 표면 개질제, 및 당해 표면 개질제를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 표면 개질제는, 금속층과 수지층 사이에 표면 개질층을 형성하는 표면 개질제이며, 하기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
식 A Z[%]=(X-Y)/X×100
[도포 전의 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 X라 하자. 동판에의 도포 후에 상기 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 Y라 하자. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용한다.]
The object of the present invention is to provide a surface modifier that can further improve the adhesion between a metal layer and a resin layer, and a method of manufacturing a printed wiring board using the surface modifier.
The surface modifier of the present invention is a surface modifier that forms a surface modification layer between a metal layer and a resin layer, and is characterized in that the absorbance change rate Z, obtained by the following formula A, is in the range of 5 to 30%.
Formula AZ[%]=(XY)/X×100
[Let the absorbance of the surface modifier before application be the absorbance X. Let the absorbance of the excess surface modifier not adhere to the copper plate after application to the copper plate be the absorbance Y. Each absorbance adopts the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement.]

Description

표면 개질제 및 프린트 배선판의 제조 방법{SURFACE MODIFIER AND MANUFACTURING METHOD OF PRINTED WIRING BOARD}Surface modifier and manufacturing method of printed wiring board {SURFACE MODIFIER AND MANUFACTURING METHOD OF PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 표면 개질제 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a surface modifier and a method of manufacturing a printed wiring board.

보다 상세하게는, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 표면 개질제, 및 당해 표면 개질제를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.More specifically, it relates to a surface modifier that can further improve the adhesion between the metal layer and the resin layer, and a method of manufacturing a printed wiring board using the surface modifier.

근년, 데이터 사회화의 진전에 의해, 배선이 고밀도이면서 고정밀의 프린트 배선판(「프린트 기판」이라고도 함)이 요구되고 있다. 프린트 배선판의 제조 공정에 있어서는, 금속층이나 금속 배선의 표면에, 에칭 레지스트, 도금 레지스트, 솔더 레지스트, 프리프레그 등의 수지 재료가 접합된다. 프린트 배선판의 제조 공정 및 제조 후의 제품에 있어서는, 금속층과 수지층 사이에 높은 밀착성이 요구된다.In recent years, with the advancement of data socialization, printed wiring boards (also referred to as “printed boards”) with high-density and high-precision wiring have been required. In the manufacturing process of a printed wiring board, resin materials such as etching resist, plating resist, soldering resist, and prepreg are bonded to the surface of the metal layer or metal wiring. In the manufacturing process of a printed wiring board and the product after manufacturing, high adhesion is required between the metal layer and the resin layer.

그래서, 종래는, 금속층과 수지층의 밀착성을 높이기 위해서, 금속층의 표면을 조면화하여, 앵커 효과에 의한 접착을 행하고 있었다. 그러나, 조면화된 금속층의 표면은, 5G, 6G 등의 통신 기술에서 사용하는 단파장의 전파에 대하여 전송 손실의 원인이 될 수 있다. 그 때문에, 금속층의 표면을 조면화하지 않고 금속층과 수지층의 밀착성을 높이는 기술이 요구되고 있다.Therefore, conventionally, in order to increase the adhesion between the metal layer and the resin layer, the surface of the metal layer was roughened and adhesion was performed by the anchor effect. However, the surface of the roughened metal layer may cause transmission loss for short-wavelength radio waves used in communication technologies such as 5G and 6G. Therefore, there is a demand for a technique to increase the adhesion between the metal layer and the resin layer without roughening the surface of the metal layer.

금속층의 표면을 조면화하지 않고 금속층과 수지층의 밀착성을 높이는 방법으로서, 이하와 같은 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1은, 금속층의 표면에 수지층과의 접착성을 향상시키는 접착성 향상용의 피막을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 특허문헌 2는, 황 함유 화합물 및 질소 함유 화합물을 감광성 수지 중에 함유시켜 밀착성을 향상시키는 방법을 개시하고 있다. 특허문헌 3은, 아미노기를 갖는 질소 함유 화합물을 포함하는 처리액을 사용하여, 금속 표면에 유기 피막을 형성하여, 금속과 수지의 밀착성을 향상시키는 방법을 개시하고 있다.As a method of increasing the adhesion between the metal layer and the resin layer without roughening the surface of the metal layer, the following techniques are known. Patent Document 1 discloses a method of forming an adhesion-improving film on the surface of a metal layer to improve adhesion with a resin layer. Patent Document 2 discloses a method of improving adhesion by including a sulfur-containing compound and a nitrogen-containing compound in a photosensitive resin. Patent Document 3 discloses a method of improving the adhesion between the metal and the resin by forming an organic film on the surface of the metal using a treatment liquid containing a nitrogen-containing compound having an amino group.

그러나, 이들 기술에서는, 금속층과 수지층의 밀착성은 어느 정도는 향상되기는 하지만, 아직 충분한 밀착성이 얻어지지 않았다.However, in these techniques, although the adhesion between the metal layer and the resin layer is improved to some extent, sufficient adhesion has not yet been obtained.

일본 특허 공개 제2017-203073호 공보Japanese Patent Publication No. 2017-203073 일본 특허 공개 제2020-34933호 공보Japanese Patent Publication No. 2020-34933 일본 특허 공개 제2008-274311호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-274311

본 발명은 상기 문제·상황을 감안하여 이루어진 것이며, 그 해결 과제는, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 표면 개질제, 및 당해 표면 개질제를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention was made in consideration of the above problems and situations, and the problem to be solved is to provide a surface modifier that can further improve the adhesion between the metal layer and the resin layer, and a method of manufacturing a printed wiring board using the surface modifier.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 과제의 원인 등에 대하여 검토한 결과, 금속층에 도포한 전후의 흡광도의 변화율이 특정한 범위 내인 표면 개질제는 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 향상시키는 성능이 높은 것을 알아내어, 본 발명에 이르렀다.In order to solve the above problem, the present inventor studied the causes of the above problem and found that a surface modifier whose absorbance change rate before and after application to the metal layer is within a specific range has a high performance in improving the adhesion between the metal layer and the resin layer. After finding out, we arrived at the present invention.

즉, 본 발명에 관한 상기 과제는, 이하의 수단에 의해 해결된다.That is, the above-described problem regarding the present invention is solved by the following means.

1. 금속층과 수지층 사이에 표면 개질층을 형성하는 표면 개질제이며,1. It is a surface modifier that forms a surface modification layer between the metal layer and the resin layer.

하기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인The absorbance change rate Z calculated by the following formula A is within the range of 5 to 30%.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

식 A Z[%]=(X-Y)/X×100Formula A Z[%]=(X-Y)/X×100

[도포 전의 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 X라 하자. 동판에의 도포 후에 상기 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 Y라 하자. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용한다.][Let the absorbance of the surface modifier before application be the absorbance X. Let the absorbance of the excess surface modifier not adhere to the copper plate after application to the copper plate be the absorbance Y. Each absorbance adopts the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement.]

2. 상기 흡광도 변화율 Z가 10 내지 30%의 범위 내인2. The absorbance change rate Z is in the range of 10 to 30%

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

3. 상기 흡광도 변화율 Z가 15 내지 25%의 범위 내인3. The absorbance change rate Z is in the range of 15 to 25%

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

4. 흡착제 화합물을 함유하고,4. Contains an adsorbent compound,

상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물인The adsorbent compound is a nitrogen-containing compound.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

5. 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,5. Contains an adsorbent compound and a solvent compound,

상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물이며,The adsorbent compound is a nitrogen-containing compound,

상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인The solvent compound is water or alcohol.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

6. 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,6. Contains adsorbent compounds and solvent compounds,

상기 흡착제 화합물이 질소 함유 복소환 화합물이며,The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound,

상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인The solvent compound is water or alcohol.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

7. 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,7. Contains adsorbent compounds and solvent compounds,

상기 흡착제 화합물이 6-5축합환, 5-5축합환 및 5원환 중 적어도 어느 것을 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며,The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having at least one of a 6-5 fused ring, a 5-5 fused ring, and a 5-membered ring,

상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인The solvent compound is water or alcohol.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

8. 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,8. Contains adsorbent compounds and solvent compounds,

상기 흡착제 화합물이 하기 일반식 W, 일반식 X, 또는 일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며,The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by the following general formula W, general formula X, or general formula Y,

상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인The solvent compound is water or alcohol.

것을 특징으로 하는 표면 개질제.A surface modifier characterized in that.

Figure pat00001
Figure pat00001

[일반식 W 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. W1 내지 W7은 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, W1 내지 W7로 축합환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.][In General Formula W, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. W 1 to W 7 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and W 1 to W 7 form a condensed ring. m represents an integer greater than 1.]

Figure pat00002
Figure pat00002

[일반식 X 중, X1 내지 X5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 CR1을 나타낸다. R1은 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아미노기, 시아노기, 티올기, 카르보닐기, 할로게노기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시기를 나타내고, 또한 치환기를 갖고 있어도 된다.][In General Formula X, X 1 to X 5 each independently represent a nitrogen atom or CR 1 . R 1 each independently represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an amino group, a cyano group, a thiol group, a carbonyl group, a halogeno group, a trifluoromethyl group, or a hydroxy group, It may also have a substituent.]

Figure pat00003
Figure pat00003

[일반식 Y 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. Y1 내지 Y5는 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, Y1 내지 Y5로 복소환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.][In General Formula Y, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. Y 1 to Y 5 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and Y 1 to Y 5 form a heterocycle. m represents an integer greater than 1.]

9. 프린트 배선판의 제조 방법이며,9. A method of manufacturing a printed wiring board,

금속층 상에, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 표면 개질제를 도포하여, 두께 15nm 이하의 표면 개질층을 형성하는 공정을 갖는Having a process of applying the surface modifier according to any one of claims 1 to 8 on a metal layer to form a surface modification layer with a thickness of 15 nm or less.

것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.A method of manufacturing a printed wiring board, characterized in that.

10. 상기 표면 개질층의 두께가 5nm 이하인10. The surface modification layer has a thickness of 5 nm or less.

것을 특징으로 하는, 제9항에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board according to claim 9, characterized in that.

11. 상기 금속층이 구리 또는 구리 합금을 주성분으로 하는 층인11. The metal layer is a layer containing copper or a copper alloy as its main component.

것을 특징으로 하는, 제9항에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board according to claim 9, characterized in that.

본 발명의 상기 수단에 의해, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 표면 개질제, 및 당해 표면 개질제를 사용한 프린트 배선판의 제조 방법을 제공할 수 있다.By the means of the present invention, it is possible to provide a surface modifier capable of further improving the adhesion between the metal layer and the resin layer, and a method for manufacturing a printed wiring board using the surface modifier.

본 발명의 효과의 발현 기구 또는 작용 기구에 대해서는, 명확하게는 되어 있지 않지만, 이하와 같이 추정하고 있다.The mechanism of expression or action of the effect of the present invention is not clear, but is estimated as follows.

흡착제 화합물이 많이 적층되어 구성된 표면 개질층에서는, 층 내에서 응집 파괴가 일어나버리기 때문에, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 충분히 향상시킬 수 없다. 그 때문에, 표면 개질층은, 흡착제 화합물의 단분자층인 것이 이상적이다. 흡착제 화합물의 금속층에의 흡착력이 너무 강하면, 금속층 상에 너무 적층되어버려, 단분자층 또는 이것에 가까운 층을 형성할 수 없다. 한편, 흡착제 화합물의 금속층에의 흡착력이 너무 약해도, 흡착량이 너무 적어져버리기 때문에, 표면 개질층을 충분히 형성할 수 없다. 따라서, 표면 개질제가 함유하는 흡착제 화합물의 흡착력은, 단분자층 또는 이것에 가까운 층을 형성하기 때문에, 적당한 것이 바람직하다.In a surface modification layer composed of many adsorbent compounds laminated, cohesive failure occurs within the layer, so the adhesion between the metal layer and the resin layer cannot be sufficiently improved. Therefore, ideally the surface modification layer is a monomolecular layer of an adsorbent compound. If the adsorption power of the adsorbent compound to the metal layer is too strong, it becomes too laminated on the metal layer, making it impossible to form a monomolecular layer or a layer close to it. On the other hand, even if the adsorption power of the adsorbent compound to the metal layer is too weak, the amount of adsorption becomes too small, making it impossible to sufficiently form a surface modification layer. Therefore, the adsorption power of the adsorbent compound contained in the surface modifier is preferably appropriate because it forms a monomolecular layer or a layer close to this.

여기서, 본 발명의 표면 개질제는, 하기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인 것을 특징으로 한다.Here, the surface modifier of the present invention is characterized in that the absorbance change rate Z, obtained by the following formula A, is in the range of 5 to 30%.

식 A Z[%]=(X-Y)/X×100Formula A Z[%]=(X-Y)/X×100

[도포 전의 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 X라 하자. 동판에의 도포 후에 상기 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 Y라 하자. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용한다.][Let the absorbance of the surface modifier before application be the absorbance X. Let the absorbance of the excess surface modifier not adhere to the copper plate after application to the copper plate be the absorbance Y. Each absorbance adopts the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement.]

이 흡광도 변화율 Z는, 표면 개질제에 있어서의 흡착제 화합물의 흡착력의 지표가 되는 파라미터이다. 표면 개질제를 동판에 도포하면, 표면 개질제가 함유하는 흡착제 화합물의 일부가 동판에 부착된다. 이 부착된 흡착제 화합물의 양에 따라서, 도포 후의 표면 개질제에 있어서의 흡착제 화합물의 함유량이 저하되고, 거기에 따른 표면 개질제의 흡광도도 저하된다. 흡착제 화합물의 흡착력이 강할수록, 도포에 의한 흡착량이 많아지고, 흡광도의 저하가 커지기 때문에, 표면 개질제의 흡광도 변화율 Z는 커진다. 표면 개질제의 흡광도 변화율 Z는 흡착제 화합물의 종류뿐만 아니라, 흡착제 화합물의 함유량이나 다른 성분 등에 의해서도 바뀐다. 본 발명자는, 5 내지 30%의 범위 내의 흡광도 변화율 Z를 나타내는 표면 개질제라면, 흡착제 화합물의 흡착력이 적당한 것을 알아내었다. 본 발명의 표면 개질제는, 이 조건을 충족시킴으로써 흡착제 화합물의 흡착력이 적당하기 때문에, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 높은 레벨로 향상시킬 수 있다.This absorbance change rate Z is a parameter that serves as an index of the adsorption power of the adsorbent compound in the surface modifier. When a surface modifier is applied to a copper plate, a portion of the adsorbent compound contained in the surface modifier adheres to the copper plate. Depending on the amount of the adsorbent compound attached, the content of the adsorbent compound in the surface modifier after application decreases, and the absorbance of the surface modifier accordingly decreases. The stronger the adsorption power of the adsorbent compound, the greater the amount of adsorption due to application, and the greater the decrease in absorbance, so the absorbance change rate Z of the surface modifier increases. The absorbance change rate Z of the surface modifier changes not only depending on the type of adsorbent compound, but also depending on the content of the adsorbent compound or other components. The present inventor has found that the adsorption power of the adsorbent compound is appropriate as long as it is a surface modifier that exhibits an absorbance change rate Z within the range of 5 to 30%. The surface modifier of the present invention can improve the adhesion between the metal layer and the resin layer to a high level because the adsorption power of the adsorbent compound is adequate by satisfying this condition.

도 1은 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(금속 피복 적층판)
도 2는 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(표면 개질층의 형성)
도 3은 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(레지스트층의 형성)
도 4는 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(레지스트층의 패터닝)
도 5는 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(표면 개질층 및 금속층의 에칭)
도 6은 금속 배선 패턴의 형성 공정을 나타내는 도면(레지스트층의 박리)
1 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (metal clad laminate)
2 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (formation of a surface modification layer)
3 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (formation of a resist layer)
4 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (patterning of a resist layer).
5 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (etching of the surface modification layer and metal layer)
6 is a diagram showing the formation process of a metal wiring pattern (resist layer peeling).

본 발명의 표면 개질제는, 금속층과 수지층 사이에 표면 개질층을 형성하는 표면 개질제이며, 상기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인 것을 특징으로 한다.The surface modifier of the present invention is a surface modifier that forms a surface modification layer between a metal layer and a resin layer, and is characterized in that the absorbance change rate Z obtained by the above formula A is in the range of 5 to 30%.

이 특징은, 하기 실시 형태에 공통되거나 또는 대응하는 기술적 특징이다.This feature is a technical feature common to or corresponding to the following embodiments.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡광도 변화율 Z가 10 내지 30%의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 내지 25%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 표면 개질제가 함유하는 성분의, 금속층의 표면에의 흡착량이 보다 적당하여, 단분자층을 형성하기 쉬워진다. 그 때문에, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.As an embodiment of the surface modifier of the present invention, the absorbance change rate Z is preferably within the range of 10 to 30%, and more preferably within the range of 15 to 25%. As a result, the amount of adsorption of the component contained in the surface modifier to the surface of the metal layer becomes more appropriate, making it easier to form a monomolecular layer. Therefore, the adhesion between the metal layer and the resin layer can be further improved.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡착제 화합물을 함유하고, 상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물인 것이 바람직하다.An embodiment of the surface modifier of the present invention preferably contains an adsorbent compound, and the adsorbent compound is a nitrogen-containing compound.

질소 함유 화합물은 질소 원자가 금속층과 강하게 상호 작용하기 쉬움으로써, 밀착 향상성이 높다.Nitrogen-containing compounds have a high adhesion improvement because nitrogen atoms tend to interact strongly with the metal layer.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고, 상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물이며, 상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인 것이 바람직하다. 물 또는 알코올류는 질소 함유 화합물을 용해시키기 쉽다.An embodiment of the surface modifier of the present invention preferably contains an adsorbent compound and a solvent compound, the adsorbent compound is a nitrogen-containing compound, and the solvent compound is water or alcohol. Water or alcohol easily dissolve nitrogen-containing compounds.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고, 상기 흡착제 화합물이 질소 함유 복소환 화합물이며, 상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인 것이 바람직하다. 질소 함유 복소환 화합물은 질소 원자가 금속층과 강하게 상호 작용하기 쉬울 뿐 아니라, 복소환 구조부가 수지층과 강하게 상호 작용하기 쉽기 때문에, 보다 밀착 향상성이 높다.An embodiment of the surface modifier of the present invention preferably contains an adsorbent compound and a solvent compound, the adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound, and the solvent compound is water or alcohol. Nitrogen-containing heterocyclic compounds have a higher adhesion improvement because not only nitrogen atoms tend to interact strongly with the metal layer, but also heterocyclic structural portions tend to strongly interact with the resin layer.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고, 상기 흡착제 화합물이 6-5축합환, 5-5축합환 및 5원환 중 적어도 어느 것을 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며, 상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인 것이 바람직하다. 이러한 질소 함유 복소환 화합물은 보다 밀착 향상성이 높다.As an embodiment of the surface modifier of the present invention, it contains an adsorbent compound and a solvent compound, and the adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having at least one of a 6-5 fused ring, a 5-5 fused ring, and a 5-membered ring, It is preferable that the solvent compound is water or alcohol. These nitrogen-containing heterocyclic compounds have higher adhesion improvement.

본 발명의 표면 개질제의 실시 형태로서는, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고, 상기 흡착제 화합물이 하기 일반식 W, 일반식 X, 또는 일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며, 상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인 것이 바람직하다. 이에 의해, 이러한 질소 함유 복소환 화합물은 보다 밀착 향상성이 높다.In an embodiment of the surface modifier of the present invention, it contains an adsorbent compound and a solvent compound, and the adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by the following general formula W, general formula X, or general formula Y, It is preferable that the solvent compound is water or alcohol. As a result, these nitrogen-containing heterocyclic compounds have higher adhesion improvement properties.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법이며, 금속층 상에 본 발명의 표면 개질제를 도포하여, 두께 15nm 이하의 표면 개질층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing a printed wiring board of the present invention is characterized by comprising the step of applying the surface modifier of the present invention on a metal layer to form a surface modification layer with a thickness of 15 nm or less.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법의 실시 형태로서는, 상기 표면 개질층의 두께가 5nm 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.As an embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, it is preferable that the thickness of the surface modification layer is 5 nm or less. Thereby, the adhesion between the metal layer and the resin layer can be further improved.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법의 실시 형태로서는, 가공성이나 도전성의 관점에서, 상기 금속층이 구리 또는 구리 합금을 주성분으로 하는 층인 것이 바람직하다.As an embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, it is preferable that the metal layer is a layer containing copper or a copper alloy as a main component from the viewpoint of processability and conductivity.

이하, 본 발명과 그 구성 요소 및 본 발명을 실시하기 위한 형태·양태에 대하여 상세한 설명을 한다. 또한, 본원에 있어서 「내지」는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용한다.Hereinafter, a detailed description will be given of the present invention, its components, and forms and aspects for carrying out the present invention. In addition, in this application, “to” is used to include the numerical values described before and after as the lower limit and the upper limit.

[표면 개질제의 개요][Overview of surface modifiers]

본 발명의 표면 개질제는, 금속층과 수지층 사이에 표면 개질층을 형성하는 표면 개질제이며, 하기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인 것을 특징으로 하는 표면 개질제.The surface modifier of the present invention is a surface modifier that forms a surface modification layer between a metal layer and a resin layer, and the surface modifier is characterized in that the absorbance change rate Z calculated by the following formula A is in the range of 5 to 30%.

식 A Z[%]=(X-Y)/X×100Formula A Z[%]=(X-Y)/X×100

[도포 전의 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 X라 하자. 동판에의 도포 후에 상기 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 Y라 하자. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용한다.][Let the absorbance of the surface modifier before application be the absorbance X. Let the absorbance of the excess surface modifier not adhere to the copper plate after application to the copper plate be the absorbance Y. Each absorbance adopts the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement.]

흡광도 X는 구체적으로는 흡착제 화합물의 함유량을 20질량ppm으로 조정한 표면 개질제의 흡광도이다. 흡광도 X는 구체적으로는 이하의 방법으로 구할 수 있다. 먼저, 표면 개질제에 있어서의 흡착제 화합물의 함유량을 측정한다. 당해 함유량이 20질량ppm 미만인 경우에는, 용매를 증발시켜 농축하고, 당해 함유량을 20질량ppm으로 조정한다. 당해 함유량이 20질량ppm 초과인 경우에는, 표면 개질제가 함유하는 용매의 종류에 관계없이, 이온 교환수를 사용하여 희석하여, 당해 함유량을 20질량ppm으로 조정한다. 흡착제 화합물의 함유량을 20질량ppm으로 조정한 표면 개질제로 분광 광도 측정으로 흡수 스펙트럼을 얻는다. 당해 흡수 스펙트럼의, 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를, 흡광도 X로 한다.Specifically, the absorbance The absorbance X can be specifically obtained by the following method. First, the content of the adsorbent compound in the surface modifier is measured. If the content is less than 20 ppm by mass, the solvent is evaporated and concentrated, and the content is adjusted to 20 ppm by mass. When the content exceeds 20 ppm by mass, the surface modifier is diluted with ion-exchanged water to adjust the content to 20 ppm by mass, regardless of the type of solvent it contains. The absorption spectrum is obtained by spectrophotometry using a surface modifier with the content of the adsorbent compound adjusted to 20 mass ppm. The absorbance at the maximum absorption within the wavelength range of 300 to 800 nm in the absorption spectrum is taken as absorbance

흡광도 Y는 구체적으로는 이하의 방법으로 구할 수 있다. 먼저, 10cm×10cm의 동판에, 상기 방법으로 흡착제 화합물의 함유량을 20질량ppm으로 조정한 표면 개질제 100mL를, 스프레이 장치로 순환시키면서 1분간 도포한다. 이 스프레이 장치에는, 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 표면 개질제가, 탱크를 경유하여 순환하고, 반복해서 도포되는 구조의 것을 사용한다. 도포의 스프레이압은 0.2MPa로 하고, 도포 온도는 25℃로 한다. 1분간의 도포 후에, 스프레이 장치의 탱크에 남아있는 표면 개질제를 취출한다. 취출한 표면 개질제로부터 분광 광도 측정으로 흡수 스펙트럼을 얻는다. 당해 흡수 스펙트럼의, 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를, 흡광도 Y로 한다.The absorbance Y can be specifically obtained by the following method. First, 100 mL of the surface modifier whose content of the adsorbent compound was adjusted to 20 mass ppm by the above method is applied to a 10 cm x 10 cm copper plate for 1 minute while circulating with a spray device. This spray device uses a structure in which the excess surface modifier that does not adhere to the copper plate circulates through a tank and is applied repeatedly. The spray pressure for application is 0.2 MPa, and the application temperature is 25°C. After application for 1 minute, the surface modifier remaining in the tank of the spray device is taken out. An absorption spectrum is obtained from the extracted surface modifier by spectrophotometry. The absorbance at the maximum absorption within the wavelength range of 300 to 800 nm in the absorption spectrum is taken as absorbance Y.

본 발명의 표면 개질제는, 흡광도 변화율 Z가 10 내지 30%의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 내지 25%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 표면 개질제가 함유하는 성분의, 금속층의 표면에의 흡착량이 보다 적당해져, 단분자층을 형성하기 쉬워진다. 그 때문에, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The surface modifier of the present invention preferably has an absorbance change rate Z in the range of 10 to 30%, and more preferably in the range of 15 to 25%. As a result, the amount of adsorption of the component contained in the surface modifier to the surface of the metal layer becomes more appropriate, making it easier to form a monomolecular layer. Therefore, the adhesion between the metal layer and the resin layer can be further improved.

[표면 개질제의 성분][Ingredients of surface modifier]

본 발명의 표면 개질제는, 적어도 흡착제 화합물과 용제 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The surface modifier of the present invention preferably contains at least an adsorbent compound and a solvent compound.

흡착제 화합물은 표면 개질층을 형성하여, 금속층과 수지층의 밀착성을 향상시킬 수 있는 화합물이다. 흡착제 화합물은, 금속층의 표면에 흡착되어 표면 개질층을 형성하는 것이 바람직하다. 금속층의 표면에의 흡착은, 화학 흡착인 것이 바람직하다.The adsorbent compound is a compound that can improve the adhesion between the metal layer and the resin layer by forming a surface modification layer. The adsorbent compound is preferably adsorbed on the surface of the metal layer to form a surface modification layer. Adsorption to the surface of the metal layer is preferably chemical adsorption.

흡착제 화합물은 비감광성인 것이 바람직하다. 「비감광성」이란, 표면 개질층을 형성하는 공정에서의 통상의 조건 하에서는, 광을 흡수하고, 분자 내의 결합이 개열하거나, 분자끼리가 중합되거나 하지 않는 성질을 말한다.The adsorbent compound is preferably non-photosensitive. “Non-photosensitive” refers to the property of absorbing light and not cleaving intramolecular bonds or polymerizing molecules under normal conditions in the process of forming the surface modification layer.

흡착제 화합물은 질소 함유 화합물인 것이 바람직하다. 질소 함유 화합물은 질소 원자가 금속층과 강하게 상호 작용하기 쉬움으로써, 밀착 향상성이 높다.The adsorbent compound is preferably a nitrogen-containing compound. Nitrogen-containing compounds have a high adhesion improvement because nitrogen atoms tend to interact strongly with the metal layer.

흡착제 화합물은 질소 함유 복소환 화합물인 것이 보다 바람직하다. 질소 함유 복소환 화합물은 질소 원자가 금속층과 강하게 상호 작용하기 쉬울 뿐 아니라, 복소환 구조부가 수지층과 강하게 상호 작용하기 쉽기 때문에, 보다 밀착 향상성이 높다.The adsorbent compound is more preferably a nitrogen-containing heterocyclic compound. Nitrogen-containing heterocyclic compounds have a higher adhesion improvement because not only nitrogen atoms tend to interact strongly with the metal layer, but also heterocyclic structural portions tend to strongly interact with the resin layer.

흡착제 화합물은, 밀착 향상성의 관점에서, 6-5축합환, 5-5축합환 및 5원환 중 적어도 어느 것을 갖는 질소 함유 복소환 화합물인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of adhesion improvement, the adsorbent compound is more preferably a nitrogen-containing heterocyclic compound having at least one of a 6-5 fused ring, a 5-5 fused ring, and a 5-membered ring.

흡착제 화합물은, 밀착 향상성의 관점에서, 하기 일반식 W, 일반식 X, 또는 일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물인 것이 보다 바람직하다. 이들 중에서도, 하기 일반식 W, 또는 일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving adhesion, the adsorbent compound is more preferably a nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by the following general formula W, general formula X, or general formula Y. Among these, nitrogen-containing heterocyclic compounds having a structure represented by the following general formula W or Y are more preferable.

Figure pat00004
Figure pat00004

[일반식 W 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. W1 내지 W7은 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, W1 내지 W7로 축합환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.][In General Formula W, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. W 1 to W 7 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and W 1 to W 7 form a condensed ring. m represents an integer greater than 1.]

m은 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that m represents an integer of 1 to 4.

일반식 W로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물은, 밀착 향상성의 관점에서, 하기 일반식 1로 표시되는 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.The nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by the general formula W more preferably has a structure represented by the following general formula 1 from the viewpoint of improved adhesion.

Figure pat00005
Figure pat00005

[일반식 1 식 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. R1은 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 또한 치환기를 가져도 된다. R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 헤테로아릴기 또는 할로게노기를 나타낸다. n은 각각 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다. 복수의 치환기 R2를 갖는 경우에는, 각 치환기 R2는 서로 동일하여도 달라도 된다. 또한, 복수의 n을 갖는 경우에는, 각각의 n은 서로 동일하여도 달라도 되고, 또한 복수의 m을 갖는 경우에는, 각각의 m은 서로 동일하여도 달라도 된다.][In General Formula 1, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and may also have a substituent. R 2 represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, a heteroaryl group, or a halogeno group. n each represents an integer from 0 to 4. m represents an integer of 1 or more. When having a plurality of substituents R 2 , each substituent R 2 may be the same or different from each other. In addition, when having a plurality of n, each n may be the same or different from each other, and when having a plurality of m, each m may be the same or different from each other.]

R1이 가져도 되는 치환기로서는, 예를 들어 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 헤테로아릴기 또는 할로게노기(할로겐 원자) 등을 들 수 있다.Examples of the substituent that R 1 may have include an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, a heteroaryl group, or a halogeno group (halogen atom).

R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 또는 아릴옥시기를 나타내는 것이 보다 바람직하다.R 2 more preferably represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.

m은 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that m represents an integer of 1 to 4.

일반식 1로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물은, 밀착 향상성의 관점에서, 하기 일반식 5로 표시되는 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.The nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by General Formula 1 more preferably has a structure represented by the following General Formula 5 from the viewpoint of improved adhesion.

Figure pat00006
Figure pat00006

[일반식 5 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 헤테로아릴기 또는 할로게노기(할로겐 원자)를 나타낸다. n은 각각 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다. 복수의 치환기 R2를 갖는 경우에는, 각 치환기 R2는 서로 동일하여도 달라도 된다.][In General Formula 5, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. R 2 represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, a heteroaryl group, or a halogeno group (halogen atom). n each represents an integer from 0 to 4. m represents an integer of 1 or more. When having multiple substituents R 2 , each substituent R 2 may be the same or different from each other.]

Rn1 및 Rn2는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하다.Rn 1 and Rn 2 more preferably represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 또는 아릴옥시기를 나타내는 것이 보다 바람직하다.R 2 more preferably represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.

m은 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that m represents an integer of 1 to 4.

Figure pat00007
Figure pat00007

[일반식 X 중, X1 내지 X5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 CR1을 나타낸다. R1은 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아미노기, 시아노기, 티올기, 카르보닐기, 할로게노기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시기를 나타내고, 또한 치환기를 갖고 있어도 된다.][In General Formula X, X 1 to X 5 each independently represent a nitrogen atom or CR 1 . R 1 each independently represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an amino group, a cyano group, a thiol group, a carbonyl group, a halogeno group, a trifluoromethyl group, or a hydroxy group, It may also have a substituent.]

CR1은 아릴기 또는 헤테로아릴기를 갖는 것이 바람직하다. 당해 아릴기 또는 헤테로아릴기에 알킬기, 알콕시기, 카르보닐기가 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다.CR 1 preferably has an aryl group or heteroaryl group. It is more preferable that the aryl group or heteroaryl group is substituted with an alkyl group, an alkoxy group, or a carbonyl group.

X1, X2 및 X4 CR1을 나타내고, X3 및 X5가 질소 원자를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that X 1 , X 2 and X 4 CR 1 are represented, and X 3 and X 5 represent a nitrogen atom.

Figure pat00008
Figure pat00008

[일반식 Y 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. Y1 내지 Y5는 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, Y1 내지 Y5로 복소환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.][In General Formula Y, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. Y 1 to Y 5 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and Y 1 to Y 5 form a heterocycle. m represents an integer greater than 1.]

m은 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that m represents an integer of 1 to 4.

일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물은, 밀착 향상성의 관점에서, 하기 일반식 2 내지 4로 표시되는 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.The nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by general formula Y more preferably has a structure represented by the following general formulas 2 to 4 from the viewpoint of improved adhesion.

Figure pat00009
Figure pat00009

[일반식 2 내지 4 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. R1은 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 또한 치환기를 가져도 된다. R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 헤테로아릴기 또는 할로게노기를 나타낸다. n은 각각 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다. 복수의 치환기 R2를 갖는 경우에는, 각 치환기 R2는 서로 동일하여도 달라도 된다. 또한, 복수의 n을 갖는 경우에는, 각각의 n은 서로 동일하여도 달라도 되고, 또한 복수의 m을 갖는 경우에는, 각각의 m은 서로 동일하여도 달라도 된다.][In General Formulas 2 to 4, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and may also have a substituent. R 2 represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, a heteroaryl group, or a halogeno group. n each represents an integer from 0 to 4. m represents an integer of 1 or more. When having a plurality of substituents R 2 , each substituent R 2 may be the same or different from each other. In addition, when having a plurality of n, each n may be the same or different from each other, and when having a plurality of m, each m may be the same or different from each other.]

R1이 가져도 되는 치환기로서는, 예를 들어 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 카르복시기, 에스테르기, 아미드기, 헤테로아릴기 또는 할로게노기(할로겐 원자) 등을 들 수 있다.Examples of the substituent that R 1 may have include an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, a heteroaryl group, or a halogeno group (halogen atom).

R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 또는 아릴옥시기를 나타내는 것이 보다 바람직하다.R 2 more preferably represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.

m은 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that m represents an integer of 1 to 4.

질소 함유 화합물의 예를 이하에 열거한다. 본 발명에 관한 질소 함유 화합물은 이들에 한정되지 않는다.Examples of nitrogen-containing compounds are listed below. The nitrogen-containing compounds according to the present invention are not limited to these.

Figure pat00010
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Figure pat00011
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Figure pat00012
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Figure pat00013
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Figure pat00014
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Figure pat00015
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본 발명의 표면 개질제가 함유하는 흡착제 화합물은, 1종만으로도 2종 이상에서도 된다.The adsorbent compound contained in the surface modifier of the present invention may be one type or two or more types.

본 발명의 표면 개질제는, 용해성의 관점에서, 용제 화합물로서 적어도 물 또는 알코올류를 함유하는 것이 바람직하다. 물은 특별히 한정되지 않지만, 불순물의 함유량을 저감시키는 관점에서, 이온 교환수, 증류수, 순수 등이 바람직하다. 알코올류로서는, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 2-프로판올 등을 들 수 있다. 용제 화합물로서, 물 또는 알코올류를 2종 이상 병용해도 된다.From the viewpoint of solubility, the surface modifier of the present invention preferably contains at least water or alcohol as a solvent compound. Water is not particularly limited, but from the viewpoint of reducing the content of impurities, ion-exchanged water, distilled water, pure water, etc. are preferable. Examples of alcohols include methanol, ethanol, and 2-propanol. As a solvent compound, two or more types of water or alcohol may be used in combination.

물과 알코올류의 질량비는 100:0 내지 50:50의 범위 내가 바람직하고, 100:0 내지 75:25의 범위 내가 보다 바람직하다. 이에 의해, 흡착제 화합물의 단분자층을 형성하기 쉬워진다.The mass ratio of water and alcohol is preferably within the range of 100:0 to 50:50, and more preferably within the range of 100:0 to 75:25. This makes it easier to form a monomolecular layer of the adsorbent compound.

흡착제 화합물의 농도는, 표면 개질제 전체에 대하여 0.001 내지 0.01질량%의 범위 내가 바람직하고, 0.001 내지 0.004질량%의 범위 내가 보다 바람직하고, 0.001 내지 0.002질량%의 범위 내가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 흡착제 화합물의 단분자층을 형성하기 쉬워진다.The concentration of the adsorbent compound is preferably in the range of 0.001 to 0.01 mass%, more preferably in the range of 0.001 to 0.004 mass%, and even more preferably in the range of 0.001 to 0.002 mass%, relative to the total surface modifier. This makes it easier to form a monomolecular layer of the adsorbent compound.

표면 개질제는 상기 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 다른 성분으로서는, 계면 활성제, 방부제, 안정화제, 산, 염기, pH 조정제 등을 들 수 있다.The surface modifier may contain components other than those mentioned above. Other ingredients include surfactants, preservatives, stabilizers, acids, bases, pH adjusters, etc.

표면 개질제의 마그네슘 이온 농도는 5질량ppm 이하가 바람직하다. 또한, 표면 개질제의 황화물 이온 농도는 5질량ppm 이하가 바람직하다. 이들에 의해, 흡착제 화합물이 마그네슘 이온이나 황화물 이온과 반응해버려, 흡착제 화합물이 금속층과 반응하기 어려워지는 것을 억제할 수 있다.The magnesium ion concentration of the surface modifier is preferably 5 mass ppm or less. Additionally, the sulfide ion concentration of the surface modifier is preferably 5 mass ppm or less. These can prevent the adsorbent compound from reacting with magnesium ions or sulfide ions, making it difficult for the adsorbent compound to react with the metal layer.

[프린트 배선판의 제조 방법][Manufacturing method of printed wiring board]

본 발명의 표면 개질제는 프린트 배선판의 제조에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 프린트 배선판의 제조에 있어서 패턴 형성 전의 금속판(금속층)에, 금속 배선 패턴 형성용 에칭 레지스트(수지층)를 접착시킬 때 사용할 수 있다. 또한, 프린트 배선판의 제조에 있어서, 패턴 형성이 되어 있어도 되어 있지 않아도 되는 금속판(금속층)에, 수지 필름, 프리프레그 등의 수지 시트(수지층)를 접착시킬 때 사용할 수 있다.The surface modifier of the present invention can be used in the production of printed wiring boards. Specifically, it can be used when attaching an etching resist (resin layer) for forming a metal wiring pattern to a metal plate (metal layer) before pattern formation in the manufacture of a printed wiring board. Additionally, in the manufacture of printed wiring boards, it can be used when adhering a resin sheet (resin layer) such as a resin film or prepreg to a metal plate (metal layer) that may or may not be patterned.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시 형태는, 금속층 상에 본 발명의 표면 개질제를 도포하여, 표면 개질층을 형성하는 공정을 갖는다. 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시 형태는, 형성한 표면 개질층 상에 수지층을 형성하는 공정을 더 갖는다.One embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes a step of applying the surface modifier of the present invention on a metal layer to form a surface modification layer. One embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention further includes a step of forming a resin layer on the formed surface modification layer.

금속층에 사용되는 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 백금, 아연, 팔라듐, 로듐, 오스뮴, 루테늄, 이리듐, 구리, 니켈, 코발트, 철, 주석, 크롬, 티타늄, 탄탈, 텅스텐, 인듐, 알루미늄, 납, 몰리브덴 등의 금속, 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 가공성이나 도전성의 관점에서, 구리 또는 구리 합금을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 「주성분」이란, 50질량% 이상 함유되는 성분을 말한다.Metals used in the metal layer include, for example, gold, silver, platinum, zinc, palladium, rhodium, osmium, ruthenium, iridium, copper, nickel, cobalt, iron, tin, chromium, titanium, tantalum, tungsten, indium, aluminum, Metals such as lead and molybdenum, or alloys thereof can be used. Among these, from the viewpoint of processability and conductivity, those containing copper or a copper alloy as the main component are preferable. “Main component” refers to a component contained in an amount of 50% by mass or more.

금속층은 금속박이나, 도금, 진공 성막법에 의해 형성할 수 있다.The metal layer can be formed using metal foil, plating, or a vacuum film forming method.

금속층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 형성하는 금속 배선 패턴 등의 두께에 따른 두께로 하면 된다.The thickness of the metal layer is not particularly limited, and may be set according to the thickness of the metal wiring pattern to be formed, for example.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법에 있어서 표면 개질제를 도포하는 금속층은, 절연층 상에 금속층이 형성된 금속 피복 적층판의 금속층이어도 된다. 이 경우, 금속 피복 적층판의 절연층은, 예를 들어 수지 시트나 프리프레그이다.In the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, the metal layer to which the surface modifier is applied may be the metal layer of a metal-clad laminate in which a metal layer is formed on an insulating layer. In this case, the insulating layer of the metal-clad laminate is, for example, a resin sheet or prepreg.

표면 개질층은, 금속층 상에 본 발명의 표면 개질제를 도포하여, 건조시킴으로써 형성할 수 있다.The surface modification layer can be formed by applying the surface modifier of the present invention on a metal layer and drying it.

표면 개질층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 밀착 향상성의 관점에서, 15nm 이하가 바람직하고, 10nm 이하가 보다 바람직하고, 5nm 이하가 더욱 바람직하다.The thickness of the surface modification layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improved adhesion, it is preferably 15 nm or less, more preferably 10 nm or less, and even more preferably 5 nm or less.

수지층이 함유하는 수지는 특별히 한정하지 않지만, 아크릴로니트릴/스티렌 공중합 수지(AS 수지), 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌 공중합 수지(ABS 수지), 불소 수지, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 폴리술폰, 폴리프로필렌, 시클로 폴리올레핀 수지, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지나, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드, 폴리우레탄, 비스말레이미드·트리아진 수지, 변성 폴리페닐렌에테르, 시아네이트에스테르 등의 열경화성 수지, 혹은 자외선 경화성 에폭시 수지, 자외선 경화성 아크릴 수지 등의 자외선 경화성 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 관능기에 의해 변성되어 있어도 되고, 유리 섬유, 아라미드 섬유, 기타 섬유 등으로 강화되어 있어도 된다.The resin contained in the resin layer is not particularly limited, but includes acrylonitrile/styrene copolymer resin (AS resin), acrylonitrile/butadiene/styrene copolymer resin (ABS resin), fluororesin, polyamide, polyethylene, polyethylene terephthalate, Thermoplastic resins such as polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polysulfone, polypropylene, cyclopolyolefin resin, liquid crystal polymer, epoxy resin, phenol resin, polyimide, polyurethane, bismaleimide, etc. Thermosetting resins such as triazine resin, modified polyphenylene ether, and cyanate ester, or ultraviolet curable resins such as ultraviolet curable epoxy resin and ultraviolet curable acrylic resin. These resins may be modified with functional groups or may be reinforced with glass fibers, aramid fibers, other fibers, etc.

수지층이 에칭 레지스트인 경우, 예를 들어 알칼리 가용성 수지를 포함하는 자외선 경화성 에폭시 수지, 자외선 경화성 아크릴 수지, 폴리이미드가 바람직하게 사용된다. 에칭 레지스트는, 포토리소그래피에 의한 패터닝이 가능한 감광성 수지를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 에칭 레지스트는 드라이 필름 레지스트여도 되고, 액상의 레지스트여도 된다. 또한, 에칭 레지스트는, 노광에 의해 감광된 부분이 패턴이 되는 네가티브형이어도 되고, 노광에 의해 감광되지 않은 부분이 패턴이 되는 포지티브형 중 어느 것이어도 된다.When the resin layer is an etching resist, for example, an ultraviolet-curable epoxy resin containing an alkali-soluble resin, an ultraviolet-curable acrylic resin, or polyimide are preferably used. The etching resist is not particularly limited as long as it contains a photosensitive resin capable of patterning by photolithography. The etching resist may be a dry film resist or a liquid resist. Additionally, the etching resist may be of a negative type in which the portion exposed to light becomes a pattern, or may be of a positive type in which the portion not exposed to light becomes a pattern.

수지층이 수지 필름 또는 프리프레그인 경우, 예를 들어 불소 수지나 시클로 폴리올레핀 수지, 액정 폴리머, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드, 비스말레이미드·트리아진 수지, 변성 폴리페닐렌에테르, 시아네이트에스테르를 포함하는 수지가 바람직하게 사용된다.When the resin layer is a resin film or prepreg, for example, fluororesin, cyclopolyolefin resin, liquid crystal polymer, epoxy resin, phenol resin, polyimide, bismaleimide/triazine resin, modified polyphenylene ether, cyanate ester. A resin containing is preferably used.

이하, 본 발명의 표면 개질제를 사용하여 금속 배선 패턴을 형성하는 방법의 일례를 나타낸다.Below, an example of a method for forming a metal wiring pattern using the surface modifier of the present invention is shown.

프린트 배선판의 제조에 있어서, 예를 들어 이하의 공정 (A) 내지 (F)를 가짐으로써, 금속 배선 패턴을 형성할 수 있다.In the manufacture of a printed wiring board, a metal wiring pattern can be formed, for example, by carrying out the following processes (A) to (F).

공정 (A): 절연층 상에 금속층이 형성된 금속 피복 적층판을 산세정하는 공정Process (A): Process of acid washing a metal clad laminate in which a metal layer is formed on an insulating layer.

공정 (B): 상기 금속 피복 적층판의 상기 금속층 상에 본 발명의 표면 개질제를 사용하여 표면 개질층을 형성하는 공정Process (B): Process of forming a surface modification layer using the surface modifier of the present invention on the metal layer of the metal clad laminate.

공정 (C): 상기 표면 개질층 상에, 감광성 수지를 함유하는 레지스트층을 형성하는 공정Step (C): Step of forming a resist layer containing a photosensitive resin on the surface modification layer.

공정 (D): 상기 레지스트층을, 노광 및 현상에 의해 패터닝하는 공정Process (D): Process of patterning the resist layer by exposure and development

공정 (E): 상기 레지스트층을 개재하여, 상기 표면 개질층 및 상기 금속층을 에칭하는 공정Process (E): A process of etching the surface modification layer and the metal layer through the resist layer.

공정 (F): 상기 금속 피복 적층판으로부터 상기 레지스트층을 박리하는 공정Process (F): Process of peeling the resist layer from the metal clad laminate.

각 공정을 도 1 내지 도 6을 사용하면서 설명한다.Each process will be explained using Figures 1 to 6.

공정 (A)에서는, 절연층(1) 상에 금속층(2)이 형성된 금속 피복 적층판(5)(도 1 참조.)을 산세정한다. 이에 의해, 표면 개질제와 금속층의 상호 작용의 저해가 되는, 금속 표면에 부착되어 있는 오염이나 산화 방지제, 산화 피막 등을 제거할 수 있다. 산세정액은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 산세정 후에 수세해도 된다.In step (A), the metal clad laminate 5 (see Fig. 1) in which the metal layer 2 is formed on the insulating layer 1 is acid washed. As a result, it is possible to remove contamination, antioxidants, oxide films, etc. attached to the metal surface, which inhibit the interaction between the surface modifier and the metal layer. The pickling solution is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Additionally, you may wash with water after acid washing.

절연층(1)은 프린트 배선판의 기재가 되는 절연성의 층이다. 절연층(1)은 수지 등의 절연재를 포함하여, 종이나 유리 등의 기재에 수지를 함침시킨 프리프레그여도 된다.The insulating layer 1 is an insulating layer that serves as a base material for a printed wiring board. The insulating layer 1 may contain an insulating material such as resin, and may be a prepreg obtained by impregnating a base material such as paper or glass with the resin.

공정 (B)에서는, 금속 피복 적층판(5)의 금속층(2) 상에, 본 발명의 표면 개질제를 사용하여 표면 개질층(3)을 형성한다(도 2 참조.). 구체적으로는, 금속층(2) 상에 표면 개질제를 도포하여, 표면 개질층(3)을 형성한다.In step (B), the surface modification layer 3 is formed on the metal layer 2 of the metal clad laminate 5 using the surface modifier of the present invention (see Fig. 2). Specifically, a surface modifier is applied on the metal layer 2 to form the surface modification layer 3.

공정 (B)와 다음 공정 (C) 사이에, 표면 개질층(3)이 형성된 금속 피복 적층판(5)을 수세하는 공정을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 금속층과의 상호 작용이 불충분하여 생긴 여분의 표면 개질제를 제거할 수 있다.Between the step (B) and the next step (C), it is preferable to have a step of washing the metal-clad laminate 5 on which the surface modification layer 3 is formed. Thereby, excess surface modifier resulting from insufficient interaction with the metal layer can be removed.

공정 (C)에서는, 표면 개질층(3) 상에, 감광성 수지를 함유하는 레지스트층(4)을 형성한다(도 3 참조.). 이 상태의 적층체(6)는 금속층(2), 표면 개질층(3) 및 레지스트층(4)을 구비한다.In step (C), a resist layer 4 containing a photosensitive resin is formed on the surface modification layer 3 (see Fig. 3). The laminate 6 in this state includes a metal layer 2, a surface modification layer 3, and a resist layer 4.

레지스트층(4)에는, 상술한 에칭 레지스트를 사용할 수 있다. 레지스트층(4)은 드라이 필름 레지스트를 접합시키거나, 액상의 레지스트 재료를 도포하거나 함으로써 형성할 수 있다.For the resist layer 4, the etching resist described above can be used. The resist layer 4 can be formed by bonding dry film resist or applying a liquid resist material.

공정 (D)에서는, 레지스트층(4)을 노광 및 현상에 의해 패터닝한다(도 4 참조.). 구체적으로는, 레지스트층(4)을 임의의 패턴상으로 노광할 수 있는 포토마스크를 사용하여 레지스트층(4)을 노광하고, 그 후, 현상액을 사용하여 레지스트층(4) 중 불필요한 부분을 용해 제거함으로써 패터닝한다. 현상 후에는 수세하는 것이 바람직하다.In step (D), the resist layer 4 is patterned by exposure and development (see Fig. 4). Specifically, the resist layer 4 is exposed using a photomask capable of exposing the resist layer 4 in an arbitrary pattern, and then the unnecessary portion of the resist layer 4 is dissolved using a developer. Patterning by removing. It is desirable to wash with water after development.

노광 조건 및 현상 조건은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 적용할 수 있다.Exposure conditions and development conditions are not particularly limited, and conventionally known ones can be applied.

공정 (E)에서는, 레지스트층(4)을 개재하여, 표면 개질층(3) 및 금속층(2)을 에칭한다(도 5 참조.). 구체적으로는, 에칭액을 사용한 습식 에칭에 의해, 레지스트층(4)이 제거된 부분의 표면 개질층(3) 및 금속층(2)을 용해시킴으로써, 표면 개질층(3) 및 금속층(2)을 패터닝한다.In step (E), the surface modification layer 3 and the metal layer 2 are etched through the resist layer 4 (see Fig. 5). Specifically, the surface modification layer 3 and the metal layer 2 are patterned by dissolving the surface modification layer 3 and the metal layer 2 in the portion where the resist layer 4 was removed by wet etching using an etching liquid. do.

에칭 조건은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 적용할 수 있다.Etching conditions are not particularly limited, and conventionally known ones can be applied.

공정 (F)에서는, 금속 피복 적층판(5)으로부터 레지스트층(4)을 박리한다(도 6 참조.). 이 때, 표면 개질층(3)은 금속층(2) 상에 남아있어도 되고, 레지스트층(4)과 함께 박리되어 있어도 된다.In step (F), the resist layer 4 is peeled from the metal-clad laminate 5 (see Fig. 6). At this time, the surface modification layer 3 may remain on the metal layer 2 or may be peeled off together with the resist layer 4.

레지스트층(4)의 박리 방법은 특별히 한정되지 않지만, 박리액을 사용하여 박리하는 것이 바람직하다. 당해 박리액은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 적용할 수 있다.The method of peeling the resist layer 4 is not particularly limited, but it is preferable to peel using a stripping liquid. The stripping solution is not particularly limited, and conventionally known ones can be applied.

이상의 공정에 의해, 금속 배선 패턴(7)을 형성할 수 있다.Through the above steps, the metal wiring pattern 7 can be formed.

이 금속 배선 패턴의 형성 방법에서는, 밀착 향상성이 높은 본 발명의 표면 개질제를 사용함으로써, 공정 (E)에서의 금속층과 레지스트층의 밀착성이 높다. 이에 의해, 금속층과 레지스트층 사이에의 에칭액의 스며듦을 방지할 수 있고, 고밀도이면서 고정밀한 금속 배선 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 당해 금속 배선 패턴을 갖는 프린트 배선판에, 필요에 따른 전자 부품을 설치함으로써, 고밀도이면서 고정밀한 프린트 회로판을 제조하는 것이 가능해진다.In this method of forming a metal wiring pattern, the adhesion between the metal layer and the resist layer in step (E) is high by using the surface modifier of the present invention with high adhesion improvement. As a result, it is possible to prevent the etching liquid from seeping between the metal layer and the resist layer, and it becomes possible to form a high-density and high-precision metal wiring pattern. Therefore, it becomes possible to manufacture a high-density and high-precision printed circuit board by installing necessary electronic components on a printed wiring board having the metal wiring pattern.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 실시예에 있어서, 특기하지 않는 한, 조작은 실온(25℃)에서 행해졌다. 또한, 특기하지 않는 한, 「%」 및 「부」는 각각 「질량%」 및 「질량부」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these. Additionally, in the following examples, unless otherwise specified, operations were performed at room temperature (25°C). In addition, unless otherwise specified, “%” and “part” mean “% by mass” and “part by mass”, respectively.

<표면 개질제의 조제><Preparation of surface modifier>

표 1에 기재된 질량비로 이온 교환수와 에탄올을 혼합하여, 용매를 조제하였다. 이 용매에, 표 1에 기재된 흡착제 화합물을, 함유량이 0.002질량%(20질량ppm)가 되도록 첨가하였다. 이에 의해, 각 표면 개질제(본 발명 1 내지 16, 비교예 1 내지 6)를 조제하였다. 흡착제 화합물의 구조는 이하에 나타내는 바와 같다.A solvent was prepared by mixing ion-exchanged water and ethanol in the mass ratio shown in Table 1. To this solvent, the adsorbent compound shown in Table 1 was added so that the content was 0.002% by mass (20 ppm by mass). In this way, each surface modifier (inventions 1 to 16, comparative examples 1 to 6) was prepared. The structure of the adsorbent compound is as shown below.

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
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각 표면 개질제의 마그네슘 이온 농도, pH 및 황화물 이온 농도를, JIS K 0101의 공업수 시험 방법에 따라서 측정하였다. 측정 결과는 표 1에 나타내는 바와 같다.The magnesium ion concentration, pH, and sulfide ion concentration of each surface modifier were measured according to the industrial water test method of JIS K 0101. The measurement results are as shown in Table 1.

<금속 배선 패턴의 형성(표면 개질제의 도포 후의 수세 처리 없음)><Formation of metal wiring pattern (no water washing treatment after application of surface modifier)>

하기 공정 (A) 내지 (F)를 행하여, 금속 배선 패턴을 형성하였다.The following steps (A) to (F) were performed to form a metal wiring pattern.

[공정 (A)][Process (A)]

절연층 상에 금속층이 형성된 10cm×10cm의 동장 적층판(파나소닉사제 R-1766)을 산세정하였다. 산세정에는, 산세정액(산와 가가쿠 고교사제 CP-30)과 스프레이형의 세정 장치를 사용하였다. 이어서, 당해 동장 적층판을 수세하였다.A 10 cm x 10 cm copper clad laminate (R-1766 manufactured by Panasonic Corporation) with a metal layer formed on the insulating layer was acid washed. For acid washing, an acid washing liquid (CP-30 manufactured by Sanwa Chemical Industry Co., Ltd.) and a spray-type washing device were used. Next, the copper clad laminate was washed with water.

[공정 (B)][Process (B)]

산세정 및 수세를 한 동장 적층판의 금속층 상에 대하여, 100mL의 표면 개질제를, 스프레이 장치로 순환시키면서 1분간 도포하였다. 이 스프레이 장치는, 동장 적층판에 부착되지 않고 잉여가 된 표면 개질제가, 탱크를 경유하여 순환하고, 반복해서 도포되는 구조로 되어 있다. 도포의 스프레이압은 0.2MPa로 하고, 도포 온도는 25℃로 하였다. 표면 개질제의 도포 후, 수세 처리를 하지 않고, 금속층 상을 PVA 롤러로 물기 제거하고, 80℃의 에어 나이프로 건조시켜, 표면 개질층을 형성하였다.100 mL of a surface modifier was applied to the metal layer of the acid-washed and water-washed copper clad laminate for 1 minute while circulating with a spray device. This spray device is structured so that the excess surface modifier that does not adhere to the copper clad laminate circulates through a tank and is repeatedly applied. The spray pressure for application was 0.2 MPa, and the application temperature was 25°C. After application of the surface modifier, without water washing, the metal layer was dried with a PVA roller and dried with an air knife at 80°C to form a surface modification layer.

또한, 흡광도 변화율 Z를 구하기 위해서, 공정 (B) 전후에, 표면 개질제의 흡광도 X 및 흡광도 Y를 측정하였다. 먼저, 도포 전에, 표면 개질제의 흡광도 X를 측정하였다. 또한, 도포 후에, 스프레이 장치의 탱크에 남아있는 표면 개질제를 취출하여, 표면 개질제의 흡광도 Y를 측정하였다. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용하였다. 분광 광도 측정에는, 분광 광도계 U-3900H(히타치 하이테크사제)를 사용하였다. 측정한 흡광도 X 및 흡광도 Y로부터 하기 식 A에 의해 구한 흡광도 변화율 Z는, 표 1에 나타내는 바와 같다.Additionally, in order to determine the absorbance change rate Z, the absorbance X and absorbance Y of the surface modifier were measured before and after process (B). First, before application, the absorbance X of the surface modifier was measured. Additionally, after application, the surface modifier remaining in the tank of the spray device was taken out and the absorbance Y of the surface modifier was measured. For each absorbance, the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement was adopted. For the spectrophotometric measurement, a spectrophotometer U-3900H (manufactured by Hitachi High-Tech) was used. The absorbance change rate Z calculated from the measured absorbance

식 A Z[%]=(X-Y)/X×100Formula A Z[%]=(X-Y)/X×100

[공정 (C)][Process (C)]

형성한 표면 개질층 상에, 드라이 필름 레지스트(아사히 가세이사제 AK-4034)를 핫 롤 라미네이터에 의해 라미네이트하여, 레지스트층을 형성하였다. 라미네이트의 조건은 롤 온도 105℃, 에어 압력 0.35MPa 및 라미네이트 속도 1.5m/min으로 하였다. 사용한 드라이 필름 레지스트는, 한쪽 면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 지지체를 갖고, 다른 한쪽 면이 폴리에틸렌 필름을 포함하는 보호층을 갖는다. 라미네이트는, 보호층을 박리하면서, 보호층이 있었던 면을, 표면 개질층을 개재하여 금속층과 접착시키도록 하여 행하였다.On the formed surface modification layer, a dry film resist (AK-4034 manufactured by Asahi Kasei) was laminated using a hot roll laminator to form a resist layer. The laminate conditions were a roll temperature of 105°C, an air pressure of 0.35 MPa, and a laminate speed of 1.5 m/min. The dry film resist used has a support containing a polyethylene terephthalate film on one side, and a protective layer containing a polyethylene film on the other side. Laminating was performed by peeling off the protective layer and bonding the surface where the protective layer was to the metal layer through a surface modification layer.

[공정 (D)][Process (D)]

크롬 유리 마스크를 사용하여, 평행광 노광기(오크사제 HMW-801)에 의해 레지스트층에 노광하였다. 노광 조건에는, 드라이 필름 레지스트의 권장 조건인 60mj/cm2를 채용하였다. 마스크 패턴은, 라인/스페이스가 50㎛/50㎛가 되는 라인을 100개 형성하는 것을 사용하였다. 노광 후의 레지스트층으로부터 지지체를 박리하였다. 그 후, 탄산나트륨(Na2CO3) 1질량%의 수용액을 포함하는 현상액, 및 알칼리 현상기를 사용하여, 30℃의 조건에서 레지스트층의 미노광 부분을 용해 제거하였다. 이어서, 레지스트층을 수세하고, 현상하였다. 이상의 조작에 의해, 레지스트층을 패터닝하였다.Using a chrome glass mask, the resist layer was exposed to light using a parallel light exposure machine (HMW-801 manufactured by Oak Co., Ltd.). For the exposure conditions, 60 mj/cm 2 , which is the recommended condition for dry film resist, was adopted. The mask pattern was used to form 100 lines with a line/space of 50 ㎛/50 ㎛. The support was peeled from the resist layer after exposure. Thereafter, the unexposed portion of the resist layer was dissolved and removed under conditions of 30°C using a developer containing a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) and an alkaline developer. Next, the resist layer was washed with water and developed. Through the above operation, the resist layer was patterned.

[공정 (E)][Process (E)]

딥 방식으로, 온도 30℃, 딥 시간 1분의 조건에서, 표면 개질층 및 금속층을 에칭하였다. 에칭액에는 염산(HCl) 2질량% 및 염화제2철(FeCl3) 2질량%의 수용액을 사용하였다.By the dip method, the surface modification layer and the metal layer were etched under the conditions of a temperature of 30°C and a dip time of 1 minute. An aqueous solution containing 2% by mass of hydrochloric acid (HCl) and 2% by mass of ferric chloride (FeCl 3 ) was used as the etching solution.

[공정 (F)][Process (F)]

수산화나트륨(NaOH) 3질량%의 수용액을 포함하는 박리액을 사용하여, 온도 50℃의 조건에서, 동장 적층판으로부터 레지스트층을 박리하였다.The resist layer was peeled from the copper clad laminate under conditions of a temperature of 50°C using a stripping solution containing a 3% by mass aqueous solution of sodium hydroxide (NaOH).

<금속 배선 패턴의 형성(표면 개질제의 도포 후의 수세 처리 있음)><Formation of metal wiring pattern (with water washing treatment after application of surface modifier)>

공정 (B)만을 이하와 같이 변경한 것 이외에는 상기 공정 (A) 내지 (F)와 마찬가지로 하여, 조제한 표면 개질제 중 몇몇을 선택하여 사용하여, 금속 배선 패턴을 형성하였다.A metal wiring pattern was formed by selecting and using some of the prepared surface modifiers in the same manner as the above steps (A) to (F) except that step (B) was changed as follows.

공정 (B) 중 표면 개질제의 도포까지는 상기와 마찬가지로 행하였다. 표면 개질제의 도포 후, 수세 처리로서, 스프레이 장치로 물을 50초간 도포하였다. 물의 도포 스프레이압은 0.2MPa로 하고, 도포 온도는 25℃로 하였다.In step (B), the application of the surface modifier was carried out in the same manner as above. After application of the surface modifier, water was applied using a spray device for 50 seconds as a water washing treatment. The application spray pressure of water was 0.2 MPa, and the application temperature was 25°C.

이어서, 금속층 상을 PVA 롤러로 물기 제거하고, 80℃의 에어 나이프로 건조시켜, 표면 개질층을 형성하였다. 이 표면 개질층의 두께는, 표 2에 나타내는 바와 같았다.Next, the metal layer was dried with a PVA roller and dried with an air knife at 80°C to form a surface modification layer. The thickness of this surface modification layer was as shown in Table 2.

<레지스트 밀착성><Resist adhesion>

형성한 금속 배선 패턴을 현미경으로 관찰을 행하고, 하기 기준으로 레지스트 밀착성을 평가하였다. 레지스트 밀착성이 높을수록, 금속층과 레지스트층 사이에의 에칭액의 스며듦을 방지할 수 있어, 금속 배선의 잔존율이 높아진다. 평가 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다.The formed metal wiring pattern was observed under a microscope, and resist adhesion was evaluated based on the following criteria. The higher the resist adhesion, the more it is possible to prevent the etchant from seeping between the metal layer and the resist layer, and the higher the survival rate of the metal wiring. The evaluation results were as shown in Table 2.

AA: 금속 배선의 잔존율이 99% 이상이다.AA: The residual rate of metal wiring is 99% or more.

A: 금속 배선의 잔존율이 97% 이상 99% 미만이다.A: The survival rate of the metal wiring is 97% or more and less than 99%.

B: 금속 배선의 잔존율이 95% 이상 97% 미만이다.B: The residual ratio of the metal wiring is 95% or more and less than 97%.

C: 금속 배선의 잔존율이 95% 미만이다.C: The residual rate of metal wiring is less than 95%.

<밀착 변동><Close fluctuation>

금속 배선 패턴을 마찬가지로 10개 형성하여, 각각의 레지스트 밀착성을 평가하였다. 10개의 레지스트 밀착성의 평가 결과에 기초하여, 하기 기준으로 밀착 변동을 평가하였다. 평가 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다.Ten metal wiring patterns were similarly formed, and the resist adhesion of each was evaluated. Based on the evaluation results of the adhesion of 10 resists, the adhesion variation was evaluated according to the following criteria. The evaluation results were as shown in Table 2.

A: 10개의 모두에서, 평가 결과가 동일하다.A: In all 10, the evaluation results are the same.

B: 10개 중 1개, 평가 결과가 다르다.B: 1 out of 10, the evaluation results are different.

C: 10개 중 2개 이상, 평가 결과가 다르다.C: More than 2 out of 10, the evaluation results are different.

Figure pat00019
Figure pat00019

Figure pat00020
Figure pat00020

이상의 결과로부터, 본 발명의 표면 개질제는, 비교예의 표면 개질제와 비교하여, 금속층과 수지층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 것임을 확인할 수 있다.From the above results, it can be confirmed that the surface modifier of the present invention can further improve the adhesion between the metal layer and the resin layer compared to the surface modifier of the comparative example.

1: 절연층
2: 금속층
3: 표면 개질층
4: 레지스트층
5: 금속 피복 적층판
6: 적층체
7: 금속 배선 패턴
1: Insulating layer
2: Metal layer
3: Surface modification layer
4: Resist layer
5: Metal clad laminate
6: Laminate
7: Metal wiring pattern

Claims (11)

금속층과 수지층 사이에 표면 개질층을 형성하는 표면 개질제이며,
하기 식 A로 구해지는 흡광도 변화율 Z가 5 내지 30%의 범위 내인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
식 A Z[%]=(X-Y)/X×100
[도포 전의 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 X라 하자. 동판에의 도포 후에 상기 동판에 부착되지 않고 잉여가 된 상기 표면 개질제의 흡광도를, 흡광도 Y라 하자. 각 흡광도는, 분광 광도 측정으로 얻어지는 흡수 스펙트럼의 300 내지 800nm의 파장 영역 내에 있어서의 최대 흡수 극대의 흡광도를 채용한다.]
It is a surface modifier that forms a surface modification layer between the metal layer and the resin layer.
The absorbance change rate Z calculated by the following formula A is within the range of 5 to 30%.
A surface modifier characterized in that.
Formula AZ[%]=(XY)/X×100
[Let the absorbance of the surface modifier before application be the absorbance X. Let the absorbance of the excess surface modifier not adhere to the copper plate after application to the copper plate be the absorbance Y. Each absorbance adopts the absorbance at the maximum absorption within the 300 to 800 nm wavelength range of the absorption spectrum obtained by spectrophotometric measurement.]
제1항에 있어서, 상기 흡광도 변화율 Z가 10 내지 30%의 범위 내인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
The method of claim 1, wherein the absorbance change rate Z is in the range of 10 to 30%.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 상기 흡광도 변화율 Z가 15 내지 25%의 범위 내인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
The method of claim 1, wherein the absorbance change rate Z is in the range of 15 to 25%.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 흡착제 화합물을 함유하고,
상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
2. The method of claim 1, comprising an adsorbent compound,
The adsorbent compound is a nitrogen-containing compound.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,
상기 흡착제 화합물이 질소 함유 화합물이며,
상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
The method of claim 1, comprising an adsorbent compound and a solvent compound,
The adsorbent compound is a nitrogen-containing compound,
The solvent compound is water or alcohol.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,
상기 흡착제 화합물이 질소 함유 복소환 화합물이며,
상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
The method of claim 1, comprising an adsorbent compound and a solvent compound,
The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound,
The solvent compound is water or alcohol.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,
상기 흡착제 화합물이 6-5축합환, 5-5축합환 및 5원환 중 적어도 어느 것을 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며,
상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
The method of claim 1, comprising an adsorbent compound and a solvent compound,
The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having at least one of a 6-5 fused ring, a 5-5 fused ring, and a 5-membered ring,
The solvent compound is water or alcohol.
A surface modifier characterized in that.
제1항에 있어서, 흡착제 화합물 및 용제 화합물을 함유하고,
상기 흡착제 화합물이 하기 일반식 W, 일반식 X, 또는 일반식 Y로 표시되는 구조를 갖는 질소 함유 복소환 화합물이며,
상기 용제 화합물이 물 또는 알코올류인
것을 특징으로 하는 표면 개질제.
Figure pat00021

[일반식 W 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. W1 내지 W7은 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, W1 내지 W7로 축합환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.]

[일반식 X 중, X1 내지 X5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 CR1을 나타낸다. R1은 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아미노기, 시아노기, 티올기, 카르보닐기, 할로게노기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시기를 나타내고, 또한 치환기를 갖고 있어도 된다.]

[일반식 Y 중, Rn1 및 Rn2는 각각 독립적으로 알킬기를 나타낸다. L은 연결기를 나타낸다. Y1 내지 Y5는 각각 독립적으로 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 적어도 2개 이상이 질소 원자이며, 그 중 하나가 NH이며, Y1 내지 Y5로 복소환을 형성한다. m은 1 이상의 정수를 나타낸다.]
The method of claim 1, comprising an adsorbent compound and a solvent compound,
The adsorbent compound is a nitrogen-containing heterocyclic compound having a structure represented by the following general formula W, general formula X, or general formula Y,
The solvent compound is water or alcohol.
A surface modifier characterized in that.
Figure pat00021

[In General Formula W, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. W 1 to W 7 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and W 1 to W 7 form a condensed ring. m represents an integer greater than 1.]

[In General Formula X, X 1 to X 5 each independently represent a nitrogen atom or CR 1 . R 1 each independently represents a hydrogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an amino group, a cyano group, a thiol group, a carbonyl group, a halogeno group, a trifluoromethyl group, or a hydroxy group, It may also have a substituent.]

[In General Formula Y, Rn 1 and Rn 2 each independently represent an alkyl group. L represents a linking group. Y 1 to Y 5 each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, at least two of which are nitrogen atoms, one of which is NH, and Y 1 to Y 5 form a heterocycle. m represents an integer greater than 1.]
프린트 배선판의 제조 방법이며,
금속층 상에, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 표면 개질제를 도포하여, 두께 15nm 이하의 표면 개질층을 형성하는 공정을 갖는
것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
It is a manufacturing method of a printed wiring board,
Having a process of applying the surface modifier according to any one of claims 1 to 8 on a metal layer to form a surface modification layer with a thickness of 15 nm or less.
A method of manufacturing a printed wiring board, characterized in that.
제9항에 있어서, 상기 표면 개질층의 두께가 5nm 이하인
것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The method of claim 9, wherein the surface modification layer has a thickness of 5 nm or less.
A method of manufacturing a printed wiring board, characterized in that.
제9항에 있어서, 상기 금속층이 구리 또는 구리 합금을 주성분으로 하는 층인
것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The method of claim 9, wherein the metal layer is a layer containing copper or a copper alloy as a main component.
A method of manufacturing a printed wiring board, characterized in that.
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