KR20240077099A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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KR20240077099A
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liquid supply
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김성현
양승태
최기훈
박상우
차제명
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 제 1 액과 제 2 액을 골고루 혼합시켜서 믹싱 효율을 높일 수 있게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급 라인; 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급 라인; 일측이 상기 제 1 액 공급 라인과 연결되고, 타측이 상기 제 2 액 공급 라인과 연결되며, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 혼합할 수 있는 액 혼합 장치; 및 상기 액 혼합 장치에서 혼합된 혼합액을 노즐로 공급하는 혼합액 공급 라인;을 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can increase mixing efficiency by evenly mixing a first liquid and a second liquid, comprising: a first liquid supply line for supplying the first liquid; a second liquid supply line supplying the second liquid; a liquid mixing device that has one side connected to the first liquid supply line and the other side connected to the second liquid supply line, and capable of mixing the first liquid and the second liquid; and a mixed liquid supply line that supplies the mixed liquid mixed in the liquid mixing device to the nozzle.

Figure P1020220159226
Figure P1020220159226

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for processing substrate}Substrate processing device and substrate processing method {Apparatus and method for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제 1 액과 제 2 액을 골고루 혼합시켜서 믹싱 효율을 높일 수 있게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing device and a substrate processing method that allow mixing the first liquid and the second liquid evenly to increase mixing efficiency.

일반적으로 반도체 제조 공정에서는 절연막 및 금속 물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등의 공정들이 수 회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 형성하게 되고, 각각의 공정에서 발생하는 이물질의 제거를 위하여 순수(DIW, Deionized Water) 또는 이소프로필 알코올(IPA, Isopropyl Alcohol) 등의 세정액을 이용한 세정 공정(Wet Cleaning Process)이 널리 적용되고 있다.In general, in the semiconductor manufacturing process, processes such as deposition of insulating films and metal materials, etching, photo resist coating, development, and asher removal are repeated several times. An array of fine patterning is formed, and a cleaning process using a cleaning solution such as pure water (DIW, Deionized Water) or isopropyl alcohol (IPA, Isopropyl Alcohol) is used to remove foreign substances generated in each process. Process) is widely applied.

한편, 종래의 세정 공정에서 사용되는 세정액 공급 장치는, 순수를 공급하는 순수 공급 장치와, 이소프로필 알코올을 공급하는 이소프로필 알코올 공급 장치가 서로 별도로 제작되어 사용되고 있다.Meanwhile, the cleaning liquid supply device used in the conventional cleaning process includes a pure water supply device for supplying pure water and an isopropyl alcohol supply device for supplying isopropyl alcohol.

그러나, 이러한 종래의 세정액 공급 장치는, 서로 개별적으로 구성된 DIW 노즐과 IPA 노즐로 인하여 필연적으로 기판의 특정 위치에서는 DIW가 더 많이 공급되거나 더 적게 공급될 수 있고, 또한, IPA가 더 많이 공급되거나 더 적게 공급되는 등 기판이 불균일하게 세정되는 문제점들이 있었다.However, in this conventional cleaning liquid supply device, due to the individually configured DIW nozzle and IPA nozzle, more or less DIW may be supplied or less may be supplied at a specific location on the substrate, and more or less IPA may be supplied. There were problems such as insufficient supply and uneven cleaning of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제 1 액과 제 2 액을 서로 균일하게 혼합한 다음 이를 기판에 공급할 수 있게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the problems described above, and provides a substrate processing device and a substrate processing method that allow the first liquid and the second liquid to be uniformly mixed with each other and then supplied to the substrate. The purpose. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 장치는, 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급 라인; 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급 라인; 일측이 상기 제 1 액 공급 라인과 연결되고, 타측이 상기 제 2 액 공급 라인과 연결되며, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 혼합할 수 있는 액 혼합 장치; 및 상기 액 혼합 장치에서 혼합된 혼합액을 노즐로 공급하는 혼합액 공급 라인;을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the spirit of the present invention for solving the above problems includes a first liquid supply line for supplying a first liquid; a second liquid supply line supplying the second liquid; a liquid mixing device that has one side connected to the first liquid supply line and the other side connected to the second liquid supply line, and capable of mixing the first liquid and the second liquid; and a mixed liquid supply line that supplies the mixed liquid mixed in the liquid mixing device to the nozzle.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 액 혼합 장치는, 내부에 제 1 방향으로 제 1 이송 경로가 형성되고, 중간에 상기 제 1 이송 경로의 폭이 완만하거나 또는 급격하게 줄어드는 오리피스부가 형성되는 제 1 관부; 및 상기 제 1 관부와 연결되고, 내부에 제 2 방향으로 형성되어 상기 제 1 이송 경로와 합류된 제 2 이송 경로가 형성되는 제 2 관부;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the liquid mixing device includes a first pipe portion in which a first transfer path is formed in a first direction, and an orifice portion in which the width of the first transfer path is gently or sharply reduced is formed in the middle. ; And a second pipe portion connected to the first pipe portion and formed inside in a second direction to form a second transfer path joining the first transfer path.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 액 혼합 장치는, 상기 제 1 관부가 수평 방향으로 형성되고, 상기 제 2 관부가 상기 제 1 관부와 직교되는 방향으로 상기 제 1 관부의 하방 또는 상방으로 돌출되는 전체적으로 T자 형상으로 형성되는 T자관일 수 있다.In addition, according to the present invention, the liquid mixing device is formed as a whole in which the first pipe portion is formed in a horizontal direction, and the second pipe portion protrudes downward or upward from the first pipe portion in a direction perpendicular to the first pipe portion. It may be a T-shaped tube formed in a T-shape.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 액 공급 라인은 상기 제 1 관부의 입구에 연결되고, 상기 제 2 액 공급 라인은 상기 제 2 관부의 입구에 연결되며, 상기 혼합액 공급 라인은 상기 제 1 관부의 출구에 연결될 수 있다.Additionally, according to the present invention, the first liquid supply line is connected to the inlet of the first pipe portion, the second liquid supply line is connected to the inlet of the second pipe portion, and the mixed liquid supply line is connected to the first pipe portion. can be connected to the outlet of

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 액 공급 라인에는 적어도 제 1 유량계, 제 1 유량 제어 밸브, 제 1 온오프밸브 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치되고, 상기 제 2 액 공급 라인에는 적어도 제 2 유량계, 제 2 유량 제어 밸브, 제 2 온오프밸브 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치될 수 있다.In addition, according to the present invention, at least one of a first flow meter, a first flow control valve, a first on-off valve, or a combination thereof is installed in the first liquid supply line, and the second liquid At least one or more of a second flow meter, a second flow control valve, a second on-off valve, or a combination thereof may be installed in the supply line.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 액을 메인 스트림으로 하여 제 1 유량 또는 제 1 압력으로 공급할 수 있도록 상기 제 1 유량 제어 밸브에 제 1 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 액을 서브 스트림으로 하여 제 2 유량 또는 제 2 압력으로 공급할 수 있도록 상기 제 2 유량 제어 밸브에 제 2 제어 신호를 인가하는 제어부;를 더 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, a first control signal is applied to the first flow control valve so that the first liquid can be supplied at a first flow rate or a first pressure as the main stream, and the second liquid is supplied as a sub-stream. It may further include a control unit that applies a second control signal to the second flow control valve to supply the second flow rate or the second pressure.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 유량 또는 상기 제 1 압력은 상기 제 2 유량 또는 상기 제 2 압력 보다 적을 수 있다.Additionally, according to the present invention, the first flow rate or the first pressure may be less than the second flow rate or the second pressure.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 액은 이소프로필 알코올(IPA)이고, 상기 제 2 액은 순수(DIW)일 수 있다.Additionally, according to the present invention, the first liquid may be isopropyl alcohol (IPA), and the second liquid may be pure water (DIW).

또한, 본 발명에 따르면, 상기 혼합액은 기판을 세정하는 세정액일 수 있다.Additionally, according to the present invention, the mixed liquid may be a cleaning liquid for cleaning the substrate.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 방법은, 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급 라인, 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급 라인, 일측이 상기 제 1 액 공급 라인과 연결되고, 타측이 상기 제 2 액 공급 라인과 연결되며, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 혼합하는 액 혼합 장치 및 상기 액 혼합 장치에서 혼합된 혼합액을 노즐로 공급하는 혼합액 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은, (a) 상기 제 1 액 공급 라인을 폐쇄하고, 상기 제 2 액 공급 라인을 개방하여 상기 노즐에 상기 제 2 액을 공급하는 단계; (b) 상기 제 2 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 1 액 공급 라인을 개방하여 상기 노즐에 상기 혼합액을 공급하는 단계; (c) 상기 제 1 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인을 일부 폐쇄하여 상기 노즐에 제 2 액의 농도가 낮아진 혼합액을 공급하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인을 폐쇄하여 상기 노즐에 제 1 액을 공급하는 단계;를 포함할 수 있다.Meanwhile, a substrate processing method according to the spirit of the present invention for solving the above problem includes a first liquid supply line for supplying the first liquid, a second liquid supply line for supplying the second liquid, and one side supplying the first liquid. A liquid mixing device connected to a line, the other side of which is connected to the second liquid supply line, mixing the first liquid and the second liquid, and a mixed liquid supply line for supplying the mixed liquid mixed in the liquid mixing device to a nozzle. A substrate processing method using a substrate processing apparatus comprising: (a) closing the first liquid supply line and opening the second liquid supply line to supply the second liquid to the nozzle; (b) supplying the mixed liquid to the nozzle by opening the first liquid supply line while opening the second liquid supply line; (c) partially closing the second liquid supply line while opening the first liquid supply line to supply a mixed solution with a lowered concentration of the second liquid to the nozzle; and (d) supplying the first liquid to the nozzle by closing the second liquid supply line while the first liquid supply line is open.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 여러 실시예들에 따르면, 제 1 액과 제 2 액을 서로 균일하게 혼합하여 믹싱 효율을 높인 다음 이를 통합 노즐을 통해서 기판에 공급할 수 있고, 다양한 공정 조건에서도 전체적으로 균일한 세정액을 공급하여 공정의 균일도를 크게 향상시킬 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to various embodiments of the present invention as described above, the first liquid and the second liquid can be uniformly mixed with each other to increase mixing efficiency and then supplied to the substrate through an integrated nozzle, and the overall uniformity can be achieved even under various process conditions. This has the effect of significantly improving the uniformity of the process by supplying a single cleaning solution. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 설비를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비의 기판 처리 장치를 나타내는 개념도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 액 혼합 장치를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 액 혼합 장치의 시뮬레이션 해석에 따른 결과값을 나타내는 도표이다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
1 is a plan view showing a substrate processing facility according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a conceptual diagram showing a substrate processing device of the substrate processing equipment of FIG. 1 .
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the liquid mixing device of the substrate processing device of FIG. 2.
FIG. 4 is a table showing results obtained from simulation analysis of the liquid mixing device of the substrate processing device of FIG. 3.
5 is a flowchart showing a substrate processing method according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terms used herein are used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms include the plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Additionally, when used herein, “comprise” and/or “comprising” means specifying the presence of stated features, numbers, steps, operations, members, elements and/or groups thereof. and does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, operations, members, elements and/or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 설비(1)를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility 1 according to some embodiments of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 설비(1)는, 인덱스모듈(100)과 공정처리모듈(200)을 가지고, 인덱스모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing equipment 1 according to some embodiments of the present invention has an index module 100 and a process processing module 200, and the index module 100 has a load port 120. ) and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as the first direction 12. And when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction. It is called (16).

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(130)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제 3 방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 containing the substrate W is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a row along the second direction 14. Figure 1 shows that four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate is formed in the carrier 130. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are placed in the carrier to be stacked in a spaced apart state along the third direction 16. A Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used as the carrier 130.

공정처리모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 제 2 방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located on one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located on the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are arranged along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Additionally, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on top of each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of A Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in a 2 x 2 or 3 x 2 arrangement. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike what was described above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Additionally, unlike what was described above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before it is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with slots (not shown) on which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, the surface facing the transfer frame 140 and the surface facing the transfer chamber 240 are open.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 mounted on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves straight along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Additionally, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130, and other portions are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before processing from attaching to the substrate W after processing during the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260, and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Additionally, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction 16. The main arm 244c, which is used when transferring the substrate from the buffer unit 220 to the process chamber 260, and the main arm 244c, which is used when transferring the substrate from the process chamber 260 to the buffer unit 220, are may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제 1 그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정챔버(260)와 제 2 그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.A substrate processing device 300 that performs a cleaning process on the substrate W is provided within the process chamber 260. The substrate processing device 300 provided within each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process being performed. Optionally, the substrate processing apparatus 300 within each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing devices 300 provided to the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided to the process chambers 260 belonging to different groups. The substrate processing devices 300 may have different structures. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240, and a second group of process chambers 260 is provided on the other side of the transfer chamber 240. Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided in the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided in the upper layer on one side and the other of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively.

도 2는 도 1의 기판 처리 설비(1)의 기판 처리 장치(300)를 나타내는 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram showing the substrate processing apparatus 300 of the substrate processing equipment 1 of FIG. 1 .

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)는 컵(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 분사부재(380), 반전 유닛(370) 및 제어부(395)를 가진다. 컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다.As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 according to some embodiments of the present invention includes a cup 320, a spin head 340, an elevating unit 360, an injection member 380, and an inversion unit ( 370) and a control unit 395. The cup 320 provides a space where a substrate processing process is performed, and its top is open.

컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324) 및 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통 (322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통 (324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인 (322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다.The cup 320 includes an internal recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an external recovery container 326. Each recovery container (322, 324, and 326) recovers different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The internal recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, the middle recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 322, and the external recovery container 326 ) is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery container 324. The inner space (322a) of the internal recovery container (322), the space (324a) between the internal recovery container (322) and the intermediate recovery container (324), and the space between the intermediate recovery container (324) and the external recovery container (326) ( 326a) functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322, the intermediate recovery container 324, and the external recovery container 326, respectively. Each of the recovery bins (322, 324, and 326) is connected to a recovery line (322b, 324b, and 326b) extending vertically downward from the bottom thereof. Each recovery line (322b, 324b, and 326b) discharges the treatment liquid introduced through each recovery container (322, 324, and 326).

배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀헤드(340)는 컵(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.Spin head 340 is disposed within cup 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spinhead 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. Body 342 has an upper surface that is generally circular when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are disposed at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an overall annular ring shape by combining them with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate W so that it is spaced a certain distance from the upper surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate so that the substrate does not deviate laterally from its original position when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position further away from the center of the body 342 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded on the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned in the support position. . In the supported position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 straight up and down. As the cup 320 moves up and down, the relative height of the cup 320 with respect to the spin head 340 changes. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the cup 320, and a moving shaft 364 that moves in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. When the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340, the cup 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes toward the top of the cup 320. Additionally, as the process progresses, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing liquid can flow into the preset recovery container 360 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W. For example, while the substrate W is being treated with the first treatment liquid, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the internal recovery container 322. In addition, while treating the substrate W with the second treatment liquid and the third treatment liquid, the substrate W is exposed to the space 324a between the internal recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the intermediate recovery container, respectively. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the bin 324 and the external recovery bin 326. Unlike what was described above, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the cup 320.

분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 통합 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 통합 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 통합 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정위치는 통합 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 통합 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다.The injection member 380 supplies a processing liquid to the substrate W during the substrate processing process. The spray member 380 has a nozzle support 382, an integrated nozzle 384, a support shaft 386, and an actuator 388. The support shaft 386 is provided along the third direction 16 in its longitudinal direction, and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and moves the support shaft 386 up and down. The nozzle support 382 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the actuator 388. The integrated nozzle 384 is installed on the bottom surface of the end of the nozzle support 382. The integrated nozzle 384 is moved by the actuator 388 between the process position and the standby position. The process position is a position where the integrated nozzle 384 is disposed at the vertical upper part of the cup 320, and the standby position is a position where the integrated nozzle 384 is deviated from the vertical upper part of the cup 320. One or more injection members 380 may be provided.

한편, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(300)는 공장에 설치된 제 1 액 메인 라인(ML1)과 연결되어 제 1 액(L1)을 공급하는 제 1 액 공급 라인(391)과, 공장에 설치된 제 2 액 메인 라인(ML2)과 연결되는 제 2 액(L2)을 공급하는 제 2 액 공급 라인(392)과, 일측이 제 1 액 공급 라인(391)과 연결되고, 타측이 제 2 액 공급 라인(392)과 연결되며, 제 1 액(L1)과 제 2 액(L2)을 혼합할 수 있는 액 혼합 장치(393)와, 액 혼합 장치(393)에서 혼합된 혼합액(L3)을 통합 노즐(384)로 공급하는 혼합액 공급 라인(394) 및 제 1 액 공급 라인(391)과 제 2 액 공급 라인(392)을 제어할 수 있는 제어부(395)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 300 according to some embodiments of the present invention includes a first liquid supply line 391 that is connected to the first liquid main line ML1 installed in the factory and supplies the first liquid L1; , a second liquid supply line 392 that supplies the second liquid (L2) connected to the second liquid main line (ML2) installed in the factory, one side is connected to the first liquid supply line 391, and the other side is connected to the second liquid main line (ML2) installed in the factory. A liquid mixing device 393 connected to the second liquid supply line 392 and capable of mixing the first liquid (L1) and the second liquid (L2), and a mixed liquid (L3) mixed in the liquid mixing device 393. ) may include a mixed liquid supply line 394 that supplies liquid to the integrated nozzle 384, and a control unit 395 that can control the first liquid supply line 391 and the second liquid supply line 392.

더욱 구체적으로 예를 들면, 제 1 액 공급 라인(391)에는 적어도 제 1 유량계(M1), 제 1 유량 제어 밸브(FV1), 제 1 온오프밸브(OV1) 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치될 수 있다.More specifically, for example, the first liquid supply line 391 includes at least one of a first flow meter (M1), a first flow control valve (FV1), and a first on-off valve (OV1) or a combination thereof. More than one can be installed.

또한, 예컨대, 제 2 액 공급 라인(392)에는 적어도 제 2 유량계(M2), 제 2 유량 제어 밸브(FV2), 제 2 온오프밸브(OV2) 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치될 수 있다.In addition, for example, the second liquid supply line 392 includes at least one of a second flow meter (M2), a second flow control valve (FV2), and a second on-off valve (OV2) or combinations thereof. This can be installed.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치(300)의 액 혼합 장치(393)를 확대하여 나타내는 단면도이다.FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the liquid mixing device 393 of the substrate processing device 300 of FIG. 2.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 액 혼합 장치(393)는, 내부에 제 1 방향으로 제 1 이송 경로가 형성되고, 중간에 상기 제 1 이송 경로의 폭이 완만하거나 또는 급격하게 줄어드는 오리피스부(P1a)가 형성되는 제 1 관부(P1) 및 상기 제 1 관부(P1)와 연결되고, 내부에 제 2 방향으로 형성되어 오리피스부(P1a)의 후방(또는 전방)과 합류되도록 합류부(P2a)와 연결되어 상기 제 1 이송 경로와 합류된 제 2 이송 경로가 형성되는 제 2 관부(P2)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid mixing device 393 is an orifice in which a first transfer path is formed in a first direction, and the width of the first transfer path is gently or sharply reduced in the middle. A first pipe portion (P1) in which the portion (P1a) is formed and a confluence portion (P1a) connected to the first pipe portion (P1) and formed inside in a second direction to join the rear (or front) of the orifice portion (P1a). It may include a second pipe portion (P2) connected to P2a) to form a second transport path joining the first transport path.

여기서, 오리피스부(P1a)는 폭이 급격하게 줄어들다가 목부를 지나서 다시 급격하게 늘어나는 격자형 오리피스를 예시하였으나, 이에 반드시 국한되지 않고, 폭이 완만하게 줄어들었다가 다시 완만하게 늘어나는 등 매우 다양한 형태의 오리피스 또는 벤츄리관 또는 협폭부가 모두 적용될 수 있다.Here, the orifice portion (P1a) is an example of a grid-shaped orifice whose width decreases rapidly and then rapidly increases again after passing the neck. However, it is not necessarily limited to this, and has a variety of forms such as the width gradually decreases and then gradually increases again. Orifice or venturi tube or narrow section can all be applied.

또한, 오리피스부(P1a)의 인근 또는 오리피스부(P1a)에 합류부가 형성되는 것도 가능하다.Additionally, it is possible for a confluence to be formed near or in the orifice portion P1a.

더욱 구체적으로 예를 들면, 액 혼합 장치(393)는, 제 1 관부(P1)가 수평 방향으로 형성되고, 제 2 관부(P2)가 제 1 관부(P1)와 직교되는 방향으로 상기 제 1 관부(P1)의 하방(도 3에 예시됨) 또는 상방(미도시)으로 돌출되는 전체적으로 T자 형상으로 형성되는 T자관일 수 있다.More specifically, for example, in the liquid mixing device 393, the first pipe portion P1 is formed in a horizontal direction, and the second pipe portion P2 is formed in a direction perpendicular to the first pipe portion P1. It may be a T-shaped pipe that protrudes downward (illustrated in FIG. 3) or upward (not shown) of (P1) and is formed in an overall T-shape.

따라서, 제 1 액 공급 라인(391)은 제 1 관부(P1)의 입구에 연결되고, 제 2 액 공급 라인(392)은 제 2 관부(P2)의 입구에 연결되며, 혼합액 공급 라인(394)은 상기 제 1 관부(P1)의 출구에 연결될 수 있다.Therefore, the first liquid supply line 391 is connected to the inlet of the first pipe part (P1), the second liquid supply line 392 is connected to the inlet of the second pipe part (P2), and the mixed liquid supply line 394 Can be connected to the outlet of the first pipe (P1).

제어부(395)는 제 1 액(L1)을 메인 스트림으로 하여 제 1 유량 또는 제 1 압력으로 공급할 수 있도록 제 1 유량 제어 밸브(FV1)에 제 1 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 액(L2)을 서브 스트림으로 하여 제 2 유량 또는 제 2 압력으로 공급할 수 있도록 상기 제 2 유량 제어 밸브(FV2)에 제 2 제어 신호를 인가할 수 있다.The control unit 395 applies a first control signal to the first flow control valve (FV1) so that the first liquid (L1) can be supplied at a first flow rate or a first pressure as the main stream, and the second liquid (L2) ) can be applied to the second flow control valve (FV2) to supply the sub-stream at a second flow rate or a second pressure.

여기서, 반복적인 시뮬레이션 해석 결과, 혼합액(L3)은 기판(W)을 세정하는 세정액으로서, 세정의 균일도를 극대화할 수 있도록 메인 스트림으로 제 1 액(L1)을 유기 용제의 일종인 이소프로필 알코올(IPA)을 적용하고, 서브 스트림으로 제 2 액(L2)을 린스액 또는 무기 용제의 일종인 순수(DIW)로 적용할 수 있다.Here, as a result of repeated simulation analysis, the mixed liquid (L3) is a cleaning liquid for cleaning the substrate (W), and the first liquid (L1) is used as the main stream to maximize the uniformity of cleaning. Isopropyl alcohol (isopropyl alcohol), a type of organic solvent IPA) can be applied, and the second liquid (L2) can be applied as a rinsing liquid or pure water (DIW), a type of inorganic solvent, as a sub-stream.

여기서, 제 1 액(L1) 또는 제 2 액(L2)은 비활성 가스를 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.Here, the first liquid (L1) or the second liquid (L2) can also be used by mixing an inert gas.

또한, 여기서, 반복적인 시뮬레이션 해석 결과, 메인 스트림인 제 1 유량 또는 제 1 압력은 서브 스트림인 제 2 유량 또는 제 2 압력 보다 적은 것이 바람직하다.In addition, here, as a result of repetitive simulation analysis, it is preferable that the first flow rate or first pressure of the main stream is less than the second flow rate or second pressure of the sub-stream.

여기서, 제 1 유량 또는 제 1 압력과 제 2 유량 또는 제 2 압력은 세정 레시피에 의해서 연속적으로 변화하는 것도 가능하다. Here, the first flow rate or first pressure and the second flow rate or second pressure can be continuously changed according to the cleaning recipe.

예컨대, 제어부(385)는, 제 1 액 공급 라인(391)을 폐쇄하고, 제 2 액 공급 라인(392)을 개방하여 통합 노즐(384)에 제 2 액(L2)만 공급할 수 있다.For example, the control unit 385 may close the first liquid supply line 391 and open the second liquid supply line 392 to supply only the second liquid (L2) to the integrated nozzle 384.

이어서, 제어부(385)는, 제 2 액 공급 라인(392)을 개방한 상태에서 제 1 액 공급 라인(391)을 개방하여 통합 노즐(384)에 혼합액(L3)을 공급할 수 있다.Next, the control unit 385 may supply the mixed liquid (L3) to the integrated nozzle 384 by opening the first liquid supply line 391 while opening the second liquid supply line 392.

이어서, 제어부(385)는, 제 1 액 공급 라인(391)을 개방한 상태에서 제 2 액 공급 라인(392)을 일부 폐쇄하여 통합 노즐(384)에 제 2 액(L2)의 농도가 낮아진 혼합액(L3)을 공급할 수 있다.Subsequently, the control unit 385 partially closes the second liquid supply line 392 while opening the first liquid supply line 391 to supply a mixed liquid with a lowered concentration of the second liquid L2 to the integrated nozzle 384. (L3) can be supplied.

이어서, 제어부(385)는, 제 1 액 공급 라인(391)을 개방한 상태에서 제 2 액 공급 라인(392)을 폐쇄하여 통합 노즐(384)에 제 1 액(L1)만 공급할 수 있다.Subsequently, the control unit 385 may supply only the first liquid L1 to the integrated nozzle 384 by closing the second liquid supply line 392 while opening the first liquid supply line 391.

따라서, 본 발명에 의하면, 제 1 액(L1)과 제 2 액(L2)을 서로 균일하게 혼합하여 믹싱 효율을 높인 다음 이를 통합 노즐(384)을 통해서 기판(W)에 높은 균일도로 공급할 수 있고, 다양한 공정 조건에서도 전체적으로 균일한 세정액을 공급하여 공정의 균일도를 크게 향상시킬 수 있는 것은 물론이고, 밸브들을 조정하여 제 1 액(L1) 또는 제 2 액(L2) 중 어느 하나만 토출되게 하는 것도 가능하다.Therefore, according to the present invention, the first liquid (L1) and the second liquid (L2) can be uniformly mixed with each other to increase mixing efficiency, and then supplied to the substrate (W) with high uniformity through the integrated nozzle 384. , not only can the uniformity of the process be greatly improved by supplying an overall uniform cleaning liquid even under various process conditions, but it is also possible to adjust the valves to discharge either the first liquid (L1) or the second liquid (L2). do.

도 4는 도 3의 기판 처리 장치(300)의 액 혼합 장치(393)의 시뮬레이션 해석에 따른 결과값을 나타내는 도표이다.FIG. 4 is a table showing results obtained from simulation analysis of the liquid mixing device 393 of the substrate processing device 300 of FIG. 3 .

도 4에 도시된 바와 같이, 반복적인 시뮬레이션 해석 결과, 변화치(Variance)가 낮을수록 균일도가 우수하다는 기준으로 판별시, 본 발명과 같이, CASE 6은 메인 스트림을 IPA로 하고, 90도 각도에서 DIW를 서브 스트림으로 흐르게 하는 것이 가장 우수하다는 것을 확인할 수 있었다. 이외에도 45도 각도 등 90도 이외의 각도에서는 변화치(Variance)가 높아서 균일도가 떨어지는 것을 확인할 수 있었다. 여기서, IDM(IPA DIW Mixture)은 혼합액을 나타낸다.As shown in Figure 4, as a result of repeated simulation analysis, when determining that the lower the variation, the better the uniformity, as in the present invention, CASE 6 sets the main stream as IPA and DIW at a 90 degree angle. It was confirmed that flowing as a sub-stream was the best. In addition, it was confirmed that at angles other than 90 degrees, such as 45 degrees, the variance was high and uniformity deteriorated. Here, IDM (IPA DIW Mixture) refers to the mixed solution.

도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.5 is a flowchart showing a substrate processing method according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 방법은, 상술된 기판 처리 장치(300)를 이용한 기판 처리 방법으로서, (a) 상기 제 1 액 공급 라인(391)을 폐쇄하고, 상기 제 2 액 공급 라인(392)을 개방하여 상기 통합 노즐(384)에 상기 제 2 액(L2)을 공급하는 단계와, (b) 상기 제 2 액 공급 라인(392)을 개방한 상태에서 상기 제 1 액 공급 라인(391)을 개방하여 상기 통합 노즐(384)에 상기 혼합액(L3)을 공급하는 단계와, (c) 상기 제 1 액 공급 라인(391)을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인(392)을 일부 폐쇄하여 상기 통합 노즐(384)에 제 2 액(L2)의 농도가 낮아진 혼합액(L3)을 공급하는 단계 및 (d) 상기 제 1 액 공급 라인(391)을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인(392)을 폐쇄하여 상기 통합 노즐(384)에 제 1 액(L1)을 공급하는 단계를 포함할 수 있다.1 to 5, a substrate processing method according to some embodiments of the present invention is a substrate processing method using the above-described substrate processing apparatus 300, which includes (a) the first liquid supply line ( 391) and opening the second liquid supply line 392 to supply the second liquid (L2) to the integrated nozzle 384, (b) the second liquid supply line 392 supplying the mixed liquid (L3) to the integrated nozzle 384 by opening the first liquid supply line 391 in an open state; (c) opening the first liquid supply line 391; supplying a mixed liquid (L3) with a lowered concentration of the second liquid (L2) to the integrated nozzle 384 by partially closing the second liquid supply line 392; and (d) the first liquid supply line. It may include supplying the first liquid (L1) to the integrated nozzle 384 by closing the second liquid supply line 392 while opening (391).

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

1: 기판 처리 설비
W: 기판
100: 인텍스모듈
200: 공정처리모듈
300: 기판 처리 장치
384: 노즐
L1: 제 1 액
L2: 제 2 액
L3: 혼합액
ML1: 제 1 액 메인 라인
ML2: 제 2 액 메인 라인
391: 제 1 액 공급 라인
392: 제 2 액 공급 라인
393: 액 혼합 장치
P1: 제 1 관부
P1a: 오리피스부
P2: 제 2 관부
P2a: 합류부
M1: 제 1 유량계
FV1: 제 1 유량 제어 밸브
OV1: 제 1 온오프밸브
M2: 제 2 유량계
FV2: 제 2 유량 제어 밸브
OV2: 제 2 온오프밸브
394: 혼합액 공급 라인
395: 제어부
1: Substrate processing equipment
W: substrate
100: Intex module
200: Process processing module
300: Substrate processing device
384: nozzle
L1: 1st liquid
L2: Second liquid
L3: mixed liquid
ML1: 1st liquid main line
ML2: Second liquid main line
391: First liquid supply line
392: Second liquid supply line
393: Liquid mixing device
P1: 1st tract
P1a: Orifice part
P2: 2nd tract
P2a: confluence
M1: first flow meter
FV1: First flow control valve
OV1: 1st on/off valve
M2: Second flow meter
FV2: Second flow control valve
OV2: 2nd on/off valve
394: Mixed liquid supply line
395: Control unit

Claims (10)

제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급 라인;
제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급 라인;
일측이 상기 제 1 액 공급 라인과 연결되고, 타측이 상기 제 2 액 공급 라인과 연결되며, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 혼합할 수 있는 액 혼합 장치; 및
상기 액 혼합 장치에서 혼합된 혼합액을 통합 노즐로 공급하는 혼합액 공급 라인;
을 포함하는, 기판 처리 장치.
a first liquid supply line supplying the first liquid;
a second liquid supply line supplying the second liquid;
a liquid mixing device that has one side connected to the first liquid supply line and the other side connected to the second liquid supply line, and capable of mixing the first liquid and the second liquid; and
a mixed liquid supply line that supplies the mixed liquid mixed in the liquid mixing device to an integrated nozzle;
A substrate processing device comprising:
제 1 항에 있어서,
상기 액 혼합 장치는,
내부에 제 1 방향으로 제 1 이송 경로가 형성되고, 중간에 상기 제 1 이송 경로의 폭이 완만하거나 또는 급격하게 줄어드는 오리피스부가 형성되는 제 1 관부; 및
상기 제 1 관부와 연결되고, 내부에 제 2 방향으로 형성되어 상기 제 1 이송 경로와 합류된 제 2 이송 경로가 형성되는 제 2 관부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The liquid mixing device,
A first pipe portion in which a first transfer path is formed in a first direction, and an orifice portion in which the width of the first transfer path is gently or sharply reduced is formed in the middle; and
a second pipe portion connected to the first pipe portion and formed inside in a second direction to form a second transfer path joining the first transfer path;
Including, a substrate processing device.
제 2 항에 있어서,
상기 액 혼합 장치는,
상기 제 1 관부가 수평 방향으로 형성되고, 상기 제 2 관부가 상기 제 1 관부와 직교되는 방향으로 상기 제 1 관부의 하방 또는 상방으로 돌출되는 전체적으로 T자 형상으로 형성되는 T자관인, 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The liquid mixing device,
A substrate processing apparatus, wherein the first pipe portion is formed in a horizontal direction, and the second pipe portion is a T-shaped pipe that protrudes downward or upward from the first pipe portion in a direction perpendicular to the first pipe portion. .
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 액 공급 라인은 상기 제 1 관부의 입구에 연결되고,
상기 제 2 액 공급 라인은 상기 제 2 관부의 입구에 연결되며,
상기 혼합액 공급 라인은 상기 제 1 관부의 출구에 연결되는, 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The first liquid supply line is connected to the inlet of the first pipe section,
The second liquid supply line is connected to the inlet of the second pipe part,
The mixed liquid supply line is connected to an outlet of the first pipe portion.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액 공급 라인에는 적어도 제 1 유량계, 제 1 유량 제어 밸브, 제 1 온오프밸브 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치되고,
상기 제 2 액 공급 라인에는 적어도 제 2 유량계, 제 2 유량 제어 밸브, 제 2 온오프밸브 중 어느 하나 또는 이들의 조합들 중 어느 하나 이상이 설치되는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
At least one of a first flow meter, a first flow control valve, a first on-off valve, or a combination thereof is installed in the first liquid supply line,
A substrate processing apparatus, wherein at least one of a second flow meter, a second flow control valve, a second on-off valve, or a combination thereof is installed in the second liquid supply line.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액을 메인 스트림으로 하여 제 1 유량 또는 제 1 압력으로 공급할 수 있도록 상기 제 1 유량 제어 밸브에 제 1 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 액을 서브 스트림으로 하여 제 2 유량 또는 제 2 압력으로 공급할 수 있도록 상기 제 2 유량 제어 밸브에 제 2 제어 신호를 인가하는 제어부;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
A first control signal is applied to the first flow control valve to supply the first liquid at a first flow rate or a first pressure with the first liquid as a main stream, and a second flow rate or second pressure is applied with the second liquid as a sub-stream. a control unit that applies a second control signal to the second flow control valve to supply pressure;
A substrate processing device further comprising:
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 유량 또는 상기 제 1 압력은 상기 제 2 유량 또는 상기 제 2 압력 보다 적은, 기판 처리 장치.
According to claim 6,
The first flow rate or the first pressure is less than the second flow rate or the second pressure.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 액은 이소프로필 알코올(IPA)이고,
상기 제 2 액은 순수(DIW)인, 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The first liquid is isopropyl alcohol (IPA),
The second liquid is pure water (DIW).
제 8 항에 있어서,
상기 혼합액은 기판을 세정하는 세정액인, 기판 처리 장치.
According to claim 8,
The mixed liquid is a cleaning liquid for cleaning a substrate.
제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급 라인, 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급 라인, 일측이 상기 제 1 액 공급 라인과 연결되고, 타측이 상기 제 2 액 공급 라인과 연결되며, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 혼합하는 액 혼합 장치 및 상기 액 혼합 장치에서 혼합된 혼합액을 통합 노즐로 공급하는 혼합액 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은,
(a) 상기 제 1 액 공급 라인을 폐쇄하고, 상기 제 2 액 공급 라인을 개방하여 상기 통합 노즐에 상기 제 2 액을 공급하는 단계;
(b) 상기 제 2 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 1 액 공급 라인을 개방하여 상기 통합 노즐에 상기 혼합액을 공급하는 단계;
(c) 상기 제 1 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인을 일부 폐쇄하여 상기 통합 노즐에 제 2 액의 농도가 낮아진 혼합액을 공급하는 단계; 및
(d) 상기 제 1 액 공급 라인을 개방한 상태에서 상기 제 2 액 공급 라인을 폐쇄하여 상기 통합 노즐에 제 1 액을 공급하는 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.
A first liquid supply line for supplying the first liquid, a second liquid supply line for supplying the second liquid, one side is connected to the first liquid supply line, the other side is connected to the second liquid supply line, and the second liquid supply line A substrate processing method using a substrate processing device including a liquid mixing device for mixing the first liquid and the second liquid and a mixed liquid supply line for supplying the mixed liquid mixed in the liquid mixing device to an integrated nozzle,
(a) closing the first liquid supply line and opening the second liquid supply line to supply the second liquid to the integrated nozzle;
(b) supplying the mixed liquid to the integrated nozzle by opening the first liquid supply line while opening the second liquid supply line;
(c) partially closing the second liquid supply line while opening the first liquid supply line to supply a mixed liquid with a lowered concentration of the second liquid to the integrated nozzle; and
(d) supplying the first liquid to the integrated nozzle by closing the second liquid supply line while opening the first liquid supply line;
Including, a substrate processing method.
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