KR20240062595A

KR20240062595A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR20240062595A
Application number: KR1020220144301A
Authority: KR
Inventors: 위문호
Original assignee: 주식회사 원익아이피에스
Priority date: 2022-11-02
Filing date: 2022-11-02
Publication date: 2024-05-09
Also published as: JP2024067026A; CN117995719A

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수의 기판에 대한 열처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되어 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 일부에 대응되어 상기 처리공간에 수평의 제1방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제1히터부(200)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 나머지 일부에 대응되어 상기 처리공간에 중 상기 제1방향과 교차하는 수평의 제2방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제2히터부(300)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs heat treatment on a plurality of substrates.
The present invention includes a process chamber 100 forming a processing space in which a plurality of substrates 1 are processed by being spaced apart from each other along a vertical direction; a plurality of first heater units 200 corresponding to some of the plurality of substrates 1 and arranged parallel to each other in a first horizontal direction in the processing space; Substrate processing including a plurality of second heater units 300 disposed in parallel with each other in a horizontal second direction intersecting the first direction in the processing space corresponding to the remaining portion of the plurality of substrates 1. Start the device.

Description

Substrate processing apparatus}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수의 기판에 대한 열처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus that performs heat treatment on a plurality of substrates.

일반적으로 기판처리장치는, 공정챔버가 형성하는 밀폐된 처리공간에 공정가스 및 적정 온도 분위기를 이용해 기판에 대한 증착, 식각 및 열처리 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.In general, a substrate processing device refers to a device that performs substrate processing such as deposition, etching, and heat treatment on a substrate using a process gas and an atmosphere at an appropriate temperature in a sealed processing space formed by a process chamber.

특히, 열처리는, 반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조를 위한 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등 박막특성 개선을 위하여 수행된다.In particular, heat treatment is performed to improve thin film properties, such as crystallization and phase change, on a thin film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass for manufacturing semiconductors, flat panel displays, and solar cells.

대표적인 열처리공정으로는 AMOLED와 같은 고품질 디스플레이를 제조하기 위해 다결정 실리콘을 이용한 TFT를 유리기판에 형성하는 LTPS(Low Temperature Poly Crystallization Silicon) 또는 플렉서블 기판을 형성하기 위해 폴리이미드를 기판 위에 형성하고 경화하는 과정이 있다.Representative heat treatment processes include LTPS (Low Temperature Poly Crystallization Silicon), which forms a TFT using polycrystalline silicon on a glass substrate to manufacture high-quality displays such as AMOLED, or the process of forming and curing polyimide on a substrate to form a flexible substrate. There is.

또한, 상기 열처리공정은 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화시키는 공정을 포함할 수 있다.Additionally, the heat treatment process may include a process of crystallizing amorphous silicon deposited on a substrate into polysilicon when manufacturing a liquid crystal display or a thin-film crystalline silicon solar cell.

종래 기판처리장치는, 수직방향으로 도입되는 다수의 기판에 대한 열처리를 위해 처리공간 내 공정가스 분사방향과 평행하게 설치된 다수의 봉히터를 통해 기판에 대한 가열을 수행한다.Conventional substrate processing equipment heats substrates through a plurality of rod heaters installed parallel to the process gas injection direction in the processing space in order to heat treat a plurality of substrates introduced in a vertical direction.

한편, 최근들어 기판이 대형화됨에 따라 분사되는 공정가스 또한 그 유량이 크게 증가하여 온도편차가 심화되는 문제점이 있고, 특히 상대적으로 낮은온도의 공정가스가 하강하여 위치하는 최하부 측 온도 균일도가 낮아지는 문제점이 있다.Meanwhile, as substrates have recently become larger, the flow rate of the injected process gas has also increased significantly, causing a problem of worsening temperature deviation. In particular, the temperature uniformity of the lowest part is lowered due to the relatively low temperature process gas falling. There is.

보다 구체적으로, 처리공간 내 최하부는, 내벽 측에 인접하고 상대적으로 낮은 온도의 공정가스가 하강하여 위치함으로써 열손실이 크게 발생하는데, 상승하는 열 기류를 통해 온도 보상이 적절히 이루어지는 상부 측에 비해 온도 보상 또한 이루어지지 않으므로 위치별 온도편차가 심화되는 문제점이 있다.More specifically, the lowest part of the processing space is adjacent to the inner wall, and the process gas of relatively low temperature is located in a downward direction, resulting in significant heat loss. Compared to the upper part, where temperature compensation is appropriately achieved through the rising heat airflow, the lower part of the processing space has a lower temperature. Since compensation is not provided, there is a problem in that the temperature deviation by location becomes worse.

특히, 처리공간 최하부 측은, 길이를 가지는 봉히터가 설치되는 공정가스 분사방향으로 온도편차가 발생되는 바, 공정가스의 기류방향, 즉 봉히터 길이방향에 대한 각 위치별 제어가 요구되나, 동일한 봉히터의 길이방향에 대한 각 위치별 제어가 불가하여 온도균일도 향상이 불가능한 문제점이 있다.In particular, at the bottom of the processing space, temperature deviation occurs in the process gas injection direction where the long rod heater is installed, so control is required for each position with respect to the airflow direction of the process gas, that is, the longitudinal direction of the rod heater, but the same rod heater is There is a problem in that it is impossible to improve temperature uniformity because it is impossible to control each position in the longitudinal direction of the heater.

즉, 종래 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(10) 내에 설치되는 봉히터의 길이방향과 동일한 방향으로 공정가스 기류가 형성되는데, 여기서 상하 온도 차에 따른 공정가스의 흐름이 더해져 봉히터의 길이방향 각 위치별 온도 편차가 발생하나, 봉히터 길이방향 별 온도제어가 불가하여 온도편차가 심화되는 문제점이 있다.That is, in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 1, a process gas airflow is formed in the same direction as the longitudinal direction of the rod heater installed in the chamber 10, where the flow of process gas according to the upper and lower temperature difference is In addition, temperature deviation occurs at each position in the longitudinal direction of the rod heater, but there is a problem in that the temperature deviation becomes worse because temperature control in each longitudinal direction of the rod heater is not possible.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 온도편차 개선이 가능한 기판처리장치를 제공하는데 있다.The purpose of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving temperature deviation in order to solve the above problems.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되어 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 일부에 대응되어 상기 처리공간에 수평의 제1방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제1히터부(200)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 나머지 일부에 대응되어 상기 처리공간에 중 상기 제1방향과 교차하는 수평의 제2방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제2히터부(300)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes a process chamber 100 that forms a processing space in which a plurality of substrates 1 are processed by being spaced apart from each other along the vertical direction. and; a plurality of first heater units 200 corresponding to some of the plurality of substrates 1 and arranged parallel to each other in a first horizontal direction in the processing space; Substrate processing including a plurality of second heater units 300 disposed in parallel with each other in a horizontal second direction intersecting the first direction in the processing space corresponding to the remaining portion of the plurality of substrates 1. Start the device.

상기 제2히터부(300)는, 상기 제1히터부(200) 하부에 배치될 수 있다.The second heater unit 300 may be disposed below the first heater unit 200.

상기 제1히터부(200)는, 수직방향으로 배치되는 상기 기판(1)들 중 일부의 각각에 대응되어 복수개씩 배치될 수 있다.The first heater unit 200 may be arranged in plural numbers to correspond to each of some of the substrates 1 arranged in the vertical direction.

상기 제2히터부(300)는, 복수의 상기 기판(1) 중 최하단에 위치하는 기판(1) 하부에 배치될 수 있다.The second heater unit 300 may be disposed below the substrate 1 located at the bottom among the plurality of substrates 1.

상기 제1방향과 상기 제2방향은 서로 수직일 수 있다.The first direction and the second direction may be perpendicular to each other.

상기 제2히터부(300)는, 상기 제1방향으로 서로 동일 간격으로 이격배치될 수 있다.The second heater units 300 may be spaced apart from each other at equal intervals in the first direction.

상기 제1히터부(200)는, 상기 공정챔버(100)의 양측면을 가로질러 설치될 수 있다.The first heater unit 200 may be installed across both sides of the process chamber 100.

상기 제2히터부(300)는, 상기 공정챔버(100)의 전후면을 가로질러 설치될 수 있다.The second heater unit 300 may be installed across the front and rear surfaces of the process chamber 100.

상기 공정챔버(100) 바닥면에 구비되어 상기 제2히터부(300)를 지지하는 히터지지부재(700)를 포함할 수 있다.It may include a heater support member 700 provided on the bottom of the process chamber 100 to support the second heater unit 300.

상기 제2히터부(300)는, 일단이 상기 공정챔버(100) 후면을 관통하여 설치되며, 타단이 전면으로부터 이격되어 설치될 수 있다.One end of the second heater unit 300 may be installed penetrating the rear of the process chamber 100, and the other end may be installed spaced apart from the front.

상기 공정챔버(100)는, 전면에 상기 기판(1)이 도입되기 위한 개구부(101)가 형성되며, 상기 제2히터부(300)는, 일단이 상기 공정챔버(100) 후면을 관통하여 설치되며, 타단이 상기 공정챔버(100) 전면 중 상기 개구부(101) 하측을 관통하여 설치될 수 있다.The process chamber 100 has an opening 101 formed on the front surface for introducing the substrate 1, and the second heater unit 300 has one end penetrating the rear surface of the process chamber 100. The other end may be installed through the lower part of the opening 101 in the front of the process chamber 100.

상기 처리공간 중 상기 공정챔버(100)의 양측면에 인접한 위치에서 상기 제2히터부(300)와 평행하도록 각각 설치되는 보조히터부(400)를 추가로 포함할 수 있다.It may further include auxiliary heater units 400 installed in parallel with the second heater unit 300 at positions adjacent to both sides of the process chamber 100 in the processing space.

상기 제2히터부(300)는, 상기 공정챔버(100) 양 내측면에 배치되는 상기 보조히터부(400)들 사이에 배치될 수 있다.The second heater unit 300 may be disposed between the auxiliary heater units 400 disposed on both inner surfaces of the process chamber 100.

상기 보조히터부(400)와 상기 제2히터부(300) 사이의 제1거리(d1)가 상기 제2히터부(300)들 사이의 제2거리(d2) 보다 클 수 있다.The first distance d1 between the auxiliary heater unit 400 and the second heater unit 300 may be greater than the second distance d2 between the second heater units 300.

상기 공정챔버(100)의 일측벽에 구비되어 상기 제1방향으로 공정가스를 분사하는 가스공급부(500)와, 상기 공정챔버(100)의 타측벽에 구비되어 상기 처리공간 내 공정가스를 배기하는 가스배기부(600)를 포함할 수 있다.A gas supply unit 500 provided on one side wall of the process chamber 100 to spray process gas in the first direction, and a gas supply unit 500 provided on the other side wall of the process chamber 100 to exhaust process gas in the processing space. It may include a gas exhaust unit 600.

복수의 상기 제2히터부(300) 각각의 발열량을 독립적으로 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 복수의 상기 제2히터부(300) 중 적어도 일부의 발열량을 나머지에 대하여 서로 다르게 제어할 수 있다.and a control unit that independently controls the heat generation amount of each of the plurality of second heater units 300, wherein the control unit controls the heat generation amount of at least some of the plurality of second heater units 300 differently from the rest. You can.

복수의 상기 제2히터부(300)는, 상기 제어부를 통해 각각 독립적으로 제어되는 제1제어그룹(310), 제2제어그룹(320), 제3제어그룹(330) 및 제4제어그룹(340)을 상기 공정챔버(100) 일측벽 측으로부터 타측벽 측으로 순차적으로 형성할 수 있다.The plurality of second heater units 300 include a first control group 310, a second control group 320, a third control group 330, and a fourth control group ( 340) may be formed sequentially from one side wall of the process chamber 100 to the other side wall.

상기 제어부는, 상기 제2제어그룹(320)의 발열량을 상기 제1제어그룹(310)의 발열량보다 크도록 제어할 수 있다.The control unit may control the heat generation amount of the second control group 320 to be greater than the heat generation amount of the first control group 310.

상기 제어부는, 상기 제4제어그룹(340)의 발열량을 상기 제1제어그룹(310)의 발열량보다 크도록 제어할 수 있다.The control unit may control the heat generation amount of the fourth control group 340 to be greater than the heat generation amount of the first control group 310.

상기 제어부는, 상기 제2제어그룹(320) 및 상기 제4제어그룹(340)의 발열량을 상기 제1제어그룹(310) 및 상기 제3제어그룹(330)의 발열량보다 크도록 제어할 수 있다.The control unit may control the heat generation amount of the second control group 320 and the fourth control group 340 to be greater than the heat generation amount of the first control group 310 and the third control group 330. .

본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 내 최하부 측의 온도 편차를 개선할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of improving the temperature difference at the lowest part of the processing space.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 내 최하부 측의 공정가스 분사방향 각 지점에 대한 온도 제어가 가능하여, 온도 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of improving temperature uniformity by controlling the temperature at each point in the process gas injection direction at the lowest part of the processing space.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 내 최하부 측에 대하여 히터를 온도분포에 따라 공정가스 분사방향과 그 수직방향으로 자유롭게 설정 가능한 이점이 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to freely set the heater in the direction perpendicular to the process gas injection direction according to the temperature distribution with respect to the lowest side in the processing space.

도 1은, 파란색으로 표시될수록 온도가 낮고 초록색으로 표시될수록 온도가 높게 표시되어 종래 기판처리장치의 내부 온도분포를 보여주는 도면이다.
도 2는, 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 사시도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치의 내부 모습을 보여주는 단면도이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치의 배면 모습을 보여주는 배면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 제1히터부, 제2히터부 및 보조히터부의 설치모습을 보여주는 도면이다.
도 6은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 상부 측 제1히터부 및 보조히터부의 배치모습을 보여주는 평면도이다.
도 7은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 최하부 측 제2히터부 및 보조히터부의 배치모습을 보여주는 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는, 종래 기판처리장치와 본 발명에 따른 기판처리장치의 최하단 기판에 대응되는 영역의 평면 상 온도분포를 보여주는 도면들이다.Figure 1 is a diagram showing the internal temperature distribution of a conventional substrate processing apparatus, with the lower the temperature displayed in blue and the higher the temperature displayed in green.
Figure 2 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the interior of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIG. 4 is a rear view showing the back of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIG. 5 is a diagram showing the installation of the first heater unit, the second heater unit, and the auxiliary heater unit in the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of the upper first heater unit and the auxiliary heater unit of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIG. 7 is a plan view showing the arrangement of the second heater unit and the auxiliary heater unit at the bottom of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIGS. 8A and 8B are diagrams showing temperature distributions on a plane in a region corresponding to the bottom substrate of a conventional substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치은, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되어 처리되는 처리공간을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 일부에 대응되어 상기 처리공간에 수평의 제1방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제1히터부(200)와; 복수의 상기 기판(1)들 중 나머지 일부에 대응되어 상기 처리공간 중 상기 제1히터부(200) 하부에서 상기 제1방향과 교차하는 수평의 제2방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 제2히터부(300)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a processing space in which a plurality of substrates 1 are processed by being spaced apart from each other along the vertical direction; a plurality of first heater units 200 corresponding to some of the plurality of substrates 1 and arranged parallel to each other in a first horizontal direction in the processing space; A plurality of second heaters corresponding to the remaining portions of the plurality of substrates 1 and arranged parallel to each other in a horizontal second direction intersecting the first direction at the bottom of the first heater unit 200 in the processing space. Includes part 300.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간에 배치되는 복수의 기판(1)들을 수직방향을 따라 상호 이격 배치하여 지지하는 기판지지부를 추가로 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention further includes a substrate support portion that supports the plurality of substrates 1 disposed in the processing space by spaced apart from each other along the vertical direction.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간 중 공정챔버(100)의 양측면에 인접한 위치에서 제2히터부(300)와 평행하도록 각각 설치되는 보조히터부(400)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include auxiliary heater units 400 each installed parallel to the second heater unit 300 at positions adjacent to both sides of the process chamber 100 in the processing space. there is.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100)의 일측벽에 구비되어 제1방향으로 공정가스를 분사하는 가스공급부(500)와, 공정챔버(100)의 타측벽에 구비되어 처리공간 내 공정가스를 배기하는 가스배기부(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a gas supply unit 500 provided on one side wall of the process chamber 100 to spray process gas in the first direction, and a gas supply unit 500 provided on the other side wall of the process chamber 100 to process the process. A gas exhaust unit 600 that exhausts process gas within the space may be additionally included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100) 바닥면에 구비되어 제2히터부(300)를 지지하는 히터지지부재(700)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include a heater support member 700 provided on the bottom surface of the process chamber 100 to support the second heater unit 300.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 복수의 제2히터부(300) 각각의 발열량을 독립적으로 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.Additionally, the substrate processing apparatus according to the present invention may include a control unit that independently controls the amount of heat generated by each of the plurality of second heater units 300.

여기서 본 발명에 따른 공정가스는, 기판처리를 위한 열처리 공정에서 사용되는 가스를 총칭하며, 보다 구체적으로는, 공정 과정 중 발생할 수 있는 각종 흄(fume) 및 흄을 통해 생산되는 유기물을 배출하기 위한 퍼지가스를 지칭할 수 있다.Here, the process gas according to the present invention refers to the general term for gases used in the heat treatment process for substrate treatment, and more specifically, for discharging various fumes that may be generated during the process and organic substances produced through fumes. It may refer to purge gas.

본 발명에 따른 처리대상인 기판(1)은, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히, 플렉서블 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판을 의미할 수 있다. The substrate 1, which is the subject of processing according to the present invention, can be understood to include all substrates such as substrates used in display devices such as LED and LCD, semiconductor substrates, and solar cell substrates, and in particular, flexible display devices. It may refer to the flexible substrate used.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리공정은 증착공정, 식각공정, 열처리공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히 논플렉서블 기판 상에 플렉서블 기판 형성, 플렉서블 기판 상에 패턴 형성, 플렉서블 기판 분리 등의 일련의 공정, 플렉서블 기판을 열처리하여 건조하는 공정 등을 포함할 수 있다. Meanwhile, the substrate processing process of the substrate processing apparatus according to the present invention can be understood to include a deposition process, an etching process, a heat treatment process, etc., and in particular, forming a flexible substrate on a non-flexible substrate, forming a pattern on a flexible substrate, It may include a series of processes such as separating the flexible substrate, a process of heat treating and drying the flexible substrate, etc.

한편, 상기 기판(1)은, 설명의 편의상 도 1에서 복수의 기판지지부에 단일의 기판이 설치되는 것으로 도시되었으나, 보다 바람직하게는 복수의 기판지지부에 대응되어 복수의 기판(1)이 로딩되어 처리될 수 있다.Meanwhile, for the convenience of explanation, the substrate 1 is shown as a single substrate installed on a plurality of substrate supports in FIG. 1, but more preferably, a plurality of substrates 1 are loaded corresponding to the plurality of substrate supports. can be processed.

상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판(1)이 처리되는 처리공간을 형성하는 구성일 수 있다.The process chamber 100 may be configured to form a processing space where a plurality of substrates 1 are processed.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 내부에 밀폐된 처리공간을 형성하는 대략 육면체 형상의 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 외측면 상에 설치되어 챔버본체(110)를 보강하는 보강리브(120)를 포함할 수 있다. For example, the process chamber 100 includes a chamber body 110 having a substantially hexahedral shape forming a sealed processing space inside, and a chamber body 110 installed on the outer surface of the chamber body 110. It may include reinforcing ribs 120 for reinforcement.

상기 챔버본체(110)는, 석영, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 그라파이트, 실리콘 카바이드 또는 산화 알루미늄 중 적어도 어느 하나로 제작될 수 있다. The chamber body 110 may be made of at least one of quartz, stainless steel, aluminum, graphite, silicon carbide, or aluminum oxide.

한편, 상기 챔버본체(110)는, 육면체로서, 전면에 기판(1)이 반입 및 반출되는 개구부(101)가 형성될 수 있으며, 개구부(101)에 이웃하는 측면에 서로 대향되는 측벽이 형성되고, 출입구의 대향면에 후면이 형성될 수 있다.Meanwhile, the chamber body 110 is a hexahedron, and an opening 101 through which the substrate 1 is loaded and unloaded can be formed on the front, and opposing side walls are formed on the side adjacent to the opening 101. , the rear may be formed on the opposite side of the entrance.

또한, 상기 챔버본체(110)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리공간에 대한 유지보수 등에 필요한 접근을 위해서 후면에 후면개구부(102)가 형성될 수 있고, 이때 후면개구부(102)는, 별도의 도어를 통해 개폐될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the chamber body 110 may be formed with a rear opening 102 at the rear for access necessary for maintenance of the processing space, etc. In this case, the rear opening 102 is, It can be opened and closed through a separate door.

따라서, 본 명세서에서 언급하는 측벽 및 측면은 개구부(101)가 형성되는 전면에 이웃하며 서로 대향되는 면을 의미하고, 전면 및 후면은 각각 개구부(101) 및 후면개구부(102)가 형성되는 면을 의미한다.Therefore, the side walls and sides referred to in this specification refer to the surfaces adjacent to and opposite to the front where the opening 101 is formed, and the front and rear refer to the surfaces where the opening 101 and the rear opening 102 are formed, respectively. it means.

한편 상기 공정챔버(100)는, 상기 개구부(101)를 개폐하기 위한 개폐도어(미도시)가 설치될 수 있으며, 개폐도어는 개구부(101)가 형성되는 전면 외측에 전후, 좌우 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되어 출입구를 개폐할 수 있다.Meanwhile, the process chamber 100 may be equipped with an opening and closing door (not shown) to open and close the opening 101, and the opening and closing door is located on the outside of the front where the opening 101 is formed in the forward and backward, left and right, or up and down directions. It is installed in a sliding manner so the entrance can be opened and closed.

또한, 상기 챔버본체(110)는, 측벽에 복수의 관통홀이 형성되어, 후술하는 가스공급부(500) 및 가스배기부(600)의 구성 일부가 설치될 수 있고, 더 나아가 제1히터부(200)가 관통하여 처리공간 내부에 설치되도록 할 수 있다.In addition, the chamber body 110 has a plurality of through holes formed in the side wall, so that parts of the gas supply part 500 and the gas exhaust part 600, which will be described later, can be installed, and further, the first heater part ( 200) can penetrate and be installed inside the processing space.

한편, 상기 관통홀들은, 후술하는 제2히터부(300) 및 보조히터부(400)의 설치를 위해서 공정챔버(100)의 전후면에도 부분적으로 형성될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, of course, the through holes may be partially formed on the front and rear surfaces of the process chamber 100 for installation of the second heater unit 300 and the auxiliary heater unit 400, which will be described later.

이때, 상기 관통홀 주변에는 기판처리 가스의 누설을 막고 처리공간을 밀폐공간으로 형성하기 위한 실링수단이 추가로 구비될 수 있다.At this time, a sealing means may be additionally provided around the through hole to prevent leakage of substrate processing gas and to form the processing space into a closed space.

상기 보강리브(120)는, 챔버본체(110)의 외측면 상에 설치되어 챔버본체(110)를 보강하는 구성일 수 있다.The reinforcing rib 120 may be installed on the outer surface of the chamber body 110 to reinforce the chamber body 110.

예를 들면, 상기 보강리브(120)는, 챔버본체(110)가 공정 중에 내부에서 강한 압력 또는 고온의 영향을 받아 파손되거나 변형이 발생할 가능성을 대비하여 챔버본체(110)의 외측면, 보다 구체적으로는 상하면 및 측벽의 외측에 설치되어 내구성을 향상할 수 있다.For example, the reinforcing rib 120 is installed on the outer surface of the chamber body 110 to prepare for the possibility that the chamber body 110 may be damaged or deformed under the influence of strong pressure or high temperature inside during the process. It can be installed on the outside of the top and bottom and side walls to improve durability.

상기 기판지지부는, 처리공간에 배치되어 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되도록 지지하는 구성일 수 있다.The substrate support unit may be disposed in the processing space and support a plurality of substrates 1 to be spaced apart from each other along the vertical direction.

특히, 상기 기판지지부는, 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되도록 지지하기 위해서, 상하방향으로 일정간격을 가지고 기판(1)을 지지하도록 처리공간에 설치될 수 있다.In particular, the substrate support unit may be installed in the processing space to support the substrates 1 at regular intervals in the vertical direction in order to support the plurality of substrates 1 spaced apart from each other along the vertical direction.

상기 가스공급부(500)는, 공정챔버(100) 일측벽에 구비되어 제1방향으로 공정가스를 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply unit 500 is provided on one side wall of the process chamber 100 and sprays process gas in a first direction, and various configurations are possible.

이때 상기 가스공급부(500)는, 처리공간에서 수직방향으로 상호 이격 배치되는 기판(1)들에 대응되어 각각 공정가스 분사가 가능하도록 복수의 분사노즐을 포함할 수 있다.At this time, the gas supply unit 500 may include a plurality of injection nozzles to enable injection of process gas, respectively, corresponding to the substrates 1 arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction in the processing space.

또한, 상기 분사노즐은, 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 구비될 수 있으며, 서로 일정 간격으로 배치되어 동일 수평면 상에서도 복수개 배치될 수 있다.Additionally, the spray nozzles may be provided to penetrate one side wall of the process chamber 100, and may be disposed at regular intervals from each other, so that a plurality of spray nozzles may be arranged on the same horizontal plane.

상기 가스배기부(600)는, 공정챔버(100) 타측벽에 구비되어 처리공간 내 공정가스를 배기하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust unit 600 is provided on the other side wall of the process chamber 100 to exhaust process gas within the processing space, and various configurations are possible.

이때, 상기 가스배기부(600)는, 처리공간에서 수직방향으로 상호 이격 배치되는 기판(1)들에 대응되고, 가스공급부(500)의 분사노즐에 각각 대향되어 배치되는 배기포트들을 포함할 수 있다.At this time, the gas exhaust unit 600 may include exhaust ports that correspond to the substrates 1 arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction in the processing space and are respectively disposed opposite to the injection nozzles of the gas supply unit 500. there is.

또한, 상기 배기포트는, 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 구비되거나, 공정챔버(100)에 형성되는 관통홀로서 형성될 수 있으며, 서로 일정 간격으로 배치되어 동일 수평면 상에서도 복수개 배치될 수 있다.In addition, the exhaust ports may be provided through the other side wall of the process chamber 100 or may be formed as through holes formed in the process chamber 100, and may be arranged at regular intervals from each other and may be arranged in plural numbers on the same horizontal plane. .

한편, 이하에서 설명하는 제1방향 및 제2방향과 각 구성의 설치 방향에 대하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the first direction and second direction and the installation direction of each component described below will be described as follows.

상기 제1방향은 제1히터부(200)가 설치되는 방향으로서, 제1히터부(200)의 길이방향을 의미할 수 있고 도면 상 X축방향을 의미할 수 있다.The first direction is a direction in which the first heater unit 200 is installed, and may refer to the longitudinal direction of the first heater unit 200 and may refer to the X-axis direction in the drawing.

또한, 상기 제2방향은 제1방향과 교차하는 방향으로서, 제2히터부(300)가 설치되는 제2히터부(300)의 길이방향으로서, 도면 상 Y축 방향을 의미할 수 있다.In addition, the second direction is a direction that intersects the first direction, is the longitudinal direction of the second heater unit 300 in which the second heater unit 300 is installed, and may mean the Y-axis direction in the drawing.

예를 들면, 상기 제1방향 및 상기 제2방향은 모두 수평방향을 의미하고, 제1방향과 제2방향은 서로 수직일 수 있다.For example, the first direction and the second direction both mean horizontal directions, and the first direction and the second direction may be perpendicular to each other.

즉, 상기 제1방향은, 공정챔버(100)의 가스공급부(500)가 설치되어 공정가스가 분사되는 방향으로서, 공정챔버(100)의 일측벽 측에서 타 측벽 측을 향하는 방향일 수 있으며, 제2방향은, 처리공간 내 공정가스 분사 및 기류 방향에 동일 평면 상 수직하는 방향으로서, 공정챔버(100)의 전면 측에서 후면 측을 향하는 방향을 의미할 수 있다.That is, the first direction is the direction in which the gas supply unit 500 of the process chamber 100 is installed and the process gas is sprayed, and may be a direction from one side wall of the process chamber 100 to the other side wall, The second direction is a direction perpendicular to the direction of process gas injection and airflow in the processing space on the same plane, and may refer to a direction from the front side of the process chamber 100 to the back side.

상기 제1히터부(200)는, 복수의 기판(1)들 중 일부에 대응되어 처리공간에 수평의 제1방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The first heater units 200 are configured to correspond to some of the plurality of substrates 1 and are arranged in parallel in the first horizontal direction in the processing space, and various configurations are possible.

이때, 상기 제1히터부(200)는, 봉히터로서, 예를 들면 길이를 가지는 히터튜브에 열선을 권선하여 발열하는 구성일 수 있으며, 종래 개시된 길이를 가지는 히터 형상은 모두 적용 가능하다.At this time, the first heater unit 200 is a rod heater, and may be configured to generate heat by, for example, winding a hot wire around a long heater tube, and any heater shape having a conventionally disclosed length can be applied.

한편, 상기 제1히터부(200)는, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(1)에 대응되는 가상의 동일 수평면 상에 서로 평행하게 복수개 배치될 수 있고, 수직방향으로 배치되는 기판(1)들 중 일부에 대응되어 각각에 복수개씩 배치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 3 and 5, a plurality of first heater units 200 may be arranged parallel to each other on the same virtual horizontal plane corresponding to the substrate 1, and may be arranged in a vertical direction. A plurality of substrates 1 may be disposed on each of the substrates 1, corresponding to some of them.

상기 제1히터부(200)는, 서로 평행하게 배치될 수 있으며, 동일 수평면 상에서 이웃하는 제1히터부(200) 사이의 간격이 동일할 수 있다.The first heater units 200 may be arranged parallel to each other, and the spacing between neighboring first heater units 200 on the same horizontal plane may be the same.

또한, 상기 제1히터부(200)는, 공정챔버(100) 양측면을 가로질러 설치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 전술한 공정가스 분사방향으로서, 가스공급부(500)가 설치되는 공정챔버(100)의 일측벽으로부터 가스배기부(600)가 설치되는 공정챔버(100)의 타측벽을 향하는 방향으로 길이를 가지도록 설치될 수 있다.In addition, the first heater unit 200 may be installed across both sides of the process chamber 100, and more specifically, in the process gas injection direction described above, the process chamber 100 where the gas supply unit 500 is installed. ) may be installed to have a length in a direction from one side wall of the gas exhaust unit 600 to the other side wall of the process chamber 100 where the gas exhaust unit 600 is installed.

이때, 상기 제2히터부(300)는, 전술한 제1히터부(200)와 같이, 봉히터로서, 예를 들면 길이를 가지는 히터튜브에 열선을 권선하여 발열하는 구성일 수 있으며, 종래 개시된 길이를 가지는 히터 형상은 모두 적용 가능하다.At this time, the second heater unit 300, like the above-described first heater unit 200, may be a rod heater and may be configured to generate heat by, for example, winding a heating wire around a long heater tube. Any heater shape with any length is applicable.

상기 제2히터부(300)는, 복수의 기판(1)들 중 나머지 일부에 대응되어 처리공간 중 제1히터부(200) 하부에서 제1방향과 교차하는 수평의 제2방향으로 서로 평행하게 복수개 배치되는 구성일 수 있다.The second heater unit 300 corresponds to the remaining portion of the plurality of substrates 1 and is parallel to each other in a horizontal second direction intersecting the first direction at the lower part of the first heater unit 200 in the processing space. It may be a configuration in which a plurality of devices are arranged.

이때, 상기 제2히터부(300)는, 제1히터부(200) 하부에 배치될 수 있으며, 특히, 복수의 기판(1) 중 최하단에 위치하는 기판(1) 하부에 단일의 가상 수평면 상에 복수개 배치될 수 있다.At this time, the second heater unit 300 may be disposed below the first heater unit 200, and in particular, on a single virtual horizontal plane below the substrate 1 located at the bottom among the plurality of substrates 1. Can be placed in multiple numbers.

또한, 상기 제2히터부(300)는, 제1방향으로 서로 동일 간격으로 이격되어 배치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 이웃하는 제2히터부(300) 사이의 간격은 모두 동일할 수 있다.Additionally, the second heater units 300 may be arranged to be spaced apart from each other at equal intervals in the first direction, and more specifically, the distances between neighboring second heater units 300 may be the same.

한편, 다른 예로서, 상기 제2히터부(300)들 사이의 간격이 처리공간의 위치에 따라 서로 다를 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as another example, it goes without saying that the spacing between the second heater units 300 may be different depending on the location of the processing space.

상기 제2히터부(300)는, 공정챔버(100) 전후면을 가로질러 설치될 수 있으며, 전술한 제1방향과 수직방향의 제2방향으로 길이를 가지도록 설치될 수 있다.The second heater unit 300 may be installed across the front and rear surfaces of the process chamber 100 and may be installed to have a length in the second direction perpendicular to the first direction described above.

이때, 상기 제2히터부(300)는, 일단이 공정챔버(100) 후면을 관통하여 설치될 수 있고, 타단이 공정챔버(100) 전면을 관통하여 설치될 수 있다.At this time, one end of the second heater unit 300 may be installed through the rear of the process chamber 100, and the other end may be installed through the front of the process chamber 100.

이 경우, 상기 제2히터부(300)는, 일단이 공정챔버(100) 후면에 형성되는 후면개구부(102) 하부를 관통하여 후면개구부(102)와의 간섭없이 관통하여 설치 가능할 수 있으며, 타단이 공정챔버(100) 전면 중 개구부(101) 하부를 관통하여 설치됨으로써 개구부(101)와의 간섭없이 관통 설치가 가능할 수 있다.In this case, the second heater unit 300 may be installed at one end through the lower part of the rear opening 102 formed at the rear of the process chamber 100 without interfering with the rear opening 102, and at the other end. By being installed through the lower part of the opening 101 in the front of the process chamber 100, penetration installation may be possible without interference with the opening 101.

한편, 다른 예로서, 상기 제2히터부(300)는, 타단이 개구부(101)와 간섭되는 위치에 배치될 수 있는 바, 일단이 공정챔버(100) 후면을 관통하여 설치된 상태에서 타단이 전방 측 내면으로부터 이격되도록 배치될 수도 있다.Meanwhile, as another example, the second heater unit 300 may be disposed in a position where the other end interferes with the opening 101, with one end installed penetrating the rear of the process chamber 100 and the other end at the front. It may be arranged to be spaced apart from the inner surface of the side.

또한, 다른 예로서, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 바닥면에 구비되어 제2히터부(300)를 지지하는 히터지지부재(700)를 포함하여, 제2히터부(300)를 히터지지부재(700)를 통해 지지할 수도 있다.Additionally, as another example, the substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 3, includes a heater support member 700 provided on the bottom surface of the process chamber 100 to support the second heater unit 300. Including, the second heater unit 300 may be supported through the heater support member 700.

이때 히터지지부재(700)는, 제2히터부(300) 길이방향을 따라서 복수개가 구비되어 제2히터부(300)를 지지할 수 있으며, 다른 예로서, 제2히터부(300)의 일단은 공정챔버(100) 후면을 관통하여 설치되고 타단 측에 히터지지부재(700)가 구비되어 제2히터부(300)를 지지할 수도 있다.At this time, the heater support member 700 may be provided in plural numbers along the longitudinal direction of the second heater unit 300 to support the second heater unit 300. As another example, one end of the second heater unit 300 may be installed penetrating the rear of the process chamber 100, and a heater support member 700 may be provided at the other end to support the second heater unit 300.

한편, 상기 히터지지부재(700)는, 상면에 제2히터부(300)에 대응되는 안착홈이 형성되어 제2히터부(300)를 지지할 수 있다.Meanwhile, the heater support member 700 has a seating groove corresponding to the second heater unit 300 formed on its upper surface to support the second heater unit 300.

또한, 상기 제2히터부(300)는, 후술하는 보조히터부(400)들 사이에 배치될 수 있으며, 보다 구체적으로는, 공정챔버(100)의 양 내측면에 인접한 위치에 제2방향으로 길이를 가지고 설치되는 보조히터부(400)들 사이에 배치될 수 있다.In addition, the second heater unit 300 may be disposed between auxiliary heater units 400, which will be described later. More specifically, the second heater unit 300 may be disposed in a second direction at a position adjacent to both inner surfaces of the process chamber 100. It can be placed between auxiliary heater units 400 that are installed along the length.

이때, 상기 보조히터부(400)와 상기 제2히터부(300) 사이의 제1거리(d1)가 상기 제2히터부(300)들 사이의 제2거리(d2) 보다 크게 배치될 수 있다.At this time, the first distance d1 between the auxiliary heater unit 400 and the second heater unit 300 may be arranged to be greater than the second distance d2 between the second heater units 300. .

상기 보조히터부(400)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 처리공간 중 공정챔버(100)의 양측면에 인접한 위치에서 제2히터부(300)와 평행하도록 각각 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIG. 3, the auxiliary heater unit 400 is installed parallel to the second heater unit 300 at positions adjacent to both sides of the process chamber 100 in the processing space, and has various configurations. possible.

예를 들면, 상기 보조히터부(400)는, 공정챔버(100) 양 내측면에 인접한 위치에 수직방향으로 서로 평행하도록 복수개 배치될 수 있으며, 제2방향으로 길이를 가지고 설치되어 열손실이 큰 공정챔버(100) 양 내측면에 대한 온도 보상을 수행할 수 있다.For example, a plurality of auxiliary heater units 400 may be arranged parallel to each other in the vertical direction at positions adjacent to both inner surfaces of the process chamber 100, and are installed with a length in the second direction to cause large heat loss. Temperature compensation can be performed on both inner surfaces of the process chamber 100.

즉, 상기 보조히터부(400)는, 제1방향으로 길이를 가지고 설치되는 제1히터부(200)에 따라 높은 열손실에도 불구하고 온도 보상이 어려운 공정챔버(100)의 양 내측면에 대한 온도보상을 위한 인접한 위치에서 제2방향으로 길이를 가지도록 설치될 수 있다.That is, the auxiliary heater unit 400 is installed on both inner surfaces of the process chamber 100, where temperature compensation is difficult despite high heat loss due to the first heater unit 200 installed with a length in the first direction. It may be installed to have a length in a second direction at an adjacent location for temperature compensation.

상기 제어부는, 복수의 제2히터부(300) 각각의 발열량을 독립적으로 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The control unit is a component that independently controls the heat generation amount of each of the plurality of second heater units 300, and various configurations are possible.

이때, 상기 제어부는, 복수의 제2히터부(300) 뿐만 아니라 제1히터부(200) 및 보조제어부(400)의 발열량을 통한 온도제어가 가능함은 또한 물론이다.At this time, of course, the control unit is capable of controlling temperature through the heat generation amount of the plurality of second heater units 300 as well as the first heater unit 200 and the auxiliary control unit 400.

상기 제어부는, 복수의 제2히터부(300) 중 적어도 일부의 발열량을 나머지에 대하여 서로 다르게 제어할 수 있으며, 예를 들면, 복수의 제2히터부(300)들 중 처리공간의 위치에 따라 일부에 대하여 발열량을 높게 설정하고 나머지에 대하여 발열량을 낮게 설정할 수 있다.The control unit may control the heat generation amount of at least some of the plurality of second heater units 300 differently from the rest, for example, depending on the location of the processing space among the plurality of second heater units 300. You can set the calorific value high for some and low calorific value for others.

이를 위해 상기 제2히터부(300)들은, 제어부를 통해 발열량이 제어되는 최소단위로서, 제어부를 통해 각각 독립적으로 제어되는 제1제어그룹(310), 제2제어그룹(320), 제3제어그룹(330) 및 제4제어그룹(340)을 공정챔버(100) 일측벽 측으로부터 타측벽 측으로 순차적으로 형성할 수 있다.For this purpose, the second heater unit 300 is the minimum unit whose heat generation amount is controlled through the control unit, and is divided into a first control group 310, a second control group 320, and a third control group, which are each independently controlled through the control unit. The group 330 and the fourth control group 340 may be formed sequentially from one side wall of the process chamber 100 to the other side wall.

상기 제어부를 통한 제2히터부(300)들의 제어를 설명하기 위해 처리공간 최하부의 온도변화에 대하여 설명하면 다음과 같다.In order to explain the control of the second heater units 300 through the control unit, the temperature change at the bottom of the processing space will be explained as follows.

처리공간 최하부, 즉 최하단 기판(1)의 하측은 도 1 및 도 8a에 도시된 바와 같이, 상부에서 상대적으로 낮은 온도의 공정가스가 제1방향으로 수평이동하면서 하강함에 따라 공정가스가 막 유입되는 제1제어그룹(310)에 대응되는 영역의 온도가 상대적으로 높고 제2제어그룹(320)에 대응되는 영역의 온도가 상대적으로 낮을 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 8A, the bottom of the processing space, that is, the lower side of the bottom substrate 1, is where the process gas just flows in as the relatively low temperature process gas from the top moves horizontally and descends in the first direction. The temperature of the area corresponding to the first control group 310 may be relatively high, and the temperature of the area corresponding to the second control group 320 may be relatively low.

또한, 공정가스의 제1히터부(200), 제2히터부(300)들에 따른 온도교환으로 제3제어그룹(330)에 대응되는 영역의 온도가 제2제어그룹(320)에 대응되는 영역의 온도보다 높게 형성될 수 있다.In addition, due to temperature exchange according to the first heater unit 200 and the second heater unit 300 of the process gas, the temperature of the area corresponding to the third control group 330 is changed to that of the second control group 320. It can be formed to be higher than the temperature of the area.

한편, 공정챔버(100)의 열손실이 크고 배기포트가 위치하므로 타측벽에 인접하는 제4제어그룹(340)에 대응되는 영역의 온도는 제3제어그룹(330)에 대응되는 영역의 온도보다 낮게 형성될 수 있다.Meanwhile, since the heat loss of the process chamber 100 is large and the exhaust port is located, the temperature of the area corresponding to the fourth control group 340 adjacent to the other side wall is higher than the temperature of the area corresponding to the third control group 330. It can be formed low.

결과적으로, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1제어그룹(310) 및 제3제어그룹(330)에 대응되는 영역의 온도가 상대적으로 높고 제2제어그룹(320) 및 제4제어그룹(340)에 대응되는 영역의 온도가 상대적으로 낮게 형성되어 제1방향으로 각 위치별 온도편차가 발생될 수 있다.As a result, as shown in FIG. 8A, the temperature of the area corresponding to the first control group 310 and the third control group 330 is relatively high, and the temperature of the area corresponding to the second control group 320 and the fourth control group 340 is relatively high. ), the temperature of the area corresponding to is relatively low, so a temperature deviation may occur for each location in the first direction.

따라서, 상기 제어부는, 제2제어그룹(320)의 발열량을 제1제어그룹(310)의 발열량보다 크도록 제어할 수 있고, 또 다른 예로서, 상기 제어부는, 제4제어그룹(340)의 발열량을 제1제어그룹(310)의 발열량보다 크도록 제어할 수 있다.Therefore, the control unit can control the heat generation amount of the second control group 320 to be greater than the heat generation amount of the first control group 310. As another example, the control unit can control the heat generation amount of the fourth control group 340. The heat generation amount can be controlled to be greater than that of the first control group 310.

더 나아가, 상기 제어부는, 상기 제2제어그룹(320) 및 제4제어그룹(340)의 발열량을 제1제어그룹(310) 및 제3제어그룹(330)의 발열량보다 크도록 제어할 수도 있다.Furthermore, the control unit may control the heat generation amount of the second control group 320 and the fourth control group 340 to be greater than the heat generation amount of the first control group 310 and the third control group 330. .

한편, 전술한 바와 다른 예로서, 제2제어그룹(320) 및 제4제어그룹(340)에 포함되는 제2히터부(300)의 개수를 제1제어그룹(310) 및 제3제어그룹(330)에 포함되는 제2히터부(300)의 개수보다 많게하여 동일 파워에 따른 동일 발열량 제어에도 제2제어그룹(320) 및 제4제어그룹(340)에 대응되는 영역의 온도가 더 높아지도록 유도할 수도 있다.Meanwhile, as a different example from the above, the number of second heater units 300 included in the second control group 320 and the fourth control group 340 is divided into the first control group 310 and the third control group ( 330), so that the temperature of the areas corresponding to the second control group 320 and the fourth control group 340 is higher even when controlling the same heat generation amount according to the same power by increasing the number of the second heater units 300 included in 330). It can also be induced.

이로써, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1방향에 따른 온도편차가 종래 기판처리장치의 도 8a에 비해 개선된 것을 확인할 수 있다.Accordingly, it can be confirmed that the temperature deviation of the substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 8B, is improved compared to that of the conventional substrate processing apparatus of FIG. 8A in the first direction.

이때, 도 8a 및 도 8b는, 빨간색으로 표시될수록 온도가 높고 파란색으로 표시될수록 온도가 낮은 영역을 의미할 수 있다.At this time, FIGS. 8A and 8B may mean an area where the temperature is higher as it is displayed in red and the temperature is lower as it is displayed in blue.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.The above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, and therefore, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention as described above should not be construed. Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 공정챔버 200: 제1히터부
300: 제2히터부 400: 보조히터부100: Process chamber 200: First heater unit
300: Second heater unit 400: Auxiliary heater unit

Claims

a process chamber 100 forming a processing space in which a plurality of substrates 1 are processed by being spaced apart from each other along the vertical direction;
a plurality of first heater units 200 corresponding to some of the plurality of substrates 1 and arranged parallel to each other in a first horizontal direction in the processing space;
Characterized by comprising a plurality of second heater units 300 arranged in parallel with each other in a horizontal second direction intersecting the first direction in the processing space corresponding to the remaining portion of the plurality of substrates 1. A substrate processing device.

In claim 1,
The second heater unit 300,
A substrate processing device characterized in that it is disposed below the first heater unit 200.

In claim 1,
The first heater unit 200,
A substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of substrates (1) are disposed corresponding to each of the substrates (1) arranged in the vertical direction.

In claim 1,
The second heater unit 300,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is disposed below a substrate (1) located at the bottom among the plurality of substrates (1).

In claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein the first direction and the second direction are perpendicular to each other.

In claim 5,
The second heater unit 300,
A substrate processing apparatus characterized in that the substrate processing apparatus is spaced apart from each other at equal intervals in the first direction.

In claim 1,
The first heater unit 200,
A substrate processing device installed across both sides of the process chamber 100.

In claim 1,
The second heater unit 300,
A substrate processing device installed across the front and rear sides of the process chamber 100.

In claim 1,
A substrate processing apparatus comprising a heater support member 700 provided on the bottom of the process chamber 100 and supporting the second heater unit 300.

In claim 9,
The second heater unit 300,
A substrate processing device, characterized in that one end is installed penetrating the rear of the process chamber 100, and the other end is installed spaced apart from the front.

In claim 1,
The process chamber 100,
An opening 101 for introducing the substrate 1 is formed on the front surface,
The second heater unit 300,
A substrate processing device, characterized in that one end is installed through the rear of the process chamber (100), and the other end is installed through the lower side of the opening (101) in the front of the process chamber (100).

In claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising auxiliary heater units 400 installed in parallel with the second heater unit 300 at positions adjacent to both sides of the process chamber 100 in the processing space.

In claim 12,
The second heater unit 300,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is disposed between the auxiliary heater units 400 disposed on both inner surfaces of the process chamber 100.

In claim 12,
Substrate processing, wherein the first distance d1 between the auxiliary heater unit 400 and the second heater unit 300 is greater than the second distance d2 between the second heater units 300. Device.

In claim 1,
A gas supply unit 500 provided on one side wall of the process chamber 100 to spray process gas in the first direction, and a gas supply unit 500 provided on the other side wall of the process chamber 100 to exhaust process gas in the processing space. A substrate processing device comprising a gas exhaust unit (600).

In claim 15,
It includes a control unit that independently controls the heat generation amount of each of the plurality of second heater units 300,
The control unit,
A substrate processing apparatus, characterized in that the heat generation amount of at least some of the plurality of second heater units 300 is controlled differently from the rest.

In claim 16,
The plurality of second heater units 300 are,
The first control group 310, the second control group 320, the third control group 330, and the fourth control group 340, each independently controlled through the control unit, are installed on one side wall of the process chamber 100. A substrate processing device characterized in that it is formed sequentially from the side wall to the other side wall.

In claim 17,
The control unit,
A substrate processing apparatus, characterized in that the heat generation amount of the second control group (320) is controlled to be greater than the heat generation amount of the first control group (310).

In claim 17,
The control unit,
A substrate processing apparatus, characterized in that the heat generation amount of the fourth control group (340) is controlled to be greater than the heat generation amount of the first control group (310).

In claim 17,
The control unit,
Substrate processing, characterized in that the heat generation amount of the second control group 320 and the fourth control group 340 is controlled to be greater than the heat generation amount of the first control group 310 and the third control group 330. Device.