KR20240058834A - Photosensitive conductive paste, method of manufacturing a substrate with a conductive pattern, method of manufacturing electronic components, cured film, fired body, and electronic components - Google Patents

Photosensitive conductive paste, method of manufacturing a substrate with a conductive pattern, method of manufacturing electronic components, cured film, fired body, and electronic components Download PDF

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KR20240058834A KR1020247001004A KR20247001004A KR20240058834A KR 20240058834 A KR20240058834 A KR 20240058834A KR 1020247001004 A KR1020247001004 A KR 1020247001004A KR 20247001004 A KR20247001004 A KR 20247001004A KR 20240058834 A KR20240058834 A KR 20240058834A
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

도전성 입자(A), 감광성 유기 성분(B), 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고, 상기 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며, 상기 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃이며, 전체 용제 100질량%에 대하여 상기 용제(C-2)가 25∼80질량%인 감광성 도전 페이스트.
도포 공정에서의 점도 상승을 억제하고, 감광성 도전 페이스트를 저온에서 건조시킨 경우에도, 건조막의 택성을 억제하고, 건조막 중에 포함되는 잔존 용제량의 경시 변화를 억제한다.
Contains conductive particles (A), a photosensitive organic component (B), and two or more types of solvents (C), and among the solvents (C), a solvent (C-1) with the lowest boiling point and a solvent with the highest boiling point (C-) 2) The difference in boiling points is 35 to 120°C, the boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C, and the solvent (C-2) is 25 to 80% by mass based on 100% by mass of all solvents. Conductive paste.
The increase in viscosity during the application process is suppressed, the tackiness of the dried film is suppressed even when the photosensitive conductive paste is dried at low temperature, and the change over time in the amount of residual solvent contained in the dried film is suppressed.

Description

감광성 도전 페이스트, 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 경화막, 소성체 및 전자 부품Photosensitive conductive paste, method of manufacturing a substrate with a conductive pattern, method of manufacturing electronic components, cured film, fired body, and electronic components

본 발명은 감광성 도전 페이스트, 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 경화막, 소성체 및 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive conductive paste, a method for manufacturing a substrate with a conductive pattern, a method for manufacturing electronic components, a cured film, a fired body, and electronic components.

최근, 전자 부품은 소형화, 고성능화의 요구에 따라서, 내부 배선의 미세화, 고애스펙트화(코일 도체층의 연신 방향으로 직교하는 단면에 있어서의, (코일 도체층의 축방향의 두께)/(코일 도체층의 폭))가 요구되고 있다. 인덕터 부품은 세라믹으로 이루어지는 절연체와 그 내부에 코일상의 내부 전극을 포함한다. 절연체는 복수의 절연층을 포함한다. 내부 전극은 절연층 상에 평면으로 감긴 선 형상으로 형성되고, 그들을 조합시킴으로써 코일을 형성한다. 내부 전극으로서 배선의 미세화가 가능한 감광성 도전 페이스트(예를 들면, 특허문헌 1 참조)를 사용한 것이 제안되고 있다.Recently, in response to demands for miniaturization and higher performance, electronic components have had smaller internal wiring and higher aspect ratio ((axial thickness of coil conductor layer)/(coil conductor in a cross section perpendicular to the stretching direction of the coil conductor layer). The width of the layer)) is required. The inductor component includes an insulator made of ceramic and an internal electrode on a coil inside the insulator. The insulator includes a plurality of insulating layers. The internal electrode is formed in the shape of a line wound in a plane on the insulating layer, and a coil is formed by combining them. It has been proposed to use a photosensitive conductive paste (for example, see Patent Document 1) that allows for finer wiring as an internal electrode.

이들의 인덕터 부품의 제조 방법으로서는 세라믹 및 수지를 포함하는 절연성 시트 상에, 감광성 도전 페이스트에 의한 내부 전극을 형성하고, 얻어진 복수의 시트를 포갬으로써 코일을 형성하는 방법이나, 세라믹 및 수지를 포함하는 절연성 시트 상에, 감광성 도전 페이스트에 의한 내부 전극과, 세라믹 및 수지를 포함하는 절연층을 교대에 적층함으로써 코일을 형성하는 방법이 있다.Methods for manufacturing these inductor parts include forming internal electrodes with a photosensitive conductive paste on an insulating sheet containing ceramic and resin and forming a coil by stacking a plurality of the obtained sheets, or forming a coil using a photosensitive conductive paste on an insulating sheet containing ceramic and resin. There is a method of forming a coil by alternately laminating internal electrodes made of photosensitive conductive paste and insulating layers containing ceramic and resin on an insulating sheet.

일본 특허 공개 2019-215446호 공보Japanese Patent Publication No. 2019-215446

상술의 내부 전극을 형성하기 위해 절연성 시트 상에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 건조시킬 때에, 용제를 모두 건조시키 위해 고온에서 건조시킨 경우, 기재가 휘어진다는 문제가 있다. 이 문제를 방지하기 위해서는, 용제를 저온에서 건조시킬 필요가 있지만, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 바와 같이 비교적 비점이 낮은 용제만을 함유하는 종래의 감광성 도전 페이스트를 사용하여 저온에서 건조시킨 경우, 건조막 중에 용제가 잔존한다. 그 때문에, 잔존한 용제량이 건조 후의 경과 시간에 따라 변화되어 가공성이 변화되는 과제나, 스크린 인쇄 등의 도포 공정에 있어서는 페이스트의 점도가 상승하여 도포막 두께가 변화되는 과제가 있었다. 또한, 고비점만의 용제를 사용한 경우, 건조막 중의 잔존 용제량이 너무 많아져 택성이 생기는 과제가 있었다.When applying and drying a photosensitive conductive paste on an insulating sheet to form the above-mentioned internal electrode, if it is dried at a high temperature to dry all the solvent, there is a problem that the substrate is bent. In order to prevent this problem, it is necessary to dry the solvent at low temperature. For example, as described in Patent Document 1, when drying at low temperature using a conventional photosensitive conductive paste containing only a solvent with a relatively low boiling point, drying The solvent remains in the film. Therefore, there was a problem in which the amount of remaining solvent changed with the elapsed time after drying, resulting in a change in processability, and in an application process such as screen printing, the viscosity of the paste increased and the coating film thickness changed. Additionally, when a solvent with only a high boiling point was used, there was a problem in that the amount of solvent remaining in the dried film became too large, resulting in tackiness.

본 발명은, 상기 과제에 감안하여, 도포 공정에서의 점도 상승을 억제하고, 감광성 도전 페이스트를 저온에서 건조시킨 경우에도, 건조막의 택성을 억제하고, 건조막 중에 포함되는 잔존 용제량의 경시 변화를 억제하는 것을 목적으로 한다.In view of the above problems, the present invention suppresses the increase in viscosity during the application process, suppresses the tackiness of the dried film even when the photosensitive conductive paste is dried at low temperature, and prevents changes over time in the amount of residual solvent contained in the dried film. The purpose is to suppress.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 주로 이하의 구성을 갖는다. 즉, 도전성 입자(A), 감광성 유기 성분(B), 및 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고, 상기 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며, 상기 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃이며, 전체 용제 100질량%에 대하여 상기 용제(C-2)의 함유량이 25∼80질량%인 감광성 도전 페이스트.In order to solve the above problems, the present invention mainly has the following structures. That is, it contains conductive particles (A), a photosensitive organic component (B), and two or more types of solvents (C), and among the solvents (C), a solvent (C-1) with the lowest boiling point and a solvent with the highest boiling point The difference in boiling points of (C-2) is 35 to 120°C, the boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C, and the content of the solvent (C-2) is 25 to 25% with respect to 100% by mass of the total solvent. Photosensitive conductive paste of 80% by mass.

본 발명의 감광성 도전 페이스트에 의하면, 도포 공정에서의 점도 상승을 억제하고, 저온에서 건조시킨 경우에도, 건조막의 택성을 억제하고, 건조막 중에 포함되는 잔존 용제량의 경시 변화를 억제할 수 있다.According to the photosensitive conductive paste of the present invention, an increase in viscosity during the application process can be suppressed, the tackiness of the dried film can be suppressed even when dried at low temperature, and the change over time in the amount of residual solvent contained in the dried film can be suppressed.

도 1은 실시예에 있어서 사용된 마스크 패턴을 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a mask pattern used in an example.

본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 도전성 입자(A), 감광성 유기 성분(B), 및 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고, 상기 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며, 상기 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃이며, 전체 용제 100질량%에 대하여 상기 용제(C-2)의 함유량이 25∼80질량%이다.The photosensitive electrically conductive paste of the present invention contains conductive particles (A), a photosensitive organic component (B), and two or more types of solvents (C), and among the solvents (C), the solvent with the lowest boiling point (C-1) The difference between the boiling points of the solvent (C-2) with the highest boiling point is 35 to 120°C, and the boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C, with respect to 100% by mass of all solvents. ) content is 25 to 80 mass%.

도전성 입자(A)는, 가열 소성에 의해 용융, 융착하여, 도전성을 갖는 무기 소결체가 된다. 감광성 유기 성분(B)을 포함함으로써, 감광성 도전 페이스트의 건조막에 감광성을 부여하고, 포토리소그래피법에 의해 미세 배선을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 감광성 도전 페이스트가 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고, 상기 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며, 상기 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃이며, 전체 용제 100질량%에 대하여 상기 용제(C-2)의 함유량이 25∼80질량%인 것이 중요하다. 상술한 바와 같이, 감광성 도전 페이스트를 저온에서 건조시킨 경우에, 잔존 용제량이 변화됨으로써 가공성이 변화되는 과제가 있었다. 그래서, 본 발명자들은, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃인 2종류 이상의 용제(C)를 병용함으로써 저비점의 용제만을 건조시키는 한편, 고비점의 용제를 잔존시켜 잔존 용제량을 일정하게 할 수 있는 것을 발견했다.The conductive particles (A) are melted and fused by heating and sintering to form an inorganic sintered body having conductivity. By including the photosensitive organic component (B), photosensitivity is imparted to the dried film of the photosensitive conductive paste, and fine wiring can be formed by the photolithography method. In addition, in the present invention, the photosensitive conductive paste contains two or more types of solvents (C), and among the solvents (C), a solvent (C-1) with the lowest boiling point and a solvent (C-2) with the highest boiling point. The difference in boiling points is 35 to 120°C, the boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C, and the content of the solvent (C-2) is 25 to 80% by mass based on 100% by mass of the total solvent. It is important. As described above, when the photosensitive conductive paste was dried at low temperature, there was a problem in that processability changed due to a change in the amount of residual solvent. Therefore, the present inventors used together two or more types of solvents (C) with a boiling point difference of 35 to 120°C between the solvent with the lowest boiling point (C-1) and the solvent with the highest boiling point (C-2), thereby making it possible to use only low boiling point solvents. It was discovered that while drying, the high boiling point solvent remained so that the amount of residual solvent could be kept constant.

(도전성 입자(A))(Conductive particles (A))

도전성 입자(A)란, 가열 소성에 의해 용융 또는 융착하여, 도전성을 발현하는 것이다. 도전성 입자(A)로서는, 예를 들면 은, 금, 동, 백금, 팔라듐, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 크롬, 티타늄, 인듐 등의 금속이나 이들 중 어느 하나의 금속을 포함하는 합금, 이들 중 어느 하나의 금속의 산화물로부터 선택된 재료의 분말 등을 들 수 있다. 이들을 2종류 이상 사용해도 좋다. 도전성 입자의 재료로서는, 이들 중에서도 도전성의 관점에서 은, 동 또는 금이 바람직하고, 비용의 관점에서 은, 동, 또는 이들 중 어느 하나의 금속을 포함하는 합금이 보다 바람직하고, 안정성의 관점에서 은이 더욱 바람직하다.Conductive particles (A) are those that are melted or fused by heating and baking to develop conductivity. The conductive particles (A) include, for example, metals such as silver, gold, copper, platinum, palladium, tin, nickel, aluminum, tungsten, molybdenum, ruthenium, chromium, titanium, and indium, or any one of these metals. Examples include powders of materials selected from alloys and oxides of any of these metals. You may use two or more of these. As a material for the conductive particles, among these, silver, copper, or gold are preferable from the viewpoint of conductivity, silver, copper, or an alloy containing any of these metals is more preferable from the viewpoint of cost, and silver is preferable from the viewpoint of stability. It is more desirable.

도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름(메디안 직경(D50))은 0.3∼6.0㎛인 것이 바람직하다. 도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름 D50을 0.3㎛ 이상으로 함으로써, 후술하는 노광·현상 공정에 있어서 노광한 광을 효율적으로 투과시켜 바닥부까지 충분히 경화를 진행시킬 수 있고, 패턴 벗겨짐을 억제하여 후막의 패턴을 형성할 수 있다. 도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름 D50은, 0.8㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1.3㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름 D50을 6.0㎛ 이하로 함으로써, 형성 후의 패턴의 덜컹거림을 억제하여, 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름 D50은 5.5㎛ 이하가 보다 바람직하고, 5.0㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 입자(A)의 평균 2차 입자지름 D50은 Microtrac HRA(Model No. 9320-X100; Nikkiso Co., Ltd.제)를 사용한 레이저 광 산란법에 의해 측정할 수 있다.The average secondary particle diameter (median diameter (D50)) of the conductive particles (A) is preferably 0.3 to 6.0 μm. By setting the average secondary particle diameter D50 of the conductive particles (A) to 0.3 ㎛ or more, the exposed light can be efficiently transmitted in the exposure and development process described later, curing can sufficiently proceed to the bottom, and pattern peeling can be suppressed. Thus, a thick film pattern can be formed. As for the average secondary particle diameter D50 of electroconductive particle (A), 0.8 micrometer or more is more preferable, and 1.3 micrometer or more is still more preferable. On the other hand, by setting the average secondary particle diameter D50 of the conductive particles (A) to 6.0 μm or less, shaking of the pattern after formation can be suppressed and a finer pattern can be formed. The average secondary particle diameter D50 of the conductive particles (A) is more preferably 5.5 μm or less, and further preferably 5.0 μm or less. In addition, the average secondary particle diameter D50 of the conductive particles (A) can be measured by a laser light scattering method using Microtrac HRA (Model No. 9320-X100; manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

감광성 도전 페이스트 중의 도전성 입자(A)의 함유량은, 전체 고형분 중, 35∼60체적%가 바람직하다. 도전성 입자(A)의 함유량을 35체적% 이상으로 함으로써, 후술하는 소성 공정에 있어서, 도전성 입자(A)끼리의 접촉 확률을 향상시켜 패턴의 단선을 억제할 수 있다. 도전성 입자(A)의 함유량은, 40체적% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자(A)의 함유량을 60체적% 이하로 함으로써, 노광·현상 공정에 있어서의 패턴 벗겨짐을 억제하여 보다 후막 패턴을 형성할 수 있다. 도전성 입자(A)의 함유량은 55체적% 이하가 보다 바람직하다. 여기에서, 감광성 도전 페이스트의 전체 고형분이란, 용제를 제외한 감광성 도전 페이스트의 전체 구성 성분을 말한다.The content of the conductive particles (A) in the photosensitive electrically conductive paste is preferably 35 to 60% by volume based on the total solid content. By setting the content of the conductive particles (A) to 35% by volume or more, in the firing process described later, the probability of contact between the conductive particles (A) can be improved and disconnection of the pattern can be suppressed. As for content of electroconductive particle (A), 40 volume% or more is more preferable. On the other hand, by setting the content of the conductive particles (A) to 60% by volume or less, pattern peeling during the exposure and development process can be suppressed, and a thicker film pattern can be formed. As for content of electroconductive particle (A), 55 volume% or less is more preferable. Here, the total solid content of the photosensitive electrically conductive paste refers to all components of the photosensitive electrically conductive paste excluding the solvent.

감광성 도전 페이스트 중의 도전성 입자(A)의 함유량은, 감광성 페이스트를 도포·건조하여 충분히 유기 용제를 제거한 페이스트 건조막의 수직한 단면을, 투과형 전자현미경(예를 들면, JEOL Ltd.제 「JEM-4000EX」)에 의해 관찰하고, 상의 농담에 의해 도전성 입자(A)와 기타 성분을 구별하여 화상 해석을 행함으로써 도전성 입자(A)의 체적 분율을 산출하여 구할 수 있다. 이 때, 투과형 전자현미경에 의한 관찰 면적은 20㎛×100㎛ 정도, 배율은 1,000∼3,000배 정도로 한다. 또한, 감광성 페이스트의 각 성분의 배합량을 기지의 경우는, 배합량으로부터 도전성 입자(A)의 함유량을 산출할 수도 있다.The content of conductive particles (A) in the photosensitive conductive paste was determined by applying and drying the photosensitive paste and measuring a vertical cross section of the paste-dried film from which the organic solvent was sufficiently removed using a transmission electron microscope (e.g., “JEM-4000EX” manufactured by JEOL Ltd.). ), the volume fraction of the conductive particles (A) can be calculated and obtained by analyzing the image by distinguishing the conductive particles (A) from the other components based on the light and shade of the image. At this time, the observation area using a transmission electron microscope is about 20㎛×100㎛, and the magnification is about 1,000 to 3,000 times. In addition, when the compounding quantity of each component of the photosensitive paste is known, the content of the conductive particles (A) can also be calculated from the compounding quantity.

(감광성 유기 성분(B))(Photosensitive organic component (B))

감광성 유기 성분(B)은, 알칼리 가용성 수지 및 감광제를 포함하는 유기 성분을 말한다. 알칼리 가용성 수지란, 알칼리 가용성기를 갖는 수지를 말한다. 알칼리 가용성기로서는, 예를 들면 카르복실기, 페놀성 수산기, 술폰산기, 티올기 등을 들 수 있다. 알칼리 현상액에의 용해성이 높기 때문에, 알칼리 가용성기로서는 카르복실기가 바람직하다.The photosensitive organic component (B) refers to an organic component containing an alkali-soluble resin and a photosensitizer. Alkali-soluble resin refers to resin having an alkali-soluble group. Examples of alkali-soluble groups include carboxyl groups, phenolic hydroxyl groups, sulfonic acid groups, and thiol groups. Since it has high solubility in an alkaline developer, a carboxyl group is preferable as the alkali-soluble group.

알칼리 가용성 수지로서는 아크릴 수지가 바람직하고, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머와 기타 모노머의 공중합체가 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트 등의 탄소수 1∼18의 쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트; 벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트 등의 탄소수 6∼10의 환상 방향족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트; 시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실아크릴레이트 등의 탄소수 6∼15의 환상 지방족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트나, 이들의 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 바꾼 것 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다. 아크릴계 모노머 이외의 공중합 성분으로서는, 예를 들면 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류; 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산, 비닐아세트산 등의 불포화 카르복실산이나 이들의 산무수물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.As the alkali-soluble resin, an acrylic resin is preferable, and a copolymer of an acrylic monomer having a carbon-carbon double bond and other monomers is preferable. Examples of acrylic monomers having a carbon-carbon double bond include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, tert-butyl acrylate, Acrylates having a chain aliphatic hydrocarbon group of 1 to 18 carbon atoms, such as n-pentyl acrylate, isodecyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, allyl acrylate, lauryl acrylate, and stearyl acrylate. ; Acrylates having a cyclic aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, such as benzyl acrylate, phenyl acrylate, 1-naphthylacrylate, and 2-naphthylacrylate; Cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, 4-tert-butylcyclohexyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentadienyl acrylate, isobornyl acrylate, 3,3,5-trimethylcyclo Acrylates having a cyclic aliphatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms, such as hexyl acrylate, and those obtained by replacing these acrylates with methacrylates can be mentioned. You may use two or more of these. Examples of copolymerization components other than acrylic monomers include styrenes such as styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, α-methylstyrene, chloromethylstyrene, and hydroxymethylstyrene; Examples include unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, and vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof. You may use two or more of these.

아크릴 수지는, 측쇄 또는 분자 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하고, 노광시의 경화 반응 속도를 향상시킬 수 있다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 구조로서는, 예를 들면 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타크릴기 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 가져도 좋다. 아크릴 수지에 탄소-탄소 이중 결합을 도입하는 방법으로서는, 예를 들면 아크릴 수지 중의 메르캅토기, 아미노기, 히드록실기, 카르복실기에 대하여, 글리시딜기 또는 이소시아네이트기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물, 아크릴산 클로라이드, 메타크릴산 클로라이드, 알릴클로라이드 등을 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.The acrylic resin preferably has a carbon-carbon double bond at the side chain or molecule end, and can improve the curing reaction rate during exposure. Examples of structures having a carbon-carbon double bond include vinyl group, allyl group, acrylic group, and methacryl group. You may have two or more of these. Methods for introducing a carbon-carbon double bond into an acrylic resin include, for example, a compound having a glycidyl group or an isocyanate group and a carbon-carbon double bond with respect to the mercapto group, amino group, hydroxyl group, or carboxyl group in the acrylic resin, acrylic acid. A method of reacting chloride, methacrylic acid chloride, allyl chloride, etc. can be mentioned.

글리시딜기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들면 글리시딜 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 글리시딜 에틸아크릴레이트, 크로토닐글리시딜에테르, 글리시딜크로토네이트, 글리시딜이소크로토네이트, "사이크로마"(등록상표) M100, A200(이상, Daicel Corporation제) 등을 들 수 있다. 이소시아네이트기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들면 아크릴로일이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 아크릴로일에틸이소시아네이트, 메타크릴로일에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.Examples of compounds having a glycidyl group and a carbon-carbon double bond include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, Glycidyl crotonate, glycidyl isocrotonate, "Cychroma" (registered trademark) M100, A200 (above, manufactured by Daicel Corporation), etc. Examples of compounds having an isocyanate group and a carbon-carbon double bond include acryloyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, acryloyl ethyl isocyanate, and methacryloyl ethyl isocyanate. You may use two or more of these.

감광제로서는 광중합개시제, 용해 억제제 등을 들 수 있다. 보다 후막의 도전 패턴을 형성하는 관점에서 광중합개시제가 바람직하다.Examples of photosensitizers include photopolymerization initiators and dissolution inhibitors. A photopolymerization initiator is preferable from the viewpoint of forming a thicker conductive pattern.

광중합개시제는 자외선 등의 단파장의 광을 흡수하여 분해하거나, 또는 수소 인발 반응에 의해 라디칼을 발생시킴으로써 감광성 도전 페이스트에 광경화성을 부여하고, 네거티브형의 포트리소그래피법에 의한 패턴 형성을 가능하게 한다. 자외선 등의 광을 흡수하여 분해하는 광중합 개시제로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온, 벤조페논, 오르토-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온 등의 알킬페논계 광중합개시제; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합개시제; 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온 ,1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심의 옥심에스테르계 광중합개시제 등을 들 수 있다.The photopolymerization initiator absorbs and decomposes short-wavelength light such as ultraviolet rays, or generates radicals through a hydrogen abstraction reaction, thereby imparting photocurability to the photosensitive conductive paste and enabling pattern formation by negative photolithography. Photopolymerization initiators that absorb and decompose light such as ultraviolet rays include, for example, 1,2-octanedione, benzophenone, methyl ortho-benzoylbenzoate, 4,4'-bis(dimethylamino)benzophenone, and 4,4'- Bis(diethylamino)benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2- Hydroxy-2-methylpropiophenone, Michler's ketone, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-1-propanone, 4-azidbenzalacetophenone, 2,6 -Alkylphenone-based photopolymerization initiators such as bis(p-azidebenzylidene)cyclohexanone and 6-bis(p-azidebenzylidene)-4-methylcyclohexanone; Acylphosphine oxide-based photopolymerization initiators such as 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide; 1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], ethanone, 1-[9-ethyl-6-2(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]- 1-(O-acetyloxime), 1-phenyl-1,2-butanedione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime , 1-phenyl-propanedione-2-(O-benzoyl)oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propane Oxime ester type photopolymerization initiator of trion-2-(O-benzoyl)oxime, etc. are mentioned.

용해 억제제는 감광성 도전 페이스트 건조막의 노광된 개소의 현상액에 대한 용해성을 증대시켜, 포지티브형의 포트리소그래피법에 의한 패턴 형성을 가능하게 한다. 용해 억제제로서는 노광 에너지에 의해 산이 발생하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 디아지드술폰 화합물, 트리페닐술포늄 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 디아지드술폰 화합물로서는, 예를 들면 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(터셜부틸술포닐)디아조메탄, 비스(4-메틸페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다. 트리페닐술포늄 화합물로서는, 예를 들면 디페닐-4-메틸페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐-2,4,6-트리메틸페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 디페닐(4-메톡시페닐)술포늄 트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다. 퀴논 디아지드 화합물로서는, 예를 들면 폴리히드록시 화합물에 퀴논 디아지드의 술폰산이 에스테르로 결합한 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논 디아지드의 술폰산이 술폰아미드 결합한 것, 폴리히드록시폴리아민 화합물에 퀴논 디아지드의 술폰산이 에스테르 결합 및/또는 술폰아미드 결합한 것 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.The dissolution inhibitor increases the solubility of the exposed portion of the photosensitive conductive paste dry film in the developing solution, enabling pattern formation by a positive photolithography method. As a dissolution inhibitor, it is preferable that acid is generated by exposure energy. Examples include diazide sulfone compounds, triphenylsulfonium compounds, and quinonediazide compounds. Examples of diazide sulfone compounds include bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane, bis(tertiary butylsulfonyl)diazomethane, and bis(4-methylphenylsulfonyl)diazomethane. Examples of triphenylsulfonium compounds include diphenyl-4-methylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl-2,4,6-trimethylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, and diphenyl (4-methyl Toxyphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, etc. can be mentioned. Quinone diazide compounds include, for example, a polyhydroxy compound in which the sulfonic acid of quinone diazide is bonded to an ester, a polyamino compound in which the sulfonic acid of quinone diazide is bonded to a sulfonamide compound, and a polyhydroxypolyamine compound in which quinone diazide is bonded. Examples include those in which sulfonic acid is linked to an ester linkage and/or a sulfonamide linkage. You may contain two or more of these.

감광성 유기 성분(B)은 감광성 모노머, 자외선 흡수제, 증감제 등을 더 함유해도 좋다.The photosensitive organic component (B) may further contain a photosensitive monomer, an ultraviolet absorber, a sensitizer, etc.

감광성 모노머란, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머 또는 올리고머를 말한다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 구조로서는, 예를 들면 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기, 말레이미드 환 등을 들 수 있다. 아크릴기를 갖는 감광성 모노머로서는, 예를 들면 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 글리세롤 디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 트리글리세롤 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트 등을 들 수 있다. 메타크릴기를 갖는 감광성 모노머로서는, 예를 들면 이들의 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 바꾼 것 등을 들 수 있다. 비닐기를 갖는 감광성 모노머로서는, 예를 들면 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르, 부틸비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 페닐비닐에테르, 에틸렌글리콜모노비닐에테르, 트리알릴이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Photosensitive monomer refers to a monomer or oligomer having a carbon-carbon double bond. Examples of structures having a carbon-carbon double bond include acrylic groups, methacryl groups, vinyl groups, and maleimide rings. Examples of photosensitive monomers having an acrylic group include 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, Dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxy pentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, triglycerol diacrylate, trimethyl All-propane triacrylate, bisphenol A diacrylate, isocyanuric acid EO-modified triacrylate, etc. are mentioned. Examples of photosensitive monomers having a methacryl group include those in which acrylates are replaced with methacrylates. Examples of photosensitive monomers having a vinyl group include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, phenyl vinyl ether, ethylene glycol monovinyl ether, triallyl isocyanurate, etc. You can.

(용제(C))(Solvent (C))

용제(C)는 실온에서 액체이며, 감광성 도전 페이스트를 구성하는 성분을 습윤 또는 용해시켜, 도포성이 우수한 액체로 하는 작용을 갖는다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 감광성 도전 페이스트는 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고, 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며, 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃인 것이 중요하다.The solvent (C) is a liquid at room temperature and has the function of moistening or dissolving the components constituting the photosensitive conductive paste to form a liquid with excellent applicability. As described above, the photosensitive conductive paste of the present invention contains two or more types of solvents (C), and among the solvents (C), a solvent (C-1) with the lowest boiling point and a solvent (C-2) with the highest boiling point. The difference in boiling points is 35 to 120°C, and it is important that the boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C.

용제(C-2)의 비점이 251℃보다 낮으면, 후술하는 건조 공정에서 용제(C-2)가 휘발되어 잔존 용매량의 경시 변화가 커진다. 한편, 용제(C-2)의 비점이 300℃보다 높으면, 소성시의 탈바인더성이 저하된다. 용제(C-2)의 비점은 잔존 용매량의 경시 변화가 커지는 것을 보다 억제하는 관점에서 257℃ 이상이 바람직하다. 또한, 소성시의 탈바인더성이 저하하는 것을 보다 억제하는 관점에서 290℃ 이하가 바람직하다. 여기에서, 유기 용제(C)의 비점은 각종 문헌에 개시되어 있고, 소수점 첫째자리를 반올리하는 것으로 한다. 문헌에 개시가 없는 경우는 JIS 규격 K0066-1992의 방법으로 측정할 수 있다.If the boiling point of the solvent (C-2) is lower than 251°C, the solvent (C-2) volatilizes in the drying process described later, and the change in the amount of remaining solvent over time increases. On the other hand, if the boiling point of the solvent (C-2) is higher than 300°C, the binder removal property during baking decreases. The boiling point of the solvent (C-2) is preferably 257°C or higher from the viewpoint of further suppressing the increase in changes in the amount of residual solvent over time. Additionally, from the viewpoint of further suppressing a decrease in binder removal properties during firing, 290°C or lower is preferable. Here, the boiling point of the organic solvent (C) is disclosed in various literature, and is rounded to one decimal place. If there is no disclosure in the literature, it can be measured by the method of JIS standard K0066-1992.

또한, 용제(C-1)와 용제(C-2)의 비점차가 35℃보다 작으면, 용제(C-1)만을 선택적으로 건조시켜 건조막의 택성을 억제하는 것이 곤란해진다. 한편, 비점차가 120℃보다 크면, 용제(C-1)의 비점이 너무 낮아져, 후술하는 도포 공정에 있어서, 용제의 휘발에 의한 감광성 도전 페이스트의 점도의 상승이 일어나기 쉬워진다. 용제(C-1)와 용제(C-2)의 비점차는 택성을 보다 억제하는 관점에서 40℃ 이상이 바람직하고, 50℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 용제(C-1)의 비점이 너무 낮아지는 것을 보다 억제하는 관점에서, 비점차는 110℃ 이하가 바람직하고, 100℃ 이하가 더욱 바람직하다.Additionally, if the boiling point difference between solvent (C-1) and solvent (C-2) is less than 35°C, it becomes difficult to suppress the tackiness of the dried film by selectively drying only solvent (C-1). On the other hand, if the boiling point difference is greater than 120°C, the boiling point of the solvent (C-1) becomes too low, and an increase in the viscosity of the photosensitive conductive paste due to volatilization of the solvent easily occurs in the application process described later. The boiling point difference between solvent (C-1) and solvent (C-2) is preferably 40°C or higher, and more preferably 50°C or higher, from the viewpoint of further suppressing tackiness. Additionally, from the viewpoint of further suppressing the boiling point of the solvent (C-1) from becoming too low, the boiling point is preferably 110°C or lower, and more preferably 100°C or lower.

용제(C-1)는 비점이 180∼230℃인 것이 바람직하다. 용제(C-1)의 비점을 180℃ 이상으로 함으로써, 도포 공정에 있어서의 감광성 도전 페이스트의 점도 상승을 보다 억제할 수 있다. 한편, 용제(C-1)의 비점을 230℃ 이하로 함으로써, 후술하는 건조 공정에 있어서, 감광성 도전 페이스트를 용이하게 건조시킬 수 있다. 상기의 관점에서, 용제(C-1)의 비점은 185℃ 이상이 보다 바람직하고, 또한 220℃ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 용제의 비점은 1013.25hPa에 있어서의 비점을 말한다.The solvent (C-1) preferably has a boiling point of 180 to 230°C. By setting the boiling point of the solvent (C-1) to 180°C or higher, an increase in the viscosity of the photosensitive conductive paste during the application process can be further suppressed. On the other hand, by setting the boiling point of the solvent (C-1) to 230°C or lower, the photosensitive conductive paste can be easily dried in the drying process described later. From the above viewpoint, the boiling point of solvent (C-1) is more preferably 185°C or higher, and more preferably 220°C or lower. In addition, the boiling point of the solvent refers to the boiling point at 1013.25 hPa.

용제(C-1)로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜헥실에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜프로필에테르, 디프로필렌글리콜메틸-n프로필에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디아세테이트를 들 수 있다.Examples of the solvent (C-1) include ethylene glycol hexyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol n-butyl ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol butyl methyl ether. , Diethylene glycol methyl ether, Diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monobutyl ether, Diethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol n-butyl ether, dipropylene glycol propyl ether, Dipropylene glycol methyl-n-propyl ether, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol methyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dimethyl imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, triethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diacetate can be mentioned.

용제(C-2)로서는, 예를 들면 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부틸레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디이소부틸레이트, 디에틸렌글리콜헥실에테르, 디에틸렌글리콜 모노-2-에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 디프로필렌글리콜 페닐에테르, 테트라에틸렌글리콜 디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 부틸 메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르를 들 수 있다. 그 중에서도, SP값이 14.6∼21.5(J/㎤)1/2의 것이 바람직하다. SP값이 14.6∼21.5(J/㎤)1/2의 것으로서는, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부틸레이트, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르를 들 수 있다. SP값을 14.6 이상으로 함으로써, 감광성 유기 성분(B)을 습윤 또는 용해시킬 수 있다. SP값을 21.5 이하로 함으로써, 후술하는 세라믹을 포함하는 절연성 수지층 상에 가공했을 때에, 절연층에의 침투를 막고 절연층 상의 잔사를 억제할 수 있다. SP값은 20.5 이하인 것이, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있으므로 보다 바람직하다. 또한, SP값은 분자구조로부터 Fedors의 계산 방법을 사용하여 산출할 수 있다.As a solvent (C-2), for example, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol diisobutyrate, Ethylene glycol hexyl ether, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol phenyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol Examples include propylene glycol butyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether. Among them, a SP value of 14.6 to 21.5 (J/cm3) 1/2 is preferable. Those with SP values of 14.6 to 21.5 (J/cm3) 1/2 include 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutylate, tetraethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butylmethyl ether, Diethylene glycol dibutyl ether can be mentioned. By setting the SP value to 14.6 or more, the photosensitive organic component (B) can be wetted or dissolved. By setting the SP value to 21.5 or less, when processing on an insulating resin layer containing ceramic, which will be described later, penetration into the insulating layer can be prevented and residues on the insulating layer can be suppressed. It is more preferable that the SP value is 20.5 or less because the above effect can be achieved more. Additionally, the SP value can be calculated from the molecular structure using Fedors' calculation method.

용제(C-2)는 R1(OC2H4)nOR2 또는 R1(OC3H6)nOR2로 나타내어지는 글리콜알킬에테르인 것이 바람직하다. 단, n은 2∼5의 정수, R1은 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R2는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1∼6의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-부틸기 등을 들 수 있다. 용제(C-2)가 상기 글리콜 알킬에테르임으로써, 절연층에의 침투를 보다 막고 잔사를 억제할 수 있다.The solvent (C-2) is preferably a glycol alkyl ether represented by R 1 (OC 2 H 4 ) n OR 2 or R 1 (OC 3 H 6 ) n OR 2 . However, n is an integer of 2 to 5, R 1 represents H or an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, and R 2 represents an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, and n-butyl group. When the solvent (C-2) is the glycol alkyl ether, penetration into the insulating layer can be further prevented and residues can be suppressed.

또한, 본 발명의 감광성 도전 페이스트는 전체 용제 100질량%에 대하여, 용제(C-2)의 함유량이 25∼80질량%인 것이 중요하다. 용제(C-2)의 함유량이 25질량% 보다 작으면, 후술하는 도포 공정에 있어서 용제의 휘발에 의한 감광성 도전 페이스트의 점도 상승이 생기기 쉬워진다. 용제(C-2)의 함유량은 35질량% 이상이 바람직하다. 한편, 용제(C-2)의 함유량이 80질량% 보다 크면, 건조막의 택성이 생기기 쉬워진다. 용제(C-2)의 함유량은 70질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 더욱 바람직하다. 용제(C-2)의 함유량은 감광성 도전 페이스트에 포함되는 전체 용제의 종류를 1H-NMR 등의 화학 분석에 의해 동정한 후, 그 비율을 가스 크로마토그램에 있어서의 피크 면적에 의해 구함으로써 산출할 수 있다.In addition, it is important that the photosensitive conductive paste of the present invention has a solvent (C-2) content of 25 to 80 mass% based on 100 mass% of all solvents. If the content of the solvent (C-2) is less than 25% by mass, an increase in the viscosity of the photosensitive conductive paste due to volatilization of the solvent is likely to occur in the application process described later. The content of solvent (C-2) is preferably 35% by mass or more. On the other hand, when the content of solvent (C-2) is greater than 80% by mass, tackiness of the dried film is likely to occur. The content of solvent (C-2) is preferably 70% by mass or less, and more preferably 60% by mass or less. The content of the solvent (C-2) is calculated by identifying the types of all solvents contained in the photosensitive conductive paste by chemical analysis such as 1 H-NMR and then calculating the ratio based on the peak area in the gas chromatogram. can do.

(수축 억제제)(contraction inhibitor)

(비도전 무기 입자)(Non-conductive inorganic particles)

본 발명의 감광성 도전 페이스트는 비도전성 무기 분말을 더 포함하는 것이 바람직하고, 소성시의 패턴 수축을 억제할 수 있다. 비도전성 무기 분말의 입자지름은 1∼100nm가 바람직하다. 비도전성 무기 분말로서는, 예를 들면 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 마그네시아(MgO), 베릴리아(BeO), 뮬라이트(3Al2O3·2SiO2), 코디어라이트(5SiO2·2Al2O3·2MgO), 스피넬(MgO·Al2O3), 폴스테라이트(2MgO·SiO2), 아놀사이트(CaO·Al2O3·2SiO2), 셀시안(BaO·Al2O3·2SiO2), 실리카(SiO2), 질화알루미늄(AlN), 페라이트(가넷형: Y3Fe5O12계, 스피넬형: MeFe2O4계), SiO2, Al2O3, CaO, B2O3, MgO 및/또는 TiO2 등을 포함하는 유리 분말; 알루미나, 지르코니아, 마그네시아, 베릴리아, 뮬라이트, 코디어라이트, 스피넬, 폴스테라이트, 아놀사이트, 셀시안, 실리카, 질화알루미늄 등의 무기 필러 분말 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 소성 결함을 보다 억제하는 관점에서 실리카 입자가 바람직하다. 실리카 입자는 감광성 도전 페이스트의 틱소성을 저감하고, 도포막의 표면 평탄성을 향상시키는 관점에서, 입자 표면이 알킬화 처리되어 있는 것이 바람직하고, 그 중에서도 디알킬실릴화 및/또는 트리알킬실릴화되어 있는 것이 바람직하다. 실리카 입자의 표면을 디알킬실릴화 및/또는 트리알킬실릴화하는 방법으로서는, 실리카 입자를 디메틸디클로로실란 또는 헥사메틸디실라잔과 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.The photosensitive conductive paste of the present invention preferably further contains non-conductive inorganic powder, and pattern shrinkage during baking can be suppressed. The particle size of the non-conductive inorganic powder is preferably 1 to 100 nm. Non-conductive inorganic powders include, for example, alumina (Al 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), magnesia (MgO), beryllia (BeO), mullite (3Al 2 O 3 ·2SiO 2 ), and cordierite (5SiO). 2 ·2Al 2 O 3 ·2MgO), spinel (MgO·Al 2 O 3 ), polysterite (2MgO·SiO 2 ), anolsite (CaO·Al 2 O 3 ·2SiO 2 ), celsian (BaO·Al 2 O 3 ·2SiO 2 ), silica (SiO 2 ), aluminum nitride (AlN), ferrite (garnet type: Y 3 Fe 5 O 12 type, spinel type: MeFe 2 O 4 type), SiO 2 , Al 2 O 3 , CaO, B 2 O 3 , MgO and/or TiO 2 , etc.; Inorganic filler powders such as alumina, zirconia, magnesia, beryllia, mullite, cordierite, spinel, polsterite, anolcite, celsian, silica, and aluminum nitride can be mentioned. You may contain two or more of these. Among these, silica particles are preferable from the viewpoint of further suppressing firing defects. From the viewpoint of reducing the thixotropy of the photosensitive conductive paste and improving the surface flatness of the coating film, the silica particles are preferably alkylated on the particle surface, and among them, those are dialkyl silylated and/or trialkyl silylated. desirable. Methods for dialkyl silylating and/or trialkyl silylating the surface of silica particles include a method of reacting silica particles with dimethyldichlorosilane or hexamethyldisilazane.

(기타 성분)(Other Ingredients)

본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 그 소망의 특성을 손상시키지 않는 범위에서, 분산제, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제, 안정제 등을 함유해도 좋다.The photosensitive electrically conductive paste of this invention may contain a dispersing agent, a plasticizer, a leveling agent, a surfactant, a silane coupling agent, an antifoaming agent, a stabilizer, etc., as long as the desired characteristics are not impaired.

(분산제)(Dispersant)

분산제란, 도전성 입자(A) 및/또는 비도전성 무기 입자를 분산, 안정화하는 작용을 갖는 성분이다. 분산제로서는, 예를 들면 아민계의 분산제, 카르복실산 또는 카르복실산 에스테르계 분산제를 들 수 있다. 그 중에서, 잔사의 발생을 억제하고 후막 형성이 용이하게 됨으로써, 탄소수 3∼18의 불포화 지방산 및/또는 탄소수 3∼18의 포화 지방산이 바람직하다. 불포화 지방산으로서는 미리스트올레산, 팔미트올레산, 사피엔산, 올레산 등을 들 수 있다. 포화 지방산으로서는 카프르산, 라우린산, 미리스틴산, 펜타데실산, 팔미트산, 마르가린산, 스테아르산 등을 들 수 있다.A dispersant is a component that has the effect of dispersing and stabilizing the conductive particles (A) and/or non-conductive inorganic particles. Examples of the dispersant include amine-based dispersants, carboxylic acid or carboxylic acid ester-based dispersants. Among them, unsaturated fatty acids with 3 to 18 carbon atoms and/or saturated fatty acids with 3 to 18 carbon atoms are preferred because they suppress the generation of residues and facilitate thick film formation. Examples of unsaturated fatty acids include myristoleic acid, palmitoleic acid, sapienic acid, and oleic acid. Saturated fatty acids include capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, and stearic acid.

(감광성 도전 페이스트의 제조 방법)(Method for producing photosensitive conductive paste)

본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 예를 들면 상술한 바와 같이 (A)∼(C) 분, 필요에 따라서 기타 첨가제를, 혼합 및/또는 분산시킴으로써 얻을 수 있을 수 있다. 혼합 및/또는 분산시키는 장치로서는, 예를 들면 삼본 롤러, 볼 밀 등의 분산기나 혼련기 등을 들 수 있다.The photosensitive conductive paste of the present invention can be obtained, for example, by mixing and/or dispersing (A) to (C) and other additives as necessary, as described above. Examples of mixing and/or dispersing devices include dispersers such as hemp rollers and ball mills, and kneaders.

(경화막)(cured film)

다음에, 본 발명의 경화막에 대해서 설명한다. 본 발명의 경화막은, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 경화하여 이루어지는 막이다. 경화막의 막 두께는, 5∼30㎛가 바람직하다. 경화막의 막 두께를 5㎛ 이상으로 함으로써, 소성시의 단선을 억제할 수 있다. 한편, 경화막의 막두께를 30㎛ 이하로 함으로써, 미세 배선을 형성할 수 있다.Next, the cured film of the present invention will be described. The cured film of the present invention is a film formed by curing the photosensitive electrically conductive paste of the present invention. The film thickness of the cured film is preferably 5 to 30 μm. By setting the film thickness of the cured film to 5 μm or more, breakage during firing can be suppressed. On the other hand, fine wiring can be formed by setting the film thickness of the cured film to 30 μm or less.

본 발명의 경화막은 소정의 패턴 형상을 갖고 있어도 좋다. 패턴 형상으로서는, 예를 들면 직선 형상, 소용돌이 형상 등을 들 수 있다. 패턴 형상에 대해서, 최소폭은 10∼50㎛가 바람직하다. 패턴 폭을 10㎛ 이상으로 함으로써, 소성시의 단선을 억제할 수 있다. 한편, 패턴 폭을 50㎛ 이하로 함으로써, 패턴의 애스펙트비가 커지고, 내부 배선의 시트 저항을 저하시킬 수 있다.The cured film of the present invention may have a predetermined pattern shape. Examples of the pattern shape include straight lines and swirl shapes. Regarding the pattern shape, the minimum width is preferably 10 to 50 μm. By setting the pattern width to 10 μm or more, disconnection during firing can be suppressed. On the other hand, by setting the pattern width to 50 μm or less, the aspect ratio of the pattern increases and the sheet resistance of the internal wiring can be reduced.

본 발명의 경화막은, 예를 들면 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기재 상에 도포하여 건조하고, 노광에 의해 광경화시킴으로써 얻을 수 있다. 패턴 형상을 갖는 경화막은 노광 공정에 있어서 패턴 노광한 후, 현상함으로써 제조할 수 있다.The cured film of the present invention can be obtained, for example, by applying the photosensitive conductive paste of the present invention onto a substrate, drying it, and photocuring it through exposure. A cured film having a pattern shape can be manufactured by subjecting the cured film to pattern exposure in an exposure process and then developing it.

(도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법)(Method for manufacturing a substrate with a conductive pattern)

본 발명의 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법은, 기재 상에 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도포막을 형성하는 공정, 상기 도포막을 건조하여 건조막을 형성하는 공정, 상기 건조막을 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 패턴을 형성하는 공정에 있어서의 상기 건조막에 잔존하는 용제의 양이 상기 감광성 도전 페이스트에 포함되는 전체 용제량의 25∼80질량%이다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.The method for manufacturing a substrate with a conductive pattern of the present invention includes the steps of applying the photosensitive conductive paste of the present invention on a substrate to form a coating film, drying the coating film to form a dry film, exposing and developing the dried film to form a pattern. and a step of forming, wherein the amount of solvent remaining in the dried film in the step of forming the pattern is 25 to 80% by mass of the total amount of solvent contained in the photosensitive conductive paste. Hereinafter, each process will be described in detail.

우선, 기재 상에, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도포막을 형성한다.First, the photosensitive conductive paste of the present invention is applied on a substrate to form a coating film.

상기 도포 공정에 있어서의 도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터, 바 코터를 사용한 도포 방법 등을 들 수 있다. 도포막의 막 두께는 도포 방법, 감광성 페이스트의 고형분 농도나 점도 등에 따라서 적당히 선택할 수 있다.Examples of the coating method in the coating process include spray coating, roll coating, screen printing, a coating method using a blade coater, die coater, calendar coater, meniscus coater, and bar coater. The film thickness of the coating film can be appropriately selected depending on the application method, solid content concentration or viscosity of the photosensitive paste, etc.

상술한 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 사용한 도포막은, 기재 상에 무기 입자(D) 및 유기 성분(E)을 포함하는 막을 형성한 후, 상기 막 상에 형성해도 좋다.The coating film using the photosensitive electrically conductive paste of the present invention described above may be formed on the film after forming the film containing the inorganic particles (D) and the organic component (E) on the substrate.

유기 성분(E) 및 용제를 포함하는 용액에, 무기 입자를 분산시킨 슬러리를 기재 상에 도포하고 건조시켜 막을 형성한다. 유기 성분(E)은 막을 형성했을 때에, 잔존하는 유기 성분의 모두를 말한다. 무기 성분을 분산시킨 슬러리로서는, 비감광 슬러리 또는 감광성 슬러리를 들 수 있다. 비감광성 슬러리는 무기 입자, 수지, 용제 등을 포함한다. 감광성 슬러리는 무기 입자, 감광성 유기 성분, 용제 등을 포함한다. 감광성 유기 성분이란, 알칼리 가용성 수지, 감광제, 감광성 모노머 등의 혼합물을 말한다. 무기 입자(D) 및 유기 성분(E)을 포함하는 막을 형성했을 때에, 위치 정밀도 좋고, 미세한 비아를 형성할 수 있는 관점에서, 감광성 슬러리가 바람직하다. 즉, 유기 성분(E)은 감광성 유기 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 유기 성분(E)은 적당히, 분산제, 가소제, 레벨링제 등을 더욱 포함해도 좋다.A slurry in which inorganic particles are dispersed in a solution containing an organic component (E) and a solvent is applied onto a substrate and dried to form a film. The organic component (E) refers to all of the organic components remaining when a film is formed. Examples of the slurry in which the inorganic component is dispersed include a non-photosensitive slurry or a photosensitive slurry. Non-photosensitive slurry contains inorganic particles, resin, solvent, etc. The photosensitive slurry contains inorganic particles, a photosensitive organic component, a solvent, etc. The photosensitive organic component refers to a mixture of alkali-soluble resin, photosensitive agent, photosensitive monomer, etc. When forming a film containing the inorganic particles (D) and the organic component (E), a photosensitive slurry is preferable from the viewpoint of good positioning accuracy and the ability to form fine vias. That is, the organic component (E) preferably contains a photosensitive organic component. The organic component (E) may further contain a dispersant, plasticizer, leveling agent, etc., as appropriate.

무기 입자(D)로서는 소성 온도역에서 연화되는 유리 입자, 소성 온도역에서 연화되지 않고 입자로서 존재하는 무기 입자 등을 들 수 있다. 이들을 조합시켜 사용할 수도 있다.Examples of the inorganic particles (D) include glass particles that soften in the firing temperature range and inorganic particles that exist as particles without softening in the firing temperature range. These can also be used in combination.

소성 온도역에서 연화되는 유리 입자로서는 SiO2, B2O3, K2O, Li2O, CaO, ZnO, Bi2O3 및 Al2O3 등을 포함하는 유리의 입자를 들 수 있다.Glass particles that soften in the firing temperature range include particles of glass containing SiO 2 , B 2 O 3 , K 2 O, Li 2 O, CaO, ZnO, Bi 2 O 3 and Al 2 O 3 .

소성 온도역에서 연화되지 않고 입자로서 존재하는 무기 입자는, 예를 들면 SiO2-B2O3계 유리, 석영, 알루미나, 마그네시아, 스피넬, 실리카, 폴스테라이트, 스테아타이트 및 지르코니아 등을 들 수 있다. 이들을 2종류 이상 조합시켜 사용해도 좋다.Inorganic particles that exist as particles without softening in the firing temperature range include, for example, SiO 2 -B 2 O 3 glass, quartz, alumina, magnesia, spinel, silica, polsterite, steatite, and zirconia. there is. You may use a combination of two or more of these.

다음에, 상기 도포막을 건조하여 건조막을 형성한다.Next, the coating film is dried to form a dry film.

본 발명의 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법에 있어서, 상기 건조막에 잔존하는 용제는 상기 감광성 도전 페이스트에 포함되는 전체 용제량의 25∼80질량%이다. 잔존 용제량을 25질량%로 함으로써, 건조막의 광투과성이 향상하고 애스펙트비가 높은 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 잔존 용제량을 80질량% 이하로 함으로써, 건조막의 택성을 억제할 수 있다.In the method for producing a substrate with a conductive pattern of the present invention, the solvent remaining in the dried film is 25 to 80% by mass of the total amount of solvent contained in the photosensitive conductive paste. By setting the remaining solvent amount to 25% by mass, the light transmittance of the dried film is improved and a pattern with a high aspect ratio can be formed. On the other hand, by setting the amount of residual solvent to 80% by mass or less, the tackiness of the dried film can be suppressed.

건조 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 핫플레이트, 적외선 등의 가열 장치를 사용한 가열 건조나, 진공 건조 등을 들 수 있다. 건조 온도는 45∼80℃가 바람직하다. 건조 온도를 45℃ 이상으로 함으로써, 저비점 용제(C-1)를 효율 좋게 휘발 제거할 수 있고, 건조막의 택성을 억제시킬 수 있다. 한편, 건조 온도를 80℃ 이하로 함으로써, 고비점 용제(C-2)의 증발을 억제할 수 있고, 기재의 휘어짐을 억제할 수 있다. 가열 시간은 2∼60분이 바람직하다.Examples of drying methods include heat drying using a heating device such as an oven, hot plate, or infrared ray, or vacuum drying. The drying temperature is preferably 45 to 80°C. By setting the drying temperature to 45°C or higher, the low boiling point solvent (C-1) can be volatilized and removed efficiently and the tackiness of the dried film can be suppressed. On the other hand, by setting the drying temperature to 80°C or lower, evaporation of the high boiling point solvent (C-2) can be suppressed and warping of the substrate can be suppressed. The heating time is preferably 2 to 60 minutes.

다음에, 상기 건조막을 노광 및 현상하여 패턴을 형성한다.Next, the dried film is exposed and developed to form a pattern.

노광 방법으로서는 포토마스크를 개재하여 노광하는 방법, 포토마스크를 사용하지 않고 노광하는 방법이 있고, 포토마스크를 사용하지 않는 노광 방법으로서는 레이저광 등을 사용하여 직접 회화하는 방법 등을 들 수 있다. 노광 장치로서는, 예를 들면 스텝퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 들 수 있다. 노광하는 활성광선으로서는, 예를 들면 근자외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등을 들 수 있고, 자외선이 바람직하다. 자외선의 광원으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등을 들 수 있고, 초고압 수은등이 바람직하다.Exposure methods include a method of exposure through a photomask and a method of exposure without using a photomask. Examples of exposure methods without a photomask include a method of direct painting using a laser beam or the like. Examples of the exposure device include a stepper exposure machine and a proximity exposure machine. Examples of actinic light to be exposed include near-ultraviolet rays, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and laser light, with ultraviolet rays being preferred. Examples of ultraviolet light sources include low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, halogen lamps, germicidal lamps, etc., with ultra-high pressure mercury lamps being preferred.

알칼리 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트, 시클로헥실 아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 수용액을 들 수 있다. 이들의 수용액에, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 극성 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알콜류; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 등의 에스테르류;시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤; 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 계면활성제 등을 첨가해도 좋다.Examples of developing solutions when performing alkaline development include tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, and dimethylamine. , dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexyl amine, ethylenediamine, and hexamethylenediamine. To these aqueous solutions, polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethyl acetamide, dimethyl sulfoxide, and γ-butyrolactone; Alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol; esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate; cyclopentanone, cyclohexanone, and isobutyl ketone; Ketones such as methyl isobutyl ketone; Surfactants, etc. may be added.

현상 방법으로서는, 예를 들면 노광 후의 경화막을 형성한 기재를 정치, 반송, 또는 회전시키면서 현상액을 스프레이하는 방법, 노광 후의 경화막을 형성한 기재를 현상액 중에 침지하는 방법, 노광 후의 경화막을 형성한 기재를 현상액 중에 침지하면서 초음파를 행하는 방법 등을 들 수 있다.As a developing method, for example, a method of spraying a developing solution while standing, transporting, or rotating a substrate on which a cured film after exposure has been formed, a method of immersing a substrate on which a cured film after exposure has been formed in a developing solution, or a method of immersing a substrate on which a cured film has been exposed after exposure in a developing solution. A method of performing ultrasonic waves while immersed in a developing solution may be mentioned.

현상에 의해 얻어진 패턴에, 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 좋다. 린스액으로서는, 예를 들면 물; 에탄올, 이소프로필알콜 등의 알콜류의 수용액; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 등의 에스테르류의 수용액 등을 들 수 있다. 또한, 패턴의 잔존 용제를 건조시키는 공정을 포함해도 좋다. 잔존 용제를 건조시킴으로써, 소성을 행한 경우에 수축률을 저하시킬 수 있다. 건조 방법으로서는 상기의 건조 방법과 같은 건조 장치를 사용할 수 있다.The pattern obtained by development may be subjected to rinsing treatment with a rinse liquid. Examples of the rinse liquid include water; Aqueous solutions of alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol; and aqueous solutions of esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate. Additionally, a step of drying the remaining solvent of the pattern may be included. By drying the remaining solvent, the shrinkage rate can be reduced when baking is performed. As a drying method, a drying device similar to the above drying method can be used.

얻어진 패턴을 적층하여 적층체로 할 수도 있다. 적층체에 있어서의 적층수는 2∼30층이 바람직하다. 적층수를 2층 이상으로 함으로써, 소정의 패턴의 두께를 크게 할 수 있다. 한편, 적층수를 30층 이하로 함으로써, 층간의 얼라인먼트 어긋남의 영향을 작게 할 수 있다.The obtained patterns can also be stacked to form a laminate. The number of layers in the laminate is preferably 2 to 30 layers. By increasing the number of layers to two or more, the thickness of a given pattern can be increased. On the other hand, by setting the number of layers to 30 or less, the influence of misalignment between layers can be reduced.

(소성체)(fired body)

다음에, 본 발명의 소성체에 대해서 설명한다. 본 발명의 소성체는 본 발명의 경화막을 소성하여 이루어지는 것이며, 그 형상은 상관없다. 소성 공정의 바람직한 조건은 후술한다.Next, the fired body of the present invention will be described. The fired body of the present invention is obtained by firing the cured film of the present invention, and its shape is not limited. Preferred conditions for the firing process are described later.

소성체의 두께는 2∼20㎛가 바람직하다. 소성체의 두께를 2㎛ 이상으로 함으로써, 소성시의 단선을 억제할 수 있다. 한편, 소성체의 두께를 20㎛ 이하로 함으로써, 소성시의 부품을 억제할 수 있다.The thickness of the fired body is preferably 2 to 20 μm. By setting the thickness of the fired body to 2 μm or more, disconnection during firing can be suppressed. On the other hand, by setting the thickness of the fired body to 20 μm or less, the parts during firing can be suppressed.

본 발명의 소성체의 선폭은 5∼40㎛가 바람직하다. 소성체의 선폭을 5㎛ 이상으로 함으로써, 소성시의 단선을 억제할 수 있다. 한편, 소성체의 선폭을 40㎛ 이하로 함으로써, 애스펙트비가 높은 도전 패턴을 형성할 수 있다.The line width of the fired body of the present invention is preferably 5 to 40 μm. By setting the line width of the fired body to 5 μm or more, breakage during firing can be suppressed. On the other hand, by setting the line width of the fired body to 40 μm or less, a conductive pattern with a high aspect ratio can be formed.

(전자 부품)(Electronic parts)

본 발명의 전자 부품은 본 발명의 소성체를 포함한다. 전자 부품으로서는 칩 인덕터, LC 필터 등을 들 수 있다.The electronic component of the present invention includes the fired body of the present invention. Electronic components include chip inductors and LC filters.

(전자 부품의 제조 방법)(Manufacturing method of electronic components)

본 발명의 전자 부품의 제조 방법은 본 발명의 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법에 의해 얻어진 도전 패턴을 갖는 기재를 소성하는 소성 공정을 갖는다. 또한, 감광성 도전 페이스트를 도포하는 공정, 건조하는 공정, 노광·현상하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 일례로서, 적층 칩 인덕터의 제조 방법을 이하에 설명한다.The method for manufacturing an electronic component of the present invention includes a firing step of baking the base material with a conductive pattern obtained by the method for manufacturing a base material with a conductive pattern of the present invention. Furthermore, it is preferable to include a process of applying the photosensitive conductive paste, a process of drying, and a process of exposure and development. As an example of the manufacturing method of the electronic component of the present invention, the manufacturing method of the multilayer chip inductor is described below.

우선, 세라믹 그린 시트에 비아 홀을 형성하고, 비아 홀에 도체를 메워넣음으로써, 층간 접속 배선을 형성한다. 비아 홀 형성 방법으로서는, 예를 들면 레이저 조사 등을 들 수 있다. 비아 홀에 도체를 메워넣는 방법으로서는, 예를 들면 스크린 인쇄법에 의해 도체 페이스트를 메워넣고 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 도체 페이스트로서는, 예를 들면 동, 은, 은-팔라듐 합금을 함유하는 페이스트를 들 수 있다. 층간 접속 배선과 내부 배선을 한번에 형성하여 프로세스를 간략화할 수 있음으로써, 도체 페이스트로서 상술한 바와 같이 본 발명의 감광성 도전 페이스트가 바람직하다.First, via holes are formed in the ceramic green sheet, and interlayer connection wiring is formed by filling the via holes with conductors. Examples of via hole formation methods include laser irradiation. Methods for filling a via hole with a conductor include, for example, filling a conductor paste using a screen printing method and drying it. Examples of the conductor paste include pastes containing copper, silver, and silver-palladium alloy. Since the process can be simplified by forming the interlayer connection wiring and the internal wiring at once, the photosensitive conductive paste of the present invention is preferable as the conductor paste as described above.

층간 접속 배선을 형성한 세라믹 그린시트 상에 내부 배선을 형성한다. 내부 배선의 형성 방법으로서는, 예를 들면 감광성 도전 페이스트를 사용한 포트리소그래피법 등을 들 수 있다. 감광성 도전 페이스트로서는, 애스펙트비가 높고 도전성이 우수한 특성을 부여하는 관점에서, 상술한 바와 같이 본 발명의 감광성 페이스트를 바람직하게 사용할 수 있다. 필요에 따라서, 세라믹 그린 시트 상에, 유전체 패턴 또는 절연체 패턴을 추가로 형성한다. 유전체 패턴 및 절연체 패턴의 형성 방법으로서는, 예를 들면 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다.Internal wiring is formed on the ceramic green sheet on which the interlayer connection wiring is formed. Examples of methods for forming internal wiring include photolithography using a photosensitive conductive paste. As a photosensitive conductive paste, the photosensitive paste of the present invention can be preferably used as described above from the viewpoint of providing characteristics with a high aspect ratio and excellent conductivity. If necessary, a dielectric pattern or insulator pattern is additionally formed on the ceramic green sheet. Examples of methods for forming dielectric patterns and insulator patterns include screen printing.

다음에, 층간 접속 배선 및 내부 배선을 형성한 세라믹 그린시트를 복수장 적층하여 열압착하여 적층체를 얻는다. 적층 방법으로서는, 예를 들면 가이드 구멍을 사용하여 세라믹 그린시트를 쌓아 포개는 방법 등을 들 수 있다. 열압착 장치로서는, 예를 들면 유압식 프레스기 등을 들 수 있다. 열압착 온도는 90∼130℃가 바람직하고, 열압착 압력은 5∼20㎫가 바람직하다.Next, a plurality of ceramic green sheets forming interlayer connection wiring and internal wiring are stacked and heat-compressed to obtain a laminate. Examples of the stacking method include a method of stacking ceramic green sheets using guide holes. Examples of the thermocompression bonding device include a hydraulic press machine. The thermocompression temperature is preferably 90 to 130°C, and the thermocompression pressure is preferably 5 to 20 MPa.

얻어진 적층체를 절단 장치에 의해 소망의 칩 사이즈로 다이싱하여 소성하고, 단자 전극을 도포하여 도금 처리를 함으로써 적층칩 인덕터를 얻을 수 있다. 절단 장치로서는, 예를 들면 다이스 절단기, 레이저 절단기 등을 들 수 있다. 소성 방법으로서는, 예를 들면 300∼600℃에서 5분간∼수시간 열처리한 후, 850∼900℃에서 5분간∼수시간 더 열처리하는 방법 등을 들 수 있다. 단자 전극의 도포 방법으로서는, 예를 들면 스퍼터법 등을 들 수 있다. 도금 처리에 사용하는 금속으로서는, 예를 들면 니켈, 주석 등을 들 수 있다.A multilayer chip inductor can be obtained by dicing the obtained multilayer body into a desired chip size using a cutting device, firing it, applying terminal electrodes, and performing a plating treatment. Examples of cutting devices include die cutting machines and laser cutting machines. Examples of the firing method include heat treatment at 300 to 600°C for 5 minutes to several hours, followed by further heat treatment at 850 to 900°C for 5 minutes to several hours. Examples of methods for applying terminal electrodes include sputtering and the like. Examples of metals used in plating treatment include nickel and tin.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 더욱 자세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these.

(감광성 도전 페이스트)(Photosensitive conductive paste)

감광성 도전 페이스트에 사용한 원료는 이하와 같다.The raw materials used for the photosensitive conductive paste are as follows.

도전성 입자(A)Conductive particles (A)

도전성 입자(A-1): D50이 3.2㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-1): Ag particles with D50 of 3.2㎛

도전성 입자(A-2): D50이 0.5㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-2): Ag particles with D50 of 0.5㎛

도전성 입자(A-3): D50이 1.1㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-3): Ag particles with D50 of 1.1㎛

도전성 입자(A-4): D50이 2.0㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-4): Ag particles with D50 of 2.0㎛

도전성 입자(A-5): D50이 4.0㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-5): Ag particles with D50 of 4.0㎛

도전성 입자(A-6): D50이 5.3㎛인 Ag 입자Conductive particles (A-6): Ag particles with D50 of 5.3㎛

또한, 도전성 입자의 D50은 입도 분포 측정 장치(Microtrac HRA Model No. 9320-X100; Nikkiso Co., Ltd.제)를 사용하여 레이저광 산란법에 의해 측정했다.In addition, D50 of the conductive particles was measured by a laser light scattering method using a particle size distribution measuring device (Microtrac HRA Model No. 9320-X100; manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

감광성 유기 성분(B)Photosensitive organic component (B)

알칼리 가용성 수지: 메타크릴산/메타크릴산 메틸/스티렌=54/23/23(몰비)의 공중합체의 카르복실기 100몰부에 대하여, 40몰부의 글리시딜 메타크릴레이트를 부가 반응시킨 아크릴 수지(중량평균 분자량 30,000, 유리전이점 110℃, 산가 100㎎KOH/g).Alkali-soluble resin: Acrylic resin obtained by addition reaction of 40 mol parts of glycidyl methacrylate with respect to 100 mol parts of carboxyl groups of a copolymer of methacrylic acid/methyl methacrylate/styrene = 54/23/23 (molar ratio) Average molecular weight 30,000, glass transition point 110°C, acid value 100 mgKOH/g).

감광성 모노머: NK 올리고 UA-122P(에스테르 구조 함유 우레탄 아크릴레이트, 점도 7.0㎩·s, 중량평균 분자량 1,100, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.제).Photosensitive monomer: NK oligo UA-122P (urethane acrylate containing ester structure, viscosity 7.0 Pa·s, weight average molecular weight 1,100, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

감광제(광중합개시제 1): ADEKAOPTOMER N-1919(ADEKA제).Photosensitive agent (photopolymerization initiator 1): ADEKAOPTOMER N-1919 (made by ADEKA).

(기타 성분)(Other Ingredients)

레벨링제: "DISPARLON"(등록상표) L-1980N(Kusumoto Chemicals, Ltd.제).Leveling agent: “DISPARLON” (registered trademark) L-1980N (manufactured by Kusumoto Chemicals, Ltd.).

분산제 1: 스테아르산Dispersant 1: Stearic acid

분산제 2: 올레산Dispersant 2: Oleic acid

분산제 3: FULLERENE G-700(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제).Dispersant 3: FULLERENE G-700 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).

(용제(C))(Solvent (C))

용제 1: 에틸렌글리콜부틸에테르(비점: 168℃, SP값: 22.1(J/㎤)1/2)Solvent 1: Ethylene glycol butyl ether (boiling point: 168°C, SP value: 22.1 (J/cm3) 1/2 )

용제 2: 에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트(비점: 188℃, SP값: 18.9(J/㎤)1/2)Solvent 2: Ethylene glycol monobutyl ether acetate (boiling point: 188°C, SP value: 18.9 (J/cm3) 1/2 )

용제 3: 디프로필렌글리콜모노부틸에테르(비점: 230℃, SP값: 20.9(J/㎤)1/2)Solvent 3: Dipropylene glycol monobutyl ether (boiling point: 230°C, SP value: 20.9 (J/cm3) 1/2 )

용제 4: 디에틸렌글리콜디부틸에테르(비점: 256℃, SP값: 17.0(J/㎤)1/2)Solvent 4: Diethylene glycol dibutyl ether (boiling point: 256°C, SP value: 17.0 (J/cm3) 1/2 )

용제 5: 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(비점: 275℃, SP값: 17.5(J/㎤)1/2)Solvent 5: Tetraethylene glycol dimethyl ether (boiling point: 275°C, SP value: 17.5 (J/cm3) 1/2 )

용제 6: 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르(비점: 261℃, SP값: 17.2(J/㎤)1/2)Solvent 6: Triethylene glycol butyl methyl ether (boiling point: 261°C, SP value: 17.2 (J/cm3) 1/2 )

용제 7: 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올디이소부틸레이트(비점: 280℃, SP값: 18.5(J/㎤)1/2)Solvent 7: 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol diisobutyrate (boiling point: 280°C, SP value: 18.5 (J/cm3) 1/2 )

용제 8: 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(비점: 271℃, SP값: 21.1(J/㎤)1/2)Solvent 8: Triethylene glycol monobutyl ether (boiling point: 271°C, SP value: 21.1 (J/cm3) 1/2 )

용제 9: 디프로필렌글리콜페닐에테르(비점: 280℃, SP값: 23.0(J/㎤)1/2)Solvent 9: Dipropylene glycol phenyl ether (boiling point: 280°C, SP value: 23.0 (J/cm3) 1/2 )

용제 10: 디에틸렌글리콜부틸에테르(비점: 150℃, SP값: 21.5(J/㎤)1/2)Solvent 10: Diethylene glycol butyl ether (boiling point: 150°C, SP value: 21.5 (J/cm3) 1/2 )

또한, 용제(C)의 SP값은 분자 구조로부터, Fedors의 계산 방법을 사용하여 산출했다.Additionally, the SP value of the solvent (C) was calculated from the molecular structure using Fedors' calculation method.

비도전 무기 입자non-conductive inorganic particles

D-1: "AEROSIL"(등록상표) 300(NIPPON AEROSIL CO., LTD.제): 실리카 입자D-1: "AEROSIL" (registered trademark) 300 (manufactured by NIPPON AEROSIL CO., LTD.): Silica particles

D-2: "AEROSIL"(등록상표) R976(NIPPON AEROSIL CO., LTD.제): 입자 표면이 디알킬실릴화된 실리카 입자.D-2: "AEROSIL" (registered trademark) R976 (manufactured by NIPPON AEROSIL CO., LTD.): Silica particles whose particle surface is dialkyl silylated.

(실시예 1)(Example 1)

5.0g의 알칼리 가용성 수지, 2.4g의 NK 올리고 UA-122P(감광성 모노머), 0.5g의 ADEKAOPTOMER N-1919(광중합개시제 1), 0.1g의 "DISPARLON"(등록상표) L-1980N(레벨링제), 0.1g의 분산제 1, 5.9g의 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트(용제 2) 및 5.9g의 디에틸렌글리콜 디부틸에테르(용제 4)를 혼합하여, 19.9g의 감광성 수지 용액을 얻었다.5.0 g of alkali-soluble resin, 2.4 g of NK oligo UA-122P (photosensitive monomer), 0.5 g of ADEKAOPTOMER N-1919 (photopolymerization initiator 1), 0.1 g of “DISPARLON” (registered trademark) L-1980N (leveling agent) , 0.1 g of dispersant 1, 5.9 g of ethylene glycol monobutyl ether acetate (solvent 2), and 5.9 g of diethylene glycol dibutyl ether (solvent 4) were mixed to obtain 19.9 g of photosensitive resin solution.

얻어진 19.9g의 감광성 수지 용액과 61.6g의 Ag 입자(A-1)를 혼합하고, 3개 롤러를 사용하여 혼련하고, 표 1, 2에 기재된 감광성 도전 페이스트 P-1을 얻었다. 또한, 전체 고형분 중의 상기 도전성 입자(A)의 함유량(체적%)은 각 성분의 중량과 밀도로부터 산출했다. 단, 유기 성분의 밀도는 모두 1.0g/㎤로 하여 계산했다.The obtained 19.9 g photosensitive resin solution and 61.6 g Ag particles (A-1) were mixed and kneaded using three rollers to obtain photosensitive conductive paste P-1 shown in Tables 1 and 2. In addition, the content (volume %) of the above-mentioned conductive particles (A) in the total solid content was calculated from the weight and density of each component. However, the density of all organic components was calculated as 1.0 g/cm3.

<점도 변화율 평가><Evaluation of viscosity change rate>

감광성 도전 페이스트의 점도 변화율을 이하와 같이 하여 측정했다. 감광성 도전 페이스트를 스크린 판에 300g 싣고, 알루미나 기판 상에, 100mm×100mm의 정사각형 패턴으로 페이스트 중량이 0.6g이 되도록 도포했다. 이 인쇄 공정을 300회 반복하고, 인쇄 전과, 300회 인쇄 후의 스크린 판 상의 페이스트의 점도 변화를 평가했다. 인쇄 전부터의 점도 변화율이 0% 이상 5% 미만이면 「우」, 5% 이상 10% 미만이면 「양」, 10% 이상 20% 미만이면 「가」, 20% 이상이면 「불가」로 했다. 또한, 점도는 브룩필드형의 점도계를 사용하여 10rpm의 조건으로 측정한 값이며, 점도 변화율은 다음식으로부터 계산된다.The viscosity change rate of the photosensitive electrically conductive paste was measured as follows. 300 g of photosensitive conductive paste was placed on a screen plate and applied on an alumina substrate in a square pattern of 100 mm x 100 mm so that the paste weight was 0.6 g. This printing process was repeated 300 times, and the change in viscosity of the paste on the screen plate before printing and after printing 300 times was evaluated. If the viscosity change rate before printing was 0% or more and less than 5%, it was rated as “good,” if it was 5% or more and less than 10%, it was rated as “positive,” if it was 10% or more and less than 20%, it was rated as “a,” and if it was 20% or more, it was rated as “impossible.” In addition, the viscosity is a value measured at 10 rpm using a Brookfield type viscometer, and the viscosity change rate is calculated from the following equation.

점도 변화율(%) = (인쇄 후 점도/인쇄 전 점도-1)×100.Viscosity change rate (%) = (Viscosity after printing/Viscosity before printing-1)×100.

<페이스트 용제 비율, 경시 변화율 평가><Evaluation of paste solvent ratio and rate of change over time>

알루미늄 컵에 감광성 도전 페이스트를 1.00g 넣어, 150℃에서 2시간 건조시킨 후, 감광성 도전 페이스트의 중량을 측정했다. 가열 전후의 페이스트의 질량의 변화로부터, 감광성 도전 페이스트에 포함되는 용제의 비율(질량%)(이하, 페이스트 용제 비율)을 다음식으로부터 계산했다.1.00 g of photosensitive electrically conductive paste was put into an aluminum cup and dried at 150°C for 2 hours, and then the weight of the photosensitive electrically conductive paste was measured. From the change in mass of the paste before and after heating, the ratio (mass %) of the solvent contained in the photosensitive conductive paste (hereinafter referred to as paste solvent ratio) was calculated from the following equation.

페이스트 용제 비율(질량%) = (1.00g -건조 후 페이스트 중량)/1.00g×100.Paste solvent ratio (mass%) = (1.00g - paste weight after drying)/1.00g×100.

계속해서, 알루미나 기판 상에, 감광성 도전 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 100mm×100mm의 정사각형 패턴으로 건조 후에 막두께가 15㎛가 되도록 도포하여, 도포한 페이스트의 중량(b)을 측정했다. 다음에, 페이스트가 도포된 기판을 60℃에서 10분간 건조시켜, 건조 후 10분 이내에 건조막의 중량(c)을 측정했다. 다음식에 의해, 잔존 용제 비율·초기를 산출했다.Subsequently, the photosensitive conductive paste was applied on the alumina substrate in a square pattern of 100 mm x 100 mm by screen printing so that the film thickness was 15 μm after drying, and the weight (b) of the applied paste was measured. Next, the substrate to which the paste was applied was dried at 60°C for 10 minutes, and the weight (c) of the dried film was measured within 10 minutes after drying. The residual solvent ratio/initial time was calculated using the following equation.

잔존 용제량·초기(질량%) = (페이스트 용제 비율-(1-(건조막의 중량(c)/도포한 페이스트 중량(b)))×100)/페이스트 용제 비율×100.Residual solvent amount/initial (mass %) = (paste solvent ratio-(1-(weight of dried film (c)/applied paste weight (b))) x 100)/paste solvent ratio x 100.

또한, 건조 후, 실온에서 10시간 경과 후의 건조막의 중량을 상기와 마찬가지로 측정하고, 잔존 용제량·10시간 후를 산출하여, 건조막에 잔존하는 용제의 양의 경시 변화율(이하, 경시 변화율)을 다음식에 의해 구했다.In addition, after drying, the weight of the dried film after 10 hours at room temperature was measured in the same manner as above, the amount of residual solvent was calculated after 10 hours, and the rate of change over time (hereinafter, rate of change over time) of the amount of solvent remaining in the dried film was calculated. It was obtained by the following equation.

경시 변화율(%) = (1-(잔존 용제량·10시간 후)/(잔량 용제량·초기))×100.Rate of change over time (%) = (1-(remaining solvent amount·after 10 hours)/(remaining solvent amount·initial))×100.

경시 변화율이 0% 이상 5% 미만인 경우 「우」, 5% 이상 10% 미만인 경우 「양」, 10% 이상 20% 미만인 경우 「가」, 20% 이상을 「불가」로 했다.If the rate of change over time was 0% or more but less than 5%, it was rated as “good,” if it was 5% or more and less than 10%, it was rated as “positive,” if it was 10% or more and less than 20%, it was rated as “a,” and if it was 20% or more, it was rated as “impossible.”

<택성 평가><Text evaluation>

알루미나 기판 상에, 감광성 도전 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 100mm×100mm의 정사각형 패턴으로 건조 후에 막두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 60℃에서 10분 건조시킴으로써 건조막을 제작했다. 건조막 상에 PET 필름, 또한 50mm×50mm의 면적을 가지는 중량 50g의 추를 1분간 싣고, PET 필름에 전사한 건조막의 면적으로부터 건조막의 택성을 평가했다. 전사 면적이 50mm×50mm에 대하여 0% 이상 1% 미만이면 「우」, 1% 이상 5% 미만이면 「양」, 5% 이상 10% 미만 이상이면 「가」, 10% 이상이면 「불가」로 했다.On an alumina substrate, a photosensitive conductive paste was applied by screen printing in a square pattern of 100 mm x 100 mm to a film thickness of 15 μm after drying, and dried at 60° C. for 10 minutes to produce a dried film. A PET film and a weight of 50 g with an area of 50 mm x 50 mm were placed on the dried film for 1 minute, and the tackiness of the dried film was evaluated from the area of the dried film transferred to the PET film. If the transfer area is 0% or more and less than 1% of 50mm did.

<평탄성 평가><Flatness evaluation>

<택성 평가>와 같은 방법으로 건조막을 제작했다. 레이저 현미경 VK-X200(KEYENCE CORPORATION제)을 사용하고, 대물 렌즈 20배로 건조막의 표면 조도 Sa를 측정했다. 표면 조도 Sa(산술평균 높이)가 0.3㎛ 미만인 경우 「우」, 0.3㎛ 이상 0.5㎛ 미만인 경우 「양」, 0.5㎛ 이상 0.7㎛ 미만인 경우 「가」, 0.7㎛ 이상인 경우 「불가」로 했다.A dried membrane was produced in the same manner as in <Tackiness evaluation>. Using a laser microscope VK-X200 (manufactured by KEYENCE CORPORATION), the surface roughness Sa of the dried film was measured with a 20x objective lens. When the surface roughness Sa (arithmetic mean height) was less than 0.3㎛, it was rated as “Right”; if it was between 0.3㎛ and less than 0.5㎛, it was rated as “Positive”; if it was between 0.5㎛ and less than 0.7㎛, it was rated as “A”; and if it was over 0.7㎛, it was rated as “No.”

<가공성 평가(최대 막두께)><Processability evaluation (maximum film thickness)>

알루미나 기판 상에, 감광성 도전 페이스트를 건조 후 막두께가 10∼20㎛가 되도록 1㎛ 간격으로 막두께를 바꾸어 건조막을 제작하고, L(라인 개구 폭)/S(스페이스 폭)=25/35의 스트라이프 패턴의 노광 마스크를 개재하여, 선폭이 30㎛가 되는 노광량으로 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., LTD.제)를 사용하여 전체 선노광을 행하고, 0.2질량%의 Na2CO3 용액에 기판을 침지시킨 후, 초순수에 의한 린스 처리를 실시하여 건조막의 미노광부를 제거하는 현상 처리를 행했다. 현상 후에 단선, 벗겨짐이 없는 최대 막두께를 구했다. 또한, 도전 패턴의 선폭은, 광학현미경을 사용하여 배율 1000배로 확대 관찰하여 측정했다. 도전 패턴의 막두께는, 촉침식 단차계(예를 들면, "SURFCOM"(등록상표) 1400; TOKYO SEIMITSU CO., LTD.제)를 사용하여 측정했다.After drying the photosensitive conductive paste on an alumina substrate, a dried film was produced by changing the film thickness at 1㎛ intervals so that the film thickness was 10 to 20㎛, and L (line opening width) / S (space width) = 25/35. Full line exposure was performed using an exposure device (PEM-6M; manufactured by Union Optical Co., Ltd.) at an exposure amount with a line width of 30 μm, through an exposure mask with a stripe pattern, and 0.2% by mass of Na 2 CO 3 After the substrate was immersed in the solution, it was rinsed with ultrapure water and developed to remove the unexposed portion of the dried film. After development, the maximum film thickness without breakage or peeling was determined. In addition, the line width of the conductive pattern was measured using an optical microscope and observed at a magnification of 1000 times. The film thickness of the conductive pattern was measured using a stylus-type step meter (for example, "SURFCOM" (registered trademark) 1400; manufactured by TOKYO SEIMITSU CO., LTD.).

<시트 저항 평가><Sheet resistance evaluation>

알루미나 기판 상에 <가공성 평가(최대 막두께)>와 같은 방법으로, 최대 막두께로 도전 패턴을 형성했다. 단, 노광 마스크는 도 1에 나타내는 마스크 패턴으로 하여 개구 폭은 25㎛, 길이는 40mm로 했다. 얻어진 도전 패턴을 갖는 기판을 880℃에서 10분간 소성 처리하여 도전 패턴 소성체를 얻었다. 디지털 멀티미터(CDM-16D; CUSTOM corporation제)를 사용하여, 상기 도전 패턴 소성체의 저항치 R을 측정했다. 다음에, 도전 패턴 소성체의 소성 후 선폭과 소성 후 막두께를 상기와 같은 방법으로 측정하고, 애스펙트비 및 시트 저항을 다음식에 의해 산출했다.On the alumina substrate, a conductive pattern was formed with the maximum film thickness using the same method as <Processability Evaluation (Maximum Film Thickness)>. However, the exposure mask was set to the mask pattern shown in FIG. 1, and the opening width was 25 μm and the length was 40 mm. The substrate with the obtained conductive pattern was fired at 880°C for 10 minutes to obtain a fired body with a conductive pattern. The resistance value R of the conductive pattern fired body was measured using a digital multimeter (CDM-16D; manufactured by CUSTOM corporation). Next, the line width after firing and the film thickness after firing of the conductive pattern fired body were measured in the same manner as above, and the aspect ratio and sheet resistance were calculated using the following equations.

애스펙트비 = 소성 후 막두께(㎛)/소성 후 선폭(㎛)Aspect ratio = film thickness after firing (㎛) / line width after firing (㎛)

시트 저항(mΩ/□) = 도전 패턴 저항치(mΩ)×선폭(mm)÷도전 패턴 길이(mm).Sheet resistance (mΩ/□) = conductive pattern resistance (mΩ) × line width (mm) ÷ conductive pattern length (mm).

<잔사 평가><Residue evaluation>

이하의 순서에 의해, 절연성 세라믹스층 부착 기판을 제작했다.A substrate with an insulating ceramic layer was produced through the following procedures.

절연성 세라믹스 분말로서 "팔세람"(등록상표) BT149(Nippon Chemical Industrial CO., LTD.제) 100체적부, 바인더 수지로서 폴리비닐부티랄 수지 240체적부, 가소제로서 프탈산 디부틸 80체적부, 용매로서 에틸렌글리콜모노부틸에테르160체적부를 혼합하고, 닥터 블레이드법에 의해 PET 필름 상에 도포하여 70℃에서 10분 건조시킴으로써, 절연성 세라믹스층 부착 기재를 제작했다.100 parts by volume of "Palceram" (registered trademark) BT149 (manufactured by Nippon Chemical Industrial CO., LTD.) as insulating ceramic powder, 240 parts by volume of polyvinyl butyral resin as binder resin, 80 parts by volume of dibutyl phthalate as plasticizer, solvent A base material with an insulating ceramic layer was produced by mixing 160 parts by volume of ethylene glycol monobutyl ether, applying it on a PET film using a doctor blade method, and drying it at 70°C for 10 minutes.

상기 절연성 세라믹스층 부착 기판 상에, <택성 평가>와 같은 방법으로 건조막을 제작했다. 다음에, 0.2질량%의 Na2CO3 용액에 기판을 침지시킨 후, 초순수에 의한 린스 처리를 행함으로써 건조막을 용해시켰다. 린스 처리 후의 기판에 잔존한 건조막의 잔사의 양을 평가했다. 평가는 주사형 전자현미경(S2400; Hitachi, Ltd.제)을 사용하고, 배율 500배로 확대 관찰하여, 250㎛×250㎛의 범위에 잔존하는 도전성 입자의 개수를 셈함으로서 평가했다. 10개소 평가하고, 그 평균 개수가 0∼5개인 경우 「수」, 6∼10개인 경우 「우」, 11∼20개인 경우 「양」, 21∼30개인 경우 「가」, 31개 이상인 경우 「불가」로 했다.On the substrate with the insulating ceramic layer, a dried film was produced by the same method as <Tackiness Evaluation>. Next, the substrate was immersed in a 0.2% by mass Na 2 CO 3 solution and then rinsed with ultrapure water to dissolve the dried film. The amount of dried film residue remaining on the substrate after rinsing treatment was evaluated. Evaluation was made by using a scanning electron microscope (S2400; manufactured by Hitachi, Ltd.), observing at a magnification of 500 times, and counting the number of conductive particles remaining in the range of 250 ㎛ x 250 ㎛. Evaluate 10 places, and if the average number is 0 to 5, it is “Number”, if it is 6 to 10, it is “U”, if it is 11 to 20, it is “Yang”, if it is 21 to 30, it is “A”, and if it is 31 or more, it is “Yang”. “Impossible.”

(실시예 2∼22, 비교예 1∼5)(Examples 2 to 22, Comparative Examples 1 to 5)

용제를 표 2, 4에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에, 실시예 1과 마찬가지로 감광성 수지 용액을 제작했다. 각 용제의 양은, 전체 용제량에 대한 질량 비율을 표 2, 4에 나타내는 것으로 했다. 계속해서, 감광성 수지 용액과 표 1, 3에 나타내는 도전성 입자를 실시예 1과 마찬가지로 혼합하여, 감광성 도전 페이스트 P-2∼22, R-1∼5를 제작했다. 단, 감광성 수지 용액과 도전성 입자의 비율은, 표 1, 3에 나타내는 전체 고형분 중의 도전성 입자의 체적 비율이 되도록 조정했다. 감광성 수지 용액의 밀도는 1.0g/㎤로 하여 계산했다. 계속해서, 제작한 감광성 도전 페이스트 P-2∼22, R-1∼5를 실시예 1과 같은 방법으로 평가했다. 결과를 표 5, 6에 나타낸다.A photosensitive resin solution was produced in the same manner as in Example 1, except that the solvent was changed as shown in Tables 2 and 4. The mass ratio of the amount of each solvent to the total solvent amount is shown in Tables 2 and 4. Subsequently, the photosensitive resin solution and the conductive particles shown in Tables 1 and 3 were mixed in the same manner as in Example 1 to produce photosensitive electrically conductive pastes P-2 to 22 and R-1 to 5. However, the ratio of the photosensitive resin solution and the conductive particles was adjusted so that it became the volume ratio of the conductive particles in the total solid content shown in Tables 1 and 3. The density of the photosensitive resin solution was calculated as 1.0 g/cm3. Subsequently, the produced photosensitive electrically conductive pastes P-2 to 22 and R-1 to R-5 were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 5 and 6.

(실시예 23, 24)(Examples 23, 24)

실시예 1과 같은 방법으로, 감광성 수지 용액을 제작했다. 계속해서, 감광성 수지 용액, 도전 입자 및 비도전 무기 입자를 표 3의 체적 비율이 되도록 혼합하고, 3개 롤러를 사용하여 혼련하여, 표 3, 4에 기재의 감광성 도전 페이스트 P-23, 24를 제작했다. 단, 감광성 수지 용액의 밀도는 1.0g/㎤, 비도전 무기 입자의 밀도는 2.2g/㎤로 하여 계산했다. 계속해서, 제작한 감광성 도전 페이스트 P-23, 24를 실시예 1과 같은 방법으로 평가했다. 결과를 표 6에 나타낸다.A photosensitive resin solution was prepared in the same manner as Example 1. Subsequently, the photosensitive resin solution, conductive particles, and non-conductive inorganic particles were mixed to the volume ratio shown in Table 3 and kneaded using three rollers to prepare photosensitive conductive pastes P-23 and 24 shown in Tables 3 and 4. Produced. However, the density of the photosensitive resin solution was calculated as 1.0 g/cm3, and the density of the non-conductive inorganic particles was calculated as 2.2g/cm3. Subsequently, the produced photosensitive conductive pastes P-23 and 24 were evaluated in the same manner as Example 1. The results are shown in Table 6.

본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 전자 부품 등의 내부 배선 패턴의 제조를 위해 바람직하게 이용할 수 있다.The photosensitive conductive paste of the present invention can be suitably used for manufacturing internal wiring patterns of electronic components and the like.

1 마스크 패턴 L 마스크의 개구 폭1 mask pattern L Mask opening width

Claims (14)

도전성 입자(A), 감광성 유기 성분(B), 및 2종류 이상의 용제(C)를 함유하고,
상기 용제(C) 중, 가장 비점이 낮은 용제(C-1)와 가장 비점이 높은 용제(C-2)의 비점의 차가 35∼120℃이며,
상기 용제(C-2)의 비점이 251∼300℃이며,
전체 용제 100질량%에 대하여 상기 용제(C-2)의 함유량이 25∼80질량%인 감광성 도전 페이스트.
Contains conductive particles (A), a photosensitive organic component (B), and two or more types of solvents (C),
Among the solvents (C), the difference in boiling points between the solvent with the lowest boiling point (C-1) and the solvent with the highest boiling point (C-2) is 35 to 120°C,
The boiling point of the solvent (C-2) is 251 to 300°C,
A photosensitive electrically conductive paste containing 25 to 80% by mass of the solvent (C-2) based on 100% by mass of all solvents.
제 1 항에 있어서,
상기 용제(C-1)의 비점이 180∼230℃인 감광성 도전 페이스트.
According to claim 1,
A photosensitive conductive paste wherein the solvent (C-1) has a boiling point of 180 to 230°C.
제 1 항에 있어서,
상기 용제(C-2)의 SP값이 14.6∼21.5(J/㎤)1/2인 감광성 도전 페이스트.
According to claim 1,
A photosensitive conductive paste whose SP value of the solvent (C-2) is 1/2 of 14.6 to 21.5 (J/cm3).
제 1 항에 있어서,
상기 용제(C-2)가 R1(OC2H4)nOR2 또는 R1(OC3H6)nOR2로 나타내어지는 글리콜 알킬에테르인 감광성 도전 페이스트.
단, n은 2∼5의 정수, R1은 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R2는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.
According to claim 1,
A photosensitive electrically conductive paste wherein the solvent (C-2) is a glycol alkyl ether represented by R 1 (OC 2 H 4 ) n OR 2 or R 1 (OC 3 H 6 ) n OR 2 .
However, n is an integer of 2 to 5, R 1 represents hydrogen or an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, and R 2 represents an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms.
제 1 항에 있어서,
실리카 입자를 더 포함하고, 상기 실리카 입자 표면이 디알킬실릴화 및/또는 트리알킬실릴화된 감광성 도전 페이스트.
According to claim 1,
A photosensitive conductive paste further comprising silica particles, wherein the surface of the silica particles is dialkyl silylated and/or trialkyl silylated.
제 1 항에 있어서,
상기 도전성 입자(A)가 은, 동, 또는 이들 중 어느 하나의 금속을 포함하는 합금이며, 평균 2차 입자지름(메디안 지름(D50))이 0.3∼6.0㎛인 감광성 도전 페이스트.
According to claim 1,
A photosensitive conductive paste wherein the conductive particles (A) are silver, copper, or an alloy containing any one of these metals, and the average secondary particle diameter (median diameter (D50)) is 0.3 to 6.0 μm.
제 1 항에 있어서,
탄소수 3∼18의 불포화 지방산 및/또는 탄소수 3∼18의 포화 지방산을 더 포함하는 감광성 도전 페이스트.
According to claim 1,
A photosensitive conductive paste further comprising an unsaturated fatty acid having 3 to 18 carbon atoms and/or a saturated fatty acid having 3 to 18 carbon atoms.
기재 상에, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나에 기재된 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도포막을 형성하는 공정, 상기 도포막을 건조하여 건조막을 형성하는 공정, 상기 건조막을 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 건조막에 잔존하는 용제의 양이 상기 감광성 도전 페이스트에 포함되는 전체 용제량의 25∼80질량%인 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법.A process of applying the photosensitive conductive paste according to any one of claims 1 to 7 on a substrate to form a coating film, drying the coating film to form a dry film, exposing and developing the dried film to form a pattern. A method of manufacturing a substrate having a conductive pattern, including a step, wherein the amount of solvent remaining in the dried film is 25 to 80% by mass of the total amount of solvent contained in the photosensitive conductive paste. 기재 상에, 무기 입자(D) 및 유기 성분(E)을 포함하는 막을 형성한 후에, 상기 막 상에 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나에 기재된 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도포막을 형성하는 공정, 상기 도포막을 45∼80℃에서 건조하여 건조막을 형성하는 공정, 상기 건조막을 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 건조막에 잔존하는 용제의 양이 상기 감광성 도전 페이스트에 포함되는 전체 용제량의 25∼80질량%인 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법.A process of forming a film containing inorganic particles (D) and an organic component (E) on a substrate, and then applying the photosensitive conductive paste according to any one of claims 1 to 7 on the film to form a coating film. , a process of drying the coating film at 45 to 80°C to form a dry film, exposing and developing the dried film to form a pattern, and the amount of solvent remaining in the dried film is contained in the photosensitive conductive paste. A method for producing a substrate having a conductive pattern that is 25 to 80% by mass of the total solvent amount. 재 9 항에 있어서,
상기 유기 성분(E)이 감광성 유기 성분을 함유하는 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법.
In paragraph 9,
A method for producing a substrate having a conductive pattern wherein the organic component (E) contains a photosensitive organic component.
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 기재된 도전 패턴을 갖는 기재의 제조 방법에 의해 얻어진 도전 패턴을 갖는 기재를 소성하는 소성 공정을 갖는 전자 부품의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic component comprising a firing step of firing a base material having a conductive pattern obtained by the method of manufacturing a base material having a conductive pattern according to any one of claims 8 to 10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나에 기재된 감광성 도전 페이스트를 경화하여 이루어지는 경화막.A cured film formed by curing the photosensitive conductive paste according to any one of claims 1 to 7. 제 12 항에 기재된 경화막을 소성하여 이루어지는 소성체.A fired body obtained by firing the cured film according to claim 12. 제 13 항에 기재된 소성체를 포함하는 전자 부품.An electronic component comprising the fired body according to claim 13.
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