KR20240058389A - 금속산화물반도체 제조방법 - Google Patents

금속산화물반도체 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막의 노출면에 산화물층을 형성하는 것으로, a) 상기 박막의 노출면이 패터닝된 기판을 준비하는 단계; b) 상기 노출면에 인듐산화물(InO), 아연산화물(ZnO), 및 주석산화물(SnO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 형성하는 단계; 및 c) 갈륨산화물(GaO)을 이용하여 제2채널층을 형성하는 단계를 포함하는 금속산화물반도체 제조방법에 관한 것이다.

Description

금속산화물반도체 제조방법{Method for Manufacturing Metal Oxide Semiconductor}
본 발명은 금속산화물반도체를 제조하기 위한 제조방법에 관한 것이다.
금속산화물반도체(Metal Oxide Semiconductor)는 반도체 산화피막을 이용한 단극전계 효과형 트랜지스터의 하나이다. 이러한 금속산화물반도체의 일례로 3차원 트랜지스터가 있다. 3차원 구조의 트랜지스터는 업계의 디자인 룰(Design Rule)의 감소 요구, 집적도 증가 요구 등에 대해 효과적으로 대응할 수 있다. 특히, 고집적도 및 고용량을 요구하는 메모리 장치 분야에서 3차원 구조에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
금속산화물반도체는 박막의 노출면에 갈륨(Ga)을 포함하는 산화물층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 이 경우, 박막의 수산화기(-OH)와 갈륨 사이의 초기 자기제한적인 화학적 흡착 과정을 방해하는 높은 활성화 장벽으로 인해, 산화물층의 단차피복성(Step Coverage)이 저하됨에 따라 금속산화물반도체의 전기적, 화학적 특성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 해결하고자 안출된 것으로, 갈륨을 포함하는 산화물층의 단차피복성을 개선할 수 있는 금속산화물반도체 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 박막의 노출면에 산화물층을 형성하는 것으로, a) 상기 박막의 노출면이 패터닝된 기판을 준비하는 단계; b) 상기 노출면에 인듐산화물(InO), 아연산화물(ZnO), 및 주석산화물(SnO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 형성하는 단계; 및 c) 갈륨산화물(GaO)을 이용하여 제2채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 갈륨에 비해 박막의 수산화기(-OH)와 더 높은 반응성을 갖는 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 먼저 형성하도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명은 단차피복성 향상을 통해 산화물층의 막질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 제1채널층과 제2채널층를 상호 간에 독립적으로 형성하도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명은 제1채널층이 갖는 전구체와 제2채널층이 갖는 전구체 간의 조성비를 조정하는 작업의 정확성과 용이성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법이 수행되는 기판처리장치의 일례를 나타낸 개략적인 구성도
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법이 수행되는 기판처리장치의 일례에 있어서 가스를 분사하는 분사부의 개략적인 측단면도
도 4는 금속산화물반도체의 일례를 나타낸 개략적인 측단면도
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법의 개략적인 순서도
도 8 및 도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 금속산화물반도체 제조방법의 개략적인 순서도
이하에서는 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물에 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고, 이들 구조물 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 산화물층(230)을 형성하여 기판(S) 상에 금속산화물반도체(200)를 제조하기 위한 것이다. 상기 기판(S)은 실리콘기판, 유리기판, 메탈기판 등일 수 있다.
본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 기판처리장치(1)에 의해 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법의 실시예를 설명하기에 앞서, 상기 기판처리장치(1)의 일례를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 기판처리장치(1)는 챔버(2), 서셉터(3), 및 분사부(4)를 포함할 수 있다.
상기 챔버(2)는 처리공간(100)을 제공하는 것이다. 상기 처리공간(100)에서는 산화물층(230)을 형성하여 상기 금속산화물반도체(200)를 제조하는 공정이 이루어질 수 있다. 상기 처리공간(100)은 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 챔버(2)에는 상기 처리공간(100)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다. 상기 챔버(2)의 내부에는 상기 서셉터(3)와 상기 분사부(4)가 배치될 수 있다.
상기 서셉터(3)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 서셉터(3)는 하나의 기판(S)을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판(S)을 지지할 수도 있다. 상기 서셉터(3)에 복수개의 기판(S)이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 서셉터(3)는 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다. 상기 서셉터(3)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다.
상기 분사부(4)는 상기 서셉터(3)를 향해 가스를 분사하는 것이다. 상기 분사부(4)는 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 분사부(4)는 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 가스를 상기 서셉터(3)를 향해 분사할 수 있다. 상기 분사부(4)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 분사부(4)는 상기 서셉터(3)에 대향되게 배치될 수 있다. 상기 분사부(4)는 상기 서셉터(3)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 분사부(4)와 상기 서셉터(3)의 사이에는 상기 처리공간(100)이 배치될 수 있다. 상기 분사부(4)는 리드(미도시)에 결합될 수 있다. 상기 리드는 상기 챔버(2)의 상부를 덮도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다.
상기 분사부(4)는 제1가스유로(4a), 및 제2가스유로(4b)를 포함할 수 있다.
상기 제1가스유로(4a)는 제1가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제1가스유로(4a)는 일측이 배관, 호스, 가스블록 등을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 제1가스유로(4a)는 타측이 상기 처리공간(100)에 연통될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 상기 제1가스는, 상기 제1가스유로(4a)를 따라 유동한 후에 상기 제1가스유로(4a)를 통해 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제1가스유로(4a)는 상기 제1가스가 유동하기 위한 유로로 기능함과 아울러 상기 처리공간(100)에 상기 제1가스를 분사하기 위한 분사구로 기능할 수 있다.
상기 제2가스유로(4b)는 제2가스를 분사하기 위한 것이다. 상기 제2가스와 상기 제1가스는 서로 상이한 가스일 수 있다. 예컨대, 상기 제1가스가 소스가스(Source Gas)인 경우, 상기 제2가스는 리액턴트가스(Reactant Gas)일 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 일측이 배관, 호스, 가스블록 등을 통해 상기 가스저장부(40)에 연결될 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 타측이 상기 처리공간(100)에 연통될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 공급된 상기 제2가스는, 상기 제2가스유로(4b)를 따라 유동한 후에 상기 제2가스유로(4b)를 통해 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)는 상기 제2가스가 유동하기 위한 유로로 기능함과 아룰러 상기 처리공간(100)에 상기 제2가스를 분사하기 위한 분사구로 기능할 수 있다.
상기 제2가스유로(4b)와 상기 제1가스유로(4a)는 서로 공간적으로 분리되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스저장부(40)로부터 상기 제2가스유로(4b)로 공급된 상기 제2가스는, 상기 제1가스유로(4a)를 거치지 않고 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 가스저장부(40)로부터 상기 제1가스유로(4a)로 공급된 상기 제1가스는, 상기 제2가스유로(4b)를 거치지 않고 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제2가스유로(4b)와 상기 제1가스유로(4a)는 상기 처리공간(100)에서 서로 상이한 부분을 향해 가스를 분사할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 분사부(4)는 제1플레이트(41), 및 제2플레이트(42)를 포함할 수 있다.
상기 제1플레이트(41)는 상기 제2플레이트(42)의 상측에 배치된 것이다. 상기 제1플레이트(41)와 상기 제2플레이트(42)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1플레이트(41)에는 복수개의 제1가스홀(411)이 형성될 수 있다. 상기 제1가스홀(411)들은 각각 상기 제1가스가 유동하기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1가스홀(411)들은 상기 제1가스유로(4a)에 속할 수 있다. 상기 제1플레이트(41)에는 복수개의 제2가스홀(412)이 형성될 수 있다. 상기 제2가스홀(412)들은 각각 상기 제2가스가 유동하기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2가스홀(412)들은 상기 제2가스유로(4b)에 속할 수 있다. 상기 제1플레이트(41)에는 복수개의 돌출부재(413)가 결합될 수 있다. 상기 돌출부재(413)들은 상기 제1플레이트(41)의 하면(下面)으로부터 상기 제2플레이트(42) 쪽으로 돌출될 수 있다. 상기 제1가스홀(411)들 각각은 상기 제1플레이트(41)와 상기 돌출부재(413)를 관통하여 형성될 수 있다.
상기 제2플레이트(42)에는 복수개의 개구(421)가 형성될 수 있다. 상기 개구(421)들은 상기 제2플레이트(42)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 개구(421)들은 상기 돌출부재(413)들 각각에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 돌출부재(413)들은 상기 개구(421)들 각각에 삽입되게 배치되는 길이로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출부재(413)들은 상기 개구(421)들 각각의 상측에 배치되는 길이로 형성될 수도 있다. 상기 돌출부재(413)들은 상기 제2플레이트(42)의 하측으로 돌출되는 길이로 형성될 수도 있다. 상기 제2가스홀(412)들은 상기 제2플레이트(42)의 상면을 향해 가스를 분사하도록 배치될 수 있다.
상기 분사부(4)는 상기 제2플레이트(42)와 상기 제1플레이트(41)를 이용하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1플레이트(41)에 RF전력 등과 같은 플라즈마전원이 인가되고, 상기 제2플레이트(42)가 접지될 수 있다. 상기 제1플레이트(41)가 접지되고, 상기 제2플레이트(42)에 플라즈마전원이 인가될 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2플레이트(42)에는 복수개의 제1개구(422)와 복수개의 제2개구(423)가 형성될 수도 있다.
상기 제1개구(422)들은 상기 제2플레이트(42)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제1개구(422)들은 상기 제1가스홀(411)들 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출부재(413)들은 상기 제2플레이트(42)의 상면(上面)에 접촉되게 배치될 수 있다. 상기 제1가스는 상기 제1가스홀(411)들과 상기 제1개구(422)들을 거쳐 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제1가스홀(411)들과 상기 제1개구(422)들은 상기 제1가스유로(4a)에 속할 수 있다.
상기 제2개구(423)들은 상기 제2플레이트(42)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제2개구(423)들은 상기 제1플레이트(41)와 상기 제2플레이트(42)의 사이에 배치된 버퍼공간(43)에 연결될 수 있다. 상기 제2가스는 상기 제2가스홀(412)들, 상기 버퍼공간(43), 및 상기 제2개구(423)들을 거쳐 상기 처리공간(100)으로 분사될 수 있다. 상기 제2가스홀(412)들, 상기 버퍼공간(43), 및 상기 제2개구(423)들은 상기 제2가스유로(4b)에 속할 수 있다.
이와 같은 기판처리장치(1) 등을 통해, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법이 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 기판(S) 상에 형성된 박막(210), 상기 박막(210)의 노출면(211)에 형성된 산화물층(230)을 포함하는 금속산화물반도체(200)를 제조할 수 있다. 상기 노출면(211)은 상기 박막(210)이 패터닝됨에 따라 노출되는 상기 박막(210)의 면(面)이다. 도 4에는 상기 노출면(211)이 상기 박막(210)의 측면에 해당하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 노출면(211)은 상기 박막(210)이 갖는 다른 면(面)에 해당할 수도 있다. 상기 노출면(211)은 상기 박막(210)에 형성된 관통홀(2200)에 의해 노출될 수도 있다. 상기 금속산화물반도체(200)가 3차원 트랜지스터인 경우, 상기 박막(210)은 게이트절연막일 수 있다. 이 경우, 상기 노출면(211)은 상기 게이트절연막의 측면에 해당할 수 있다. 상기 박막(210)의 양측에는 박막층(240)이 배치될 수 있다. 상기 금속산화물반도체(200)가 3차원 트랜지스터인 경우, 상기 박막층(240)은 복수개의 산화막과 복수개의 워드라인(WL, Word Line)이 교번하여 적층된 구조로 구현될 수 있다. 상기 기판(S) 상에 상기 박막층(240)이 형성되고, 식각공정을 통해 상기 박막층(240)에 패턴홀이 형성된 후에 상기 패턴홀에 의해 노출된 상기 박막층(240)의 측면에 상기 박막(210)이 형성될 수 있다. 상기 산화물층(230)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 및 산소(O)를 포함하는 IGZO 산화물층으로 구현될 수 있다. 상기 산화물층(230)은 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 및 산소(O)를 포함하는 ITGO 산화물층으로 구현될 수도 있다.
본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 a)단계(S10), b)단계(S20), 및 c단계(S30)를 포함할 수 있다.
상기 a)단계(S10)는 상기 박막(210)의 노출면(211)이 패터닝된 기판(S)을 준비함으로써 이루어질 수 있다. 상기 a)단계(S10)는 상기 노출면(211)이 패터닝된 기판(S)을 상기 서셉터(3)에 로딩함으로써 이루어질 수도 있다. 상기 기판(S)은 상기 박막(210)의 양측에 상기 박막층(240)이 배치되고, 상기 박막(210)에 상기 관통홀(220)이 형성된 상태로 상기 서셉터(3)에 로딩될 수 있다. 이 경우, 상기 노출면(211)은 상기 박막(210)의 측면에 해당할 수 있다.
상기 b)단계(S20)는 상기 노출면(211)에 인듐산화물(InO), 아연산화물(ZnO), 및 주석산화물(SnO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 b)단계(S20)는 상기 분사부(4)가 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나가 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 노출면(211)에는 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)을 통해 상기 제1채널층(231)이 형성될 수 있다. 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나가 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
상기 c)단계(S30)는 갈륨산화물(GaO)을 이용하여 제2채널층(232)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 c)단계(S30)는 상기 분사부(4)가 갈륨이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1채널층(231)에는 원자층 증착을 통해 상기 제2채널층(232)이 형성될 수 있다. 갈륨이 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 노출면(211)에 상기 제1채널층(231)을 먼저 형성한 후에, 갈륨을 이용하여 상기 제2채널층(232)을 나중에 형성하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 다음과 같은 작용효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 갈륨에 비해 상기 박막(210)의 수산화기(-OH)와 더 높은 반응성을 갖는 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제1채널층(231)을 먼저 형성하므로, 갈륨과 상기 박막(210)의 수산화기(-OH) 사이의 초기 자기제한적인 화학적 흡착 과정을 방해하는 높은 활성화 장벽으로 인해 단차피복성(Step Coverage)이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 박막(210)과 상기 제1채널층(231) 사이의 활성화 장벽을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1채널층(231)이 갖는 전구체의 표면 핵성장을 용이하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 노출면(211)에 형성되는 상기 제1채널층(231)의 단착피복성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상기 제1채널층(231)에 형성되는 상기 제2채널층(232)의 단차피복성 또한 향상시킬 수 있으므로, 상기 산화물층(230)의 막질을 향상시킬 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 제1채널층(231)과 상기 제2채널층(232)을 상호 간에 독립적으로 형성하도록 구현됨으로써, 상기 제1채널층(231)이 갖는 전구체와 상기 제2채널층(232)이 갖는 전구체 간의 조성비를 조정하는 작업의 정확성과 용이성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 금속산화물반도체(200)의 종류, 사양 등의 변경에 대한 대응력을 향상시킬 수 있고, 다양한 금속산화물반도체(200)의 산화물층(230)을 형성하는데 적용될 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1채널층(231)이 갖는 전구체와 상기 제2채널층(232)이 갖는 전구체 간의 조성비 조절을 통해 표면 반응성을 개선할 수 있으므로, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 산화물층(230)의 단차피복성을 더 향상시킬 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 인듐산화물이 포함된 상기 제1채널층(231)을 형성한 후에 갈륨산화물이 포함된 상기 제2채널층(232)을 형성하도록 구현될 수도 있다. 상기 제1채널층(231)의 인듐이 상기 제2채널층(232)의 갈륨의 증착 균일성을 향상시키는데 기여할 수 있으므로, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 제2채널층(232)의 단차피복성을 더 향상시킴으로써, 상기 산화물층(230)의 막질을 더 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 고종횡비 초미세 패턴 소자에서 각 단위 셀당 산화물층(230)의 우수한 전기적, 화학적 특성이 보장된 금속산화물반도체(200)를 제조할 수 있다.
한편, 상기 제1채널층(231)을 이루는 물질과 상기 제2채널층(232)을 이루는 물질이 서로 혼합 내지 반응함으로써, 상기 산화물층(230)은 IGZO 산화물층 또는 ITGO 산화물층으로 구현될 수 있다. 상기 산화물층(230)이 IGZO 산화물층으로 구현되는 경우, 상기 b)단계(S20)는 인듐산화물과 아연산화물을 이용하여 상기 제1채널층(231)을 형성할 수 있다. 상기 산화물층(230)이 ITGO 산화물층으로 구현되는 경우, 상기 b)단계(S20)는 인듐산화물과 주석산화물을 이용하여 상기 제1채널층(231)을 형성할 수 있다.
한편, 상기 금속산화물반도체(200)가 3차원 트랜지스터인 경우, 상기 b)단계(S20)는 상기 게이트절연막의 측면에 상기 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있고, 상기 c)단계(S30)는 상기 제1채널층(231)의 측면에 상기 제2채널층(232)을 형성함으로써 이루어질 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 b)단계(S20)를 반복 수행한 후에 상기 c)단계(S30)를 반복 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 b)단계(S20)의 반복 수행을 통해 상기 노출면(211)에 상기 제1채널층(231)이 복수개의 층으로 형성된 후에, 상기 c)단계(S30)의 반복 수행을 통해 상기 제1채널층(231)에 상기 제2채널층(232)이 복수개의 층으로 형성될 수 있다. 상기 b)단계(S20)의 반복 수행은 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나가 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사가 순차적으로 복수회 수행됨으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 원자층 증착을 통해 상기 제1채널층(231)이 복수개의 층으로 형성될 수 있다. 상기 c)단계(S30)의 반복 수행은 갈륨이 포함된 소스가스의 분사와 산호가 포함된 리액턴트가스의 분사가 순차적으로 복수회 수행됨으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 원자층 증착을 통해 상기 제2채널층(232)이 복수개의 층으로 형성될 수 있다. 상기 b)단계를 반복 수행한 후에 상기 c)단계를 반복 수행하는 단계는, 상기 노출면(211)에 상기 산화물층(230)이 기설정된 두께로 형성될 때까지 반복하여 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 d)단계(S40)를 더 포함할 수 있다. 상기 d)단계(S40)는 상기 제2채널층(232)에 인듐산화물, 아연산화물, 및 주석산화물 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 d)단계(S40)는 상기 분사부(4)가 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나가 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2채널층(232)에는 원자층 증착을 통해 상기 제1채널층(231)이 형성될 수 있다. 인듐, 아연, 및 주석 중에서 적어도 하나가 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다. 상기 금속산화물반도체(200)가 3차원 트랜지스터인 경우, 상기 d)단계(S40)는 상기 제2채널층(232)의 측면에 상기 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있다.
도 1 내지 도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계(S50, 도 6에 도시됨)를 더 포함할 수 있다. 이러한 단계(S50)를 통해, 상기 노출면(211)에는 상기 제1채널층(231), 상기 제2채널층(232), 상기 제1채널층(231), 상기 제2채널층(232) 등과 같이 상기 제1채널층(231)과 상기 제2채널층(232)이 교번하여 형성될 수 있다. 상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계(S50)는, 상기 노출면(211)에 상기 산화물층(230)이 기설정된 두께로 형성될 때까지 반복하여 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 7을 참고하면, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 노출면을 트리트먼트하는 단계(S11, 도 7에 도시됨)를 포함할 수 있다. 이러한 단계(S11)는 상기 b)단계(S20)를 수행하기 이전에 수행될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 노출면(211)을 트리트먼트한 이후에 상기 노출면(211)에 상기 제1채널층(231)을 형성하도록 구현됨으로써, 상기 제1채널층(231)의 단차피복성을 더 향상시킬 수 있다. 상기 노출면을 트리트먼트하는 단계(S11)는 상기 분사부(4)에 의해 수행될 수 있다.
상기 노출면을 트리트먼트하는 단계(S11)는 오존(O3), 수소(H2), 및 암모니아(NH3) 중에서 적어도 하나를 이용한 플라즈마로 상기 노출면(211)을 트린트먼트함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 분사부(4)가 상기 제2플레이트(42)와 상기 제1플레이트(41)를 이용하여 생성한 플라즈마, 및 오존(O3), 수소(H2), 및 암모니아(NH3) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 노출면(211)을 트리트먼트할 수 있다.
상기 노출면을 트리트먼트하는 단계(S11)는 산소(O2) 분위기에서의 열처리(Thermal) 방식으로 상기 노출면(211)을 트리트먼트함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 분사부(4)가 상기 처리공간(100)을 산소 분위기로 구현하고, 가열부(미도시)가 열(Heat)을 제공함으로써, 상기 노출면을 트리트먼트하는 단계(S11)가 수행될 수 있다. 상기 가열부는 상기 리드와 상기 서셉터(3) 중에서 적어도 하나에 설치될 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 금속산화물반도체 제조방법에 있어서, 상기 b)단계(S20)와 상기 c)단계(S30)는 다음과 같이 구현될 수 있다.
상기 b)단계(S20)는 인듐아연산화물(IZO), 인듐주석산화물(ITO), 및 아연주석산화물(ZTO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있다.
상기 b)단계(S20)는 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)를 포함할 수 있다. 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)는 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다.
상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)은 인듐이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 인듐산화물을 증착할 수 있다. 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)은 인듐이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 복수회 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 인듐산화물을 증착할 수도 있다. 인듐이 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)은 아연이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 아연산화물을 증착할 수 있다. 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)은 아연이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 복수회 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 아연산화물을 증착할 수도 있다. 아연이 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
이와 같은 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)는 상기 노출면(211)에 상기 인듐산화물과 상기 아연산화물을 순차적으로 증착하여 상기 노출면(211)에 상기 인듐아연산화물(IZO)을 형성할 수 있다. 상기 인듐아연산화물(IZO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 b)단계(S20)는 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)를 포함할 수 있다. 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)은 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되므로, 구체적인 설명은 생략한다.
상기 주석산화물 서브사이클(TSC)은 주석이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 주석산화물을 증착할 수 있다. 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)은 주석이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 복수회 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 주석산화물을 증착할 수도 있다. 주석이 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
이와 같은 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)는 상기 노출면(211)에 상기 인듐산화물과 상기 주석산화물을 순차적으로 증착하여 상기 노출면(211)에 상기 인듐주석산화물(ITO)을 형성할 수 있다. 상기 인듐주석산화물(ITO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 b)단계(S20)는 아연주석산화물을 증착하는 단계(S23)를 포함할 수 있다. 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S23)는 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)은 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되고, 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)은 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되므로, 구체적인 설명은 생략한다. 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S23)는 상기 노출면(211)에 상기 아연산화물과 상기 주석산화물을 순차적으로 증착하여 상기 노출면(211)에 상기 아연주석산화물(ZTO)을 형성할 수 있다. 상기 아연주석산화물(ZTO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S23)는 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 b)단계(S20)는 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21), 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22), 및 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S23) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 c)단계(S30)는 인듐갈륨산화물(IGO), 갈륨주석산화물(GTO), 및 갈륨아연산화물(GZO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제2채널층(232)을 형성함으로써 이루어질 수 있다.
상기 c)단계(S30)는 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)를 포함할 수 있다. 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 갈륨산화물 서브사이클(GSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)은 상기 b)단계(S20)에 있어서 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되므로, 구체적인 설명은 생략한다.
상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)은 갈륨이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 갈륨산화물을 증착할 수 있다. 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)은 갈륨이 포함된 소스가스의 분사와 산소가 포함된 리액턴트가스의 분사를 순차적으로 복수회 수행하여 원자층 증착을 통해 상기 갈륨산화물을 증착할 수도 있다. 갈륨이 포함된 소스가스는 상기 제1가스유로(4a)를 통해 분사될 수 있다. 산소가 포함된 리액턴트가스는 상기 제2가스유로(4b)를 통해 분사될 수 있다.
이와 같은 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)는 상기 제1채널층(231)에 상기 인듐산화물과 상기 갈륨산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제1채널층(231)에 상기 인듐갈륨산화물(IGO)을 형성할 수 있다. 상기 인듐갈륨산화물(IGO)은 상기 제2채널층(232)의 전부 또는 상기 제2채널층(232)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 c)단계(S30)는 갈륨주석산화물을 증착하는 단계(S32)를 포함할 수 있다. 상기 갈륨주석산화물을 증착하는 단계(S32)는 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)은 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되고, 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)은 상기 b)단계(S20)에 있어서 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S22)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되므로, 구체적인 설명은 생략한다.
이와 같은 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 갈륨주석산화물을 증착하는 단계(S32)는 상기 제1채널층(231)에 상기 갈륨산화물과 상기 주석산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제1채널층(231)에 상기 갈륨주석산화물(GTO)을 형성할 수 있다. 상기 갈륨주석산화물(GTO)은 상기 제2채널층(232)의 전부 또는 상기 제2채널층(232)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 갈륨주석산화물을 증착하는 단계(S32)는 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 c)단계(S30)는 갈륨아연산화물을 증착하는 단계(S33)를 포함할 수 있다. 상기 갈륨아연산화물을 증착하는 단계(S33)는 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)은 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되고, 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)은 상기 b)단계(S20)에 있어서 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S21)에서 설명한 것과 대략 일치하게 구현되므로, 구체적인 설명은 생략한다.
이와 같은 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 갈륨아연산화물을 증착하는 단계(S33)는 상기 제1채널층(231)에 상기 갈륨산화물과 상기 아연산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제1채널층(231)에 상기 갈륨아연산화물(GZO)을 형성할 수 있다. 상기 갈륨아연산화물(GZO)은 상기 제2채널층(232)의 전부 또는 상기 제2채널층(232)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 갈륨아연산화물을 증착하는 단계(S33)는 상기 갈륨산화물 서브사이클(GSC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 c)단계(S30)는 상기 인듐갈륨산화물을 증착하는 단계(S31), 상기 갈륨주석산화물을 증착하는 단계(S32), 및 상기 갈륨아연산화물을 증착하는 단계(S33) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 b)단계(S20)를 반복 수행한 후에 상기 c)단계(S30)를 반복 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 b)단계(S20)의 반복 수행을 통해 상기 노출면(211)에 상기 제1채널층(231)이 복수개의 층으로 형성된 후에, 상기 c)단계(S30)의 반복 수행을 통해 상기 제1채널층(231)에 상기 제2채널층(232)이 복수개의 층으로 형성될 수 있다. 상기 b)단계를 반복 수행한 후에 상기 c)단계를 반복 수행하는 단계는, 상기 노출면(211)에 상기 산화물층(230)이 기설정된 두께로 형성될 때까지 반복하여 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 9를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 d)단계(S40)를 더 포함할 수 있다.
상기 d)단계(S40)는 인듐아연산화물(IZO), 인듐주석산화물(ITO), 및 아연주석산화물(ZTO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제1채널층(231)을 형성함으로써 이루어질 수 있다.
상기 d)단계(S40)는 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S41)를 포함할 수 있다. 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S41)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S41)는 상기 제2채널층(232)에 상기 인듐산화물과 상기 아연산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제2채널층(232)에 상기 인듐아연산화물(IZO)을 형성할 수 있다. 상기 인듐아연산화물(IZO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S41)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 d)단계(S40)는 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S42)를 포함할 수 있다. 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S42)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S42)는 상기 제2채널층(232)에 상기 인듐산화물과 상기 주석산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제2채널층(232)에 상기 인듐주석산화물(ITO)을 형성할 수 있다. 상기 인듐주석산화물(ITO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S42)는 상기 인듐산화물 서브사이클(ISC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
상기 d)단계(S40)는 아연주석산화물을 증착하는 단계(S43)를 포함할 수 있다. 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S43)는 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 수행함으로써, 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S43)는 상기 제2채널층(232)에 상기 아연산화물과 상기 주석산화물을 순차적으로 증착하여 상기 제2채널층(232)에 상기 아연주석산화물(ZTO)을 형성할 수 있다. 상기 아연주석산화물(ZTO)은 상기 제1채널층(231)의 전부 또는 상기 제1채널층(231)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S43)는 상기 아연산화물 서브사이클(ZSC)과 상기 주석산화물 서브사이클(TSC)을 순차적으로 복수회 수행함으로써 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 d)단계(S40)는 상기 인듐아연산화물을 증착하는 단계(S41), 상기 인듐주석산화물을 증착하는 단계(S42), 및 상기 아연주석산화물을 증착하는 단계(S43) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 9를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 금속산화물반도체 제조방법은 상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계(S50, 도 6에 도시됨)를 더 포함할 수 있다. 이러한 단계(S50)를 통해, 상기 노출면(211)에는 상기 제1채널층(231), 상기 제2채널층(232), 상기 제1채널층(231), 상기 제2채널층(232) 등과 같이 상기 제1채널층(231)과 상기 제2채널층(232)이 교번하여 형성될 수 있다. 상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계(S50)는, 상기 노출면(211)에 상기 산화물층(230)이 기설정된 두께로 형성될 때까지 반복하여 수행될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
1 : 기판처리장치 2 : 챔버
3 : 서셉터 4 : 분사부
4a : 제1가스유로 4b : 제2가스유로
41 : 제1플레이트 411 : 제1가스홀
412 : 제2가스홀 413 : 돌출부재
42 : 제2플레이트 421 : 개구
422 : 제1개구 423 : 제2개구
43 : 버퍼공간 S : 기판
100 : 처리공간 200 : 금속산화물반도체
210 : 박막 211 : 박막의 노출면
220 : 관통홀 230 : 산화물층
231 : 제1채널층 232 : 제2채널층
240 : 박막층 ISC : 인듐산화물 서브사이클
ZSC : 아연산화물 서브사이클 TSC : 주석산화물 서브사이클
GSC : 갈륨산화물 서브사이클

Claims (11)

  1. 박막의 노출면에 산화물층을 형성하는 금속산화물반도체 제조방법으로,
    a) 상기 박막의 노출면이 패터닝된 기판을 준비하는 단계;
    b) 상기 노출면에 인듐산화물(InO), 아연산화물(ZnO), 및 주석산화물(SnO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 형성하는 단계; 및
    c) 갈륨산화물(GaO)을 이용하여 제2채널층을 형성하는 단계를 포함하는 금속산화물반도체 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 b)단계를 반복 수행한 후에 상기 c)단계를 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    d) 상기 제2채널층에 인듐산화물, 아연산화물, 및 주석산화물 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 b)단계를 수행하기 전에, 상기 노출면을 트리트먼트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 노출면을 트리트먼트하는 단계는, 오존(O3), 수소(H2), 및 암모니아(NH3) 중에서 적어도 하나를 이용한 플라즈마로 트리트먼트하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 노출면을 트리트먼트하는 단계는, 산소(O2) 분위기에서의 열처리(Thermal) 방식으로 트리트먼트하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 b)단계는 인듐아연산화물(IZO), 인듐주석산화물(ITO), 및 아연주석산화물(ZTO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제1채널층을 형성하고,
    상기 c)단계는 인듐갈륨산화물(IGO), 갈륨주석산화물(GTO), 및 갈륨아연산화물(GZO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 제2채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 b)단계를 반복 수행한 후에 상기 c)단계를 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    d) 상기 제2채널층에 인듐아연산화물(IZO), 인듐주석산화물(ITO), 및 아연주석산화물(ZTO) 중에서 적어도 하나를 이용하여 제1채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 d)단계를 수행한 후에 상기 c)단계를 수행하는 것을 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물반도체 제조방법.
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