KR20240055034A - 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents

직접 묘화 장치 및 그 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240055034A
KR20240055034A KR1020247010318A KR20247010318A KR20240055034A KR 20240055034 A KR20240055034 A KR 20240055034A KR 1020247010318 A KR1020247010318 A KR 1020247010318A KR 20247010318 A KR20247010318 A KR 20247010318A KR 20240055034 A KR20240055034 A KR 20240055034A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
substrate
error data
drawing device
direct drawing
Prior art date
Application number
KR1020247010318A
Other languages
English (en)
Inventor
켄 미야케
덕 리
Original Assignee
상에이 기켄 가부시키가이샤
가부시키가이샤 에오릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상에이 기켄 가부시키가이샤, 가부시키가이샤 에오릭 filed Critical 상에이 기켄 가부시키가이샤
Publication of KR20240055034A publication Critical patent/KR20240055034A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은, 층간 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있는 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 전(前) 공정의 가공 장치에 의해 가공된 기판 상에 패턴의 묘화를 행하는 직접 묘화 장치에 있어서, 상기 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 보정하도록 하였다.

Description

직접 묘화 장치 및 그 제어 방법
[0001] 본 발명은, 직접 묘화(描畵, drawing) 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
[0002] 종래에는, 표면에 감광층을 가지는 기판의 노광면에 도전(導電) 패턴 등을 형성하기 위해, 기판과, 패턴이 그려진 포토마스크를 겹쳐서 배치하고, 포토마스크를 통해 기판에 광을 조사(照射)함으로써, 패턴을 기판 표면의 감광층에 전사(轉寫)하는 노광 방법이 널리 행해져 왔다. 이에 반해, 포토마스크를 이용하지 않고 소정의 패턴을 기판에 직접 묘화하는 마스크리스 노광(직접 노광) 방식에 의한 직접 묘화 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이러한 종류의 직접 묘화 장치에 의하면, 포토마스크가 불필요해지기 때문에, 비용적으로 유리하고, 또한, 고정밀도의 노광이 가능한 것으로 여겨지고 있다.
[0003] 또한, 복수의 패턴층이 적층된 다층 기판 등의 제조에 있어서는, 층간 중첩 정밀도의 향상 요구는 매우 높아지고 있으며, 높은 정밀도를 실현하기 위해, 직접 묘화 장치나, 층간 접속 구멍 가공을 행하는 비아(via) 가공 장치 등의 정밀도를 향상시키기 위한 다양한 방법이 제안되고 있다.
[0004] 1. 일본 특허공개공보 제2006-250982호
[0005] 그러나, 비아 가공 장치 및 직접 묘화 장치는, 각각이 장치 고유의 가공 오차나 묘화 오차를 가지고 있다. 따라서, 도 5의 (a)에 있어서 도트(dot)를 이용하여 나타낸 바와 같은 배열로 비아 가공 장치에 의해 비아(C)를 기판에 형성하면, 실제로는 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이 가공 오차가 발생해 버린다. 마찬가지로, 직접 묘화 장치가 기판 상에 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같은 배열로 묘화해도, 실제로 묘화되는 패턴(D)은, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 묘화 오차가 발생해 버린다. 이 때문에, 비아 가공 장치로 형성한 비아(C)의 위치와 직접 묘화 장치로 묘화한 패턴(D)은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 비아(C)와 비아(C)에 대응하는 패턴(D)의 부분 간의 위치 관계에 큰 오차가 발생해 버려, 비아(C)와 이 비아(C)에 대응하는 패턴(D)의 묘화 위치가 일치하지 않을 우려가 있었다.
[0006] 본 발명의 목적은, 상술한 종래의 기술이 갖는 과제를 해소하고, 층간 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있는 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[0007] 본 발명은, 전(前) 공정의 가공 장치에 의해 가공된 기판 상에 패턴의 묘화를 행하는 직접 묘화 장치에 있어서, 상기 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 보정하는 것을 특징으로 한다.
[0008] 이 경우에 있어서, 상기 오차 데이터는, 상기 가공 장치에 의해 가공된 측정용 기판을 측정함으로써 생성되어도 된다. 상기 오차 데이터는, 패턴의 묘화를 행하기 전에, 상기 기판을 측정함으로써 생성되어도 된다. 상기 기판이 복수의 패턴층이 적층되는 다층 기판일 경우에, 최종층까지의 나머지 층수에 따라, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절해도 된다. 최종층에 가까운 패턴층일수록 설계값에 가까워지도록, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절해도 된다. 상기 오차 데이터는 비아가 형성되는 위치에 대응하는 비아 위치 정보를 포함하며, 상기 비아 위치 정보에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 조절해도 된다.
[0009] 또한, 본 발명은, 전(前) 공정의 가공 장치에 의해 가공된 기판 상에 패턴의 묘화를 행하는 직접 묘화 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터를 판독하며, 상기 오차 데이터에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 보정하는 것을 특징으로 한다.
[0010] 이 경우에 있어서, 상기 오차 데이터는, 상기 가공 장치에 의해 가공된 측정용 기판을 측정함으로써 생성되어도 된다. 상기 오차 데이터는, 패턴의 묘화를 행하기 전에, 상기 기판을 측정함으로써 생성되어도 된다. 상기 기판이 복수의 패턴층이 적층되는 다층 기판일 경우에, 최종층까지의 나머지 층수에 따라, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절해도 된다. 최종층에 가까운 패턴층일수록 설계값에 가까워지도록, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절해도 된다. 상기 오차 데이터는 비아가 형성되는 위치에 대응하는 비아 위치 정보를 포함하며, 상기 비아 위치 정보에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 조절해도 된다.
[0011] 도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 직접 묘화 장치의 사시도를 나타낸다.
도 2는, 직접 묘화 장치가 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타낸다.
도 3은, 적층하는 패턴층의 나머지 층수에 따라 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 직접 묘화 장치가 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타낸다.
도 5는, 종래 기술에 의한 패턴 묘화의 모습을 모식적으로 나타낸다.
도 6은, 종래 기술에 의한 패턴의 묘화 결과를 모식적으로 나타낸다.
[0012] 이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명한다.
(제1 실시형태)
[0013] 도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 직접 묘화 장치의 사시도를 나타낸다.
직접 묘화 장치(1)는, 가대(架臺)(2)와, 베드(3)와, 묘화 헤드(4)와, 한 쌍의 묘화 스테이지(5A, 5B)와, 한 쌍의 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)를 구비하고 있다.
[0014] 베드(3)는, 가대(2) 상에서 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향으로 연장되어 있다. 이 베드(3) 상에는, 묘화 헤드(4)와, 한 쌍의 묘화 스테이지(5A, 5B)와, 한 쌍의 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)가 배치되어 있다.
[0015] 베드(3)의 중앙에 배치된 묘화 헤드(4)의 화살표 A 방향 측에는, 기판(10A)이 놓이는 묘화 스테이지(5A)와 기판 계측 시스템 카메라(6A)가 배치되고, 묘화 헤드(4)의 화살표 B 방향 측에는, 기판(10B)이 놓이는 묘화 스테이지(5B)와 기판 계측 시스템 카메라(6B)가 배치되어 있다.
[0016] 묘화 헤드(4)는, 기판(10A, 10B) 상에 도전부(導電部)의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 헤드 좌표 시스템을 구비하며, 기판 계측 시스템 카메라(6)는, 기판(10)의 위치를 검출하기 위한 기판 위치 검출 좌표 시스템을 구비하고 있다. 이 묘화 헤드(4)는, 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향인 주(主)주사 방향뿐만 아니라, 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향의 직교 방향인 부(副)주사 방향으로도 왕복 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 직접 묘화 장치(1)는, 2개의 묘화 스테이지(5A, 5B)의 각각에 1장의 기판(10A, 10B)을 올려놓고, 2개의 기판(10A, 10B)에 대해 패턴을 묘화할 수 있도록 되어 있지만, 1개의 묘화 스테이지를 구비하고 1장의 기판에 대해 패턴을 묘화하도록 되어 있어도 된다.
[0017] 묘화 스테이지(5A, 5B)는, 각각 캐리지(7A) 또는 캐리지(7B)에 놓여 있으며, 묘화 스테이지(5A, 5B)와 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)는 각각 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향으로 왕복 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)는 기판(10A, 10B)의 위치를 검출하기 위해, 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향뿐만 아니라, 화살표 A 방향 및 화살표 B 방향의 직교 방향으로도 왕복 이동 가능하게 설치되어 있다.
[0018] 도 2는, 직접 묘화 장치가 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타내고 있다. 도 2의 (a)는, 패턴의 묘화 위치를 보정하지 않은 상태를 기판면에 수직인 방향으로부터 본 모습을 나타내고, 도 2의 (b)는, 패턴의 묘화 위치를 보정한 상태를 기판면에 수직인 방향으로부터 본 모습을 나타내고 있다.
[0019] 복수의 패턴층이 적층된 다층 기판은, 관통 구멍인 비아를 통해 상이한 패턴층끼리가 전기적으로 접속되도록 설치되어 있다. 이러한 각 패턴층끼리의 전기적인 접속을 형성할 때에는, 먼저, 전(前) 공정의 비아 가공 장치(미도시)에 의해 기판(10A, 10B)의 패턴층 간의 절연층에 레이저 등을 이용하여 비아를 형성한다. 다음으로, 비아가 형성된 기판(10A, 10B)에 동(銅)도금이 실시된 후, 기판(10A, 10B)의 패턴을 묘화하는 면에 감광재를 붙이고, 직접 묘화 장치(1)에 의해 패턴을 묘화하여, 현상한 후에 동도금을 실시하고, 감광재를 박리하고, 에칭의 공정을 거쳐 기판(10A, 10B) 상에 묘화된 패턴이 각각 비아를 통해 전기적으로 접속된다.
[0020] 본 실시형태에서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 비아가 세로 방향 및 가로 방향으로 균등하게 배열된 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같은 패턴을 이상(理想)적인 형상으로 하는 기판(10A, 10B)의 제조에 대해 설명한다.
[0021] 도 2의 (a)에 있어서, 동일한 기판(10A, 10B)에 비아 가공 장치로 형성되는 비아(C)를 검은 도트로 도시하며, 직접 묘화 장치(1)로 각각의 비아(C)에 대응한 위치에 묘화된 패턴(D)을 흰 도트로 나타내고 있다. 검은 도트의 배열로부터 알 수 있듯이, 비아 가공 장치에 의해 가공된 비아(C)는, 비아 가공 장치의 가공 정밀도에 의한 오차가 발생하기 때문에, 세로 방향 및 가로 방향으로 어긋난 상태로 형성되어 있다. 또한, 흰 도트의 배열로부터 알 수 있듯이, 직접 묘화 장치(1)의 묘화 정밀도에 의한 오차가 발생하기 때문에, 세로 방향 및 가로 방향으로 어긋난 상태로 묘화되어 있다. 이들 비아 가공 장치의 가공 정밀도와 직접 묘화 장치(1)의 묘화 정밀도 간에 발생하는 차이(差)로 인해, 예컨대 네 귀퉁이의 위치 맞춤용 비아(C1~C4)에 의해 위치 맞춤을 행하여 직접 묘화 장치(1)로 패턴(D)을 묘화하더라도, 몇 개의 비아(C)에 있어서는, 형성된 비아(C)의 위치와, 이 비아(C)에 대응하는 패턴(D)의 묘화 위치가 크게 어긋나 버린다.
[0022] 본 실시형태에 따른 직접 묘화 장치(1)는, 도시하지 않은 기억부를 탑재하고 있으며, 비아 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터를 기억부로부터 판독하고, 판독한 오차 데이터에 근거하여, 패턴(D)의 묘화 위치를 보정할 수 있도록 되어 있다. 오차 데이터는, 비아(C)가 형성되는 위치에 대응하는 비아 위치 정보를 포함하고 있으며, 이 비아 위치 정보에 의해 비아 가공 장치로 비아(C)를 형성할 때 발생하는 비아 위치의 어긋남을 알 수 있게 되어 있다. 직접 묘화 장치(1)는, 오차 데이터에 포함되는 비아 위치 정보에 근거하여, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 비아(C)에 대응하는 패턴(D)의 묘화 위치를, 비아 가공 장치에 의해 실제로 형성된 비아(C)의 위치에 근접하게 보정하도록 되어 있다. 이에 따라, 직접 묘화 장치(1)는, 비아 가공 장치에 의해 형성된 검은 도트로 나타내는 비아(C)의 위치에 대해 고정밀도로 패턴의 묘화 위치가 겹치도록 흰 도트로 나타내는 패턴(D)을 묘화할 수 있다.
[0023] 오차 데이터는, 비아 가공 장치에 의해 비아(C)가 형성된 기판(10A, 10B)을 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)를 이용하여 측정함으로써 생성된다. 본 실시형태에서는, 오차 데이터는, 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)를 이용하여 기판(10A, 10B)을 실제로 측정해 기억부에 저장하고 있지만, 제2 실시형태에서 후술하는 바와 같이, 별도의 비아 가공 장치에 의해 가공된 측정용 기판을 기판 계측 시스템 카메라(6A 또는 6B)를 이용하여 측정하고, 대응되는 오차 데이터로서 기억부에 저장함으로써, 기판(10A, 10B)을 측정하지 않아도, 대응 가능하게 되어 있어도 된다.
[0024] 흰 도트로 나타내는 패턴(D)의 묘화 위치를 보정할 때에는, 오차 데이터에 포함되는 비아(C)의 어긋남량 자체가 직접적으로 보정값이 되며, 예컨대, 측정 결과에 따른 오차의 값이 (x, y)＝(－0.004, 0.002)이면, 이 오차의 값이 그대로 보정값으로서, 직접 묘화 장치(1)의 묘화에 반영된다. 즉, 직접 묘화 장치(1)에 의해 묘화되는 대응하는 부분의 패턴(D)의 묘화 위치가 보정되어, x 방향으로 －0.004만큼 오프셋(offset)되고, y 방향으로 0.002만큼 오프셋되도록 되어 있다. 이때, 각 점의 사이에 형성되는 부분은, 선형 일차 함수에 의한 직선 보완으로 보정된다. 예컨대, 글로벌 좌표가 x＝50㎜, y＝10㎜인 A 지점, 글로벌 좌표가 x＝50㎜, y＝20㎜인 B 지점의 경우, 이들 A 지점 및 B 지점은 위에서 설명한 바와 같이 측정 결과에 따른 오차의 값으로부터 그대로 보정되지만, A 지점과 B 지점 사이의 부분은, 보정 후의 A 지점 및 B 지점을 통과하는 선형 일차 함수에 의해 직선 보완된다.
[0025] 도 3은, 적층하는 패턴층의 나머지 층수에 따라 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타내고 있다. 도 3의 (a)는, 다층 기판의 아래쪽 층의 패턴을 모식적으로 나타내고 있으며, 도 3의 (b)는, 다층 기판의 최종층의 패턴을 모식적으로 나타내고 있다.
[0026] 직접 묘화 장치(1)는, 기판(10A, 10B)이 복수의 패턴층이 적층되는 다층 기판일 경우에, 완성된 다층 기판의 최종층까지 적층되는 패턴층의 나머지 층수에 따라, 오차 데이터에 근거하여 패턴의 묘화 위치의 보정을 행하는 정도를 조절할 수 있도록 되어 있다. 이에 따라, 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 형성된 비아(C)에 맞추어 묘화한 결과에 의해 다층 기판의 아래쪽 층의 패턴(D)이 세로 방향 및 가로 방향으로 어긋난 상태로 묘화된 경우라 하더라도, 최종층에서는 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이 패턴(D)을 세로 방향 및 가로 방향으로 일치하도록 보정하여 묘화할 수 있도록 되어 있다. 구체적으로는, 다층 기판의 아래쪽 층의 패턴(D) 상에 추가로 적층되는 다른 패턴(D)은, 최종층을 향해 패턴층마다 조금씩 단계적으로 패턴(D)의 묘화 위치가 보정되어, 최종층에서 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같은 패턴(D)이 되도록 되어 있다. 즉, 직접 묘화 장치(1)는, 최종층에 가까운 패턴층일수록 설계값에 가까워지도록, 패턴(D)의 묘화 위치의 보정량을 조절하고 있다. 예컨대, 가공 잔존 층수, 즉 앞으로 적층될 패턴층의 나머지 층수가 n, 정밀도 차이가 d일 경우, 앞으로 적층될 패턴층마다의 보정량은 d/n가 된다. 이때, 각 점의 중간 부분 등, 비아(C)가 형성된 부분 이외는 그 좌표에 선형 일차 함수 보완인 보정 계수를 곱한 결과가 보정 후의 패턴(D)의 묘화 위치가 된다.
[0027] 본 실시형태에 따른 직접 묘화 장치(1)는, 비아 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터에 근거하여, 패턴(D)의 묘화 위치를 보정한다. 이에 따라, 비아 가공 장치에 의해 형성된 비아(C)의 위치가 어긋나 있어도, 패턴(D)의 묘화 위치를 비아 가공 장치에 의해 실제로 형성된 비아(C)의 위치에 근접시킬 수 있다. 이 때문에, 직접 묘화 장치(1)는, 층간 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.
[0028] (제2 실시형태)
도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 직접 묘화 장치가 패턴의 묘화 위치를 보정하는 모습을 모식적으로 나타낸다. 이 도면에 있어서, 도 4의 (a)는, 비아 가공 장치로 가공한 기판을 나타내고, 도 4의 (b)는, 직접 묘화 장치로 패턴을 묘화한 기판을 나타내고 있다. 또한, 제2 실시형태에서는 제1 실시형태와 상이한 부분에 대해 설명하고, 도면 중의 제1 실시형태와 대략 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 이용하고 있다.
[0029] 본 실시형태에서는, 직접 묘화 장치(1)는, 실제 제품에 이용되는 기판(10A, 10B)의 묘화를 개시하기 전에, 오차의 측정에만 이용되는 게이지 기판(측정용 기판)(10C)을 이용하여 오차 데이터를 미리 생성하고 있다. 또한, 게이지 기판(10C)은, 실제의 제품인 기판(10A, 10B)을 가공하는 비아 가공 장치와 동일한 비아 가공 장치에 의해 가공된 것이다.
[0030] 우선, 직접 묘화 장치(1)는, 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 비아 가공 장치에 의해 비아(C)가 형성된 게이지 기판(10C)을 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)를 이용하여 측정한다. 이에 따라, 비아 가공 장치에 의해 가공된 게이지 기판(10C)에 대해, 비아(C)의 위치 정보에 근거하는 비아 위치 데이터가 생성된다.
[0031] 비아 가공 장치로 형성된 비아(C)의 위치 정보 데이터가 생성되면, 직접 묘화 장치(1)는, 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 비아(C)가 형성되어 있지 않은 다른 게이지 기판(측정용 기판)(10D)에 패턴(D)을 묘화하고, 묘화된 패턴(D)을 기판 계측 시스템 카메라(6A, 6B)를 이용하여 측정한다. 이에 따라, 직접 묘화 장치(1)로 패턴(D)이 묘화된 게이지 기판(10D)에 대해, 패턴(D)의 위치 정보에 근거하는 패턴 위치 데이터가 생성된다.
[0032] 비아 위치 데이터와 패턴 위치 데이터가 생성되면, 직접 묘화 장치(1)는, 비아 위치 데이터와 패턴 위치 데이터를 비교해서, 게이지 기판(10C)에 형성된 비아(C)의 위치와 이 비아(C)의 각각에 대응하는 게이지 기판(10D)에 형성된 패턴(D)의 위치의 차분에 근거하여 오차 데이터를 생성하고, 기억부에 기억한다.
[0033] 직접 묘화 장치(1)는, 게이지 기판(10C, 10D)의 전면(全面)에 대한 오차 데이터를 생성하고 있으며, 예컨대, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같은 작은 영역의 위치를 보정하는 경우에는, 이 영역의 보정값을 오차 데이터로부터 판독하여, 패턴(D)을 묘화하는 위치의 보정을 행하도록 되어 있다.
[0034] 본 실시형태에 따른 직접 묘화 장치(1)는, 측정에만 이용되는 게이지 기판(10C, 10D)을 측정함으로써 오차 데이터를 미리 생성하고 있다. 이에 따라, 실제의 제품인 기판(10A, 10B) 상에 패턴(D)의 묘화를 행할 때마다 기판(10A, 10B)을 측정할 필요가 없어지기 때문에, 제품의 제조에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
[0035] 이상, 실시형태에 근거하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 실시형태에서는, 비아 위치 데이터와 패턴 위치 데이터를 별개의 게이지 기판을 이용하여 측정하였지만, 동일한 게이지 기판을 이용하여 측정해도 상관없다. 나아가, 제2 실시형태에서는, 비아 위치 데이터와 패턴 위치 데이터에 근거하여 오차 데이터를 생성하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 비아 가공 장치에 의해 형성된 비아(C)의 위치에 따라 직접 묘화 장치(1)가 패턴(D)을 형성하는 위치를 보정할 수 있으면, 비아 위치 데이터에만 근거하여 오차 데이터를 생성해도 된다.
[0036] 1…직접 묘화 장치
2…가대
3…베드
4…묘화 헤드
5A…묘화 스테이지
5B…묘화 스테이지
6A…기판 계측 시스템 카메라
6B…기판 계측 시스템 카메라
7A…캐리지
7B…캐리지
10A…기판
10B…기판
10C…게이지 기판(측정용 기판)
10D…게이지 기판(측정용 기판)
C…비아
D…패턴

Claims (12)

  1. 전(前) 공정의 가공 장치에 의해 가공된 기판 상에 패턴의 묘화(描畵)를 행하는 직접 묘화 장치로서,
    상기 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 오차 데이터는, 상기 가공 장치에 의해 가공된 측정용 기판을 측정함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 오차 데이터는, 패턴의 묘화를 행하기 전에, 상기 기판을 측정함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 복수의 패턴층이 적층되는 다층 기판일 경우에, 최종층까지의 나머지 층수에 따라, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    최종층에 가까운 패턴일수록 설계값에 근접하도록, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 오차 데이터는 비아(via)가 형성되는 위치에 대응하는 비아 위치 정보를 포함하며, 상기 비아 위치 정보에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치.
  7. 전(前) 공정의 가공 장치에 의해 가공된 기판 상에 패턴의 묘화를 행하는 직접 묘화 장치의 제어 방법으로서,
    상기 가공 장치의 가공 정밀도에 대응하는 오차 데이터를 판독하며,
    상기 오차 데이터에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는,
    직접 묘화 장치의 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 오차 데이터는, 상기 가공 장치에 의해 가공된 측정용 기판을 측정함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치의 제어 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 오차 데이터는, 패턴의 묘화를 행하기 전에, 상기 기판을 측정함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치의 제어 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기판이 복수의 패턴층이 적층되는 다층 기판일 경우에, 최종층까지의 나머지 층수에 따라, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치의 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    최종층에 가까운 패턴일수록 설계값에 근접하도록, 패턴의 묘화 위치의 보정량을 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치의 제어 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 오차 데이터는 비아가 형성되는 위치에 대응하는 비아 위치 정보를 포함하며, 상기 비아 위치 정보에 근거하여, 패턴의 묘화 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는, 직접 묘화 장치의 제어 방법.
KR1020247010318A 2021-09-03 2022-08-30 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법 KR20240055034A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-143710 2021-09-03
JP2021143710 2021-09-03
PCT/JP2022/032547 WO2023032962A1 (ja) 2021-09-03 2022-08-30 直接描画装置及びその制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240055034A true KR20240055034A (ko) 2024-04-26

Family

ID=85411249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247010318A KR20240055034A (ko) 2021-09-03 2022-08-30 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023032962A1 (ko)
KR (1) KR20240055034A (ko)
CN (1) CN117882014A (ko)
TW (1) TW202319841A (ko)
WO (1) WO2023032962A1 (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311145A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、パターン形成装置および位置合わせ方法
JP2007220937A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toppan Printing Co Ltd 基板の重ね描画方法
JP2011158718A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101059811B1 (ko) * 2010-05-06 2011-08-26 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 마스크리스 노광에서 오버레이를 위한 정렬 방법
JP2014066870A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Hitachi High-Technologies Corp パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
JP6900284B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117882014A (zh) 2024-04-12
JPWO2023032962A1 (ko) 2023-03-09
TW202319841A (zh) 2023-05-16
WO2023032962A1 (ja) 2023-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI684390B (zh) 加工位置校正裝置及其方法
JP4128156B2 (ja) 部品実装方法及び装置
KR101850163B1 (ko) 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치
US7283660B2 (en) Multi-layer printed circuit board fabrication system and method
TWI633279B (zh) 基板測量裝置及雷射加工系統
US7181089B2 (en) Method and apparatus for searching for fiducial marks, and method of detecting positions of the fiducial marks
KR20170065499A (ko) 비전 가이드 정렬을 이용하는 전기적 시험 시스템
US8886350B2 (en) Displacement calculation method, drawing data correction method, substrate manufacturing method, and drawing apparatus
US9423242B2 (en) Board-warping measuring apparatus and board-warping measuring method thereof
JP2009267387A (ja) 電子部品の実装方法
US6819789B1 (en) Scaling and registration calibration especially in printed circuit board fabrication
US6563530B1 (en) Camera position-correcting method and system and dummy component for use in camera position correction
US20030086600A1 (en) Multi-layer printed circuit board fabrication system and method
CN112823413B (zh) 用于校正裸片放置误差的自适应布线
JP2009054759A (ja) 異常検出方法及び装置
US7062354B2 (en) Multi-layer printed circuit board fabrication system and method
CN114998334A (zh) 工件通孔位置校准方法及检测装置
KR19980086670A (ko) 가공위치 보정장치
JP3644846B2 (ja) 描画装置の移動誤差検出装置及びその方法
KR20240055034A (ko) 직접 묘화 장치 및 그 제어 방법
JP4351955B2 (ja) 基準点の位置決定方法
US20100194418A1 (en) Method of correcting a position of a prober
JP2005030793A (ja) 基板検査装置および検査方法
JP2001315299A (ja) スクリーン印刷におけるスクリーンマスクの位置合わせ方法
KR20110007033A (ko) 묘화 장치, 기록 매체 및 묘화 방법