KR20240045304A - 화학적 기상 증착 공정 및 코팅 - Google Patents
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Abstract
코팅된 물품(coated article), 코팅된 물품을 포함하는 시스템, 및 코팅된 물품을 형성하기 위해 코팅을 적용하는 공정이 개시된다. 코팅된 물품 기판(substrate) 및 기판 상에 코팅. 코팅은 규소(silicon), 탄소, 및 수소를 포함한다. 코팅의 노출-후 물 접촉 각은 가성 염(caustic salt)의 수용액을 사용하여 초음파 교반(ultrasonic agitation)에 노출된 후, 80도(degree) 이상, 노출-후 물 접촉 각(post-exposure water contact angle)의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지한다.
Description
우선권
본 출원은 "화학적 기상 증착 공정 및 코팅"이라는 명칭으로 2021년 8월 24일자로 출원된 미국 가특허원 제63/236,412호의 우선권 및 이익을 주장하는 국제 특허 협력 조약 특허원으로서, 이의 전문이 참조로 포함된다.
발명의 분야
본 발명은 코팅된 물품(coated article), 코팅된 물품을 포함하는 시스템, 및 코팅된 물품을 생산하기 위한 코팅(coating)의 공정에 관한 것이다. 더 특히, 본 발명은 규소(silicon), 탄소, 및 수소를 함유하는 코팅에 관한 것이다.
코팅은 종종 가성 산, 예컨대 수산화나트륨 또는 수산화칼륨으로부터 공격받기 쉽다. 이러한 공격은 소수성을 감소시키고, 용해 또는 물리적 분해, 또는 다른 결점을 야기한다. 한 가지 예는 "반도체 제작 공정"에 관한 미국 특허 제9,340,880호에 기술되어 있으며, 이의 전문이 참조로 포함된다. 반도체 제작 공정의 코팅에서, 코팅은 초음파 교반(ultrasonic agitation)과 함께 승온(79.44℃)에서, 중량/용적 기준으로, 5 내지 10% NaOH의 수용액에서 20분 세척 사이클에 내성이 없는 결점이 있다.
선행 기술과 비교하여 하나 이상의 개선점을 나타내는 코팅이 당해 기술 분야에서 바람직할 것이다.
일 실시양태에서, 코팅된 물품은 기판(substrate) 및 기판 상의 코팅을 포함한다. 코팅은 규소, 탄소, 및 수소를 포함한다. 코팅의 노출-후 물 접촉각(post-exposure water contact angle)은, 가성 염(caustic salt)의 수용액을 사용하여 초음파 교반에 노출된 후, 80도(degree) 이상, 노출-전 물 접촉 각의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지한다.
또 다른 실시양태에서, 시스템은 코팅된 물품을 포함한다. 코팅된 물품은 기판 및 기판 상의 코팅을 포함한다. 코팅은 규소, 탄소, 및 수소를 포함한다. 코팅의 노출-후 물 접촉 각은, 가성 염의 수용액을 사용하여 초음파 교반에 노출된 후, 80도 이상, 노출-전 물 접촉 각의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지한다.
또 다른 실시양태에서, 공정은 코팅을 코팅된 물품에 적용하는 것을 포함한다. 코팅된 물품은 기판 및 기판 상의 코팅을 포함한다. 코팅은 규소, 탄소, 및 수소를 포함한다. 코팅의 노출-후 접촉 각은, 가성 염의 수용액을 사용하여 초음파 교반에 노출된 후, 80도 이상, 노출-전 물 접촉 각의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지한다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 본 발명의 원리를, 예시적으로, 설명하는 첨부된 도면과 함께 취해진 다음의 보다 상세한 설명에서 명백해질 것이다.
도 1은 첫번째 실시예와 일치하는 개시내용의 비교 실시예에 따른, FT-IR 플롯(plot)이다.
도 2는 두번째 실시예와 일치하는 개시내용의 비교 실시예에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 3은 세번째 실시예와 일치하는 개시내용의 실시양태에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 4는 네번째 실시예와 일치하는 개시내용의 실시양태에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 5는 다섯번째 실시예와 일치하는 개시내용의 비교 실시예에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 6은 개시내용의 실시양태에 따른, 예시적인 코팅된 물품을 함유하는 예시적인 시스템이다.
가능한 경우에는 어디에서나, 동일한 도면 부호가 도면 전체에 동일한 부분을 제시하기 위해 이용될 것이다.
도 2는 두번째 실시예와 일치하는 개시내용의 비교 실시예에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 3은 세번째 실시예와 일치하는 개시내용의 실시양태에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 4는 네번째 실시예와 일치하는 개시내용의 실시양태에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 5는 다섯번째 실시예와 일치하는 개시내용의 비교 실시예에 따른, FT-IR 플롯이다.
도 6은 개시내용의 실시양태에 따른, 예시적인 코팅된 물품을 함유하는 예시적인 시스템이다.
가능한 경우에는 어디에서나, 동일한 도면 부호가 도면 전체에 동일한 부분을 제시하기 위해 이용될 것이다.
선행 기술의 결점을 겪지 않는 코팅, 코팅된 구성요소, 및 코팅된 구성요소를 사용하는 공정을 제공한다. 본 개시내용의 실시양태는, 예를 들어, 본원에 개시된 특징 중 하나 이상을 포함하지 않는 개념과 비교하여, 가성 용액으로부터 화학적 공격 및 분해적 손실에 내성이 있고, 표면에서 및/또는 벌크(bulk) 내에서 모이어티(moiety)를 유지하고, 낮은 표면 에너지와 높은 물 접촉 각을 제공하고, 가성 종(species)과의 반응성에 내성이 있고, 낮은 표면 에너지와 소수성 특징을 제공하는 화학(chemistry)을 유지하는 것, 또는 이의 조합이다.
도 6을 참조하면, 실시양태에 따라서, 코팅(603)은, 예를 들어, 생성물(607)을 생산하기 위한 공정을 수행하기 위한 시스템(600)에 사용된, 구성요소(609)의 기판(601) 상에 있다. 코팅(603)은, 예를 들어, 초음파 교반과 함께 승온(79.44℃)에서, KOH 또는 중량/용적 기준으로, 5 내지 10% NaOH인, 가성 염(605)의 수용액 내에서 적어도 20분 세척 사이클에 노출된 후 외관, 두께, 및 물 접촉 각을 유지한다. 하기 실시예 부분에서 기술된 바와 같이, 도 3 및 도 4는 코팅(603)의 특정 실시양태의 FT-IR 플롯을 나타내고; 도 1, 도 2 및 도 5는 비교 코팅의 FT-IR 플롯을 나타낸다.
가성 염(605) (예를 들어, NaOH, KOH, 또는 유사 가성 염)에 대한 노출에 반응해서, 코팅(603)은 원래의 접촉 각의 적어도 62%, 원래의 접촉 각의 적어도 70%, 원래의 접촉 각의 적어도 80%, 원래의 접촉 각의 적어도 85%, 원래의 접촉 각의 60% 내지 90%, 원래의 접촉 각의 80% 내지 90%, 원래의 접촉 각의 85% 내지 90%, 원래의 접촉 각의 88% 내지 90%, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 하위-범위에서 유지한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 가성 염(605)에 대한 노출에 반응해서, 코팅(603)은 접촉 각 80 이상, 81 이상, 82 이상, 83 이상, 84 이상, 85 이상, 80 내지 90, 80 내지 88, 80 내지 87, 82 내지 87, 85 내지 87, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 하위-범위를 갖는다.
기판(601)은 열 화학적 기상 증착 공정(thermal chemical vapor deposition process)에서 처리될 수 있는 임의의 재료이다. 본 개시내용의 실시양태는 온도 범위 사이클, 전구체 도입 순서, 압력 범위, 및 포화/침지 기간(saturation/soak duration)과 함께 작동하는 열 화학적 기상 증착 공정을 포함한다. 정적/펄스 기간(static/pulsed period)을 가짐으로써(예를 들어, 전구체가 오븐 내에서 화학적 기상 증착 용기(vessel)를 통해 흘러가지 않고 가열되는 기간), 이러한 사이클은 코팅(603)이 단순 기하학적 구조(예를 들어, 라인-오브-사이트 기술(line-of-site technique)에 의해 코팅될 수 있는 표면을 가짐) 및 복합 기하학적 구조(예를 들어, 라인-오브-사이트 기술에 의해 코팅될 수 없는 삼차원 면을 가짐)에 코팅(603)이 적용되는 것을 허용한다.
예를 들어, 적합한 재료는 200℃ 이상, 300℃ 이상, 350℃ 이상, 370℃ 이상, 380℃ 이상, 390℃ 이상, 400℃ 이상, 410℃ 이상, 420℃ 이상, 430℃ 이상, 440℃ 이상, 450℃ 이상, 500℃ 이상, 300℃ 내지 450℃, 350℃ 내지 450℃, 380℃ 내지 450℃, 300℃ 내지 500℃, 400℃ 내지 500℃, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 하위-범위를 갖는다.
일 실시양태에서, 기판(601)은 스테인리스 스틸, 예를 들어, 300-시리즈 스테인리스 스틸(예컨대, 316 스테인리스 스틸, 316L 스테인리스 스틸, 또는 304 스테인리스 스틸) 또는 400-시리즈 스테인리스 스틸이다. 또 다른 실시양태에서, 기판(601)은 알루미늄 합금, 예를 들어, 1000-시리즈 알루미늄 합금, 3000-시리즈 알루미늄 합금, 4000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 6000-시리즈 알루미늄 합금이다. 재료의 다른 적합한 종류는 Hastelloy®, Inconel®, 백금 및 백금 합금, 티타늄 및 티타늄 합금, 및 이의 조합이다.
기판(601)은 접힐 수 있는 임의의 적어도 부분적으로 가요성 구조(flexible structure)를 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(601)의 적합한 구조는 금속 판금화(metal sheeting), 다공성, 비-다공성, 직물(woven cloth), 절취된 포일(perforated foil), 격자 구조, 및 이의 조합을 포함한다. 본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "접혀진(furled)"및 이의 문법적 변형은 코일-유사 배향(coil-like orientation)으로 말리거나 감싸는 것을 의미한다. 상기 정의에 부합하는 접혀진 물체의 예는 금속 코일, 패브릭의 볼트, 돛대에 감긴 돛, 감긴 와이어(wound wire), 및 창문 블라인드를 포함한다. 접혀진이라는 용어는 팽팽하게 감긴 것에 제한되는 것을 의도하지 않는다.
화학적 기상 증착을 수행하기 위해, 전구체 유체(precursor fluid)가 사용된다. 전구체 유체는 액체 또는 기체(하지만 플라즈마는 아님)이며, 화학적 기상 증착 챔버(chamber) 내에서 코팅(601)을 생산하기 위해 화학 구성성분을 제공한다. 화학적 기상 증착 챔버는 밀폐된 용기이다.
전구체 유체(들) 또는 작용화제(들)(functionalizer(s))은 예를 들어, 중간 퍼지(intermediate purge)(예를 들어, 비활성 가스, 예컨대, 질소, 헬륨, 및/또는 아르곤)와 함께 단일 사이클 또는 다중 사이클로 순환된다. 사이클의 적합한 횟수는 2 사이클, 3 사이클, 4 사이클, 5 사이클, 6 사이클, 7 사이클, 8 사이클, 9 사이클, 10 사이클, 11 사이클, 12 사이클, 13 사이클, 14 사이클, 15 사이클, 16 사이클, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하부-조합, 범위, 또는 하부-범위를 포함한다.
전구체 유체는 하나 이상의 하기 유체가 될 수 있다: 실란, 실란 및 에틸렌, 실란 및 산화제, 디메틸실란, 디메틸실란 및 산화제, 트리메틸실란, 트리메틸실란 및 산화제, 디알킬실릴 디하이드라이드, 알킬실릴 트리하이드라이드, 비-발화 종(non-pyrophoric species)(예를 들어, 디알킬실릴 디하이드라이드 및/또는 알킬실릴 트리하이드라이드), 열 반응 물질(예를 들어, 카보실란 및/또는 카복시실란 예컨대, 비정질(amorphous) 카보실란 및/또는 비정질 카복시실란), 카보실릴(디실릴 또는 트리실릴 단편)의 재조합이 가능한 종, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 암모니아, 하이드라진, 트리실릴아민, 비스(3차-부틸아미노)실란, l,2-비스(디메틸아미노)테트라메틸디실란, 디클로로실란, 헥사클로로디실란), 유기플루오로트리알콕시실란, 유기플루오로실릴하이드라이드, 유기플루오로 실릴, 불소화된 알콕시실란, 플루오로알킬실란, 플루오로실란, 트리데카플루오로 1,1,2,2-테트라하이드로옥틸실란, (트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸) 트리에톡시실란, 트리에톡시(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로-l-옥틸) 실란, (퍼플루오로헥실에틸) 트리에톡시실란, 실란(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실) 트리메톡시- 또는 이의 조합.
일 실시양태에서, 순수한(100%) 에틸렌은 전구체 유체의 작용화제로서 사용된다. 대안적으로, 에틸렌은, 50용적% 이상, 60용적% 이상, 70용적% 이상, 80용적% 이상, 90용적% 이상, 95용적% 이상, 99용적% 이상, 60 내지 100용적%, 80 내지 100용적%, 90 내지 100용적%, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 하위-범위의 농도를 갖는다. 추가의 실시양태에서, 전구체 유체의 잔여물은 아르곤, 크립톤, 헬륨, 질소, 제논, 수소, 또는 이의 조합이다.
일 실시양태에서, 코팅(603)은 10 토르(Torr) 내지 100 토르, 10 토르 내지 50 토르, 10 토르 내지 300 토르, 200 토르 내지 300 토르, 100 토르 내지 1,500 토르, 100 토르 내지 300 토르, 200 토르 내지 400 토르, 300 토르 내지 500 토르, 600 토르 내지 800 토르, 500 토르 내지 1,000 토르, 500 토르 내지 1,500 토르, 1,000 토르 내지 1,500 토르, 500 토르 내지 3,000 토르, 1,500 토르 내지 2,500 토르, 1,000 토르 내지 3,500 토르, 1,500 토르 미만, 1,000 토르 미만, 500 토르 미만, 300 토르 미만, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 하위-범위에 있는 유체의 부분적인 압력으로 생산된다.
일 실시양태에서, 코팅(603)은 적어도 10분, 적어도 20분, 적어도 30분, 적어도 45분, 적어도 1시간, 적어도 2시간, 적어도 3시간, 적어도 4시간, 적어도 5시간, 적어도 7시간, 10분 내지 1시간, 20 내지 45분, 4 내지 10시간, 6 내지 8시간, 4 내지 20시간, 10 내지 20시간, 또는 이의 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 하위-범위 동안 유지되는 온도 및 압력으로 생산된다.
코팅(603)의 적합한 두께는 100 나노미터 내지 10,000 나노미터, 100 나노미터 내지 1,000 나노미터, 100 나노미터 내지 800 나노미터, 200 나노미터 내지 600 나노미터, 200 나노미터 내지 10,000 나노미터, 500 나노미터 내지 3,000 나노미터, 500 나노미터 내지 2,000 나노미터, 500 나노미터 내지 1,000 나노미터, 1,000 나노미터 내지 2,000 나노미터, 1,000 나노미터 내지 1,500 나노미터, 1,500 나노미터 내지 2,000 나노미터, 800 나노미터, 1,200 나노미터, 1,600 나노미터, 1,900 나노미터, 또는 이의 임의의 조합, 하위-조합, 범위, 하위-범위를 포함한다. 추가의 실시양태는 코팅(603) 상의 임의의 단일 지점에서, 코팅(603)의 모든 부분 상의(예를 들어, 두께 변화를 포함하는 범위에서), 및/또는 코팅(603)의 영역(예를 들어, 하나의 표면, 다중 표면, 엣지/코너(edge/corner), 라인-오브-사이트 기술에 의해 코팅될 수 없는 모든 또는 일부 부분, 및/또는 라인-오브-사이트 기술에 의해 코팅될 수 있는 모든 또는 일부 부분)에 있는 두께를 포함한다.
코팅(603)의 적합한 조성은 비정질 규소 코팅, 규소-산소-탄소-함유 코팅, 규소-질소-함유 코팅, 규소-플루오린-탄소-함유 코팅, 또는 이의 조합인 코팅(603)을 포함한다.
본 개시내용의 실시양태에 따라, 시스템(600)은 산업 공정, 에너지 기술, 정보 기술, 가전 제품, 의학 진단, 조명 기술, 수송 기술, 통신 기술, 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 작동의 제어를 제공한다.
또 다른 실시양태에서, 시스템(600)은 2단자 장치(two-terminal device), 3단자 장치, 4단자 장치, 또는 이의 조합을 생산한다. 일 실시양태에서, 2단자 장치는 교류용 다이오드(DIAC), 정류기 다이오드(rectifier diode), 건 다이오드(Gunn diode), 충격 이온화 애벌런치 통과-시간 다이오드(impact ionization avalanche transit-time diode; IMPATT diode), 레이저 다이오드, 발광 다이오드, 광전지, PIN(P형, 진성(intrinsic) 및 N형 재료) 다이오드, 쇼트키 다이오드(Schottky diode), 태양 전지, 터널 다이오드(Tunnel diode), 제너 다이오드(Zener diode), 및 이의 조합이거나 포함한다. 일 실시양태에서, 2단자 장치는 이극성 트랜지스터(bipolar transistor), 달링턴 트랜지스터(Darlington transistor), 전계-효과 트랜지스터(field-effect transistor), 절연-게이트 이극성 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor), 규소-제어 정류기, 사이리스터(thyristor), 교류용 트리오드(TRIAC), 유니 접합 트랜지스터(unijunction transistor), 및 이의 조합이거나 이를 포함한다.
일 실시양태에서, 시스템(600)은 다중-단자 장치를 생산하고, 다중-단자 장치는 집적 회로, 전하-커플링 장치(charge-coupled device), 마이크로프로세서(microprocessor), 랜덤-액세스 메모리 장치(random-access memory device), 읽기-전용 메모리 장치, 및 이의 조합이거나 이를 포함한다.
일 실시양태에서, 시스템(600) 생성물(607)은 함께 결합된 개개 원자의 규칙적이고 주기적인 구조를 포함하는 고체 물질을 갖는다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일 실시양태에서, 생성물(607)은 결정질(crystalline) 고체 물질, 다결정질(poly-crystalline) 고체 물질, 비정질 물질, 진성 반도체(intrinsic semiconductor), 외인성 반도체(extrinsic semiconductor), 및 이의 조합이다.
일 실시양태에서, 시스템(600)은 음전하 전도체, 양전하 전도체, 또는 이들 둘 모두로 도핑된(doped) 반도체를 생산한다.
일 실시양태에서, 시스템(600)에 의해 생산된 반도체는 규소, 게르마늄, 탄소, 안티몬화 인듐, 비화 인듐(indium arsenide), 인화 인듐, 인화 갈륨, 안티몬화 갈륨, 비화 갈륨, 탄화 규소, 질화 갈륨, 실리콘 게르마늄, 황화 셀레늄, 및 이의 조합이거나 이를 포함한다.
실시예
첫번째 및 두번째 비교 실시예에서, 첫번째 및 두번째 비교 코팅은 디메틸실란(DMS)의 열 화학적 기상 증착으로부터 생산된다.
세번째 및 네번째 실시예에서, 본 개시내용의 실시양태와 일치하게, 코팅(603)은 순수한 에틸렌으로 승온에서 표면 작용화 이후에 디메틸실란(DMS)의 열 화학적 기상 증착으로부터 생산된다. 세번째 실시예에서, 코팅(603)은 기판(601)의 미러-폴리싱(mirror-polishing) 측면 상에 존재한다. 네번째 실시예에서, 코팅(603)은 기판(601)의 거친 표면(rough surface) 측면 상에 존재한다. 세번째 및 네번째 실시예에서, 기판(601)은 22-게이지 두께 316 스테인리스 철이다.
이의 전문이 참조로 포함되는, "반도체 제작 공정"에 관한 미국 특허 제9,340,880호와 일치하는 다섯번째 비교 실시예에서, 다섯번째 비교 코팅은 트리메틸실란을 사용한 열 산화 및 작용화 이후 디메틸실란(DMS)의 열 화학적 기상 증착으로부터 생산된다.
다섯개의 코팅은, 중량/용적 기준으로, 5 내지 10% NaOH 수용액이, 승온(79/44℃)에서 초음파 교반으로 20분 세척 사이클에 노출된다. 하기에 나타난 바와 같이, 물 접촉 각은 노출 전과 후에 수득되고, 상대적인 안정성(또는 이의 결핍)을 보여준다:
첫번째 및 두번째 비교 코팅은 불균형한 코팅 손실(patchy coating loss)을 보여준다. 세번째 코팅은 접촉각이 약간 감소했지만, 가시적인 변화는 없음을 보여준다. 네번째 코팅은 약간 불균형한 코팅 손실을 보여준다. 다섯번째 비교 코팅은 코팅 손실이 사실상 완전하다.
도 1 내지 5는 세척 사이클 전(101)과 세척 사이클 후(103)의 각각의 실시예의 FT-IR을 보여주며, 이는 상대적인 안정(또는 이의 부족)을 나타낸다.
본 발명은 하나 이상의 실시양태를 참고로 기술되지만, 당해 분야의 숙련가는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화들이 이루어 질 수 있고 이의 요소를 대체할 수 있는 균등물이 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 많은 변형들이 이의 필수적인 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 교시내용에 특정 상황 또는 재료를 적용하기 위해 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 발명을 수행하기 위해 고려되는 최상의 방식으로서 개시된 특정 실시양태가 제한되지 않는 것을 의도하지만, 본 발명은 첨부된 청구 범위의 범위 내에 속하는 모든 실시양태를 포함할 것이다. 또한, 상세한 설명에 명시된 모든 수치는 정확한 값과 대략적인 값이 모두 명시된 것으로 해석되어야 한다.
Claims (20)
- 기판(substrate) 및;
기판 상의 코팅(coating)을 포함하는, 코팅된 물품(coated article)으로서,
상기 코팅은 규소(silicon), 탄소, 및 수소를 포함하고;
코팅의 노출-후 물 접촉 각(post-exposure water contact angle)은, 가성 염(caustic salt)의 수용액을 사용하여 적어도 20분 동안 초음파 교반(ultrasonic agitation)에 노출된 후, 80도(degree) 이상, 노출-전 물 접촉 각의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지하는, 코팅된 물품. - 제1항에 있어서, 적어도 20분은 적어도 79℃의 온도에 있는, 코팅된 물품.
- 제1항에 있어서, 가성 염은 NaOH인, 코팅된 물품.
- 제1항에 있어서, 가성 염은 KOH인, 코팅된 물품.
- 제1항에 있어서, 가성 염은 5% 내지 10%의 용적 당 중량인, 코팅된 물품.
- 제1항의 코팅된 물질을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 산업 공정, 에너지 기술, 정보 기술, 가전 제품, 의학 진단, 조명 기술, 수송 기술, 통신 기술, 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 작동의 제어를 제공하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물질을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 2단자 장치(two-terminal device), 3단자 장치, 4단자 장치, 또는 이의 조합을 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물질을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 2단자 장치를 생산하고, 상기 2단자 장치는 교류용 다이오드(DIAC), 정류기 다이오드(rectifier diode), 건 다이오드(Gunn diode), 충격 이온화 애벌런치 통과-시간 다이오드(impact ionization avalanche transit-time diode; IMPATT diode), 레이저 다이오드, 발광 다이오드, 광전지, PIN(P형, 진성(intrinsic) 및 N형 재료) 다이오드, 쇼트키 다이오드(Schottky diode), 태양 전지, 터널 다이오드(Tunnel diode), 제너 다이오드(Zener diode), 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 3단자 장치를 생산하고, 상기 3단자 장치는 이극성 트랜지스터(bipolar transistor), 달링턴 트랜지스터(Darlington transistor), 전계-효과 트랜지스터(field-effect transistor), 절연-게이트 이극성 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor), 규소-제어 정류기, 사이리스터(thyristor), 교류용 트리오드(TRIAC), 유니 접합 트랜지스터(unijunction transistor), 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 다중-단자 장치를 생산하고, 상기 다중-단자 장치는 집적 회로, 전하-커플링 장치(charge-coupled device), 마이크로프로세서(microprocessor), 랜덤-액세스 메모리 장치(random-access memory device), 읽기-전용 메모리 장치, 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 함께 결합된 개개 원자의 규칙적이고 주기적인 구조를 포함하는 고체 물질을 갖는 생성물을 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 결정질(crystalline) 고체 물질을 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 다결정질(poly-crystalline) 고체 물질을 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 비정질(amorphous) 물질을 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 진성 반도체(intrinsic semiconductor)를 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)를 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 음전하 전도체(negative charge conductor), 양전하 전도체(positive charge conductor), 또는 이들 둘 모두로 도핑된(doped) 반도체를 생산하는, 시스템.
- 제1항의 코팅된 물품을 포함하는 시스템으로서, 상기 시스템은 규소, 게르마늄, 탄소, 안티몬화 인듐, 비화 인듐(indium arsenide), 인화 인듐, 인화 갈륨, 안티몬화 갈륨, 비화 갈륨, 탄화 규소, 질화 갈륨, 실리콘 게르마늄, 황화 셀레늄, 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반도체를 생산하는, 시스템.
- 제1항의 기판 상에 코팅을 적용하는, 공정.
- 기판 및;
기판 상의 코팅을 포함하는, 코팅된 물픔으로서,
상기 코팅은 규소, 탄소, 및 수소를 포함하고;
코팅의 노출-후 물 접촉 각은, 가성 염의 수용액을 사용하여 적어도 79℃의 온도에서 초음파 교반에 노출된 후, 80도 이상, 노출-전 물 접촉 각의 60% 이상, 또는 이들 둘 모두로 유지하는, 코팅된 물품.
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