KR20240044902A - 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 75
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 27
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 24
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000002355 alkine group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 2
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 11
- 238000000434 field desorption mass spectrometry Methods 0.000 description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 9
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 9
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 4
- 101150075118 sub1 gene Proteins 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUMHPFURPMPMSM-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-10h-phenothiazine Chemical compound C=12NC3=CC=CC=C3SC2=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 ZUMHPFURPMPMSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKVDSNMJXDQNCD-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[2,3-f]quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=C(NC=C3)C3=CC=C21 DKVDSNMJXDQNCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YQJBZDLEEYCHGU-UHFFFAOYSA-N 5-phenylpyrimido[5,4-b]indole Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(C=3C=CC=CC1=3)N=CN=C2 YQJBZDLEEYCHGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinazoline Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- -1 oxygen radical Chemical class 0.000 description 2
- MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- LUFDAKURDWGYRK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-2-one Chemical compound CN1CCN(C)C1=O.CN1CCN(C)C1=O LUFDAKURDWGYRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDOQMLIRFUVJNT-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 KDOQMLIRFUVJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004936 P-84 Substances 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005119 alkyl cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 1
- UXGNZZKBCMGWAZ-UHFFFAOYSA-N dimethylformamide dmf Chemical compound CN(C)C=O.CN(C)C=O UXGNZZKBCMGWAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTIFDAAZLZVHIX-UHFFFAOYSA-N naphtho[1,2-g][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C4C=COC4=C3C=CC2=C1 YTIFDAAZLZVHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYSWUOGCANSBCW-UHFFFAOYSA-N naphtho[1,2-g][1]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C4C=CSC4=C3C=CC2=C1 FYSWUOGCANSBCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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- C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
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- C07D333/76—Dibenzothiophenes
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- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
본 발명은 소자의 발광효율, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 신규 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
유기 전기 발광소자에 있어 가장 문제시되는 것은 수명과 효율인데, 디스플레이가 대면적화되면서 이러한 효율이나 수명 문제는 반드시 해결해야 하는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다.
하지만 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
또한, 최근 유기 전기 발광소자에 있어 정공수송층에서의 발광 문제를 해결하기 위해서는 반드시 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층이 존재하여야 하며, 각각의 발광층(R, G, B)에 따른 서로 다른 발광보조층의 개발이 필요한 시점이다.
일반적으로 전자수송층에서 발광층으로 전자(electron)가 전달되고 정공(hole)이 정공수송층에서 발광층으로 전달되어 재조합(recombination)에 의해 엑시톤(exciton)이 생성된다.
하지만 정공수송층에 사용되는 물질의 경우 낮은 HOMO 값을 가져야 하기 때문에 대부분 낮은 T1 값을 가지며, 이로 인해 발광층에서 생성된 엑시톤(exciton)이 정공수송층으로 넘어가게 되어 결과적으로 발광층 내 전하 불균형(charge unbalance)을 초래하여 정공수송층 계면에서 발광하게 된다.
정공수송층 계면에서 발광될 경우, 유기전기소자의 색순도 및 효율이 저하되고 수명이 짧아지는 문제점이 발생하게 된다. 따라서 높은 T1 값을 가지며, 정공 수송층 HOMO 에너지 준위와 발광층의 HOMO 에너지 준위 사이의 HOMO 준위를 갖는 발광보조층의 개발이 절실히 요구된다.
한편, 유기전기소자의 수명단축 원인 중 하나인 양극전극(ITO)으로부터 금속 산화물이 유기층으로 침투확산되는 것을 지연시키면서, 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이온도를 갖는 정공 주입층 재료에 대한 개발이 필요하다. 정공수송층 재료의 낮은 유리전이 온도는 소자 구동시, 박막 표면의 균일도를 저하시키는 특성이 있는바, 이는 소자수명에 큰 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 또한, OLED 소자는 주로 증착 방법에 의해 형성되는데, 증착시 오랫동안 견딜 수 있는 재료, 즉 내열특성이 강한 재료 개발이 필요한 실정이다.
즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광보조층 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정되고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 특히 발광보조층의 재료에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 신규한 구조를 갖는 화합물을 밝혀내었으며, 또한 이 화합물을 유기전기소자에 적용시 소자의 발광효율, 안정성 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
이에 본 발명은 신규한 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
<화학식 1>
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압 및 고내열성을 달성할 수 있으며, 소자의 색순도 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 화학식을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 화학식을 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시예를 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다:
본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.
본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄일기", "알케닐기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.
접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다.
또한 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕실카르보닐기의 경우 알콕실기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.
또한 "헤테로고리기"는 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.
본 발명에 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화고리를 포함한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물 및 이를 포함하는 유기전기소자에 대하여 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
<화학식 1>
상기 화학식 1에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.
1) X는 O 또는 S이며,
2) Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기이고, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 크리센, 파이렌 등일 수 있다.
3) L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C12의 아릴기;이며,
4) Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C12의 아릴기이고,
5) R1 및 R2는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되고,
단, R1 및 R2는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 없으며,
상기 R1 및 R2가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.
상기 R1 및 R2가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있으며, 예시적으로 피라진, 싸이오펜, 피리딘, 피리미도인돌, 5-페닐-5H-피리미도[5,4-b]인돌, 퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 카바졸, 다이벤조퀴나졸린, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 페노싸이아진, 페닐페노싸이아진 등일 수 있다.
상기 R1 및 R2가 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.
상기 R1 및 R2가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.
상기 R1 및 R2가 알콕실기인 경우, 바람직하게는 C1~C24의 알콕실기일 수 있다.
상기 R1 및 R2가 아릴옥시기인 경우, 바람직하게는 C6~C24의 아릴옥시기일 수 있다.
6) L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 L'이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더 바람직하게는 C6~C20의 아릴렌기, 예컨대 페닐렌, 바이페닐렌, 나프틸렌, 터페닐렌 등일 수 있다.
상기 L'이 플루오렌일렌기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌일렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌일렌, 9,9'-스파이로바이플루오렌일렌 등일 수 있다.
상기 L'이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더 바람직하게는 C2~C20의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 나프토벤조싸이오펜, 나프토벤조퓨란, 벤조퓨란, 벤조싸이오펜 등일 수 있다.
7) 상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ra 및 Rb가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.
상기 Ra 및 Rb가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있으며, 예시적으로 피라진, 싸이오펜, 피리딘, 피리미도인돌, 5-페닐-5H-피리미도[5,4-b]인돌, 퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 카바졸, 다이벤조퀴나졸린, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 페노싸이아진, 페닐페노싸이아진 등일 수 있다.
8) a는 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
9) 상기 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 지방족고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C12의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C12의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 나타내는 화합물이 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 제공한다.
<화학식 2-1> <화학식 2-2> <화학식 2-3>
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.
1) X, Ar1, Ar3, L1, L2, R1, R2, a 및 b는 상기에서 정의된 바와 동일하며,
2) R3, R4, R5 및 R6은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C12의 아릴기;로 이루어진 군에서 선택되며,
단, R3, R4, R5 및 R6은 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 없으며,
상기 R3, R4, R5 및 R6이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기, 더 바람직하게는 C1~C20의 알킬기일 수 있다.
3) c 및 d는 0 내지 5의 정수이고, e는 0 내지 4의 정수이며, f는 0 내지 7의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 Ar1은 하기 화학식 Ar-1 내지 Ar-4 중 어느 하나인 화합물을 제공한다.
<화학식 Ar-1> <화학식 Ar-2> <화학식 Ar-3> <화학식 Ar-4>
상기 화학식 Ar-1 내지 화학식 Ar-4에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.
1) *는 결합하는 위치를 나타내며,
2) R11 및 R12는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소, C6~C60의 아릴기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
상기 R11 및 R12가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.
3) m은 0 내지 5의 정수이고, n은 0 내지 4의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 Ar1, Ar2, Ar3, L1 및 L2 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 화합물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 화합물을 제공한다.
구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 다른 측면에서 본 발명은, 유기 발광 소자의 제조 공정에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 재료를 증착시키는 단계; 증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료의 불순물을 제거하는 단계; 제거된 상기 불순물을 회수하는 단계; 및 상기 회수된 불순물을 순도 99.9% 이상으로 정제하는 단계;를 포함하는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 재사용 방법을 제공한다.
상기 증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료의 불순물을 제거하는 단계는 바람직하게 재결정용매 하에서 재결정하여 순도 98% 이상으로 수득하는 예비정제공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
상기 재결정용매는 바람직하게 극성치(polarity index: PI)가 5.5 내지 7.2인 극성 용매일 수 있다.
상기 재결정용매는 바람직하게 극성치가 5.5 내지 7.2인 극성 용매와 극성치가 2.0 내지 4.7인 비극성 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 재결정용매는, 극성 용매와 비극성 용매를 혼합하여 사용하는 경우, 비극성 용매가 극성 용매 대비, 15%(v/v) 이하의 비율로 사용될 수 있다.
상기 재결정용매는 바람직하게 메틸피롤리돈(N-Methylpyrrolidone; NMP) 단일용매; 또는 상기 메틸피롤리돈에, 디메틸 이미다졸리디논(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone), 2-피롤리돈(2-Pyrrolidone), 디메틸포름아마이드(N,N-Dimethyl formamide), 디메틸아세트아마이드(Dimethyl acetamide) 및 디메틸술폭시드(Dimethyl sulfoxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나가 혼합된 혼합 극성 용매; 또는 톨루엔(Toluene), 디클로로메탄(Dichloromethane; DCM), 디클로로에탄(Dichloroethane; DCE), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran; THF), 클로로포름(Chloroform), 에틸 아세테이트(Ethyl acetate) 및 부탄온(Butanone)으로 이루어진 군에서 선택되는 단독; 또는 혼합 비극성 용매; 또는 극성 용매와 비극성 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 예비정제공정은 90℃ 내지 120℃의 극성 용매에 증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료를 용해시킨 후 0℃ 내지 5℃까지 냉각하여 결정을 석출시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비정제공정은 90℃ 내지 120℃의 극성 용매에 증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료를 용해시킨 후 35℃ 내지 40℃까지 냉각하여 비극성 용매를 추가한 뒤 0℃ 내지 5℃까지 냉각하여 결정을 석출시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비정제공정은 비극성 용매에 증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료를 용해시킨 후 용매를 농축하며 비극성 용매를 제거하면서 결정을 석출시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비정제공정은 극성 용매로 먼저 재결정한 후, 비극성 용매로 다시 재결정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 회수된 불순물을 순도 99.9% 이상으로 정제하는 단계는 흡착제에 흡착시켜 불순물을 흡착 제거하는 흡착분리공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
상기 흡착제는 활성탄, 실리카겔, 알루미나 또는 공지된 흡착 용도의 물질일 수 있다.
상기 회수된 불순물을 순도 99.9% 이상으로 정제하는 단계는 승화정제를 수행하는 것을 포함할 수 있다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 유기전기소자(100)는 제 1전극(110), 제 2전극(170) 및 제 1전극(110)과 제 2전극(170) 사이에 화학식 1로 표시되는 단독화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(110)은 애노드 또는 양극이고, 제 2전극(170)은 캐소드 또는 음극일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(110) 상에 순차적으로 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함할 수 있다. 이때, 발광층(140)을 제외한 나머지 층들이 형성되지 않을 수 있다. 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(220), 버퍼층(210) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(150) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다. (도 2 참조)
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 보호층 또는 광효율 개선층(180)을 더 포함할 수 있다. 이러한 광효율 개선층은 제 1전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면 또는 제 2전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면에 형성될 수 있다. 상기 유기물층에 적용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물은 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광보조층(220), 전자수송보조층, 전자수송층(150), 전자주입층(160), 발광층(140)의 호스트 또는 도펀트, 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는 예컨대, 본 발명의 화학식 1에 따른 화합물은 발광보조층의 재료로 사용될 수 있다.
상기 유기물층은 상기 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함할 수 있으며, 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함할 수 있다. (도 3 참조)
한편, 동일한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합도 아주 중요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 level 및 T1 값, 물질의 고유특성(mobility, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 및 롤투롤 공정 중 어느 하나에 의해 형성되며, 상기 유기물층은 전자수송재료로 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자를 제공한다.
또 다른 구체적인 예로서, 본 발명은 상기 유기물층에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 동종 또는 이종의 화합물이 혼합되어 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광보조층 조성물을 제공하고, 상기 발광보조층을 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기한 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
또 다른 측면에서 상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자 장치를 본 발명에서 제공한다. 이때, 전자 장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말기일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자 장치를 포함한다.
이하에서, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 본 발명의 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[합성예]
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물(final product)은 하기 반응식 1과 같이 합성되며, 이에 한정되는 것은 아니다. (Hal1 = Br 또는 Cl)
<반응식 1>
I. Sub1의 합성
상기 반응식 1의 Sub1은 하기 반응식 2의 반응경로에 의해 합성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2>
1. Sub1-1 합성예
Sub a-1 (50.0 g, 177.6 mmol)을 THF (600 mL)에 녹인 후 Sub b-1 (21.7 g, 177.6 mmol), NaOH (21.3 g, 532.8 mmol), Pd(PPh3)4 (12.31 g, 10.66 mmol), 물 (300 mL)을 첨가하고 80℃에서 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 44.6 g (수율: 90%)을 얻었다.
2. Sub1-35 합성예
Sub a-1 (50.0 g, 177.6 mmol)을 THF (560 mL)에 녹인 후 Sub b-35 (36.1 g, 177.6 mmol), NaOH (21.3 g, 532.8 mmol), Pd(PPh3)4 (12.3 g, 10.66 mmol), 물 (280 mL)을 첨가하고 상기 Sub1-1의 합성법을 이용하여 생성물 58.1 g (수율: 91%)을 얻었다.
3. Sub1-49 합성예
Sub a-49 (50.0 g, 168.0 mmol)를 THF (560 mL)에 녹인 후 Sub b-49 (33.3 g, 168.0 mmol), NaOH (20.2 g, 504.0 mmol), Pd(PPh3)4 (11.65 g, 10.08 mmol), 물 (280 mL)을 첨가하고 상기 Sub1-1의 합성법을 이용하여 생성물 57.3 g (수율: 92%)을 얻었다.
Sub1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 표 1은 Sub1에 속하는 일부 화합물의 FD-MS (Field Desorption-Mass Spectrometry) 값을 나타낸 것이다.
| 화합물 | FD-MS | 화합물 | FD-MS |
| Sub1-1 | m/z=278.05(C18H11ClO=278.74) | Sub1-2 | m/z=354.08(C24H15ClO=354.83) |
| Sub1-3 | m/z=354.08(C24H15ClO=354.83) | Sub1-4 | m/z=354.08(C24H15ClO=354.83) |
| Sub1-5 | m/z=328.07(C22H13ClO=328.80) | Sub1-6 | m/z=328.07(C22H13ClO=328.80) |
| Sub1-7 | m/z=404.10(C28H17ClO=404.89) | Sub1-8 | m/z=404.10(C28H17ClO=404.89) |
| Sub1-9 | m/z=404.10(C28H17ClO=404.89) | Sub1-10 | m/z=378.08(C26H15ClO=378.86) |
| Sub1-11 | m/z=378.08(C26H15ClO=378.86) | Sub1-12 | m/z=354.08(C24H15ClO=354.83) |
| Sub1-13 | m/z=378.08(C26H15ClO=378.86) | Sub1-14 | m/z=360.13(C24H21ClO=360.88) |
| Sub1-15 | m/z=390.18(C26H27ClO=390.95) | Sub1-16 | m/z=410.14(C28H23ClO=410.94) |
| Sub1-17 | m/z=454.11(C32H19ClO=454.95) | Sub1-18 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) |
| Sub1-19 | m/z=454.11(C32H19ClO=454.95) | Sub1-20 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) |
| Sub1-21 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) | Sub1-22 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) |
| Sub1-23 | m/z=354.08(C24H15ClO=354.83) | Sub1-24 | m/z=504.13(C36H21ClO=505.01) |
| Sub1-25 | m/z=428.10(C30H17ClO=428.92) | Sub1-26 | m/z=408.12(C28H13D4ClO=408.92) |
| Sub1-27 | m/z=408.12(C28H9D6ClO=408.91) | Sub1-28 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) |
| Sub1-29 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) | Sub1-30 | m/z=430.11(C30H19ClO=430.93) |
| Sub1-31 | m/z=404.10(C28H17ClO=404.89) | Sub1-32 | m/z=404.10(C28H17ClO=404.89) |
| Sub1-33 | m/z=283.08(C18H6D5ClO=283.77) | Sub1-34 | m/z=433.13(C30H16D3ClO=433.95) |
| Sub1-35 | m/z=359.11(C24H10D5ClO=359.86) | Sub1-36 | m/z=335.11(C22H6D7ClO=335.84) |
| Sub1-37 | m/z=335.11(C22H6D7ClO=335.84) | Sub1-38 | m/z=435.14(C30H14D5ClO=435.96) |
| Sub1-39 | m/z=363.14(C24H6D9ClO=363.89) | Sub1-40 | m/z=387.14(C26H6D9ClO=387.91) |
| Sub1-41 | m/z=387.14(C26H6D9ClO=387.91) | Sub1-42 | m/z=411.14(C28H10D7ClO=411.94) |
| Sub1-43 | m/z=359.11(C24H10D5ClO=359.86) | Sub1-44 | m/z=515.20(C36H10D11ClO=516.08) |
| Sub1-45 | m/z=439.17(C30H6D11ClO=439.98) | Sub1-46 | m/z=413.15(C28H8D9ClO=413.95) |
| Sub1-47 | m/z=411.14(C28H6D9ClO=411.93) | Sub1-48 | m/z=294.03(C18H11ClS=294.80) |
| Sub1-49 | m/z=370.06(C24H15ClS=370.89) | Sub1-50 | m/z=370.06(C24H15ClS=370.89) |
| Sub1-51 | m/z=370.06(C24H15ClS=370.89) | Sub1-52 | m/z=344.04(C22H13ClS=344.86) |
| Sub1-53 | m/z=344.04(C22H13ClS=344.86) | Sub1-54 | m/z=420.07(C28H17ClS=420.95) |
| Sub1-55 | m/z=420.07(C28H17ClS=420.95) | Sub1-56 | m/z=308.04(C19H13ClS=308.82) |
| Sub1-57 | m/z=394.06(C26H15ClS=394.92) | Sub1-58 | m/z=350.09(C22H19ClS=350.90) |
| Sub1-59 | m/z=356.13(C22H13D6ClS=356.94) | Sub1-60 | m/z=446.09(C30H19ClS=446.99) |
| Sub1-61 | m/z=372.07(C24H13D2ClS=372.91) | Sub1-62 | m/z=299.06(C18H6D5ClS=299.83) |
| Sub1-63 | m/z=374.08(C24H11D4ClS=374.92) | Sub1-64 | m/z=449.11(C30H16D3ClS=450.01) |
| Sub1-65 | m/z=375.09(C24H10D5ClS=375.92) | Sub1-66 | m/z=351.09(C22H6D7ClS=351.90) |
| Sub1-67 | m/z=351.09(C22H6D7ClS=351.90) | Sub1-68 | m/z=451.12(C30H14D5ClS=452.02) |
| Sub1-69 | m/z=379.11(C24H6D9ClS=379.95) | Sub1-70 | m/z=426.11(C28H11D6ClS=426.99) |
| Sub1-71 | m/z=403.11(C26H6D9ClS=403.97) | Sub1-72 | m/z=427.12(C28H10D7ClS=428.00) |
| Sub1-73 | m/z=375.09(C24H10D5ClS=375.92) | Sub1-74 | m/z=379.11(C24H6D9ClS=379.95) |
| Sub1-75 | m/z=455.14(C30H6D11ClS=456.04) | Sub1-76 | m/z=483.17(C32H6D13ClS=484.09) |
| Sub1-77 | m/z=425.11(C28H12D5ClS=425.98) | Sub1-78 | m/z=459.17(C30H6D13ClS=460.07) |
| Sub1-79 | m/z=420.07(C28H17ClS=420.95) | Sub1-80 | m/z=435.14(C30H14D5ClO=435.96) |
II. Sub 2의 합성
상기 반응식 1의 Sub 2는 하기 반응식 3의 반응경로에 의해 합성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. (Hal2 = Br 또는 Cl)
<반응식 3>
1. Sub2-2 합성예
Sub d-2 (30.0 g, 128.7 mmol)를 둥근바닥플라스크에 Toluene (430 mL)으로 녹인 후에 Sub e-1 (14.4 g, 154.4 mmol), Pd2(dba)3 (3.54 g, 3.86 mmol), P(t-Bu)3 (1.56 g, 7.72 mmol), NaOt-Bu (24.7 g, 257.4 mmol)을 첨가하고 40℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 26.8 g (수율 85%)을 얻었다.
2. Sub2-22 합성예
Sub d-22 (30.0 g, 154.9 mmol)를 둥근바닥플라스크에 Toluene (520 mL)으로 녹인 후에, Sub e-1 (17.3 g, 185.9 mmol), Pd2(dba)3 (4.26 g, 4.65 mmol), P(t-Bu)3 (1.88 g, 9.29 mmol), NaOt-Bu (29.8 g, 309.8 mmol)을 첨가하고 상기 Sub2-2의 합성법을 이용하여 생성물 32.6 g (수율 84%)을 얻었다.
3. Sub2-53 합성예
Sub d-53 (30.0 g, 113.3 mmol)을 둥근바닥플라스크에 Toluene (380 mL)으로 녹인 후에, Sub e-2 (23.0 g, 136.0 mmol), Pd2(dba)3 (3.11 g, 3.40 mmol), P(t-Bu)3 (1.38 g, 6.80 mmol), NaOt-Bu (21.8 g, 226.6 mmol)을 첨가하고 상기 Sub2-2의 합성법을 이용하여 생성물 36.5 g (수율 81%)을 얻었다.
Sub2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 표 2는 Sub2에 속하는 일부 화합물의 FD-MS (Field Desorption-Mass Spectrometry) 값을 나타낸 것이다.
| 화합물 | FD-MS | 화합물 | FD-MS |
| Sub2-1 | m/z=169.09(C12H11N=169.23) | Sub2-2 | m/z=245.12(C18H15N=245.33) |
| Sub2-3 | m/z=245.12(C18H15N=245.33) | Sub2-4 | m/z=245.12(C18H15N=245.33) |
| Sub2-5 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) | Sub2-6 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) |
| Sub2-7 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) | Sub2-8 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) |
| Sub2-9 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) | Sub2-10 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) |
| Sub2-11 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) | Sub2-12 | m/z=269.12(C20H15N=269.35) |
| Sub2-13 | m/z=421.18(C32H23N=421.54) | Sub2-14 | m/z=371.17(C28H21N=371.48) |
| Sub2-15 | m/z=269.12(C20H15N=269.35) | Sub2-16 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) |
| Sub2-17 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) | Sub2-18 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) |
| Sub2-19 | m/z=477.25(C36H31N=477.65) | Sub2-20 | m/z=170.1(C12H10DN=170.23) |
| Sub2-21 | m/z=252.16(C18H8D7N=252.37) | Sub2-22 | m/z=250.15(C18H10D5N=250.36) |
| Sub2-23 | m/z=249.15(C18H11D4N=249.35) | Sub2-24 | m/z=174.12(C12H6D5N=174.26) |
| Sub2-25 | m/z=299.16(C22H13D4N=299.41) | Sub2-26 | m/z=304.19(C22H8D9N=304.44) |
| Sub2-27 | m/z=339.26(C24HD18N=339.53) | Sub2-28 | m/z=330.21(C24H10D9N=330.48) |
| Sub2-29 | m/z=322.16(C24H18DN=322.43) | Sub2-30 | m/z=331.21(C24H9D10N=331.48) |
| Sub2-31 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) | Sub2-32 | m/z=421.18(C32H23N=421.54) |
| Sub2-33 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) | Sub2-34 | m/z=171.1(C12H9D2N=171.24) |
| Sub2-35 | m/z=249.15(C18H11D4N=249.35) | Sub2-36 | m/z=250.15(C18H10D5N=250.36) |
| Sub2-37 | m/z=295.14(C22H17N=295.39) | Sub2-38 | m/z=322.16(C24H18DN=322.43) |
| Sub2-39 | m/z=331.21(C24H9D10N=331.48) | Sub2-40 | m/z=302.18(C22H10D7N=302.43) |
| Sub2-41 | m/z=378.21(C28H14D7N=378.53) | Sub2-42 | m/z=345.15(C26H19N=345.45) |
| Sub2-43 | m/z=345.15(C26H19N=345.45) | Sub2-44 | m/z=301.18(C22H23N=301.43) |
| Sub2-45 | m/z=421.18(C32H23N=421.54) | Sub2-46 | m/z=371.17(C28H21N=371.48) |
| Sub2-47 | m/z=473.21(C36H27N=473.62) | Sub2-48 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) |
| Sub2-49 | m/z=402.21(C30H18D5N=402.55) | Sub2-50 | m/z=473.21(C36H27N=473.62) |
| Sub2-51 | m/z=421.18(C32H23N=421.54) | Sub2-52 | m/z=473.21(C36H27N=473.62) |
| Sub2-53 | m/z=397.18(C30H23N=397.52) | Sub2-54 | m/z=321.15(C24H19N=321.42) |
Ⅲ. 최종화합물(Final Product)의 합성
1. P-5 합성예
Sub1-1 (10.0 g, 35.9 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (180 mL)으로 녹인 후에, Sub2-5 (11.5 g, 35.9 mmol), Pd2(dba)3 (1.00 g, 1.08 mmol), P(t-Bu)3 (0.44 g, 2.15 mmol), NaOt-Bu (6.9 g, 71.8 mmol)을 첨가하고 125℃에서 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 17.6 g (수율 87%)을 얻었다.
2. P-40 합성예
Sub1-32 (10.0 g, 24.7 mmol)를 둥근바닥플라스크에 toluene (150 mL)으로 녹인 후에, Sub2-26 (7.5 g, 24.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.68 g, 0.74 mmol), P(t-Bu)3 (0.30 g, 1.48 mmol), NaOt-Bu (4.75 g, 49.4 mmol)을 첨가하고 상기 P-5의 합성법을 이용하여 생성물 14.1 g (수율 85%)을 얻었다.
3. P-78 합성예
Sub1-57 (10.0 g, 25.3 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (150 mL)으로 녹인 후에, Sub2-54 (8.1 g, 25.3 mmol), Pd2(dba)3 (0.70 g, 0.76 mmol), P(t-Bu)3 (0.31 g, 1.52 mmol), NaOt-Bu (4.9 g, 50.6 mmol)을 첨가하고 상기 P-5의 합성법을 이용하여 생성물 12.7 g (수율 74%)을 얻었다.
4. P-105 합성예
Sub1-62 (10.0 g, 33.4 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (150 mL)으로 녹인 후에, Sub2-44 (10.1 g, 33.4 mmol), Pd2(dba)3 (0.92 g, 1.0 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 g, 2.0 mmol), NaOt-Bu (6.4 g, 66.7 mmol)을 첨가하고 상기 P-5의 합성법을 이용하여 생성물 15.0 g (수율 80%)을 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P-1 내지 P-120의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
| 화합물 | FD-MS | 화합물 | FD-MS |
| P-1 | m/z=411.16(C30H21NO=411.50) | P-2 | m/z=487.19(C36H25NO=487.60) |
| P-3 | m/z=487.19(C36H25NO=487.60) | P-4 | m/z=563.22(C42H29NO=563.70) |
| P-5 | m/z=563.22(C42H29NO=563.70) | P-6 | m/z=639.26(C48H33NO=639.80) |
| P-7 | m/z=639.26(C48H33NO=639.80) | P-8 | m/z=613.24(C46H31NO=613.76) |
| P-9 | m/z=537.21(C40H27NO=537.66) | P-10 | m/z=689.27(C52H35NO=689.86) |
| P-11 | m/z=537.21(C40H27NO=537.66) | P-12 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) |
| P-13 | m/z=613.24(C46H31NO=613.76) | P-14 | m/z=587.22(C44H29NO=587.72) |
| P-15 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) | P-16 | m/z=587.22(C44H29NO=587.72) |
| P-17 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) | P-18 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) |
| P-19 | m/z=645.3(C48H39NO=645.85) | P-20 | m/z=675.35(C50H45NO=675.92) |
| P-21 | m/z=695.32(C52H41NO=695.91) | P-22 | m/z=789.30(C60H39NO=789.98) |
| P-23 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) | P-24 | m/z=587.22(C44H29NO=587.72) |
| P-25 | m/z=689.27(C52H35NO=689.86) | P-26 | m/z=689.27(C52H35NO=689.86) |
| P-27 | m/z=689.27(C52H35NO=689.86) | P-28 | m/z=795.35(C60H45NO=796.03) |
| P-29 | m/z=637.24(C48H31NO=637.78) | P-30 | m/z=637.24(C48H31NO=637.78) |
| P-31 | m/z=693.30(C52H31D4NO=693.88) | P-32 | m/z=617.26(C46H23D6NO=617.78) |
| P-33 | m/z=564.23(C42H28DNO=564.71) | P-34 | m/z=494.24(C36H18D7NO=494.64) |
| P-35 | m/z=492.22(C36H20D5NO=492.63) | P-36 | m/z=567.25(C42H25D4NO=567.72) |
| P-37 | m/z=568.26(C42H24D5NO=568.73) | P-38 | m/z=693.30(C52H31D4NO=693.88) |
| P-39 | m/z=618.27(C46H26D5NO=618.79) | P-40 | m/z=672.31(C50H24D9NO=672.87) |
| P-41 | m/z=581.34(C42H11D18NO=581.81) | P-42 | m/z=648.31(C48H24D9NO=648.85) |
| P-43 | m/z=640.26(C48H32DNO=640.80) | P-44 | m/z=623.30(C46H21D10NO=623.82) |
| P-45 | m/z=416.19(C30H16D5NO=416.53) | P-46 | m/z=492.22(C36H20D5NO=492.63) |
| P-47 | m/z=642.28(C48H30D3NO=642.82) | P-48 | m/z=586.37(C42H6D23NO=586.84) |
| P-49 | m/z=568.26(C42H24D5NO=568.73) | P-50 | m/z=620.28(C46H24D7NO=620.80) |
| P-51 | m/z=620.28(C46H24D7NO=620.80) | P-52 | m/z=644.29(C48H28D5NO=644.83) |
| P-53 | m/z=648.31(C48H24D9NO=648.85) | P-54 | m/z=596.28(C44H20D9NO=596.78) |
| P-55 | m/z=672.31(C50H24D9NO=672.87) | P-56 | m/z=670.30(C50H26D7NO=670.86) |
| P-57 | m/z=492.22(C36H20D5NO=492.63) | P-58 | m/z=568.26(C42H24D5NO=568.73) |
| P-59 | m/z=644.29(C48H28D5NO=644.83) | P-60 | m/z=648.31(C48H24D9NO=648.85) |
| P-61 | m/z=648.31(C48H20D11NO=648.85) | P-62 | m/z=648.31(C48H20D11NO=648.85) |
| P-63 | m/z=698.33(C52H26D9NO=698.91) | P-64 | m/z=620.28(C46H20D9NO=620.80) |
| P-65 | m/z=613.24(C46H31NO=613.76) | P-66 | m/z=613.24(C46H31NO=613.76) |
| P-67 | m/z=613.24(C46H31NO=613.76) | P-68 | m/z=572.28(C42H20D9NO=572.75) |
| P-69 | m/z=579.2(C42H29NS=579.76) | P-70 | m/z=655.23(C48H33NS=655.86) |
| P-71 | m/z=655.23(C48H33NS=655.86) | P-72 | m/z=629.22(C46H31NS=629.82) |
| P-73 | m/z=553.19(C40H27NS=553.72) | P-74 | m/z=705.25(C52H35NS=705.92) |
| P-75 | m/z=553.19(C40H27NS=553.72) | P-76 | m/z=679.23(C50H33NS=679.88) |
| P-77 | m/z=693.25(C51H35NS=693.91) | P-78 | m/z=679.23(C50H33NS=679.88) |
| P-79 | m/z=635.26(C46H37NS=635.87) | P-80 | m/z=641.30(C46H31D6NS=641.91) |
| P-81 | m/z=581.21(C42H27D2NS=581.77) | P-82 | m/z=507.20(C36H21D4NS=507.69) |
| P-83 | m/z=508.20(C36H20D5NS=508.69) | P-84 | m/z=631.23(C46H29D2NS=631.83) |
| P-85 | m/z=597.32(C42H11D18NS=597.87) | P-86 | m/z=664.29(C48H24D9NS=664.91) |
| P-87 | m/z=656.24(C48H32DNS=656.87) | P-88 | m/z=639.28(C46H21D10NS=639.88) |
| P-89 | m/z=442.23(C30H6D15NS=442.66) | P-90 | m/z=560.23(C40H20D7NS=560.77) |
| P-91 | m/z=716.32(C52H24D11NS=716.99) | P-92 | m/z=602.35(C42H6D23NS=602.90) |
| P-93 | m/z=432.17(C30H16D5NS=432.60) | P-94 | m/z=508.2(C36H20D5NS=508.69) |
| P-95 | m/z=658.25(C48H30D3NS=658.88) | P-96 | m/z=584.23(C42H24D5NS=584.79) |
| P-97 | m/z=584.23(C42H24D5NS=584.79) | P-98 | m/z=636.26(C46H24D7NS=636.86) |
| P-99 | m/z=636.26(C46H24D7NS=636.86) | P-100 | m/z=760.30(C56H32D5NS=761.01) |
| P-101 | m/z=664.29(C48H24D9NS=664.91) | P-102 | m/z=735.29(C54H29D6NS=735.98) |
| P-103 | m/z=688.29(C50H24D9NS=688.94) | P-104 | m/z=686.28(C50H26D7NS=686.92) |
| P-105 | m/z=564.26(C40H28D5NS=564.80) | P-106 | m/z=684.26(C50H28D5NS=684.91) |
| P-107 | m/z=660.26(C48H28D5NS=660.89) | P-108 | m/z=664.29(C48H24D9NS=664.91) |
| P-109 | m/z=588.26(C42H16D11NS=588.81) | P-110 | m/z=692.31(C50H20D13NS=692.96) |
| P-111 | m/z=760.30(C56H32D5NS=761.01) | P-112 | m/z=668.31(C48H20D13NS=668.94) |
| P-113 | m/z=731.26(C54H37NS=731.96) | P-114 | m/z=655.23(C48H33NS=655.86) |
| P-115 | m/z=786.31(C58H34D5NS=787.05) | P-116 | m/z=736.30(C54H32D5NS=736.99) |
| P-117 | m/z=663.26(C50H33NO=663.82) | P-118 | m/z=720.32(C54H32D5NO=720.93) |
| P-119 | m/z=644.29(C48H28D5NO=644.83) | P-120 | m/z=724.34(C54H28D9NO=724.95) |
유기전기소자의 제조평가
[실시예 1] 녹색유기전기발광소자 (발광보조층)
본 발명의 화합물을 발광보조층 물질로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전기발광소자를 제작하였다. 먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 4,4',4''-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (이하, 2-TNATA)을 60 nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상에 N,N'-bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (이하, NPB)를 60 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 상에 본 발명의 화합물 P-2를 20 nm의 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성한 후, 상기 발광보조층 상에 4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl (이하, CBP)를 호스트 물질로, tris(2-phenylpyridine)-iridium (이하, Ir(ppy)3)을 도판트 물질로 사용하고 95:5 중량비로 도핑하여 30 nm 두께로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum (이하, BAlq)를 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (이하, BeBq2)를 40 nm 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이후, 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[실시예 2] 내지 [실시예 19] 녹색유기전기발광소자 (발광보조층)
발광보조층 물질로 P-2 대신 하기 표 4에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[비교예 1] 내지 [비교예 3]
발광보조층 물질로 P-2 대신 하기 표 4에 기재된 하기 비교화합물 1 내지 비교화합물 3을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 1> <비교화합물 2> <비교화합물 3>
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 19, 비교예 1 내지 비교예 3에 의해 제조된 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 5000 cd/m2기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였으며, 그 측정 결과는 하기 표 4와 같다.
| 화합물 | Voltage (V) |
Current Density (mA/cm2) |
Brightness (cd/m2) |
Efficiency (cd/A) |
Lifetime T(95) |
|
| 비교예 (1) | 비교화합물 1 | 6.2 | 19.8 | 5000.0 | 25.2 | 98.3 |
| 비교예 (2) | 비교화합물 2 | 6.0 | 19.2 | 5000.0 | 26.1 | 100.2 |
| 비교예 (3) | 비교화합물 3 | 5.8 | 16.9 | 5000.0 | 29.6 | 104.5 |
| 실시예(1) | P-2 | 5.3 | 12.1 | 5000.0 | 41.2 | 116.0 |
| 실시예(2) | P-5 | 5.2 | 12.2 | 5000.0 | 40.8 | 115.8 |
| 실시예(3) | P-6 | 5.3 | 12.1 | 5000.0 | 41.3 | 115.2 |
| 실시예(4) | P-9 | 5.1 | 12.2 | 5000.0 | 41.0 | 118.5 |
| 실시예(5) | P-21 | 5.2 | 11.7 | 5000.0 | 42.9 | 116.2 |
| 실시예(6) | P-27 | 5.1 | 12.7 | 5000.0 | 39.2 | 118.5 |
| 실시예(7) | P-42 | 5.1 | 11.9 | 5000.0 | 42.1 | 125.0 |
| 실시예(8) | P-44 | 5.2 | 11.7 | 5000.0 | 42.7 | 123.2 |
| 실시예(9) | P-50 | 5.1 | 11.8 | 5000.0 | 42.5 | 122.4 |
| 실시예(10) | P-56 | 5.1 | 12.0 | 5000.0 | 41.6 | 123.6 |
| 실시예(11) | P-58 | 5.0 | 12.3 | 5000.0 | 40.7 | 124.5 |
| 실시예(12) | P-60 | 5.0 | 11.8 | 5000.0 | 42.3 | 123.5 |
| 실시예(13) | P-65 | 5.2 | 12.7 | 5000.0 | 39.4 | 115.7 |
| 실시예(14) | P-66 | 5.2 | 12.5 | 5000.0 | 39.9 | 117.7 |
| 실시예(15) | P-67 | 5.3 | 12.3 | 5000.0 | 40.7 | 118.6 |
| 실시예(16) | P-78 | 5.2 | 12.1 | 5000.0 | 41.5 | 117.3 |
| 실시예(17) | P-90 | 5.4 | 12.7 | 5000.0 | 39.4 | 124.7 |
| 실시예(18) | P-97 | 5.3 | 12.1 | 5000.0 | 41.3 | 123.8 |
| 실시예(19) | P-112 | 5.4 | 11.7 | 5000.0 | 42.7 | 123.7 |
상기 표 4의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 발광보조층 재료로 사용하여 녹색유기전기발광소자를 제작한 경우, 비교화합물 1 내지 비교화합물 3을 사용한 경우에 비해 유기전기발광소자의 구동전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율과 수명을 개선시킬 수 있음을 알 수 있다.
우선, 비교화합물 1과 비교화합물 2는 다이벤조퓨란의 동일고리에 아민기와 2차 치환기가 오르쏘(Ortho) 위치로 결합되는 것은 유사하지만 다이벤조퓨란에 결합되는 위치가 상이하다. 즉, 다이벤조퓨란의 1번 위치에 아민기가 치환되고, 2번 위치에 2차 치환기가 결합되는 구조인 비교화합물 2의 소자 성능이 향상된 것을 확인할 수 있다. 이는 기본골격이 동일한 화합물일지라도 치환기의 결합 위치에 따라 에너지레벨 (HOMO, LUMO 레벨)의 값이 달라지게 되고 화합물의 물성이 달라짐으로써 전체적인 소자에 영향을 준다는 것을 알 수 있다.
비교화합물 2와 비교화합물 3은 다이벤조퓨란의 1번 위치에 아민기가 치환되고, 2번 위치에 2차 치환기가 결합되는 구조인 것은 동일하지만 연결기 유무에 차이가 있다. 다시 말해, 다이벤조퓨란과 아민기 사이에 연결기 페닐이 존재하는 비교화합물 2 대비 다이벤조퓨란에 직접결합으로 아민기가 치환된 비교화합물 3의 소자 성능이 더 향상되었다.
이러한 결과는 다이벤조퓨란의 1번 위치에 아민기가 직접 결합하고, 2차 치환기가 2번 위치에 결합됨으로 인해 보다 큰 입체성을 가지게 되고 그 결과, 물질 사이의 패킹 밀도(packing density)가 조절되어 전체적인 소자 성능이 향상된 것으로 판단된다. 비교예 2와 비교예 3의 결과로 동일한 위치에 치환기가 결합되더라도 그 치환기의 연결기 존재 유무에 따라서 소자의 특성이 달라질 수 있음을 시사한다.
또한, 비교화합물 3과 본 발명의 화합물을 비교하면 다이벤조퓨란의 1번 위치에 아민기가 직접결합으로 치환되고, 2번 위치에 2차 치환기가 결합되는 것은 동일하지만 아민기의 치환기가 상이하다. 자세히 설명하면, 말단에 더 축합된 아릴인 페난트렌(Phenanthrene)이 치환되는 구조인 비교화합물 2를 사용한 소자보다 아민기의 치환기로 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 등과 같이 단순 구조의 아릴기가 치환되는 것을 특징으로 하는 본 발명의 화합물로 제작된 소자의 결과가 우수한 것을 알 수 있다.
하기 표 5를 참조하면, 본 발명의 화합물들은 비교화합물 3에 비해 HOMO 레벨이 더 높은 것을 확인할 수 있다. 본 발명의 화합물이 정공수송층에서 hole을 보다 더 효율적으로 수송할 수 있는 것으로 판단되며, 이로 인해 정공과 전자의 발광층 내 charge balance가 증가되어 소자 전체의 구동 전압, 효율 그리고 수명이 향상되는 것으로 보여진다.
특히, 본 발명의 화합물은 아민기에 페닐, 바이페닐, 나프틸기 등과 같이 공액화(conjugated) 구조가 짧은 아릴기가 결합됨으로써 분자의 평면성이 감소하게 된다. 그 결과, 분자의 평면성이 작아지면 분자의 열적안정성이 우수해지고, 소자의 특성에 영향을 줄 수 있다.
추가적으로, 본 발명의 화합물에 중수소 치환을 도입할 경우 수명이 더 우수한 것을 알 수 있다.이러한 중수소 치환과 관련된 소자성능은 중수소가 치환됨에 따라서 모핵이 되는 골격과 치환기 사이의 뒤틀리는 정도 차에 의해서 화합물이 가지고 있는 정공이동도 차이 특성을 보인다. 뿐만 아니라 화합물은 서로 다른 거리를 가지게 되며, 이러한 거리는 인접한 층과 원활한 상호작용에 의해 긍정적인 효과를 보인다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다.
100, 200, 300 : 유기전기소자 110 : 제1 전극
120 : 정공주입층 130 : 정공수송층
140 : 발광층 150 : 전자수송층
160 : 전자주입층 170 : 제2 전극
180 : 광효율 개선층 210 : 버퍼층
220 : 발광보조층 320 : 제1 정공주입층
330 : 제1 정공수송층 340 : 제1 발광층
350 : 제1 전자수송층 360 : 제1 전하생성층
361 : 제2 전하생성층 420 : 제2 정공주입층
430 : 제2 정공수송층 440 : 제2 발광층
450 : 제2 전자수송층 CGL : 전하생성층
ST1 : 제1 스택 ST2 : 제2 스택
120 : 정공주입층 130 : 정공수송층
140 : 발광층 150 : 전자수송층
160 : 전자주입층 170 : 제2 전극
180 : 광효율 개선층 210 : 버퍼층
220 : 발광보조층 320 : 제1 정공주입층
330 : 제1 정공수송층 340 : 제1 발광층
350 : 제1 전자수송층 360 : 제1 전하생성층
361 : 제2 전하생성층 420 : 제2 정공주입층
430 : 제2 정공수송층 440 : 제2 발광층
450 : 제2 전자수송층 CGL : 전하생성층
ST1 : 제1 스택 ST2 : 제2 스택
Claims (15)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물
<화학식 1>
{상기 화학식 1에서,
1) X는 O 또는 S이며,
2) Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기이고,
3) L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C12의 아릴기;이며,
4) Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 C6~C12의 아릴기이고,
5) R1 및 R2는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되고,
단, R1 및 R2는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 없으며,
6) L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
7) 상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
8) a는 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 2의 정수이며,
9) 상기 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 지방족고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C12의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C12의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물이 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물
<화학식 2-1> <화학식 2-2> <화학식 2-3>
{상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에서,
1) X, Ar1, Ar3, L1, L2, R1, R2, a 및 b는 상기 청구항 1에서 정의된 바와 동일하며,
2) R3, R4, R5 및 R6은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C12의 아릴기;로 이루어진 군에서 선택되며,
단, R3, R4, R5 및 R6은 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 없으며,
3) c 및 d는 0 내지 5의 정수이고, e는 0 내지 4의 정수이며, f는 0 내지 7의 정수이다.}
- 제1항에 있어서, 상기 Ar1은 하기 화학식 Ar-1 내지 Ar-4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물
<화학식 Ar-1> <화학식 Ar-2> <화학식 Ar-3> <화학식 Ar-4>
{상기 화학식 Ar-1 내지 화학식 Ar-4에서,
1) *는 결합하는 위치를 나타내며,
2) R11 및 R12는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소, C6~C60의 아릴기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
3) m은 0 내지 5의 정수이며, n은 0 내지 4의 정수이다.}
- 제1항에 있어서, 상기 Ar1, Ar2, Ar3, L1 및 L2 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물
- 제1항에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 단독화합물 또는 2 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자
- 제7항에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자
- 제7항에 있어서, 상기 유기물층은 발광보조층인 것을 특징으로 하는 유기전기소자
- 제7항에 있어서, 상기 양극과 음극의 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 적어도 일면에 형성되는 광효율 개선층을 더 포함하는 유기전기소자
- 제7항에 있어서, 상기 유기물층은 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자
- 제11항에 있어서, 상기 유기물층은 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자
- 제7항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자 장치
- 제13항에 있어서, 상기 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자 장치
- 유기 발광 소자의 제조 공정에서 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 재료를 증착시키는 단계;
증착기구로부터 회수된 미정제의 유기 발광 재료의 불순물을 제거하는 단계;
제거된 상기 불순물을 회수하는 단계; 및
상기 회수된 불순물을 순도 99.9% 이상으로 정제하는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 재사용 방법
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220124462A KR20240044902A (ko) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| PCT/KR2023/013921 WO2024071770A1 (ko) | 2022-09-29 | 2023-09-15 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220124462A KR20240044902A (ko) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240044902A true KR20240044902A (ko) | 2024-04-05 |
Family
ID=90478485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220124462A KR20240044902A (ko) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240044902A (ko) |
| WO (1) | WO2024071770A1 (ko) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101268916B1 (ko) * | 2012-09-10 | 2013-05-29 | 신상규 | 유기발광재료의 회수방법 |
| KR102428221B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2022-08-02 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR20220082949A (ko) * | 2020-12-09 | 2022-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물 |
| CN114685411A (zh) * | 2020-12-25 | 2022-07-01 | 北京鼎材科技有限公司 | 有机化合物及其应用、有机电致发光器件 |
| CN113387818B (zh) * | 2021-06-11 | 2023-05-30 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 化合物和包含该化合物的有机电致发光装置和电子设备 |
-
2022
- 2022-09-29 KR KR1020220124462A patent/KR20240044902A/ko unknown
-
2023
- 2023-09-15 WO PCT/KR2023/013921 patent/WO2024071770A1/ko unknown
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024071770A1 (ko) | 2024-04-04 |
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