KR20240043101A - 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 172
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 26
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/103—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding or embedding conductive wires or strips
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/44—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10287—Metal wires as connectors or conductors
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
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Abstract
배선 회로 기판(1)의 제조 방법은, 기재(S)를 준비하는 준비 공정과, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽측에 제 1 절연층(14)을 형성하는 제 1 패터닝 공정과, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(14)의 한쪽측에 도체 패턴(15)을 형성하는 제 2 패터닝 공정과, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽측에 금속을 퇴적시켜 제 1 금속 지지층(11)을 형성하는 퇴적 공정을 포함한다. 도체 패턴(15)은, 단자(151A, 151B)와, 배선(153A, 153B)을 갖는다. 제 1 금속 지지층(11)은, 단자(151A, 151B)를 지지하는 단자 지지부(111A)와, 배선(153A)을 지지하는 배선 지지부(112A)와, 배선(153B)을 지지하며, 배선 지지부(112A)와 간격을 두고 나열되는 배선 지지부(112B)를 갖는다.
Description
본 발명은, 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판에 관한 것이다.
종래, 히트 싱크로서 기능하는 금속계 지지층을 구비하는 배선 회로 기판에 있어서, 제 1 연결체와, 제 1 연결체로부터 떨어져 배치되는 제 2 연결체와, 제 1 연결체와 제 2 연결체 사이에 배치되며, 서로 간격을 두고 나열되는 복수의 배선체를 마련하여, 방열성(放熱性)의 향상을 도모하는 것이 제안되어 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조.).
상기한 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 배선 회로 기판에 있어서, 배선체의 더한층의 파인 피치화가 요망되고 있다.
본 발명은, 배선 지지부의 파인 피치화를 도모할 수 있는 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판을 제공한다.
본 발명 [1]은, 기재를 준비하는 준비 공정과, 두께 방향에 있어서의 상기 기재의 한쪽측에, 절연층을 형성하는 제 1 패터닝 공정과, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 한쪽측에, 제 1 단자와, 제 2 단자와, 상기 제 1 단자와 접속되는 제 1 배선과, 상기 제 2 단자와 접속되며, 상기 제 1 배선과 간격을 두고 나열되는 제 2 배선을 갖는 도체 패턴을 형성하는 제 2 패터닝 공정과, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 기재의 다른쪽측에 금속을 퇴적시켜, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자를 지지하는 단자 지지부와, 상기 제 1 배선을 지지하는 제 1 배선 지지부와, 상기 제 2 배선을 지지하며, 상기 제 1 배선 지지부와 간격을 두고 나열되는 제 2 배선 지지부를 갖는 제 1 금속 지지층을 형성하는 퇴적 공정을 포함하는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 방법에 의하면, 금속을 퇴적시키는 것에 의해, 제 1 금속 지지층을, 소정의 형상(단자 지지부와, 제 1 배선 지지부와, 제 2 배선 지지부를 갖는 형상)으로 패터닝한다.
그 때문에, 에칭 등의 방법에 의해 금속을 제거하는 것에 의해 제 1 금속 지지층을 패터닝하는 경우와 비교해서, 금속을 과도하게 제거해 버리지 않고, 원하는 형상의 제 1 금속 지지층을, 안정하게 얻을 수 있다.
그 결과, 배선 지지부의 파인 피치화를 도모할 수 있다.
본 발명 [2]는, 상기 퇴적 공정 후, 상기 기재를 에칭하여, 상기 제 1 금속 지지층과 상기 절연층 사이에 배치되는 제 2 금속 지지층을 형성하는 에칭 공정을, 추가로 포함하는, 상기 [1]의 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 방법에 의하면, 제 1 금속 지지층을 원하는 형상으로 형성한 후, 간이한 방법으로 제 2 금속 지지층을 패터닝할 수 있다.
본 발명 [3]은, 상기 퇴적 공정 전에, 상기 두께 방향에 있어서 상기 기재의 다른쪽면 위에, 금속으로 이루어지는 밀착층을 형성하는 밀착층 형성 공정을, 추가로 포함하고, 상기 퇴적 공정에 있어서, 상기 밀착층 위에 제 1 금속 지지층을 형성하는, 상기 [1] 또는 [2]의 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 방법에 의하면, 제 1 금속 지지층과 제 2 금속 지지층의 밀착성을 확보할 수 있다.
본 발명 [4]는, 상기 퇴적 공정 전에, 상기 기재의 두께를 얇게 하는 박층화 공정을, 추가로 포함하는, 상기 [2]의 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 방법에 의하면, 에칭 공정에 있어서, 박층화된 기재를 에칭하는 것에 의해, 제 2 금속 지지층을 형성할 수 있다.
그 때문에, 에칭 공정을 단축할 수 있다.
본 발명 [5]는, 상기 기재가, 상기 단자 지지부가 형성되는 제 1 영역과, 상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부가 형성되는 제 2 영역을 갖고, 상기 박층화 공정에서는, 상기 제 1 영역의 두께를 얇게 하지 않고, 상기 제 2 영역의 두께를 얇게 하는, 상기 [4]의 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 방법에 의하면, 단자를 지지하는 제 1 영역의 강성을 저하시키지 않고, 에칭 공정을 단축할 수 있다.
본 발명 [6]은, 절연층과, 두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 한쪽측에 배치되고, 제 1 단자와, 제 2 단자와, 상기 제 1 단자와 접속되는 제 1 배선과, 상기 제 2 단자와 접속되며, 상기 제 1 배선과 간격을 두고 나열되는 제 2 배선을 갖는 도체 패턴과, 두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 다른쪽측에 배치되고, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자를 지지하는 단자 지지부와, 상기 제 1 배선을 지지하는 제 1 배선 지지부와, 상기 제 2 배선을 지지하며, 상기 제 1 배선 지지부와 간격을 두고 나열되는 제 2 배선 지지부를 갖는 제 1 금속 지지층과, 상기 제 1 금속 지지층과 상기 절연층 사이에 배치되는 제 2 금속 지지층을 구비하고, 상기 제 1 금속 지지층이, 상기 제 2 금속 지지층보다도 두꺼운, 배선 회로 기판을 포함한다.
이와 같은 구성에 의하면, 두께 방향에 있어서의 절연층의 다른쪽측에, 제 2 금속 지지층과, 제 2 금속 지지층보다도 두꺼운 제 1 금속 지지층으로 이루어지는 두꺼운 금속층을 형성할 수 있다.
이에 의해, 배선 회로 기판의 방열성을 확보할 수 있다.
나아가, 이와 같은 구성의 배선 회로 기판은, 상기한 제조 방법을 사용하여 제조할 수 있으므로, 배선 지지부의 파인 피치화를 도모할 수도 있다.
본 발명 [7]은, 상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부의 각각 위에 있어서, 상기 제 2 금속 지지층의 폭이, 상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부의 각각의 폭보다도 넓은, 상기 [6]의 배선 회로 기판을 포함한다.
이와 같은 구성에 의하면, 제 2 금속 지지층으로 배선 지지부를 안정하게 받칠 수 있다.
본 발명 [8]은, 상기 제 1 금속 지지층과 상기 제 2 금속 지지층 사이에 배치되는 밀착층을, 추가로 갖는, 상기 [6] 또는 [7]의 배선 회로 기판을 포함한다.
이와 같은 구성에 의하면, 제 1 금속 지지층과 제 2 금속 지지층의 밀착성을 확보할 수 있다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판에 의하면, 배선 지지부의 파인 피치화를 도모할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태로서의 배선 회로 기판의 평면도이다.
도 2의 (A)는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 A-A 단면도이다. 도 2의 (B)는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 B-B 단면도이다.
도 3은, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 이면도이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (D)는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (A)는, 준비 공정을 나타내고, 도 4의 (B)는, 제 1 패턴 공정을 나타내고, 도 4의 (C)는, 제 2 패턴 공정을 나타내며, 도 4의 (D)는, 제 3 패턴 공정을 나타낸다.
도 5의 (A) 내지 도 5의 (C)는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (D)에 계속해서, 도 5의 (A)는, 밀착층 형성 공정을 나타내고, 도 5의 (B)는, 퇴적 공정을 나타내며, 도 5의 (C)는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 6의 (A) 내지 도 6의 (D)는, 변형예 (1)의 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (D)에 계속해서, 도 6의 (A)는, 박층화 공정을 나타내고, 도 6의 (B)는, 밀착층 형성 공정을 나타내고, 도 6의 (C)는, 퇴적 공정을 나타내며, 도 6의 (D)는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 7의 (A)는, 변형예 (2)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 박층화 공정을 설명하는 설명도이다. 도 7의 (B)는, 변형예 (2)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어진 배선 회로 기판의 단면도이며, 도 1의 A-A선에 상당하는 단면도이다.
도 8의 (A)는, 변형예 (4)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 에칭 공정을 설명하는 설명도이다. 도 8의 (B)는, 변형예 (4)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어진 배선 회로 기판의 단면도이며, 도 1의 B-B선에 상당하는 단면도이다.
도 9의 (A)는, 변형예 (5)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 밀착층 형성 공정을 설명하는 설명도이다. 도 9의 (B)는, 변형예 (5)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 퇴적 공정을 설명하는 설명도이다.
도 2의 (A)는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 A-A 단면도이다. 도 2의 (B)는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 B-B 단면도이다.
도 3은, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 이면도이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (D)는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (A)는, 준비 공정을 나타내고, 도 4의 (B)는, 제 1 패턴 공정을 나타내고, 도 4의 (C)는, 제 2 패턴 공정을 나타내며, 도 4의 (D)는, 제 3 패턴 공정을 나타낸다.
도 5의 (A) 내지 도 5의 (C)는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (D)에 계속해서, 도 5의 (A)는, 밀착층 형성 공정을 나타내고, 도 5의 (B)는, 퇴적 공정을 나타내며, 도 5의 (C)는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 6의 (A) 내지 도 6의 (D)는, 변형예 (1)의 배선 회로 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 도 4의 (D)에 계속해서, 도 6의 (A)는, 박층화 공정을 나타내고, 도 6의 (B)는, 밀착층 형성 공정을 나타내고, 도 6의 (C)는, 퇴적 공정을 나타내며, 도 6의 (D)는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 7의 (A)는, 변형예 (2)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 박층화 공정을 설명하는 설명도이다. 도 7의 (B)는, 변형예 (2)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어진 배선 회로 기판의 단면도이며, 도 1의 A-A선에 상당하는 단면도이다.
도 8의 (A)는, 변형예 (4)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 에칭 공정을 설명하는 설명도이다. 도 8의 (B)는, 변형예 (4)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어진 배선 회로 기판의 단면도이며, 도 1의 B-B선에 상당하는 단면도이다.
도 9의 (A)는, 변형예 (5)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 밀착층 형성 공정을 설명하는 설명도이다. 도 9의 (B)는, 변형예 (5)의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 퇴적 공정을 설명하는 설명도이다.
1. 배선 회로 기판
도 1 내지 도 3을 참조하여, 배선 회로 기판(1)에 대하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 2개의 단자 배치부(2A, 2B)와, 복수의 접속부(3A, 3B, 3C)를 갖는다. 단자 배치부(2A, 2B)는, 제 1 방향에 있어서, 서로 간격을 두고 배치된다. 제 1 방향은, 배선 회로 기판(1)의 두께 방향과 직교한다. 단자 배치부(2A, 2B)의 각각은, 제 2 방향으로 연장된다. 제 2 방향은, 제 1 방향 및 두께 방향의 양쪽과 직교한다. 단자 배치부(2A)에는, 후술하는 도체 패턴(15)의 단자(151A, 151B, 151C)가 배치된다. 단자 배치부(2B)에는, 후술하는 도체 패턴(15)의 단자(152A, 152B, 152C)가 배치된다.
접속부(3A, 3B, 3C)는, 단자 배치부(2A)와 단자 배치부(2B)를 연결한다. 접속부(3A, 3B, 3C)는, 제 1 방향에 있어서, 단자 배치부(2A)와 단자 배치부(2B) 사이에 배치된다. 본 실시형태에서는, 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각은, 제 1 방향으로 연장된다. 제 1 방향에 있어서의 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 일단부는, 단자 배치부(2A)와 접속된다. 제 1 방향에 있어서의 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 타단부는, 단자 배치부(2B)와 접속된다. 한편, 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 형상은, 한정되지 않는다. 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각은, 직선 형상이어도 되고, 만곡되어 있어도 된다. 접속부(3A, 3B, 3C)는, 제 2 방향에 있어서, 서로 간격을 두고 나열된다. 바꾸어 말하면, 접속부(3A, 3B, 3C)는, 접속부(3A)가 연장되는 방향과 직교하는 방향에 있어서, 서로 간격을 두고 나열된다. 접속부(3A)에는, 후술하는 도체 패턴(15)의 배선(153A)이 배치된다. 접속부(3B)에는, 후술하는 도체 패턴(15)의 배선(153B)이 배치된다. 접속부(3C)에는, 후술하는 도체 패턴(15)의 배선(153C)이 배치된다.
접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 폭(W0)은, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 폭(W0)은, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이다.
한편, 「폭」이란, 접속부가 연장되는 방향 및 두께 방향의 양쪽과 직교하는 방향에 있어서의 최대의 길이이다. 예를 들면, 접속부(3A)의 「폭」이란, 접속부(3A)가 연장되는 방향 및 두께 방향의 양쪽과 직교하는 방향에 있어서의 최대의 길이이다. 본 실시형태에서는, 「폭」이란, 제 2 방향에 있어서의 최대의 길이이다.
접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 간격(D1)은, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 간격(D1)은, 예를 들면, 5μm 이상, 바람직하게는, 10μm 이상이다.
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 제 1 금속 지지층(11)과, 제 2 금속 지지층(12)과, 밀착층(13)과, 절연층의 일례로서의 제 1 절연층(14)과, 도체 패턴(15)과, 제 2 절연층(16)을 구비한다.
(1) 제 1 금속 지지층
제 1 금속 지지층(11)은, 제 2 금속 지지층(12)과 함께, 제 1 절연층(14), 도체 패턴(15) 및 제 2 절연층(16)을 지지한다. 제 1 금속 지지층(11)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14)의 다른쪽측에 배치된다. 제 1 금속 지지층(11)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14)으로부터 떨어져 배치된다. 제 1 금속 지지층(11)은, 금속으로 이루어진다. 제 1 금속 지지층(11)의 재료로서, 예를 들면, 구리, 니켈, 코발트, 철, 및 이들의 합금을 들 수 있다. 합금으로서, 예를 들면, 구리 합금을 들 수 있다. 제 1 금속 지지층(11)의 재료로서, 바람직하게는, 구리 합금을 들 수 있다.
제 1 금속 지지층(11)의 두께(T1)는, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이며, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 제 1 금속 지지층(11)은, 바람직하게는, 제 2 금속 지지층(12)보다도 두껍다.
제 2 금속 지지층(12)의 두께(T2)에 대한 제 1 금속 지지층(11)의 두께(T1)의 비율(T1/T2)은, 예를 들면, 1.5 이상, 바람직하게는, 2 이상, 보다 바람직하게는, 4 이상이며, 예를 들면, 20 이하, 바람직하게는, 10 이하이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속 지지층(11)은, 2개의 단자 지지부(111A, 111B)와, 복수의 배선 지지부(112A, 112B, 112C)를 갖는다.
단자 지지부(111A)는, 단자 배치부(2A)(도 1 참조)의 제 1 금속 지지층(11)이다. 단자 지지부(111A)는, 도체 패턴(15) 중 적어도 단자(151A, 151B, 151C)를 지지한다. 단자 지지부(111A)는, 도체 패턴(15) 중 배선(153A, 153B, 153C)의 각각의 일부를 지지해도 된다.
단자 지지부(111B)는, 단자 배치부(2B)(도 1 참조)의 제 1 금속 지지층(11)이다. 단자 지지부(111B)는, 제 1 방향에 있어서, 단자 지지부(111A)와 간격을 두고 배치된다. 단자 지지부(111B)는, 도체 패턴(15) 중 적어도 단자(152A, 152B, 152C)를 지지한다. 단자 지지부(111B)는, 도체 패턴(15) 중 배선(153A, 153B, 153C)의 각각의 일부를 지지해도 된다.
배선 지지부(112A)는, 접속부(3A)(도 1 참조)의 제 1 금속 지지층(11)이다. 배선 지지부(112A)는, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B)를 연결한다. 배선 지지부(112A)는, 제 1 방향에 있어서, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B) 사이에 배치된다. 배선 지지부(112A)는, 제 1 방향으로 연장된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112A)의 일단부는, 단자 지지부(111A)와 접속된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112A)의 타단부는, 단자 지지부(111B)와 접속된다. 배선 지지부(112A)는, 배선(153A)(도 1 참조)을 지지한다.
배선 지지부(112B)는, 접속부(3B)(도 1 참조)의 제 1 금속 지지층(11)이다. 배선 지지부(112B)는, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B)를 연결한다. 배선 지지부(112B)는, 제 1 방향에 있어서, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B) 사이에 배치된다. 배선 지지부(112B)는, 제 1 방향으로 연장된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112B)의 일단부는, 단자 지지부(111A)와 접속된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112B)의 타단부는, 단자 지지부(111B)와 접속된다. 배선 지지부(112B)는, 배선(153B)(도 1 참조)을 지지한다. 배선 지지부(112B)는, 제 2 방향에 있어서, 배선 지지부(112A)와 간격을 두고 나열된다.
배선 지지부(112C)는, 접속부(3C)(도 1 참조)의 제 1 금속 지지층(11)이다. 배선 지지부(112C)는, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B)를 연결한다. 배선 지지부(112C)는, 제 1 방향에 있어서, 단자 지지부(111A)와 단자 지지부(111B) 사이에 배치된다. 배선 지지부(112C)는, 제 1 방향으로 연장된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112C)의 일단부는, 단자 지지부(111A)와 접속된다. 제 1 방향에 있어서의 배선 지지부(112C)의 타단부는, 단자 지지부(111B)와 접속된다. 배선 지지부(112C)는, 배선(153C)(도 1 참조)을 지지한다. 배선 지지부(112C)는, 제 2 방향에 있어서, 배선 지지부(112B)와 간격을 두고 나열된다.
도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)은, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)은, 바람직하게는, 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 폭(W0)(도 1 참조)보다도 좁다. 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)은, 예를 들면, 5μm 이상, 바람직하게는, 10μm 이상이다.
배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)에 대한 제 1 금속 지지층(11)의 두께(T1)의 비율(T1/W1)은, 예를 들면, 1 이상, 바람직하게는, 5 이상이다. 비율(T1/W1)이 상기 하한치 이상이면, 방열성의 향상을 도모할 수 있다. 비율(T1/W1)은, 예를 들면, 30 이하, 바람직하게는, 10 이하이다. 비율(T1/W1)이 상기 상한치 이하이면, 지지 강도의 저하를 억제할 수 있다.
배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 간격(D2)은, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 간격(D2)은, 예를 들면, 5μm 이상, 바람직하게는, 10μm 이상이다. 간격(D2)은, 바람직하게는, 간격(D1)보다도 길다. 간격(D2)이 간격(D1)보다도 긴 것에 의해, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각 사이로부터의 방열성을 확보할 수 있다.
(2) 제 2 금속 지지층
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 제 2 금속 지지층(12)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14)의 다른쪽측에 배치된다. 제 2 금속 지지층(12)은, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(14)의 다른쪽면 위에 배치된다. 제 2 금속 지지층(12)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 금속 지지층(11)과 제 1 절연층(14) 사이에 배치된다. 제 2 금속 지지층(12)은, 금속으로 이루어진다. 제 2 금속 지지층(12)의 재료로서, 예를 들면, 구리, 구리 합금, 스테인리스, 니켈, 타이타늄, 및 42 알로이를 들 수 있다. 제 2 금속 지지층(12)의 재료는, 제 1 금속 지지층(11)의 재료와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 제 2 금속 지지층(12)의 재료로서, 바람직하게는, 구리 합금을 들 수 있다.
제 2 금속 지지층(12)의 두께(T2)는, 예를 들면, 5μm 이상, 바람직하게는, 10μm 이상이며, 예를 들면, 100μm 이하, 바람직하게는, 50μm 이하이다.
접속부(3A, 3B, 3C)의 각각에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)은, 예를 들면, 300μm 이하, 바람직하게는, 250μm 이하이다. 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)은, 바람직하게는, 접속부(3A, 3B, 3C)의 각각의 폭(W0) 이하이다.
접속부(3A, 3B, 3C)의 각각에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)은, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이다.
접속부(3A, 3B, 3C)의 각각에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)은, 바람직하게는, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)보다도 넓다. 즉, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각 위에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)은, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 각각의 폭(W1)보다도 넓다.
(3) 밀착층
밀착층(13)은, 필요에 따라, 두께 방향에 있어서, 제 1 금속 지지층(11)과 제 2 금속 지지층(12) 사이에 배치된다. 밀착층(13)은, 두께 방향에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)의 다른쪽면 위에 배치된다. 밀착층(13)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 금속 지지층(11)의 한쪽면과 접촉한다. 밀착층(13)은, 제 2 금속 지지층(12)에 대한 제 1 금속 지지층(11)의 밀착성을 확보한다. 밀착층(13)은, 금속으로 이루어진다. 밀착층(13)의 재료로서, 예를 들면, 구리, 크로뮴, 니켈, 및 코발트를 들 수 있다.
밀착층(13)의 두께는, 예를 들면, 0.05μm 이상, 바람직하게는, 0.1μm 이상이며, 예를 들면, 50μm 이하, 바람직하게는, 10μm 이하이다.
(4) 절연층
제 1 절연층(14)은, 두께 방향에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)의 한쪽측에 배치된다. 제 1 절연층(14)은, 두께 방향에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)의 한쪽면 위에 배치된다. 제 1 절연층(14)은, 제 2 금속 지지층(12)과 도체 패턴(15) 사이에 배치된다. 제 1 절연층(14)은, 제 2 금속 지지층(12)과 도체 패턴(15)을 절연한다. 제 1 절연층(14)은, 수지로 이루어진다. 수지로서, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다.
(5) 도체 패턴
도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14)의 한쪽측에 배치된다. 도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(14)의 한쪽면 위에 배치된다. 도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14)에 대해서, 제 1 금속 지지층(11) 및 제 2 금속 지지층(12)의 반대측에 배치된다. 도체 패턴(15)은, 금속으로 이루어진다. 금속으로서, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 구리를 들 수 있다. 도체 패턴(15)의 형상은, 한정되지 않는다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 도체 패턴(15)은, 복수의 단자(151A, 151B, 151C)와, 복수의 단자(152A, 152B, 152C)와, 복수의 배선(153A, 153B, 153C)을 갖는다.
단자(151A, 151B, 151C)는, 단자 배치부(2A)에 배치된다. 단자(151A, 151B, 151C)의 각각은, 사각 랜드 형상을 갖는다. 단자(151A, 151B, 151C)는, 서로 간격을 두고 제 2 방향으로 나열된다.
단자(152A, 152B, 152C)는, 단자 배치부(2B)에 배치된다. 단자(152A, 152B, 152C)의 각각은, 사각 랜드 형상을 갖는다. 단자(152A, 152B, 152C)는, 서로 간격을 두고 제 2 방향으로 나열된다.
배선(153A)은, 단자(151A)와 단자(152A)를 전기적으로 접속한다. 배선(153A)의 일단부는, 단자(151A)와 접속된다. 배선(153A)의 타단부는, 단자(152A)와 접속된다. 배선(153A)의 적어도 일부는, 접속부(3A)에 배치된다.
배선(153B)은, 단자(151B)와 단자(152B)를 전기적으로 접속한다. 배선(153B)의 일단부는, 단자(151B)와 접속된다. 배선(153B)의 타단부는, 단자(152B)와 접속된다. 배선(153B)의 적어도 일부는, 접속부(3B)에 배치된다. 배선(153B)은, 제 2 방향에 있어서, 배선(153A)과 간격을 두고 나열된다.
배선(153C)은, 단자(151C)와 단자(152C)를 전기적으로 접속한다. 배선(153C)의 일단부는, 단자(151C)와 접속된다. 배선(153C)의 타단부는, 단자(152C)와 접속된다. 배선(153C)의 적어도 일부는, 접속부(3C)에 배치된다. 배선(153C)은, 제 2 방향에 있어서, 배선(153B)과 간격을 두고 나열된다.
(6) 제 2 절연층
도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층(16)은, 모든 배선(153A, 153B, 153C)을 덮는다. 제 2 절연층(16)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(14) 위에 배치된다. 한편, 제 2 절연층(16)은, 도 1 및 도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 단자(151A, 151B, 151C), 및 단자(152A, 152B, 152C)를 덮지 않는다. 제 2 절연층(16)은, 수지로 이루어진다. 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다.
2. 배선 회로 기판의 제조 방법
다음으로, 도 4의 (A) 내지 도 5의 (C)를 참조하여, 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
배선 회로 기판(1)의 제조 방법은, 준비 공정(도 4의 (A) 참조)과, 제 1 패터닝 공정(도 4의 (B) 참조)과, 제 2 패터닝 공정(도 4의 (C) 참조)과, 제 3 패터닝 공정(도 4의 (D) 참조)과, 밀착층 형성 공정(도 5의 (A) 참조)과, 퇴적 공정(도 5의 (B) 참조)과, 에칭 공정(도 5의 (C) 참조)을 포함한다. 한편, 밀착층 형성 공정은, 필요에 따라 실시된다.
(1) 준비 공정
도 4의 (A)에 나타내는 바와 같이, 준비 공정에서는, 기재(S)를 준비한다. 본 실시형태에서는, 기재(S)는, 금속박의 롤로부터 인출된 금속박이다. 기재(S)의 재료는, 제 2 금속 지지층(12)의 재료와 동일하다.
(2) 제 1 패터닝 공정
도 4의 (B)에 나타내는 바와 같이, 제 1 패터닝 공정에서는, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽측에, 제 1 절연층(14)을 형성한다. 제 1 패터닝 공정에서는, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면 위에, 제 1 절연층(14)을 형성한다.
제 1 절연층(14)을 형성하기 위해서는, 우선, 기재(S) 위에 감광성 수지의 용액(바니스)을 도포하고 건조하여, 감광성 수지의 도막을 형성한다. 다음으로, 감광성 수지의 도막을 노광 및 현상한다. 이에 의해, 제 1 절연층(14)이, 기재(S) 위에, 소정의 패턴으로 형성된다.
(3) 제 2 패터닝 공정
도 4의 (C)에 나타내는 바와 같이, 제 2 패터닝 공정에서는, 전해 도금에 의해, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(14)의 한쪽측에, 도체 패턴(15)을 형성한다.
상세하게는, 우선, 제 1 절연층(14) 및 기재(S)의 표면에 시드층을 형성한다. 시드층은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 형성된다. 시드층의 재료로서는, 예를 들면, 크로뮴, 구리, 니켈, 타이타늄, 및 이들의 합금을 들 수 있다.
다음으로, 시드층이 형성된 제 1 절연층(14) 및 기재(S) 위에, 도금 레지스트를 첩합(貼合)하여, 도체 패턴(15)이 형성되는 부분을 차광한 상태에서, 도금 레지스트를 노광한다.
다음으로, 노광된 도금 레지스트를 현상한다. 그러면, 차광된 부분의 도금 레지스트가 제거되어, 도체 패턴(15)이 형성되는 부분에 시드층이 노출된다. 한편, 노광된 부분, 즉, 도체 패턴(15)이 형성되지 않는 부분의 도금 레지스트는, 남는다.
다음으로, 노출된 시드층 위에, 전해 도금에 의해, 도체 패턴(15)을 형성한다.
전해 도금이 종료된 후, 도금 레지스트는, 박리된다. 그 후, 도금 레지스트에 의해 덮여 있던 시드층을, 에칭에 의해 제거한다.
(4) 제 3 패터닝 공정
다음으로, 도 4의 (D)에 나타내는 바와 같이, 제 3 패터닝 공정에서는, 제 1 절연층(14) 및 도체 패턴(15) 위에, 제 1 절연층(14)과 마찬가지로 하여, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
이상에 의해, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면 위에 회로 패턴이 형성된다. 한편, 제 3 패터닝 공정 후, 밀착층 형성 공정 전에, 단자(151A, 151B, 151C), 및 단자(152A, 152B, 152C)를 보호하기 위한 도시하지 않은 단자 보호 레지스트를 형성한다. 단자 보호 레지스트는, 단자 배치부(2A, 2B)가 형성되는 부분에 형성되고, 에칭 공정(도 5의 (C) 참조)이 종료될 때까지 박리되지 않는다.
(5) 밀착층 형성 공정
다음으로, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 밀착층 형성 공정에서는, 퇴적 공정 전에, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 위에, 밀착층(13)을 형성한다.
밀착층(13)은, 예를 들면, 전해 도금 또는 스퍼터링에 의해 형성된다. 밀착층(13)을 전해 도금에 의해 형성하는 경우, 우선, 회로 패턴의 전부를 덮도록, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면에 도금 레지스트(R1)를 첩합한다. 다음으로, 전해 도금에 의해, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 전부에, 밀착층(13)을 형성한다. 밀착층(13)을 스퍼터링에 의해 형성하는 경우, 상기한 밀착층(13)의 재료로 이루어지는 타겟을 이용하여, 스퍼터링에 의해, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 전부에, 밀착층(13)을 형성한다.
(6) 퇴적 공정
다음으로, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 퇴적 공정에서는, 제 2 패터닝 공정 후, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽측에 금속을 퇴적시켜, 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다. 상세하게는, 밀착층(13) 위에 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다. 퇴적 공정에서는, 예를 들면, 전해 도금에 의해 금속을 퇴적시켜, 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다.
상세하게는, 도금 레지스트(R1)를 박리하지 않고, 우선, 밀착층(13) 위에, 도금 레지스트(R2)를 첩합하여, 제 1 금속 지지층(11)이 형성되는 부분을 차광한 상태에서, 도금 레지스트(R2)를 노광한다.
다음으로, 노광된 도금 레지스트(R2)를 현상한다. 그러면, 차광된 부분의 도금 레지스트가 제거되어, 제 1 금속 지지층(11)이 형성되는 부분에 밀착층(13)이 노출된다. 한편, 노광된 부분, 즉, 제 1 금속 지지층(11)이 형성되지 않는 부분의 도금 레지스트(R2)는, 남는다.
다음으로, 노출된 밀착층(13) 위에, 전해 도금에 의해, 금속을 퇴적시킨다. 이에 의해, 밀착층(13) 위에 제 1 금속 지지층(11)이 형성된다.
(7) 에칭 공정
다음으로, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정에서는, 퇴적 공정 후, 기재(S)를 에칭하여, 제 2 금속 지지층(12)을 형성한다.
상세하게는, 도금 레지스트(R2)를 박리하지 않고, 도금 레지스트(R1)를 박리하고, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽측으로부터, 기재(S) 및 밀착층(13)을 웨트 에칭한다.
그러면, 제 1 절연층(14), 제 2 절연층(16), 및 단자 보호 레지스트가 에칭 마스크로서 기능하고, 제 1 절연층(14), 제 2 절연층(16), 및 단자 보호 레지스트가 형성되어 있지 않은 부분의 기재(S) 및 밀착층(13)이, 제거된다.
이에 의해, 제 2 금속 지지층(12)이 형성된다.
그 후, 도금 레지스트(R2)가 박리된다.
3. 작용 효과
(1) 배선 회로 기판(1)의 방법에 의하면, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 전해 도금에 의해 금속을 퇴적시키는 것에 의해, 제 1 금속 지지층(11)을, 소정의 형상(단자 지지부(111A)와, 복수의 배선 지지부(112A, 112B, 112C)를 갖는 형상, 도 3 참조)으로 패터닝한다.
그 때문에, 에칭 등의 방법에 의해 금속을 제거하는 것에 의해 제 1 금속 지지층(11)을 패터닝하는 경우와 비교해서, 금속을 과도하게 제거해 버리지 않고, 원하는 형상의 제 1 금속 지지층(11)을, 안정하게 얻을 수 있다.
그 결과, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 파인 피치화를 도모할 수 있다.
(2) 배선 회로 기판(1)의 방법에 의하면, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 퇴적 공정 후, 기재(S)를 에칭하여, 제 2 금속 지지층(12)을 형성한다.
그 때문에, 제 1 금속 지지층(11)을 원하는 형상으로 형성한 후, 간이한 방법으로 제 2 금속 지지층(12)을 패터닝할 수 있다.
(3) 배선 회로 기판(1)의 방법에 의하면, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 퇴적 공정 전에, 두께 방향에 있어서 기재(S)의 다른쪽면 위에, 금속으로 이루어지는 밀착층(13)을 형성하고, 퇴적 공정에 있어서, 밀착층(13) 위에 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다.
그 때문에, 제 1 금속 지지층(11)과 제 2 금속 지지층(12)의 밀착성을 확보할 수 있다.
(4) 배선 회로 기판(1)에 의하면, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(14)의 다른쪽측에, 제 2 금속 지지층(12)과, 제 2 금속 지지층(12)보다도 두꺼운 제 1 금속 지지층(11)으로 이루어지는 두꺼운 금속층을 갖는다.
이에 의해, 배선 회로 기판(1)의 방열성을 확보할 수 있다.
나아가, 이와 같은 구성의 배선 회로 기판(1)은, 상기한 제조 방법을 사용하여 제조할 수 있으므로, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)의 파인 피치화를 도모할 수도 있다.
(5) 배선 회로 기판(1)에 의하면, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 접속부(3A)에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)의 폭(W2)이, 배선 지지부의 폭(W1)보다도 넓다.
그 때문에, 접속부(3A)에 있어서, 제 2 금속 지지층(12)으로 배선 지지부(112A)를 안정하게 받칠 수 있다.
(6) 배선 회로 기판(1)에 의하면, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속 지지층(11)과 제 2 금속 지지층(12) 사이에 배치되는 밀착층(13)을, 추가로 갖는다.
이와 같은 구성에 의하면, 제 1 금속 지지층(11)과 제 2 금속 지지층(12)의 밀착성을 확보할 수 있다.
4. 변형예
다음으로, 변형예에 대하여 설명한다. 변형예에 있어서, 상기한 실시형태와 마찬가지의 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
(1) 도 6의 (A)에 나타내는 바와 같이, 퇴적 공정 전에, 기재(S)의 두께를 얇게 하는 박층화 공정을 포함해도 된다. 퇴적 공정 전에 밀착층 형성 공정을 실시하는 경우, 박층화 공정은, 밀착층 형성 공정 전에 실시된다.
상세하게는, 박층화 공정에서는, 우선, 회로 패턴의 전부를 덮도록, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면에 도금 레지스트(R1)를 형성한다. 다음으로, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽측으로부터, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 일부를, 웨트 에칭한다. 이에 의해, 기재(S)의 두께를 얇게 한다.
다음으로, 상기한 실시형태와 마찬가지로, 도 6의 (B)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 위에 밀착층(13)을 형성하고(밀착층 형성 공정), 도 6의 (C)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(13) 위에 금속을 퇴적시켜 제 1 금속 지지층(11)을 형성하며(퇴적 공정), 그 후, 도 6의 (D)에 나타내는 바와 같이, 기재(S)를 에칭한다(에칭 공정).
이 변형예에서는, 에칭 공정에 있어서, 박층화된 기재(S)를 에칭하는 것에 의해, 제 2 금속 지지층(12)을 형성할 수 있다.
그 때문에, 에칭 공정을 단축할 수 있다.
(2) 도 7의 (A)에 나타내는 바와 같이, 박층화 공정에 있어서, 기재(S) 중, 단자 지지부(111A, 111B)가 형성되는 제 1 영역(A1)의 두께를 얇게 하지 않고, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)가 형성되는 제 2 영역(A2)의 두께를 얇게 해도 된다. 바꾸어 말하면, 기재(S)는, 단자 지지부(111A, 111B)가 형성되는 제 1 영역(A1)과, 배선 지지부(112A, 112B, 112C)가 형성되는 제 2 영역(A2)을 갖고, 박층화 공정에서는, 제 1 영역(A1)의 두께를 얇게 하지 않고, 제 2 영역(A2)의 두께를 얇게 한다.
상세하게는, 이 변형예에서는, 박층화 공정에 있어서, 우선, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면에, 회로 패턴의 전부를 덮도록 도금 레지스트(R1)를 형성하고, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면에, 제 1 영역(A1)을 덮고, 제 2 영역(A2)을 노출하도록, 도금 레지스트(R3)를 형성한다. 다음으로, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽측으로부터, 기재(S)의 제 2 영역(A2)을, 웨트 에칭한다. 이에 의해, 기재(S)의 제 2 영역(A2)의 두께를 얇게 한다.
다음으로, 도금 레지스트(R3)를 박리하고, 상기한 변형예 (1)과 마찬가지로, 도 6의 (B)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 위에 밀착층(13)을 형성하고(밀착층 형성 공정), 도 6의 (C)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(13) 위에 금속을 퇴적시켜 제 1 금속 지지층(11)을 형성하며(퇴적 공정), 그 후, 도 6의 (D)에 나타내는 바와 같이, 기재(S)를 에칭한다(에칭 공정).
이 변형예에서는, 단자(151A, 151B, 151C)를 지지하는 제 1 영역(A1)의 강성을 저하시키지 않고, 에칭 공정을 단축할 수 있다.
한편, 이 변형예에서 얻어진 배선 회로 기판(1)에서는, 도 7의 (B)에 나타내는 바와 같이, 접속부(3A, 3B, 3C)의 금속층의 두께(T12)(제 1 금속 지지층(11), 제 2 금속 지지층(12) 및 밀착층(13)의 총 두께)가, 단자 배치부(2A, 2B)의 금속층의 두께(T11)보다도 얇다.
(3) 밀착층 형성 공정(도 5의 (A) 참조) 및 퇴적 공정(도 5의 (B) 참조)을, 제 1 패턴 공정(도 4의 (B) 참조), 제 2 패턴 공정(도 4의 (C) 참조) 및 제 3 패턴 공정(도 4의 (D) 참조) 전에 실시해도 된다.
상세하게는, 준비 공정(도 4의 (A) 참조)의 다음으로, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 위에 밀착층(13)을 형성하고(밀착층 형성 공정), 다음으로, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(13) 위에 금속을 퇴적시켜 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다(퇴적 공정).
다음으로, 제 1 패턴 공정(도 4의 (B) 참조), 제 2 패턴 공정(도 4의 (C) 참조) 및 제 3 패턴 공정(도 4의 (D) 참조)을 순서대로 실시하여 회로 패턴을 형성한다.
그 후, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 기재(S)를 에칭하여 제 2 금속 지지층(12)을 형성한다.
(4) 에칭 공정 후의 제 2 금속 지지층(12)의 형상은, 한정되지 않는다. 에칭 공정 후의 제 2 금속 지지층(12)은, 예를 들면, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서 제 1 금속 지지층(11)에 가까워짐에 따라 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가져도 되고, 도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 중앙 부분의 폭이, 두께 방향에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 일단부 및 타단부의 폭보다도 좁아지는 잘록한 형상을 가져도 된다.
에칭 공정 후의 제 2 금속 지지층(12)이 잘록한 형상을 갖고 있는 경우, 도 8의 (B)에 나타내는 바와 같이, 두께 방향에 있어서의 제 2 금속 지지층(12)의 타단부의 폭은, 제 1 금속 지지층(11)의 폭(W1)보다도 넓어도 된다. 또한, 배선 회로 기판(1)이 밀착층(13)을 갖는 경우, 밀착층(13)의 폭은, 제 1 금속 지지층(11)의 폭(W1)보다도 넓어도 된다.
(5) 밀착층 형성 공정에 있어서, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면 전부에 밀착층(13)을 형성하지 않아도 된다. 밀착층(13)은, 퇴적 공정에 있어서 제 1 금속 지지층(11)이 형성되는 부분에, 패턴 형성되어 있어도 된다.
상세하게는, 도 9의 (A)에 나타내는 바와 같이, 밀착층 형성 공정에 있어서, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 한쪽면에 상기한 도금 레지스트(R1)를 형성함과 함께, 두께 방향에 있어서의 기재(S)의 다른쪽면에 상기한 도금 레지스트(R2)를 형성한다.
다음으로, 도금 레지스트(R2)로부터 노출된 기재(S)의 다른쪽면 위에 밀착층(13)을 형성한다.
다음으로, 도 9의 (B)에 나타내는 바와 같이, 도금 레지스트(R1, R2)를 박리하지 않고, 밀착층(13) 위에 금속을 퇴적시켜, 밀착층(13) 위에 제 1 금속 지지층(11)을 형성한다.
(6) 변형예 (1) 내지 (5)에 있어서도, 상기한 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 배선 회로 기판의 제조에 이용된다.
1 배선 회로 기판
11 제 1 금속 지지층
12 제 2 금속 지지층
13 밀착층
14 제 1 절연층(절연층의 일례)
15 도체 패턴
111A 단자 지지부
112A 배선 지지부(제 1 배선 지지부의 일례)
112B 배선 지지부(제 2 배선 지지부의 일례)
151A 단자(제 1 단자의 일례)
151B 단자(제 2 단자의 일례)
153A 배선(제 1 배선의 일례)
153B 배선(제 2 배선의 일례)
A1 제 1 영역
A2 제 2 영역
S 기재
W1 배선 지지부의 폭
W2 제 2 금속 지지층의 폭
11 제 1 금속 지지층
12 제 2 금속 지지층
13 밀착층
14 제 1 절연층(절연층의 일례)
15 도체 패턴
111A 단자 지지부
112A 배선 지지부(제 1 배선 지지부의 일례)
112B 배선 지지부(제 2 배선 지지부의 일례)
151A 단자(제 1 단자의 일례)
151B 단자(제 2 단자의 일례)
153A 배선(제 1 배선의 일례)
153B 배선(제 2 배선의 일례)
A1 제 1 영역
A2 제 2 영역
S 기재
W1 배선 지지부의 폭
W2 제 2 금속 지지층의 폭
Claims (8)
- 기재를 준비하는 준비 공정과,
두께 방향에 있어서의 상기 기재의 한쪽측에, 절연층을 형성하는 제 1 패터닝 공정과,
상기 두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 한쪽측에, 제 1 단자와, 제 2 단자와, 상기 제 1 단자와 접속되는 제 1 배선과, 상기 제 2 단자와 접속되며, 상기 제 1 배선과 간격을 두고 나열되는 제 2 배선을 갖는 도체 패턴을 형성하는 제 2 패터닝 공정과,
상기 두께 방향에 있어서의 상기 기재의 다른쪽측에 금속을 퇴적시켜, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자를 지지하는 단자 지지부와, 상기 제 1 배선을 지지하는 제 1 배선 지지부와, 상기 제 2 배선을 지지하며, 상기 제 1 배선 지지부와 간격을 두고 나열되는 제 2 배선 지지부를 갖는 제 1 금속 지지층을 형성하는 퇴적 공정
을 포함하는, 배선 회로 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 퇴적 공정 후, 상기 기재를 에칭하여, 상기 제 1 금속 지지층과 상기 절연층 사이에 배치되는 제 2 금속 지지층을 형성하는 에칭 공정을, 추가로 포함하는, 배선 회로 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 퇴적 공정 전에, 상기 두께 방향에 있어서 상기 기재의 다른쪽면 위에, 금속으로 이루어지는 밀착층을 형성하는 밀착층 형성 공정을, 추가로 포함하고,
상기 퇴적 공정에 있어서, 상기 밀착층 위에 제 1 금속 지지층을 형성하는, 배선 회로 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 퇴적 공정 전에, 상기 기재의 두께를 얇게 하는 박층화 공정을, 추가로 포함하는, 배선 회로 기판의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 기재는, 상기 단자 지지부가 형성되는 제 1 영역과, 상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부가 형성되는 제 2 영역을 갖고,
상기 박층화 공정에서는, 상기 제 1 영역의 두께를 얇게 하지 않고, 상기 제 2 영역의 두께를 얇게 하는, 배선 회로 기판의 제조 방법. - 절연층과,
두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 한쪽측에 배치되고, 제 1 단자와, 제 2 단자와, 상기 제 1 단자와 접속되는 제 1 배선과, 상기 제 2 단자와 접속되며, 상기 제 1 배선과 간격을 두고 나열되는 제 2 배선을 갖는 도체 패턴과,
두께 방향에 있어서의 상기 절연층의 다른쪽측에 배치되고, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자를 지지하는 단자 지지부와, 상기 제 1 배선을 지지하는 제 1 배선 지지부와, 상기 제 2 배선을 지지하며, 상기 제 1 배선 지지부와 간격을 두고 나열되는 제 2 배선 지지부를 갖는 제 1 금속 지지층과,
상기 제 1 금속 지지층과 상기 절연층 사이에 배치되는 제 2 금속 지지층
을 구비하고,
상기 제 1 금속 지지층은, 상기 제 2 금속 지지층보다도 두꺼운, 배선 회로 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부의 각각 위에 있어서, 상기 제 2 금속 지지층의 폭은, 상기 제 1 배선 지지부 및 상기 제 2 배선 지지부의 각각의 폭보다도 넓은, 배선 회로 기판. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 금속 지지층과 상기 제 2 금속 지지층 사이에 배치되는 밀착층을, 추가로 갖는, 배선 회로 기판.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2022-152343 | 2022-09-26 | ||
| JP2022152343A JP2024046953A (ja) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240043101A true KR20240043101A (ko) | 2024-04-02 |
Family
ID=90318877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230125350A KR20240043101A (ko) | 2022-09-26 | 2023-09-20 | 배선 회로 기판의 제조 방법, 및 배선 회로 기판 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240114628A1 (ko) |
| JP (1) | JP2024046953A (ko) |
| KR (1) | KR20240043101A (ko) |
| CN (1) | CN117769146A (ko) |
| TW (1) | TW202418896A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019212656A (ja) | 2018-05-31 | 2019-12-12 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板 |
-
2022
- 2022-09-26 JP JP2022152343A patent/JP2024046953A/ja active Pending
-
2023
- 2023-09-20 US US18/471,046 patent/US20240114628A1/en active Pending
- 2023-09-20 KR KR1020230125350A patent/KR20240043101A/ko unknown
- 2023-09-22 TW TW112136300A patent/TW202418896A/zh unknown
- 2023-09-25 CN CN202311240168.5A patent/CN117769146A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019212656A (ja) | 2018-05-31 | 2019-12-12 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240114628A1 (en) | 2024-04-04 |
| TW202418896A (zh) | 2024-05-01 |
| JP2024046953A (ja) | 2024-04-05 |
| CN117769146A (zh) | 2024-03-26 |
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