KR20240042647A - 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법 - Google Patents

반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240042647A
KR20240042647A KR1020247007747A KR20247007747A KR20240042647A KR 20240042647 A KR20240042647 A KR 20240042647A KR 1020247007747 A KR1020247007747 A KR 1020247007747A KR 20247007747 A KR20247007747 A KR 20247007747A KR 20240042647 A KR20240042647 A KR 20240042647A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
parameter
impedance matching
impedance
matching
bit
Prior art date
Application number
KR1020247007747A
Other languages
English (en)
Inventor
원칭 리
강 웨이
징 양
수치 지앙
디 장
Original Assignee
베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. filed Critical 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Publication of KR20240042647A publication Critical patent/KR20240042647A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 출원의 실시예는 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법을 개시한다. 이를 통해 종래의 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 효율이 비교적 낮은 문제를 해결한다. 상기 방법은 공정 준비 단계 및 공정 글로우 단계를 포함한다. 공정 준비 단계에 있어서, 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 공정 글로우 단계에 있어서, 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행하고, 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 상기 기술적 해결책은 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 정확하게 자동 조절할 수 있다. 따라서 임피던스 매칭 시간을 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법
본 출원은 반도체 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법에 관한 것이다.
유도 결합 플라즈마 소스는 반도체 공정 장비 제조 분야에서 에칭, 박막 증착, 이온 주입 도핑 등 분야에 적용된다. 플라즈마 반응 챔버 내에는 유도 결합 코일 및 정전 척이 있다. 에칭 분야에서 유도 결합 플라즈마 소스의 주요 원리는 RF 전류가 유도 결합 코일을 흘러 반응 챔버 내에 전자기장을 생성하는 것이다. 전자기장은 반응 챔버 내에 주입되는 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성한다. 바이어스 전압 소스는 이온 충격 에너지를 제어하여 플라즈마를 가속시켜 웨이퍼에 도달시킴으로써 에칭을 구현한다. 여기에서 웨이퍼는 정전 흡착을 통해 정전 척에 고정된다.
전형적인 RF 방전 플라즈마 생성 시스템에서, RF 전원의 출력 임피던스는 일반적으로 50Ω인 반면, 플라즈마 반응 챔버의 등가 임피던스는 일반적으로 50Ω이 아니다. 상이한 공정 조건에서 플라즈마 반응 챔버의 등가 임피던스도 서로 상이하다. 전송 선로 이론에서는 RF 전원의 출력 임피던스가 부하 임피던스(즉, 플라즈마 반응 챔버의 등가 임피던스)와 다르면, RF 전원 출력 전력에 손실이 발생하여 출력 효율을 극대화할 수 없다고 지적한다. 이는 에너지 낭비를 초래하고 RF 전원 자체의 손상을 유발한다. 심지어 국부적 과열로 인해 화재 등 안전 문제를 야기한다. 또한 부하 임피던스의 크기는 플라즈마를 생성하는 공정 조건과 관련이 있다. 따라서 유도 결합 플라즈마 소스를 사용하는 과정에서, RF 전원과 플라즈마 반응 챔버 사이에 부하 임피던스를 자동 조절할 수 있는 임피던스 매처를 추가해야 한다. 임피던스 매처는 상이한 공정 조건에서 플라즈마 반응 챔버의 실제 임피던스를 기반으로, 임피던스 매처에 내장된 센서 및 제어 시스템을 통해 파라미터 조절 가능 소자(예를 들어 조절 가능한 커패시터)의 실제 값을 변경할 수 있다. 따라서 부하 임피던스를 50Ω과 동일하게 하여 임피던스 매칭을 구현함으로써, 상술한 문제가 발생하는 것을 방지한다.
종래의 임피던스 매처의 통상적인 작업 방식은 다음과 같다. 임피던스 매처 내부에 위치한 센서가 회로의 현재 임피던스값을 실시간으로 모니터링한다. RF 전원의 에너지가 임피던스 매처에 전달되면, 임피던스 매처는 센서가 실시간으로 피드백하는 현재 임피던스 모듈러스값 및 위상 크기를 기반으로, 임피던스 매처 사전 설정 알고리즘 작용 하에서 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값을 제어한다. 따라서 임피던스 매처와 플라즈마 반응 챔버의 임피던스값을 50Ω으로 조절하여 임피던스 매칭을 구현한다. 이러한 작업 방식을 채택하면, 임피던스 매칭과 조절 가능한 커패시터의 초기 커패시턴스값 선택이 밀접한 관련을 갖게 된다. 조절 가능한 커패시터의 초기 커패시턴스값 선택이 적절하지 않으면, 임피던스 매칭을 구현하지 못하거나 임피던스 매칭 효율이 낮아지는 등의 문제가 발생할 수 있다. 또한 플라즈마 반응 챔버 내부의 손실되기 쉬운 소자가 사용 과정에서 점진적으로 소모되어, 동일한 공정 조건에서 이의 임피던스값이 계속 변화한다. 따라서 조절 가능한 커패시터의 초기 커패시턴스값이 고정되어 변하지 않으면, 임피던스 매칭 과정이 점차 불일치해지고, 임피던스 매칭 효율이 갈수록 낮아질 수 있다.
본 출원 실시예의 목적은 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법을 제공하는 데에 있다. 이를 통해 종래의 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 효율이 비교적 낮은 문제를 해결하고자 한다.
상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 출원의 실시예는 하기와 같이 구현한다.
일 양상에 있어서, 본 출원의 실시예는 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법을 제공한다. 상기 방법은 공정 준비 단계 및 공정 글로우 단계를 포함한다.
공정 준비 단계: 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 상기 임피던스 매칭 데이터에는 상기 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 상기 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다.
공정 글로우 단계: 상기 임피던스 매처를 통해 상기 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 상기 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 상기 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
다른 일 양상에 있어서, 본 출원의 실시예는 반도체 공정 디바이스를 제공한다. 여기에는 RF 전원, 임피던스 매처 및 공정 챔버가 포함된다.
상기 RF 전원은 상기 임피던스 매처를 통해 상기 공정 챔버에 RF 전력을 인가하는 데 사용된다.
상기 임피던스 매처는 제어기 및 파라미터 조절 가능 소자를 포함한다. 상기 제어기는 다음과 같이 사용된다. 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 상기 임피던스 매칭 데이터는 상기 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트를 포함한다. 상기 파라미터 조절 비트를 기반으로 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 공정 글로우 단계에서 상기 RF 전원이 상기 임피던스 매처를 통해 상기 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가하면, 상기 파라미터 조절 가능 소자를 조절하여 임피던스 매칭에 도달시킨다. 임피던스 매칭에 도달하면 상기 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
또 다른 일 양상에 있어서, 본 출원의 실시예는 임피던스 매칭 디바이스를 제공한다. 여기에는 프로세서 및 상기 프로세서와 전기적으로 연결된 메모리가 포함된다. 상기 메모리에는 컴퓨터 프로그램이 저장된다. 상기 프로세서는 상기 메모리로부터 상기 컴퓨터 프로그램을 호출 및 실행하여 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법을 구현하는 데 사용된다.
또 다른 일 양상에 있어서, 본 출원의 실시예는 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 저장 매체를 제공한다. 상기 컴퓨터 프로그램은 프로세스에 의해 실행되어 상기 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법을 구현할 수 있다.
본 출원 실시예의 기술적 해결책을 채택하여, 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자를 조절한다. 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 따라서 상기 기술적 해결책을 채택하여 공정 준비 단계에서 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 자동 조절하는 효과를 구현한다. 또한 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 여기에서 알 수 있듯이, 상기 기술적 해결책은 공정 글로우 단계에서 임피던스 매칭에 도달하면, 임피던스 매칭 시 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 기반으로, 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 지속적으로 업데이트할 수 있다. 따라서 동일한 공정 글로우 단계를 다시 실행하기 전에, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 정확하게 자동으로 조절할 수 있다. 이를 통해 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 피드백하고 조절하는 효과를 구현한다. 이는 임피던스 매칭 시간을 크게 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킨다.
본 출원의 실시예 또는 종래 기술의 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 실시예 또는 종래 기술의 설명에 필요한 첨부 도면을 간략하게 소개한다. 이하의 설명에서 첨부 도면은 본 출원에 기재된 일부 실시예일 뿐이며, 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 창의적인 노력 없이 이러한 첨부 도면을 기반으로 다른 도면을 더 획득할 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 출원의 다른 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법의 흐름도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스의 구조도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스의 블록도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 디바이스의 구조도이다.
본 출원의 실시예는 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법을 제공한다. 이를 통해 종래의 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 효율이 비교적 낮은 문제를 해결한다.
본 발명이 속한 기술 분야의 당업자가 본 출원의 기술적 해결책을 보다 잘 이해할 수 있도록, 이하에서는 본 출원 실시예 중의 첨부 도면을 참조하여 본 출원 실시예 중의 기술적 해결책을 명확하고 완전하게 설명한다. 설명된 실시예는 본 출원의 전부가 아닌 일부 실시예이다. 본 출원의 실시예를 기반으로, 본 출원이 속한 기술 분야의 당업자가 창의적인 노력 없이 획득한 다른 모든 실시예는 본 출원의 보호 범위에 속한다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법의 흐름도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 도 1의 방법은 하기 단계를 포함할 수 있다.
S102 공정 준비 단계: 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 상기 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 상기 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다.
여기에서 반도체 공정 중 플라즈마 글로우에 관한 각 공정 단계는 일반적으로 모두 공정 준비 단계와 공정 글로우 단계로 구성된다. 각 공정 글로우 단계는 각각의 임피던스 매칭 데이터에 대응한다. 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 조절함으로써, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값의 조정을 구현할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 공정 준비 단계는 공정 챔버 내의 공정 가스 및 기압 설치, 정전 척 온도 가열, 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자 등 공정 조건 조절에 사용된다. 공정 조건이 공정 방식의 요구 수준에 도달하면, 공정 글로우 단계로 진입한다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 가능 소자는 조절 가능한 커패시터 및/또는 조절 가능한 인덕터를 포함한다. 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값은 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값, 조절 가능한 인덕터의 인덕턴스값 등을 포함할 수 있다. 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트는 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스 위치, 조절 가능한 인덕터의 인덕턴스 위치 등을 포함할 수 있다. 여기에서, 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 즉, 조절 가능한 커패시터의 상이한 커패시턴스 위치는 상이한 커패시턴스값에 대응하고, 조절 가능한 인덕터의 상이한 인덕턴스 위치는 상이한 인덕턴스값에 대응한다. 예를 들어, 파라미터 조절 가능 소자는 조절 가능한 커패시터이다. 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값은 50pf(피코패럿) 내지 500pf 사이에서 조절 가능하다. 대응하는 커패시턴스 위치는 0 내지 1000이다. 커패시턴스 위치가 0이면, 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값은 50pf이다. 커패시턴스 위치가 1000이면, 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값은 500pf이다. 이러한 방식으로 유추하며, 커패시턴스 위치가 0 내지 1000 사이에서 선형으로 변화하면, 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값은 50pf 내지 500pf 사이에서 함께 선형으로 변화한다.
S104 공정 글로우 단계: 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
여기에서 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행하는 원리는 도 4의 대응하는 실시예에서 임피던스 매처 내부의 구체적인 소자와 함께 설명한다. 따라서 여기에서 추가로 설명하지 않기로 한다.
본 출원 실시예의 기술적 해결책을 채택하여, 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 상기 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 따라서 상기 기술적 해결책을 채택하여 공정 준비 단계에서 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 자동 조절하는 효과를 구현한다. 또한 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 여기에서 알 수 있듯이, 상기 기술적 해결책은 공정 글로우 단계에서 임피던스 매칭에 도달하면, 임피던스 매칭 시 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 기반으로, 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 지속적으로 업데이트할 수 있다. 따라서 동일한 공정 글로우 단계를 다시 실행하기 전에, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 정확하게 자동으로 조절할 수 있다. 이를 통해 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 피드백하고 조절하는 효과를 구현한다. 이는 임피던스 매칭 시간을 크게 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킨다.
일 실시예에 있어서, S102를 실행하기 전에, 반도체 공정 디바이스는 현재 실행되는 반도체 공정의 공정 방식을 판독한다. 또한 반도체 공정의 각 공정 단계를 실행할 때, 임피던스 매처의 작업 모드가 Auto Preset 모드(자동 사전 설정 모드)인지 여부를 결정할 수 있다. 공정 방식 중 기록된, 현재 공정 단계를 실행할 때 임피던스 매처의 작업 모드가 Auto Preset 모드인 경우에만, 상기S102 내지 S104가 실행된다. 여기에서, Auto Preset 모드는 manual 모드(수동 모드)와 Auto 모드(자동 모드)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 임피던스 매처의 작업 모드는 자동 매칭 모드 및 비자동 매칭 모드를 포함할 수 있다. 공정 준비 단계에서, 임피던스 매처를 비자동 매칭 모드로 설정한다. 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 자동 매칭 모드로 설정한다.
여기에서, 비자동 매칭 모드는 상기 manual 모드일 수 있고, 자동 매칭 모드는 전술한 Auto 모드일 수 있다. 공정 방식에 기록된, 현재 공정 단계를 실행할 때 임피던스 매처의 작업 모드가 Auto Preset 모드로 설정된 후, 공정 방식에 기록된 RF 전력값을 기반으로, 현재 공정 단계가 공정 준비 단계인지 공정 글로우 단계인지 결정할 수 있다. RF 전력값이 0인 경우, 현재 공정 단계가 공정 준비 단계인 것으로 판단할 수 있다. 이때 임피던스 매처의 작업 모드를 manual 모드로 설정해야 한다. 임피던스 매처의 작업 모드가 manual 모드일 때, 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득할 수 있다. 따라서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 임피던스 매처의 작업 모드가 manual 모드일 때, 임피던스 매처는 자동 매칭을 수행할 수 없다. 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한 후, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트는 변하지 않고 유지된다는 점에 유의한다.
여기에서, 반도체 공정 디바이스는 현재 공정 단계의 식별 정보를 기반으로, 저장된 learn 파일(임피던스 매칭 데이터 저장에 사용)로부터 현재 공정 단계에 대응하는 타깃learn 파일을 획득한다. 이를 통해 타깃 learn 파일에 기록된 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트를 획득할 수 있다. 현재 공정 단계의 식별 정보는 해당 처리 단계의 처리 단계 명칭과 단계 번호일 수 있다. 예를 들어, 반도체 공정은 에칭 공정이고, 상기 에칭 공정은 증착 단계 1-1, 에칭 단계 1-1, 증착 단계 2-1, 에칭 단계 2-1을 포함한다. 현재 공정 단계가 에칭 단계 1-1이면, 해당 공정 단계의 식별 정보는 에칭 단계 1-1이다.
여기에서 각 공정 단계는 각각의 learn 파일에 각각 대응한다. 임피던스 매처의 파라미터 조절 가능 소자가 조절 가능한 커패시터 C1인 경우를 예로 들면, C1에 대응하는 learn 파일은 다음과 같은 파라미터를 포함할 수 있다: (1) C1PresetLearned - 이 파라미터의 의미는 C1 매칭 위치이다. 즉, 임피던스 매칭을 구현할 때, C1의 커패시턴스 위치이다. (2) C1PresetConstl - 이 파라미터의 의미는 C1 사전 설정 권장 파라미터이다. 이 파라미터는 음수이다. 이 파라미터는 사전 설정을 통해 획득하거나, 실험을 통해 측정할 수 있다(이후 실시예에서 자세히 설명). 또한 반도체 공정의 모든 공정 단계에 대응하는 파라미터 조절 비트의 미세 조절을 구현할 수 있다. (3) C1PresetOffset - 이 파라미터의 의미는 C1 사전 설정 위치 수정이다. 상이한 공정 단계의 이 파라미터는 동일하거나 상이할 수 있다. 따라서 단일 공정 단계에 대응하는 파라미터 조절 비트에 대해 유연한 미세 조절을 구현할 수 있다. 구체적인 반도체 공정 과정에서 이 파라미터는 0 또는 다른 값으로 설정할 수 있다. (4) C1Calculate - 이 파라미터의 의미는 C1 사전 설정 위치 권장값이다. 이 파라미터는 C1PresetLearned, C1PresetConstl과 C1PresetOffset 셋을 합을 획득한다.
최초 실행되는 반도체 공정의 경우, 반도체 공정 디바이스는 현재 실행하는 반도체 공정의 공정 방식을 판독한다. 공정 방식에서 각 공정 단계의 식별 정보를 기반으로, 각 공정 단계에 대응하는 learn 파일을 생성할 수 있다. 이때, 각 learn 파일에 기록된 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트는 설정된 디폴트값이다. 여러 번 실행된 반도체 공정의 경우, 각 leran 파일에 기록된 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트는 여러 번 업데이트된 값이다.
RF 전력 값이 0보다 큰 경우, 현재 공정 단계가 공정 글로우 단계라고 판단할 수 있다. 이때 임피던스 매처의 작업 모드를 Auto 모드로 설정해야 한다. 임피던스 매처의 작업 모드가 Auto 모드이면, 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행할 수 있다. 또한 임피던스 매칭에 도달할 때 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정하고, 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
본 실시예에 있어서, 공정 준비 단계에서 임피던스 매처가 임피던스 매칭을 수행할 필요가 없다. 따라서 임피던스 매처의 작업 모드를 비자동 매칭 모드로 조정하여, 전력을 절약할 수 있다. 또한 공정 준비 단계에서 임피던스 매칭 작업 시작으로 인한 공정 혼란을 방지하여, 반도체 공정의 정확한 실행을 보장할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트를 포함할 수 있다. 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트와 파라미터 수정값의 합이다. 여기에서, 각 공정 단계는 각각의 파라미터 수정값에 각각 대응한다.
본 실시예에 있어서, 제1 파라미터 조절 비트는 전술한 learn 파일의 C1PresetLearned일 수 있고, 파라미터 수정값은 전술한 learn 파일의 C1PresetOffset일 수 있다. S102를 실행할 때, 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 파라미터 수정값은 상응하는 공정 단계에 대응하는 파라미터 조절 비트에 대한 유연한 미세 조절을 구현할 수 있다. 따라서 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하여, 각 공정 단계의 파라미터 조절 가능 소자 실제 파라미터값에 더욱 적합한 파라미터값을 획득할 수 있다. 후속적인 임피던스 매처가 임피던스 매칭을 수행할 때, 임피던스 매칭 시간을 단축하고 임피던스 매칭 효율을 높일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 비트에 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트가 포함되는 경우, S104를 실행할 때, 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 제1 파라미터 조절 비트를 업데이트할 수 있다. 업데이트된 제1 파라미터 조절 비트와 파라미터 수정값을 기반으로, 제2 파라미터 조절 비트를 업데이트할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 파라미터 조절 비트가 업데이트된 후, 제2 파라미터 조절 비트를 동기적으로 업데이트한다. 따라서 해당 공정 단계를 다시 실행할 때, 업데이트된 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절할 수 있다. 이를 통해 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 더욱 정확하게 조절하여, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 정확하게 자동 조절하는 효과를 얻는다.
이전 실시예를 기반으로, 파라미터 조절 비트는 소정 파라미터 매칭값을 더 포함할 수 있다. 이때, 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 소정 파라미터 매칭값 및 파라미터 수정값의 합이다. 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한 후, 임피던스 매처의 임피던스 매칭 정보는 소정 조건을 충족한다. 여기에서, 임피던스 매칭 정보는 임피던스 매칭 총 시간, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이 중 적어도 하나를 포함한다. 소정 조건은 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧은 것, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작은 것 중 적어도 하나를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 소정 파라미터 매칭값은 전술한 learn 파일의 C1PresetConstl일 수 있다. 따라서 제2 파라미터 조절 비트는 전술한 learn 파일의 C1Calculate일 수 있다.
일 실시예에 있어서, S102를 실행하기 전에, 하기 A1 내지 A4 단계를 통해, 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧고, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작을 때의 소정 파라미터 매칭값을 결정할 수 있다.
A1 단계: 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 복수의 스크리닝할 파라미터 매칭값을 결정한다.
본 실시예에 있어서, 샘플 공정 요소를 채택하여 실험을 수행함으로써 소정 파라미터 매칭값을 결정할 수 있다. 여기에서, 복수의 샘플 공정 요소를 선택하여, 최종 결정된 소정 파라미터 매칭값의 적용성을 향상시킬 수 있다. 또한 하나의 샘플 공정 요소를 선택하여, 소정 파라미터 매칭값의 결정 속도를 향상시킬 수도 있다.
A2 단계: 각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 각각 조절한다.
여기에서, 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트에 제1 파라미터 조절 비트, 소정 파라미터 매칭값 및 파라미터 수정값이 포함된 경우, 각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 스크리닝할 파라미터 매칭값 및 파라미터 수정값의 합이다. 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트에 제1 파라미터 조절 비트와 소정 파라미터 매칭값이 포함된 경우, 각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트 및 스크리닝할 파라미터 매칭값의 합이다.
A3 단계: 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 매회 조절한 후, 1회 글로우를 수행하여, 각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 임피던스 매칭 시간을 결정한다.
A4 단계: 결정된 복수의 임피던스 매칭 시간을 기반으로, 소정 조건에 부합하는 임피던스 매칭 시간에 대응하는 스크리닝할 파라미터 매칭값을 소정 파라미터 매칭값으로 결정한다.
본 실시예에 있어서, 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧고, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작은 것에 대응하는 스크리닝할 파라미터 매칭값을 소정 파라미터 매칭값으로 사용한다. 이를 통해 해당 소정 파라미터 매칭값이 추가된 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 조절한 후, 임피던스 매처의 임피던스 매칭 정보가 소정 조건을 충족할 수 있도록 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 A1 내지 A4 단계에 따라, 대량의 샘플 공정 요소의 실험을 거친다. 임피던스 매처의 파라미터 조절 가능 소자에 제1 조절 가능한 커패시터 C1 및 제2 조절 가능한 커패시터 C2가 포함되는 경우, C1PresetConstl= - 45, C2PresetConst2= - 75일 때, 임피던스 매처는 임피던스 매칭의 임피던스 매칭 시간이 가장 짧고, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작도록 구현한다.
도 2는 본 출원의 다른 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법의 흐름도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 도 2의 방법은 하기 단계를 포함할 수 있다.
S201: 현재 실행되는 반도체 공정의 공정 방식을 판독한다. 또한 해당 반도체 공정의 현재 공정 단계를 실행할 때 임피던스 매처의 작업 모드가 Auto Preset 모드인지 여부를 결정한다. 그러하면 S202를 실행하고, 그러하지 않으면 프로세스를 종료한다.
S202: 공정 방식에 기록된 RF 전력값을 기반으로, 현재 공정 글로우 단계에 있는지 여부를 결정한다. 그러하지 않으면 S203을 실행하고, 그러하면 S205를 실행한다.
여기에서, RF 전력값이 0이면, 현재 공정 준비 단계에 있는 것으로 결정할 수 있다. RF 전력이 0보다 크면, 현재 공정 글로우 단계에 있는 것으로 결정할 수 있다.
S203: 임피던스 매처의 작업 모드를 비자동 매칭 모드로 설정한다.
여기에서, 비자동 매칭 모드는 manual 모드일 수 있다.
S204: 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다.
여기에서, S204의 실행이 완료된 후 프로세스가 종료된다. 그 후 S202를 기반으로, 공정 방식에 기록된 RF 전력값이 0보다 크면, S205를 실행한다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트를 포함할 수 있다. 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트와 파라미터 수정값의 합이다. S204를 실행할 때, 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값, 제2 파라미터 조절 비트 및 소정 파라미터 매칭값을 포함할 수 있다. 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 소정 파라미터 매칭값 및 파라미터 수정값의 합이다. 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한 후, 임피던스 매처의 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧고, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 간격이 가장 작다.
S205: 임피던스 매처의 작업 모드를 자동 매칭 모드로 설정한다.
여기에서, 자동 매칭 모드는 Auto 모드일 수 있다.
S206: 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, S204의 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 그런 다음 프로세스를 종료한다.
상기 S201 내지 S206의 구체적인 과정은 전술한 실시예에서 상세히 설명하였으므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
본 출원 실시예의 기술적 해결책을 채택하여, 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 따라서 상기 기술적 해결책을 채택하여 공정 준비 단계에서 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 자동 조절하는 효과를 구현한다. 또한 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 여기에서 알 수 있듯이, 상기 기술적 해결책은 공정 글로우 단계에서 임피던스 매칭에 도달하면, 임피던스 매칭 시 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 기반으로, 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 지속적으로 업데이트할 수 있다. 따라서 동일한 공정 글로우 단계를 다시 실행하기 전에, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 정확하게 자동으로 조절할 수 있다. 이를 통해 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 피드백하고 조절하는 효과를 구현한다. 이는 임피던스 매칭 시간을 크게 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킨다.
요약하면, 본 주제의 특정 실시예를 설명하였다. 다른 실시예는 첨부된 청구범위의 범위 내에 있다. 경우에 따라, 청구범위에 기재된 동작은 상이한 순서에 따라 실행될 수 있으며 이는 여전히 원하는 결과를 구현할 수 있다. 또한, 첨부 도면에 도시된 과정은 원하는 결과를 구현하기 위해 반드시 도시된 특정 순서 또는 연속적 순서를 필요로 하는 것은 아니다. 특정 실시방식에서 멀티태스킹 및 병렬 처리가 유리할 수 있다.
상기 내용은 본 출원의 실시예에서 제공하는 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법이다. 동일한 사상을 기반으로, 본 출원의 실시예는 반도체 공정 디바이스를 더 제공한다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스의 구조도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 공정 디바이스는 RF 전원(310), 임피던스 매처(320) 및 공정 챔버(330)를 포함할 수 있다.
RF 전원(310)은 임피던스 매처(320)를 통해 공정 챔버(330)에 RF 전력을 인가하는 데 사용된다.
임피던스 매처(320)는 제어기(321) 및 파라미터 조절 가능 소자(322)를 포함한다. 제어기(321)는 다음과 같이 사용된다. 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터는 반도체 공정 디바이스 임피던스 매처(320) 내 파라미터 조절 가능 소자(322)에 대응하는 파라미터 조절 비트를 포함한다. 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자(322)의 파라미터값을 조절한다. 공정 글로우 단계에서 RF 전원(310)이 임피던스 매처(320)를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버(330)에 RF 전력을 인가하면, 파라미터 조절 가능 소자(322)를 조절하여 임피던스 매칭에 도달시킨다. 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자(322)의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
일 실시예에 있어서, 임피던스 매처(320)의 작업 모드는 자동 매칭 모드 및 비자동 매칭 모드를 포함한다.
제어기(321)는 공정 준비 단계에서 임피던스 매처(320)를 비자동 매칭 모드로 설정하고, 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처(320)를 자동 매칭 모드로 설정하는 데에 더 사용된다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트를 포함한다. 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트 및 파라미터 수정값의 합이다.
제어기(321)는 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자(322)의 파라미터값을 조절하는 데 더 사용된다.
일 실시예에 있어서, 제어기(321)는 다음과 같이 더 사용된다.
현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 제1 파라미터 조절 비트를 업데이트한다.
업데이트된 제1 파라미터 조절 비트 및 파라미터 수정값을 기반으로, 제2 파라미터 조절 비트를 업데이트한다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 비트는 소정 파라미터 매칭값을 더 포함한다. 제2 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 소정 파라미터 매칭값 및 파라미터 수정값의 합이다.
제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자(322)를 조절한 후, 임피던스 매처(320)의 임피던스 매칭 정보는 소정 조건을 충족한다.
임피던스 매칭 정보는 임피던스 매칭 총 시간, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이 중 적어도 하나를 포함한다.
소정 조건은 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧은 것, 각 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작은 것 중 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 제어기(321)는 다음과 같이 더 사용된다.
파라미터 조절 가능 소자(322)에 대응하는 복수의 스크리닝할 파라미터 매칭값을 결정한다.
각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자(322)의 파라미터 조절 비트를 각각 조절한다.
파라미터 조절 가능 소자(322)의 파라미터 조절 비트를 매회 조절한 후, 1회 글로우를 수행하여, 각 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 임피던스 매칭 시간을 결정한다.
결정된 복수의 임피던스 매칭 시간을 기반으로, 소정 조건에 부합하는 임피던스 매칭 시간에 대응하는 스크리닝할 파라미터 매칭값을 소정 파라미터 매칭값으로 결정한다.
구체적으로, 제어기(321)는 PLC(Programmable Logic Controller, 프로그램 가능 논리 컨트롤러), 하위 컴퓨터, 호스트 컴퓨터 등 처리 능력을 갖춘 다양한 하드웨어 또는 이들의 조합을 기반으로 구현될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 파라미터 조절 가능 소자(322)는 조절 가능한 커패시터 및/또는 조절 가능한 인덕터를 포함한다.
본 출원 실시예의 장치를 채택하여, 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다. 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 따라서 상기 장치를 채택하여 공정 준비 단계에서 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 자동 조절하는 효과를 구현한다. 또한 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 여기에서 알 수 있듯이, 상기 장치는 공정 글로우 단계에서 임피던스 매칭에 도달하면, 임피던스 매칭 시 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 기반으로, 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 지속적으로 업데이트할 수 있다. 따라서 동일한 공정 글로우 단계를 다시 실행하기 전에, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 정확하게 자동으로 조절할 수 있다. 이를 통해 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 피드백하고 조절하는 효과를 구현한다. 이는 임피던스 매칭 시간을 크게 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킨다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 반도체 공정 디바이스의 블록도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 공정 디바이스는 순차적으로 연결된 RF 전원(310), 임피던스 매처(320) 및 공정 챔버(330)를 포함할 수 있다.
여기에서, 임피던스 매처(320)는 서로 연결된 센서(323), 제어기(321) 및 파라미터 조절 가능 소자를 포함한다. 센서(323)는 RF 전원(310)과 연결된다. 또한 파라미터 조절 가능 소자를 통해 공정 챔버(330)와 연결된다.
여기에서, RF 전원(310)과 공정 챔버(330)가 각각 접지된다. 파라미터 조절 가능 소자는 제1 조절 가능한 커패시터(3221) 및 제2 조절 가능한 커패시터(3222)를 포함한다. 제1 조절 가능한 커패시터(3221)는 센서(323)와 접지 사이에 병렬로 연결된다. 제2 조절 가능한 커패시터(3222)는 센서(323)와 공정 챔버(330) 사이에 직렬로 연결된다. 제1 조절 가능한 커패시터(3221)와 제2 조절 가능한 커패시터(3222)는 각각 제어기(321)와 연결된다. 제2 조절 가능한 커패시터(3222)와 공정 챔버(330) 사이에는 인덕터(324)가 더 연결된다. 인덕터(324)의 작용 하에서, 임피던스 매처(320)의 임피던스 특성이 공정 챔버(330)의 임피던스 특성과 일치한다.
도 4에 도시된 반도체 공정 디바이스를 채택하여 임피던스 매칭을 구현하는 경우, 센서(323)를 통해 임피던스 매처(320)와 공정 챔버(330)의 임피던스의 합을 수집하여 제1 임피던스로 사용하고, 제1 임피던스를 제어기(321)에 전송한다. 제어기(321)는 제1 임피던스와 RF 전원(310)의 출력 임피던스 간의 차이를 기반으로, 조절 가능한 커패시터의 타깃 커패시턴스값을 결정한다. 또한 타깃 커패시턴스값을 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스 제어 모듈(도 4에 미도시)에 전달한다. 이를 통해 커패시턴스 제어 모듈이 조절 가능한 커패시터의 커패시턴스값을 타깃 커패시턴스값으로 조정하도록 하여, 임피던스 매칭을 구현한다.
도 4와 도 3에 도시된 반도체 공정 디바이스에서 동일한 번호의 각 소자는 동일한 기능을 수행한다. 중복을 피하기 위해 여기에서 추가로 설명하지 않기로 한다.
본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 도 3 및 도 4의 반도체 공정 디바이스가 전술한 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법을 구현하는 데 사용될 수 있음을 이해할 수 있다. 여기에서 세부적인 설명은 전술한 방법 부분의 설명과 유사하다. 따라서 중복을 피하기 위해 여기에서 추가로 설명하지 않기로 한다.
동일한 사상을 기반으로, 본 출원의 실시예는 임피던스 매칭 디바이스를 더 제공한다. 이는 도 5에 도시된 바와 같다. 임피던스 매칭 디바이스는 구성이나 성능에 따라 크게 달라질 수 있으며, 하나 이상의 프로세서(501) 및 메모리(502)를 포함할 수 있다. 메모리(502)에는 하나 이상의 저장 응용프로그램 또는 데이터가 저장될 수 있다. 여기에서, 메모리(502)는 임시 저장소 또는 영구 저장소일 수 있다. 메모리(502)에 저장된 응용프로그램은 하나 이상의 모듈(미도시)을 포함할 수 있다. 각 모듈은 임피던스 매칭 디바이스에 대한 일련의 컴퓨터 실행 가능 명령어를 포함할 수 있다. 또한, 프로세서(501)는 메모리(502)와 통신하고 임피던스 매칭 디바이스에서 메모리(502) 내 일련의 컴퓨터 실행 가능 명령어를 실행하도록 설치될 수 있다. 임피던스 매칭 디바이스는 하나 이상의 전원(503), 하나 이상의 유선 또는 무선 네트워크 인터페이스(504), 하나 이상의 입출력 인터페이스(505) 및 하나 이상의 키보드(506)를 더 포함할 수 있다.
구체적으로 본 실시예에 있어서, 임피던스 매칭 디바이스는 메모리 및 하나 이상의 프로그램을 포함한다. 여기에서 하나 이상의 프로그램은 메모리에 저장된다. 하나 이상의 프로그램은 하나 이상의 모듈을 포함할 수 있다. 또한 각 모듈은 임피던스 매칭 디바이스 내 일련의 컴퓨터 실행 가능 명령어를 포함할 수 있다. 하나 이상의 프로세서에 의해 실행되도록 구성된 하나 이상의 프로그램은 다음을 수행하기 위한 컴퓨터 실행 가능 명령어를 포함할 수 있다.
공정 준비 단계: 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한다.
공정 글로우 단계: 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다.
본 출원 실시예의 디바이스를 채택하여, 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득한다. 임피던스 매칭 데이터에는 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함된다. 따라서 파라미터 조절 비트를 기반으로, 파라미터 조절 가능 소자를 조절한다. 파라미터 조절 가능 소자의 상이한 파라미터 조절 비트는 상이한 파라미터값에 대응한다. 따라서 상기 디바이스를 채택하여 공정 준비 단계에서 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 자동 조절하는 효과를 구현한다. 또한 공정 글로우 단계에서 임피던스 매처를 통해 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가한다. 동시에 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행한다. 또한 임피던스 매칭에 도달하면 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정한다. 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 임피던스 매칭 데이터를 업데이트한다. 여기에서 알 수 있듯이, 상기 디바이스는 공정 글로우 단계에서 임피던스 매칭에 도달하면, 임피던스 매칭 시 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 기반으로, 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 지속적으로 업데이트할 수 있다. 따라서 동일한 공정 글로우 단계를 다시 실행하기 전에, 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 기반으로 파라미터 조절 가능 소자를 정확하게 자동으로 조절할 수 있다. 이를 통해 반도체 공정 과정에서 임피던스 매칭 데이터의 파라미터 조절 비트를 피드백하고 조절하는 효과를 구현한다. 이는 임피던스 매칭 시간을 크게 단축시키고, 임피던스 매칭 효율을 향상시킨다.
본 출원의 실시예는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램을 저장하는 저장 매체를 더 제공한다. 상기 하나 이상의 컴퓨터 프로그램은 명령어를 포함한다. 상기 명령어가 복수의 응용프로그램이 포함된 전자 디바이스에 의해 실행될 때, 상기 전자 디바이스가 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법 실시예의 각 과정을 실행할 수 있다. 또한 동일한 기술적 효과를 나타낼 수 있다. 중복을 피하기 위하여, 여기에서 추가로 설명하지 않기로 한다.
전술한 실시예에 설명된 시스템, 장치, 모듈 또는 유닛은 구체적으로 컴퓨터 칩이나 엔티티로 구현될 수 있다. 또는 구체적인 기능을 갖춘 제품으로 구현될 수도 있다. 전형적인 구현 디바이스는 컴퓨터이다. 구체적으로, 컴퓨터는 예를 들어 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대폰, 카메라폰, 스마트폰, 개인 휴대 정보 단말기, 미디어 플레이어, 내비게이션 장치, 이메일 장치, 게임 콘솔, 태블릿 컴퓨터, 웨어러블 장치 또는 이들 장치의 조합 중 임의 장치의 조합일 수 있다.
설명의 편의를 위해, 상기 장치를 설명할 때 기능을 다양한 유닛으로 나누어 각각 설명한다. 물론, 본 출원을 실시할 때 각 유닛의 기능은 하나 이상의 소프트웨어 및/또는 하드웨어에서 구현될 수 있다.
본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 본 출원의 실시예가 방법, 시스템 또는 컴퓨터 프로그램 제품으로 제공될 수 있음을 이해한다. 따라서 본 출원은 전체 하드웨어 실시예, 전체 소프트웨어 실시예, 또는 소프트웨어와 하드웨어 측면을 결합한 실시예의 형태를 채택할 수 있다. 또한 본 출원은 컴퓨터 사용 가능 프로그램 코드를 포함하는 컴퓨터 사용 가능 저장 매체(자기 디스크 저장 장치, CD-ROM, 광학 저장 장치 등을 포함하나 이에 한정되지 않음) 상에서 실시되는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램 제품의 형태를 채택할 수 있다.
본 출원은 본 출원의 실시예에 따른 방법, 디바이스(시스템) 및 컴퓨터 프로그램 제품의 흐름도 및/또는 블록도를 참조하여 설명된다. 흐름도 및/또는 블록도의 각 흐름 및/또는 블록, 및 흐름도 및/또는 블록도의 흐름 및/또는 블록의 조합은 컴퓨터 프로그램 명령에 의해 구현될 수 있음에 유의한다. 이러한 컴퓨터 프로그램 명령은 범용 컴퓨터, 특수 목적 컴퓨터, 임베디드 프로세서 또는 기타 프로그래밍 가능 데이터 처리 장치의 프로세서에 제공되어 하나의 기계를 생성한다. 이는 컴퓨터 또는 기타 다른 프로그래밍 가능 데이터 처리 장치의 프로세서를 통해 실행되는 명령으로 하여금 흐름도의 하나 이상의 흐름 및/또는 블록도의 하나 이상의 블록에 지정된 기능을 구현하기 위한 장치를 생성하도록 한다.
이러한 컴퓨터 프로그램 명령은 컴퓨터 또는 기타 프로그래밍 가능 데이터 처리 장치가 특정 방식으로 작동하도록 안내할 수 있는 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장될 수도 있다. 이는 해당 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장된 명령으로 하여금 명령 장치를 포함하는 제조 물품을 생성하도록 만든다. 해당 명령 장치는 흐름도의 하나 이상의 흐름 및/또는 블록도의 하나 이상의 블록에 지정된 기능을 구현한다.
이러한 컴퓨터 프로그램 명령은 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능 데이터 처리 장치에 로딩되어, 컴퓨터 또는 기타 프로그래밍 가능 장치 상에서 일련의 작동 단계를 실행하여 컴퓨터로 구현되는 프로세스를 생성할 수도 있다. 따라서 컴퓨터 또는 기타 프로그래밍 가능 장치에서 실행되는 명령은 흐름도의 하나 이상의 흐름 및/또는 블록도의 하나 이상의 블록에 지정된 기능을 구현하기 위한 단계를 제공한다.
전형적인 구성에서 컴퓨터 장치에는 하나 이상의 프로세서(CPU), 입력/출력 인터페이스, 네트워크 인터페이스 및 메모리가 포함된다.
메모리는 컴퓨터 판독 가능 매체 중의 비영구적 메모리, 랜덤 액세스 메모리(RAM) 및/또는 비휘발성 메모리 등의 형태를 포함할 수 있으며, 예를 들어 읽기 전용 메모리(ROM) 또는 플래시 메모리(flash RAM)가 있다. 메모리는 컴퓨터 판독 가능 매체의 한 예시이다.
컴퓨터 판독 가능 매체에는 임의 방법이나 기술로 정보 저장을 구현할 수 있는 영구적 및 비영구적, 분리 가능한 및 분리 불가능한 매체가 모두 포함된다. 정보는 컴퓨터 판독 가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램의 모듈 또는 기타 데이터일 수 있다. 컴퓨터 저장 매체의 예시로는 상변화 메모리(PRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 기타 유형의 랜덤 액세스 메모리(RAM), 읽기 전용 메모리(ROM), 전기적 소거 가능한 프로그래머블 판독 전용 메모리(EEPROM), 플래시 메모리 또는 기타 메모리 기술, 컴팩트 디스크 판독 전용 메모리(CD-ROM), 디지털 다목적 디스크(DVD) 또는 기타 광학 저장, 카세트식 자기 테이프, 자기 테이프 자기 디스크 저장 또는 기타 자성 저장 장치 또는 임의 기타 비전송 매체가 포함되나 이에 한정되지 않는다. 이들은 컴퓨터 장치에서 액세스할 수 있는 정보를 저장하는 데 사용될 수 있다. 본원에 정의된 바에 따라, 컴퓨터 판독 가능 매체에는 일시적 매체(transitory media), 예를 들어 변조된 데이터 신호 및 반송파가 포함되지 않는다.
용어 "포괄", "포함" 또는 그 임의의 다른 변형은 비배타적 포함을 의미함에 유의한다. 따라서 일련의 요소를 포함하는 과정, 방법, 상품 또는 디바이스는 그러한 요소를 포함할 뿐만 아니라 명시적으로 나열되지 않은 다른 요소를 더 포함하거나, 이러한 과정, 방법, 상품 또는 디바이스 고유의 요소를 더 포함한다. 더 이상의 제한이 없는 경우 "하나의 ~를 포함한다"는 구절로 한정된 요소는 상기 요소를 포함한 과정, 방법, 상품 또는 디바이스에 다른 동일한 요소가 더 존재하는 것을 배제하지 않는다.
본 출원은 컴퓨터에 의해 실행되는 프로그램 모듈과 같은 컴퓨터 실행 가능 명령어의 일반적인 맥락에서 설명될 수 있다. 일반적으로 프로그램 모듈에는 특정 작업을 수행하거나 특정 추상 데이터 유형을 구현하는 루틴, 프로그램, 대상, 구성요소, 데이터 구조 등이 포함된다. 본 출원은 분산형 컴퓨팅 환경에서 실행할 수도 있다. 이러한 분산형 컴퓨팅 환경에서는 통신 네트워크를 통해 연결된 원격 처리 디바이스에 의해 작업이 수행된다. 분산형 컴퓨팅 환경에서 프로그램 모듈은 저장 장치를 포함하는 로컬 및 원격 컴퓨터 저장 매체에 위치할 수 있다.
본 명세서의 각 실시예는 모두 점진적인 방식으로 설명되었다. 각 실시예 간의 동일하고 유사한 부분은 서로 참조할 수 있다. 각 실시예는 다른 실시예와의 차이점을 중점적으로 설명하였다. 특히, 시스템 실시예는 기본적으로 방법 실시예와 유사하다. 따라서 설명이 비교적 간단하며, 관련 내용은 방법 실시예의 일부 설명을 참조할 수 있다.
상기 내용은 본 출원의 실시예일 뿐이며 본 출원을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 본 출원을 다양하게 변경 및 수정할 수 있다. 본 출원의 사상과 원리 내에서 이루어진 모든 수정, 균등한 대체, 개선 등은 본 출원의 특허청구범위에 포함된다.

Claims (10)

  1. 반도체 공정 디바이스에 적용되는 임피던스 매칭 방법에 있어서,
    공정 준비 단계: 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득하고, 상기 임피던스 매칭 데이터에는 상기 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트가 포함되고, 상기 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하는 단계; 및
    공정 글로우 단계: 상기 임피던스 매처를 통해 상기 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가하고, 동시에 상기 임피던스 매처를 통해 임피던스 매칭을 수행하고, 임피던스 매칭에 도달하면 상기 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정하고, 상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 임피던스 매칭 데이터를 업데이트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 임피던스 매처의 작업 모드는 자동 매칭 모드 및 비자동 매칭 모드를 포함하고,
    상기 공정 준비 단계에서, 상기 임피던스 매처를 상기 비자동 매칭 모드로 설치하고,
    상기 공정 글로우 단계에서, 상기 임피던스 매처를 상기 자동 매칭 모드로 설치하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트를 포함하고, 상기 제2 파라미터 조절 비트는 상기 제1 파라미터 조절 비트와 상기 파라미터 수정값의 합이고,
    상기 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하는 상기 단계는,
    상기 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 임피던스 매칭 데이터를 업데이트하는 상기 단계는,
    상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 제1 파라미터 조절 비트를 업데이트하는 단계; 및
    업데이트된 상기 제1 파라미터 조절 비트 및 상기 파라미터 수정값을 기반으로, 상기 제2 파라미터 조절 비트를 업데이트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 파라미터 조절 비트는 소정 파라미터 매칭값을 더 포함하고, 상기 제2 파라미터 조절 비트는 상기 제1 파라미터 조절 비트, 상기 소정 파라미터 매칭값 및 상기 파라미터 수정값의 합이고,
    상기 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절한 후, 상기 임피던스 매처의 임피던스 매칭 정보는 소정 조건을 충족하고,
    상기 임피던스 매칭 정보는 임피던스 매칭 총 시간, 각 상기 공정 글로우 단계에 대응하는 상기 임피던스 매칭 시간 간의 차이 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 소정 조건은 상기 임피던스 매칭 총 시간이 가장 짧은 것, 각 상기 공정 글로우 단계에 대응하는 상기 임피던스 매칭 시간 간의 차이가 가장 작은 것 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 복수의 스크리닝할 파라미터 매칭값을 결정하는 단계;
    각 상기 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 상기 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 각각 조절하는 단계;
    상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터 조절 비트를 매회 조절한 후, 1회 글로우를 수행하여, 각 상기 스크리닝할 파라미터 매칭값에 대응하는 임피던스 매칭 시간을 결정하는 단계; 및
    결정된 복수의 상기 임피던스 매칭 시간을 기반으로, 상기 소정 조건에 부합하는 상기 임피던스 매칭 시간에 대응하는 상기 스크리닝할 파라미터 매칭값을 상기 소정 파라미터 매칭값으로 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파라미터 조절 가능 소자는 조절 가능한 커패시터 및/또는 조절 가능한 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  8. 반도체 공정 디바이스에 있어서,
    RF 전원, 임피던스 매처 및 공정 챔버를 포함하고,
    상기 RF 전원은 상기 임피던스 매처를 통해 상기 공정 챔버에 RF 전력을 인가하는 데 사용되고,
    상기 임피던스 매처는 제어기 및 파라미터 조절 가능 소자를 포함하고, 상기 제어기는 공정 준비 단계에서 현재 저장된 공정 글로우 단계에 대응하는 임피던스 매칭 데이터를 획득하고, 상기 임피던스 매칭 데이터는 상기 반도체 공정 디바이스의 임피던스 매처 내 파라미터 조절 가능 소자에 대응하는 파라미터 조절 비트를 포함하고, 상기 파라미터 조절 비트를 기반으로 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하는 데 사용되고, 공정 글로우 단계에서, 상기 RF 전원이 상기 임피던스 매처를 통해 상기 반도체 공정 디바이스의 공정 챔버에 RF 전력을 인가하면, 상기 파라미터 조절 가능 소자를 조절하여 임피던스 매칭에 도달시키고, 임피던스 매칭에 도달하면 상기 파라미터 조절 가능 소자의 현재 파라미터 조절 비트를 결정하고, 상기 현재 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 임피던스 매칭 데이터를 업데이트하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 임피던스 매처의 작업 모드는 자동 매칭 모드 및 비자동 매칭 모드를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 공정 준비 단계에서 상기 임피던스 매처를 상기 비자동 매칭 모드로 설정하고, 상기 공정 글로우 단계에서 상기 임피던스 매처를 상기 자동 매칭 모드로 설정하는 데 더 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 디바이스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 파라미터 조절 비트는 제1 파라미터 조절 비트, 파라미터 수정값 및 제2 파라미터 조절 비트를 포함하고, 상기 제2 파라미터 조절 비트는 상기 제1 파라미터 조절 비트와 상기 파라미터 수정값의 합이고,
    상기 제어기는 상기 제2 파라미터 조절 비트를 기반으로, 상기 파라미터 조절 가능 소자의 파라미터값을 조절하는 데 더 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정 디바이스.
KR1020247007747A 2021-09-30 2022-09-28 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법 KR20240042647A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111160966.8A CN113921366B (zh) 2021-09-30 2021-09-30 半导体工艺设备及其阻抗匹配方法
CN202111160966.8 2021-09-30
PCT/CN2022/122085 WO2023051598A1 (zh) 2021-09-30 2022-09-28 半导体工艺设备及其阻抗匹配方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240042647A true KR20240042647A (ko) 2024-04-02

Family

ID=79237633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247007747A KR20240042647A (ko) 2021-09-30 2022-09-28 반도체 공정 디바이스 및 이의 임피던스 매칭 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240249917A1 (ko)
EP (1) EP4411784A1 (ko)
KR (1) KR20240042647A (ko)
CN (1) CN113921366B (ko)
TW (1) TW202316475A (ko)
WO (1) WO2023051598A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113921366B (zh) * 2021-09-30 2024-07-23 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其阻抗匹配方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002030447A (ja) * 2000-07-11 2002-01-31 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN101964295B (zh) * 2009-07-24 2013-04-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种阻抗匹配方法及等离子体处理设备
CN101754570B (zh) * 2009-12-24 2012-04-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种射频传输中实现阻抗匹配的方法和一种阻抗匹配装置
CN102420579A (zh) * 2011-11-16 2012-04-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种自动实现射频功率匹配的方法和系统
CN105206544B (zh) * 2014-05-28 2019-03-12 北京北方华创微电子装备有限公司 终点检测系统及其运行状态监测方法
CN112259491B (zh) * 2020-10-13 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其阻抗调节方法
CN112259433B (zh) * 2020-10-13 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备
CN113066712A (zh) * 2021-03-23 2021-07-02 北京北方华创微电子装备有限公司 阻抗匹配方法、半导体工艺设备
CN113921366B (zh) * 2021-09-30 2024-07-23 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其阻抗匹配方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20240249917A1 (en) 2024-07-25
CN113921366B (zh) 2024-07-23
WO2023051598A1 (zh) 2023-04-06
TW202316475A (zh) 2023-04-16
CN113921366A (zh) 2022-01-11
EP4411784A1 (en) 2024-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210134561A1 (en) System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
US10395897B1 (en) Virtual impedance auto matching method
US10354840B2 (en) Control arrangement, control system and high frequency power generating device
US20240249917A1 (en) Semiconductor processing equipment and impedance-matching method
KR102313223B1 (ko) 모델링, 피드백 및 임피던스 매칭을 사용하는 에칭 레이트 제어
US20190103293A1 (en) System and method for manufacturing semiconductor device
WO2014089005A1 (en) Frequency tuning system and method for finding a global optimum
CN104377106A (zh) 等离子体反应腔室阻抗自动匹配方法
CN118486579A (zh) 用于自动频率调谐射频(rf)信号发生器的方法和系统
US11894220B2 (en) Method and apparatus for controlling a processing reactor
US11749506B2 (en) Systems and methods for repetitive tuning of matching networks
CN113066712A (zh) 阻抗匹配方法、半导体工艺设备
KR102537241B1 (ko) 배기가스 처리용 유도결합 플라즈마 장치 및 이의 임피던스 매칭 방법
CN104425208B (zh) 一种阻抗匹配方法
US20230411119A1 (en) Smart dynamic load simulator for rf power delivery control system
TW201607379A (zh) 軟脈動
KR102308684B1 (ko) 다중 점화위치 조정 기능을 가지는 임피던스 정합 장치 및 정합 방법
WO2023244653A1 (en) Modulation of station voltages during plasma operations
CN113192866A (zh) 半导体工艺配方中工艺参数值匹配方法及半导体工艺设备
KR20230003111A (ko) 강화된 플라즈마 점화를 위한 프로그램가능 점화 프로파일들
WO2023224750A1 (en) Physically-informed multi-system hardware operating windows
CN116885926A (zh) 电流环比例控制参数的动态整定方法及装置
JP2020135641A (ja) 電子機器及びメモリアクセス制御方法