KR20240037612A - 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 - Google Patents
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- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XWCMFHPRATWWFO-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ta+5].[Sc+3].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Sc+3].[O-2].[O-2].[O-2] XWCMFHPRATWWFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CEPICIBPGDWCRU-UHFFFAOYSA-N [Si].[Hf] Chemical compound [Si].[Hf] CEPICIBPGDWCRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ba+2] VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJXBRHIPHIVJCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)lanthanum Chemical compound O=[Al]O[La]=O KJXBRHIPHIVJCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N strontium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2].[Ba+2] CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UVGLBOPDEUYYCS-UHFFFAOYSA-N silicon zirconium Chemical compound [Si].[Zr] UVGLBOPDEUYYCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- -1 2 (k = 35) Chemical class 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
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- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 발명은 유전상수가 크고 누설전류가 낮으며 절연강도가 높은 비정질 불소화 탄소의 박막을 유전막으로 포함하는 커패시터와 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하부 전극; 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 배치되며, 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 포함하는 커패시터 유전막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터와 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유전상수가 크고 누설전류가 낮으며 절연강도가 높은 비정질 불소화 탄소의 박막을 유전막으로 포함하는 커패시터와 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
초고밀도 집적회로(VLSI)의 제작에 중요한 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트 길이는 과거 수십년 사이에 10 ㎛에서 10 nm로 급격히 감소하였다. SiO2 게이트 유전체는 두께가 감소함에 따라 터널링 게이트 전류가 기하급수적으로 증가하여 집적회로의 과도한 대기전력을 야기하므로 종래 절연막으로 사용되던 SiO2 박막의 효용성은 한계에 도달하였다. 이에, 기억소자나 논리소자 등 반도체 소자의 집적화에 따라 SiO2(k = 3.9)를 대체할 높은 유전상수와 낮은 누설전류 및 큰 절연강도를 갖는 고유전체에 대한 개발이 요구된다.
SiO2보다 높은 유전상수를 갖는 물질을 통상적으로 고유전체로 지칭한다. 고유전 물질로는 Ta2O4나 Al2O3 등이 초창기에 적용되었으며, 2000년대 후반에 sub-100nm 노드가 채택된 이후 게이트 누설 및 전력 소비를 줄이기 위해 ZrO2(k = 25), HfO2(k = 35), Al2O3(k = 10) 및 TiO2(k = 41)와 같은 대체 금속 산화물이 광범위하게 조사되었다. 현재는 Hf Source를 대체할 물질(Al, Zr, Ta, STO, BST 등)을 찾거나, Hf Source에 다른 물질을 추가하여 증착시키는 방법 등 여러가지 방향의 연구가 진행되고 있다.
이들 고유전체들은 대부분 산화물 박막 형태로 소자에 적용이 가능하다. 그러나 금속산화물의 고유전층은 산소공공 등의 다수의 벌크트랩을 포함하여 CV 히스테리시스를 증가시키며, 문턱전압의 불안정성 현상을 초래한다. 또한 소자의 노드 크기가 10nm 단위로 감소하면, 등가산화물두께(equivalent oxide thickness, EOT)는 1 nm 이하가 요구되며 해당 조건에서는 Hf- 또는 Zr-기반 산화물의 전자 터널링이 일어날 수 있다. 더구나 Hf-기반의 산화물은 결정화 온도가 낮아 결정화되기 쉬우며, Si와 접촉 시 열적 불안정성을 나타내며, 결함 밀도가 높다. Zr-기반 산화물은 박막의 결정도가 높아 표면이 거칠고, 결정립계의 밀도가 높아 매우 높은 누설 전류가 발생한다. Ti-기반 산화물 필름은 본질적으로 밴드갭 에너지가 3.5 eV로 낮기 때문에, 누설 전류가 크고 낮은 절연강도로 인한 문제가 있다. 이에 10 nm 이하의 노드를 갖는 소자의 개발을 위해서는, 누설전류가 낮고 절연강도가 높은 새로운 고유전체의 적용이 요구된다.
유기 전자 장치는 대면적, 저비용, 플랙서블 장치로서 잠재적인 가능성을 나타내고 있어 많은 주목을 받고 있다. 대부분의 유기물질은 비정질이거나 결정성이 불량하여 매끄러운 표면을 나타낸다. 탄소는 유기물질 중에서도 가장 다재다능한 물질로, 탄소 박막은 우수한 전기적, 기계적 특성으로 인해 기술적, 산업적 응용분야에서 많은 주목을 받고 있다. 물질의 전기적 특성은 그 구조와 직접적인 관련이 있으며, 탄소계 재료의 다양성의 핵심 역시 화학적 결합에 있다. sp3 상태의 탄소 원자 사이의 σ-결합은 일반적으로 절연체이다. 다이아몬드는 탄소 원자들이 sp3 결합으로만 연결되어 있기 때문에 강력한 절연체이며(전도도 < 10-15 Ω-1cm-1) 경도가 매우 높다. 반면, sp2 상태의 탄소 원자 그룹과 관련된 π-결합이 존재할 때 전자는 비편재화되어 전하 캐리어로 사용할 수 있다. 흑연은 sp2 결합을 하며, 다이아몬드와는 달리 높은 전도도(104 Ω-1cm-1)를 나타낸다.
탄소 박막의 제조 시 증착 온도를 조절하는 것에 의해 탄소재료의 결합을 조절할 수 있음은 잘 알려져 있다. 대표적으로 화학기상증착법(CVD)은 탄소 박막 제조에 널리 이용되는 방법으로, 약 ~1000℃의 고온에서 고품질의 그래핀과 탄소나노튜브를 제조할 수 있다. CVD에 의한 증착 시 ~700℃ 정도로 증착 온도가 낮아지면 나노그라파이트 구조가 형성되며, 상온에서는 비정질 탄소가 형성된다. 탄소계 재료에 대한 연구는 특히 높은 전도도 특성과 투명도에 의해 투명 전도체나 차세대 반도체로서의 높은 잠재성을 갖는 그래핀과 탄소 나노튜브와 같은 고도로 정렬된 구조를 갖는 나노구조체에 대한 연구에 초점이 맞춰져 있다. 이로 인해 나노그라파이트나 비정질 탄소 역시 흥미로운 여러 특성을 나타냄에도 불구하고, 이를 활용하여 새로운 특성을 갖는 소재를 개발하고, 이를 응용하고자 하는 시도들은 상대적으로 많은 주목을 받지 못하였다.
나노그라파이트와 비정질 탄소에는 고정된 자유 라디칼을 의미하는 소위 "댕글링 본드(dangling bond)" 가 상당 비율 함유되어 있기 때문에 적절한 조건에서 수소 및/또는 HC(hydrocarbon) 라디칼과 반응하여 비정질 수소화 탄소막을 형성한다. 그러나 나노그라파이트나 비정질 탄소에서의 댕글링 본드를 활용하여 새로운 특성을 갖는 소재를 개발하고, 이를 응용하고자 하는 시도들은 제한적이었다. 종래기술에서 비정질 탄화수소 막은 균일한 두께의 박막 형성이 용이하다는 장점으로부터 식각 마스크로 사용되거나, 반도체 금속 배선의 층간 물질과 같은 저유전 절연체로 박막 결함을 방지하고 층간 밀착도를 증가시키기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되었다.
비정질 수소화 탄소막과 마찬가지로 불소 및/또는 FC(fluorocarbon) 라디칼 존재하에서는 비정질 불소화 탄소(a-C:Fs)막을 형성할 수 있다. 한국 등록특허 제10-0283007호는 비정질 탄소에 불소 농도를 증가시켜 비정질 불소화 탄소를 제조하면, 비정질 수소화 탄소에 비해 유전율을 더 낮출 수 있음을 보고하였다. 이에 비정질 불소화 탄소막은 낮은 유전율 특성을 활용한 절연막(한국 등록특허 제10-0427508호, 제10-0283007호, 일본 등록특허 제3666106호)으로 사용되는 것 위주로 보고되어 왔으며, 고유전 특성을 갖는 비정질 불소화 탄소막에 대해서는 보고된 바 없다.
본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 유전상수가 크고 누설전류가 낮으며 절연강도가 높아 고집적 소자의 제조에 유용한 신규한 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터와 그 제조방법 및 상기 커패시터를 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 하부 전극; 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 배치되며, 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 포함하는 커패시터 유전막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터에 관한 것이다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 그리고 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에"라 함은, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적으로" 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장자리 일부에는 형성되지 않는 것도 포함한다.
본 명세서에서 "비정질"이라 함은 결정질과 대비되는 용어로, 원자들의 위치에 장거리 질서가 존재하지 않는 것을 의미한다. 즉, 본 발명의 "비정질" 박막은 박막 전체가 비정질로만 구성되어 있을 수도 있으나, 단거리 질서가 존재하는 나노 결정 영역이 포함되어 있을 수 있다. 본 발명의 비정질 불소화 탄소 박막에서 탄소 간에는 sp2 결합과 sp3 결합을 모두 포함하고 있을 수 있으나, 그 비율에 의해 본 발명의 박막이 한정되는 것은 아니다.
또한 본 명세서에서 "비정질 불소화 탄소 박막"이라 함은 댕글링 본드에 포획된 불소를 포함하는 비정질 탄소 박막을 의미하며, 댕글링 본드에 의해 포획된 다른 원소가 있는 것을 제외하는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 비정질 불소화된 탄소 박막에는 댕글링 본드에 의해 포획된 수소를 함께 포함할 수 있다. 박막 내에서 불소는 -CF, -CF2 또는 -CF3의 형태로 결합되어 있을 수 있다.
종래 기술에 의하면 비정질 탄소 박막은 유전상수가 매우 낮은 저유전 박막이며, 비정질 탄소 박막에 불소를 함유하는 경우 유전율이 더욱 낮아지는 것으로 알려져 있었다. 본 발명의 반도체 구조물은 종래 알려진 비정질 불소화 탄소 박막과는 달리 고유전 특성을 나타내는 비정질 불소화 탄소 초박막을 커패시터 유전막으로 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 상기 비정질 불소화된 탄소 초박막은 유전상수가 10 이상인 것을 특징으로 하며 바람직하게는 종래 Hf-계, Zr-계 또는 Ti-계 산화물 박막보다 높은 40 이상, 더욱 바람직하게는 60 이상일 수 있다.
본 발명의 커패시터에서 비정질 불소화 탄소 박막은 비정질 구조로 인하여 표면 거칠기가 매우 낮으며, rms 표면 거칠기가 5 nm 이하, 바람직하게는 3 nm 이하, 더욱 바람직하게는 2 nm 이하이다. 낮은 표면 거칠기로 인하여 핀홀 없이 매끄러운 10 nm 이하 두께의 초박막을 형성할 수 있으며, 낮은 누설전류와 높은 절연강도 특성을 구현할 수 있다.
종래 고유전 물질들이 높은 누설전류와 낮은 절연강도, 높은 CV 히스테리시스 특성으로 10 nm 이하의 노드를 갖는 소자에 적용하기 어려운 것에 반해, 고유전 비정질 불소화 탄소 박막은 큰 유전상수 값을 가질 뿐 아니라 전기적 특성이 매우 우수하다. 등가산화막 두께 0.1 nm를 기준으로 하였을 때, 본 발명의 비정질 불소화 탄소 초박막은 인가 전압 1V 기준의 누설전류가 10 A/㎠ 이하이고, 절연강도는 10 MV/㎝ 이상이며, CV 히스테리시스는 5 mV 이하이므로 10 nm 이하의 소자에서도 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명의 커패시터에서 커패시터 유전막은 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막으로만 구성될 수도 있으며, 또는 적층된 복수의 유전층으로 커패시터 유전막이 구성되고, 상기 복수의 유전층 중 하나의 유전층이 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막으로 구성되도록 할 수도 있다. 복수의 유전층 중 나머지 유전층은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 하프늄, 실리콘 산화물, 하프늄 산화 질화물, 하프늄 실리콘 산화 질화물, 란타늄 산화물, 란타늄 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 지르코늄 산화 질화물, 지르코늄 실리콘 산화 질화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈륨 산화물 중에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 일양태는 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 커패시터 유전막으로 포함하는 커패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 커패시터에서 상기 비정질 불소화 탄소 박막은 (A) 하부 전극이 형성된 기판을 플라즈마 반응기 내에 위치시키는 단계; (B) 상기 반응기 내에 불화탄소 가스를 포함하는 제1가스 및 비활성 가스를 포함하는 제2가스를 주입하는 단계; 및 (C) 상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하며, 이때 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하여 유전상수가 10 이상인 비정질 박막이 성장되도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 플라즈마 반응기란 반응기 내에서 플라즈마를 발생시켜 반응가스의 반응을 유도하는 것으로, 예로서 플라즈마 보조 화학기상증착(PE-CVD) 또는 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD), 전자싸이클로트론공명 화학기상증착(ECR-CVD) 반응기를 들 수 있다. 플라즈마는 반응가스로부터 반응성이 높은 라디칼을 다량 생성하여 낮은 온도에서도 박막의 형성이 가능하다. 하기 실시예에서는 ICP-CVD를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것이 아님은 당연하다.
본 발명에서 기판은 통상 박막의 제조에 사용되는 기판 어느 것을 사용하여도 무방하다. 예를 들면, 실리콘, 유리, 금속, 금속 산화물 기판과 같이 통상 반도체 소자의 제조를 위한 기판은 물론, 반도체 소자의 구체적인 구현 형태에 따라 그 위에 활성층에 형성되어 있는 기판, 그래핀 및 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2와 같은 이차원 나노재료 층이 형성되어 있는 기판 등을 포함한다. 또한 하부전극 상에는 고유전 비정질 불소화 탄소 이외의 커패시터 유전막이 형성되어 있을 수 있다. 본 발명에 의하면 비정질 불소화 탄소 박막 성장을 위한 별도의 촉매층을 필요로 하지 않기 때문에 별도의 전사 공정을 거치지 않고 박막이 적층될 기판에 직접적으로 비정질 불소화 탄소 박막을 증착시킬 수 있다. 그러나 기판 상에 비정질 불소화 탄소 박막을 성장시킨 후, 다른 기판으로 전사하는 것에 의해 박막을 형성하는 것을 제외하는 것은 아니다. 또한 400℃ 이하에서 박막의 성장이 가능하므로 폴리이미드와 같은 고분자 기판을 포함하는 경우에도, 기판의 손상 없이 박막의 성장이 가능하다.
커패시터 유전막을 이루는 비정질 불소화 탄소 박막의 특성은 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기에 의해 결정되며, 각 변수들을 조절하는 것에 의해 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 성장시킬 수 있다. 이에 각 변수들을 상세히 설명한다. 각 변수들의 최적화된 절대값은 각 장비에 따라 변화할 수 있음은 당연하며, 하기 변수들에 대한 설명을 참조하여 사용하고자 하는 용도에 적합한 두께와 유전상수 및 표면거칠기의 박막을 제조하는 것은 용이할 것이다.
상기 제1가스는 불화탄소 가스를 포함한다. 불화탄소 가스는 플라즈마에 의해 불소화 탄소 박막을 형성할 수 있는 것이라면 어떤 것이라도 사용할 수 있으며, 통상 고온에서 화학기상증착에 의해 그래핀 제조에 사용될 수 있는 탄소, 예를 들어 메탄, 에탄, 프로판, 에틸렌, 아세틸렌, 프로필렌으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물에서 수소가 불소로 치환된 물질을 사용할 수 있다. 수소가 불소로 치환되었다고 하는 것은 화합물을 구성하는 수소 모두가 불소로 치환된 것뿐 아니라, 수소의 일부가 불소로 치환된 것 역시 포함된다. 예를 들어 메탄의 수소가 불소로 치환된 화합물은 실시예에 사용된 CF4 뿐 아니라 CHF3, CH2H2, CH3F를 모두 포함한다. 불화탄소에 수소 원자가 포함된 경우에는 박막 내에 댕글링 본드에 의해 불소와 함께 수소가 포획될 수 있다. 또한 상기 언급한 화합물 이외의 불화 탄소를 제외하는 것은 아니다.
상기 제2가스는 비활성 가스를 포함하며, 반응기 내의 압력과 불화탄소의 농도를 조절하는 캐리어 가스로 역할을 한다. 제2가스에는 수소를 추가로 포함할 수 있다. 제2가스에 수소가 포함되는 경우에도 댕글링 본드에 의해 불소와 함께 수소가 포획될 수 있다. 따라서 제2가스에 수소가 포함되는 경우에는, 상기 제1가스 중 불화탄소 가스와 제2가스 중 수소 가스의 체적비를 조절하는 것에 의해 박막 내 댕글링 본드에 의해 포획된 불소와 수소의 비율을 조절할 수 있다. 상기 제1가스 중 불화탄소 가스와 제2가스 중 수소가스의 체적비는 100:0~1:50이 되도록 할 수 있다. 수소가스의 체적비가 증가할수록 댕글링 본드에 의해 포획된 불소에 비해 수소의 비율이 증가함은 당연하며, 불화탄소 가스에 대한 수소가스의 체적비가 1:50 이상이 되면 불소의 포획 비율이 너무 낮아질 수 있다.
제1가스와 제2가스의 체적비는 예를 들어 1:1~1:100일 수 있다. 제1가스에 비하여 제2가스의 비율이 너무 높으면 박막 성장이 너무 느리거나 박막이 성장하기 어려울 수 있으며, 제2가스의 비율이 너무 낮으면 박막 표면이 거칠어져 표면 특성이 저하될 수 있다.
불화탄소 가스의 존재 하에서 플라즈마를 가하면 기판 상에 불소화 탄소 박막이 형성된다. 탄소 가스를 사용한 탄소 박막의 증착 시 900℃ 이상의 고온에서는 고품질의 그래핀 박막이 형성되며 온도가 낮아짐에 따라 댕글링 본드가 증가하고 그래핀 박막의 결정성이 저하되는 것은 이미 잘 알려져 있다. 본 발명의 박막의 제조 시에도 상기 (C) 단계의 온도에 따라 생성되는 박막의 특성이 변화하였다. 고온에서는 그래핀이 형성되며, 온도가 낮아짐에 따라 비정질 박막 내에 나노 그래핀 결정이 포함된 나노그라파이트가 형성되며, 박막 제조 온도를 더 낮추면 본 발명의 고유전 비정질 불소화 탄소 박막이 형성되었다. 하기 실시예에서는 상온~400℃에서 제조된 박막의 고유전 특성을 기재하였으나, 사용하는 장비와 불화탄소 가스의 농도, 반응기 내 압력, 플라즈마의 세기 등 다른 반응 조건에 따라 변동될 수 있으므로, 그 값을 특정 값으로 한정하는 것은 의미가 없으며 여러 가지 조건을 고려하면 20~700℃에서 반응 온도를 조절하는 것이 바람직하다.
상기 (C) 단계에서 반응기 내 압력은 플라즈마 방전이 원활하게 이루어질 수 있도록 0.1~10 Torr인 것이 바람직하다. 압력이 너무 높은 경우에는 플라즈마 유지가 힘들어 박막의 증착 효율이 낮아지고, 압력이 너무 낮으면 공정 효율성이 저하된다.
플라즈마의 세기 역시 생성되는 박막의 특성에 영향을 미친다. 상기 플라즈마의 세기는 100 W~1,000 W의 범위에서 조절되는 것이 바람직하다. 플라즈마의 세기가 증가할수록 박막의 성장속도가 증가하고, 표면 거칠기가 작아지며, 유전상수는 증가하는 경향을 나타내었으므로(데이터 미도시) 1,000 W 이상의 세기를 제외하는 것은 아니다. 또한 플라즈마의 세기가 낮은 경우에는 증착시간을 증가시키는 것에 의해 박막의 두께나 표면거칠기를 조절할 수 있으며, 유전상수 또한 이에 따라 변화할 수 있다. 따라서 100 W 미만 역시 제외되는 것은 아니다.
최적의 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기는 상호 영향을 미치는 인자이므로, 다른 값을 고정시켰을 때 하나의 파라메타가 특정값에서 최적값을 나타내었다고 하더라도, 다른 변수가 조절되면 그 절대값이 변할 수 있음은 당연하다.
본 발명은 이제까지 고유전 특성이 알려지지 않았던 비정질 불소화 탄소 박막의 특성을 확인하고, 이를 초박막의 형태로 적용하여 반도체 구조물에 활용하고자 하는 것으로, 반도체 구조물을 구성하는 다른 구성요소들의 설계에 따라 원하는 두께, 유전상수, 표면거칠기를 포함한 최적의 특성을 갖도록 상기 조건들을 변화시켜 설계하는 것은 당업자들이라면 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 발명의 또 다른 일 양태는 상기 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 커패시터 절연막으로 포함하는 커패시터를 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자는 기억 소자 또는 논리 소자를 들 수 있다. 예를 들어,
i) 본 발명의 반도체 소자는,
기판;
상기 기판에 서로 마주보며 배치되는 소스/드레인 영역;
상기 기판 상에 배치되어 전계를 인가하는 게이트 전극;
상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 개재되는 게이트 유전막; 및
상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 및
상기 컨택 구조물에 연결되는 커패시터;
를 포함할 수 있다.
ii) 또 다른 예시에서 본 발명의 소자는,
활성 영역이 정의된 기판;
상기 활성 영역을 가로질러 제1 방향으로 연장되는 워드 라인;
상기 워드 라인과 활성 영역 사이에 개재되는 게이트 유전막;
상기 워드 라인의 상부에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 비트 라인;
상기 활성 영역에 연결되는 컨택 구조물; 및
상기 컨택 구조물에 연결되는 커패시터;
를 포함할 수 있다.
그러나 이는 본 발명의 반도체 소자의 구체적인 구성을 예시한 것으로, 이에 한정되는 것은 아님은 당연하다.
이상과 같이 본 발명의 반도체 구조물은 유전값이 SiO2는 물론 종래의 Hf- 또는 Zr- 기반 산화물보다 현저히 높으면서도 누설전류가 매우 낮고, 높은 유전강도 특성을 보이는 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 커패시터 유전막으로 포함하여 10 nm 노드 이하의 반도체 소자의 구현에 보다 유용하게 사용될 수 있다.
또한 고유전 비정질 불소화 탄소 박막은 제조 시 촉매층을 필요로 하지 않으므로, 전사공정을 요하지 않고 필요로 하는 기판 바로 위에 증착될 수 있어 계면특성이 우수하여 커패시터 및 반도체 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 400℃ 이하의 저온에서도 고유전막의 형성이 가능하기 때문에 열에 약한 유연성 소자에도 적용이 가능하다.
도 1은 증착 온도에 따라 성장된 박막의 라만 스펙트럼.
도 2는 비정질 불소화 탄소 박막의 AFM 이미지.
도 3은 증착 온도에 따른 박막의 IR 스펙트럼.
도 4는 증착온도에 따른 박막의 XPS 스펙트럼.
도 5는 증착온도에 따른 비정질 불소화 탄소 박막의 C-V 곡선.
도 6은 Si 기판과 비정질 불소화 탄소 박막의 계면을 보여주는 HR-TEM 이미지.
도 7은 증착온도에 따른 박막의 두께와 유전 상수를 보여주는 그래프.
도 8은 증착온도에 따른 비정질 불소화 탄소 박막의 J-V 곡선.
도 9는 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 커패시터의 구조를 보여주는 단면도.
도 10은 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자를 나타내는 단면도.
도 11은 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자를 나타내는 단면도.
도 2는 비정질 불소화 탄소 박막의 AFM 이미지.
도 3은 증착 온도에 따른 박막의 IR 스펙트럼.
도 4는 증착온도에 따른 박막의 XPS 스펙트럼.
도 5는 증착온도에 따른 비정질 불소화 탄소 박막의 C-V 곡선.
도 6은 Si 기판과 비정질 불소화 탄소 박막의 계면을 보여주는 HR-TEM 이미지.
도 7은 증착온도에 따른 박막의 두께와 유전 상수를 보여주는 그래프.
도 8은 증착온도에 따른 비정질 불소화 탄소 박막의 J-V 곡선.
도 9는 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 커패시터의 구조를 보여주는 단면도.
도 10은 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자를 나타내는 단면도.
도 11은 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자를 나타내는 단면도.
이하 첨부된 도면과 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 이러한 도면과 실시예는 본 발명의 기술적 사상의 내용과 범위를 쉽게 설명하기 위한 예시일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정되거나 변경되는 것은 아니다. 이러한 예시에 기초하여 본 발명의 기술적 사상의 범위 안에서 다양한 변형과 변경이 가능함은 당업자에게는 당연할 것이다.
[실시예]
실시예 1 : 비정질 불소화 탄소 박막의 제조
n-타입 결정성 Si(100) 기판 상에 하기 조건에서 CF4 가스와 수소/아르곤 혼합 가스를 사용하여 ICP CVD(Inductively-coupled plasma chemical vapor deposition)에 의해 불소화 탄소 박막을 증착하였다. 구체적으로, 반응기 내로 10 sccm의 CF4 가스와 100 sccm의 수소/아르곤 혼합가스(수소 10%)를 각각 주입하였다. Si 기판은 표준 세척방법에 의해 먼저 10% HF 용액으로 30초간 세정하고, DI 수로 세척하여 사용하였다. 증착 시 압력은 1 Torr, 플라즈마 파워는 400 W, 증착시간은 30분으로 고정하였으며, 온도에 따른 효과를 관측하기 위하여 증착 온도는 상온에서 400℃ 범위에서 조절하였다.
실시예 2 : 증착 온도에 따른 탄소박막의 특성 평가
증착 온도에 따라 형성된 박막에 대해 라만 스펙트럼을 관측하고, 도 1에 그 결과를 도시하였다. 상온 또는 100℃의 낮은 온도에서 증착된 시료의 라만 스펙트럼은 1575 cm-1의 G 밴드만을 나타내어, 대부분이 무질서한 6중 고리 또는 다른 차수의 고리로 구성된 완전히 무질서하고 거의 완전히 sp2 결합된 비정질 불소화 탄소(a-C:F) 박막이 형성되었음을 나타내었다. 200℃에서 증착된 시료에서는 G 피크의 강도가 크게 증가하였으며, 300℃, 400 ℃로 증착 온도를 더욱 증가시킴에 따라 G 피크는 1575 cm-1에서 1599 cm-1로 이동하고, D 피크가 새롭게 관측되어 비정질 탄소 박막이 흑연화됨을 나타내었다. D 피크의 출현은 비정질 탄소가 정렬되지만 흑연의 무질서한 구조를 갖는 것을 의미한다. D 피크가 생성되고 G 피크가 이동하는 것은 sp3/sp2 비율이 감소함을 시사하며, sp3/sp2 비율의 변화로부터 비정질 불소화 탄소 박막의 유전 특성을 제어할 수 있을 것이라 기대하였다.
도 2는 Si 기판 상에 직접 성장된 비정질 불소화 탄소 박막의 AFM(Asylum Research, MFP-3D) 이미지로, 균일하며, 핀홀 없이 매끈한 박막이 성장됨을 확인하였다. 박막의 표면 거칠기(root-mean-square roughness) 값은 1.4 nm였다.
생성된 비정질 불소화 탄소 박막의 화학구조를 FTIR(Nicolet 6700 Fourier transform infrared spectrometer)로 확인하였다. 도 3은 증착 온도에 따른 박막의 IR 스펙트럼을 보여주는 것으로, 성장 온도와 무관하게 모든 박막이 유사한 스펙트럼을 보여주었다. 1030 cm-1의 강한 피크는 C-F 결합 방법과 평행한 방향에 대한 F 원자의 비대칭 스트레칭에 해당한다. 923 cm-1 및 1314 cm-1의 흡수 밴드는 C-F3의 스트레칭에 기인하며, 1192 cm-1 및 1314 cm-1의 흡수 밴드는 C-F2의 대칭 및 비대칭 스트레칭에 기인한다. 따라서 FTIR 스펙트럼은 각 온도에서 생성된 모든 박막 내에 C-F, C-F2 및 C-F3 결합이 존재하며, 따라서 생성된 박막이 댕글링 본드에 불소가 포획된 비정질 불소화 탄소 박막임을 확인할 수 있었다.
박막에서의 화학적 결합을 XPS(K-Alpha X-ray photoelectron spectrometer) 측정에 의해 추가로 확인하였다. 도 4의 a에서 확인할 수 있듯이, 박막의 성장 온도가 증가함에 따라 F/C 비율이 감소하여 F1s 스펙트럼에서의 C-Fx 결합에 대한 피크 위치는 688.3 eV에서 685.4 eV로 낮은 에너지쪽으로 이동하였다. 특히 도 4의 b에 도시된 C1s 결합 에너지를 보여주는 XPS 스펙트럼은 박막의 성장 온도에 따라 큰 차이를 나타내었다. 상온에서 증착된 박막의 XPS 스펙트럼에서는 C-F, C-F2, C-F3 결합에 대한 피크가 우세하였으나, 증착 온도가 100℃로 증가하면 C-C 피크가 급격히 증가하고 C-F 피크는 서서히 증가한 반면 C-F2, C-F3 피크는 현저히 감소하였다. 증착 온도가 200, 300, 400℃로 더욱 증가하면, C-C 및 C-F 결합에 의한 피크가 주를 이루었다. 도 3의 c에 도시한 바와 같이 C-F2결합(1.7 Å)이나 C-F3 결합(1.4 Å)에 비해 C-F 결합은 결합의 길이가 3.0 Å으로 가장 길다. 따라서 비정질 불소화 탄소 박막에서 C-F 결합이 우세한 것으로부터 박막의 쌍극자 모멘트는 물론 박막의 유전 특성을 향상시킬 것을 기대할 수 있다.
실시예 3 : 비정질 불소화 탄소 박막의 전기적 특성 평가
유전층으로서 본 발명에 의한 비정질 불소화 탄소 박막을 사용한 MIS 소자를 제조하여 상기 비정질 불소화 탄소 박막의 전기적 특성을 평가하였다. 구체적으로 실시예 1의 방법에 의해 Si 기판 상에 성장시킨 비정질 불소화 탄소 박막 상에 DC 스퍼터링에 의해 원형의 Ti(5 nm)/Au(200 nm) 전극을 형성하여 MIS 소자를 제조하였다.
도 5는 제조된 MIS 소자에서 측정한 비정질 불소화 탄소 박막의 C-V 곡선으로 박막의 성장 온도가 증가할수록 정전용량(capacitance)이 현저히 증가함을 보여준다. 내부 그래프에서, ○은 -2 V에서 2 V까지 정방향으로 측정된 값이며, △는 +2 V에서 -2 V까지 역방향으로 측정된 값이다. 모든 시료에 대한 C-V 루프에서 히스테리시스는 거의 0에 가까운 값을 나타내었다(< 5 mV). 히스테리시스 값이 매우 작다는 것은 비정질 불소화 탄소 박막과 Si 기판의 계면에 트랩된 전하밀도가 매우 작음을 의미한다. 계면 특성이 우수한 것은 (i) 비정질 불소화 탄소 박막을 ICP-CVD로 성장시키는 동안 SI 계면에 불소화된 댕글링 본드가 형성된 것과 (ii) 도 6의 HR-TEM 이미지에서 확인되는 것과 같이 Si과 비정질 불소화 탄소층 사이에 계면 산화층이 존재하지 않는 것으로 설명될 수 있다.
비정질 불소화 탄소 박막의 유전상수는 C-V 곡선으로부터 하기 식을 이용하여 계산할 수 있다.
이때, k는 비유전상수이며, d는 박막의 두께이고, 는 집적 캐패시턴스, 는 진공에서의 유전율, A는 MIS 소자의 면적을 나타낸다.
도 7의 왼쪽 그래프는 각 증착 온도에서 성장된 비정질 불소화 탄소 박막의 두께를 ellipsometer M-2000을 사용하여 측정한 결과를 보여주는 그래프로, 상온에서 성장된 박막은 두께가 5.5 nm이며 100~400℃에서 성장된 박막의 두께는 3~3.5 nm였다. 박막의 두께로부터 계산된 유전상수를 증착 온도에 따라 도시하여 도 7의 오른쪽에 나타내었다. 유전상수는 상온에서 증착된 박막에 비해 100℃에서 증착된 박막은 약간 증가하였으나, 증착 온도가 200℃ 이상에서는 급격한 증가를 나타내었다. 이러한 결과는 도 1과 도 3의 라만 스펙트럼 및 XPS 스펙트럼의 결과와도 일치한다. 400℃에서 성장된 비정질 불소화 탄소 박막의 비유전상수는 105로 이제까지 보고된 Hf- 및 Zr- 기반 산화물의 유전상수 20~30은 물론 본 발명자들이 등록특허 제10-2314727호 등에서 보고한 비정질 탄소 박막의 유전상수 90보다도 매우 우수한 유전율을 나타내었다.
high-k 유전체로서 중요한 요건은 누설전류 밀도가 낮고 절연강도가 높아야 한다는 것이다. 비정질 불소화 탄소 박막의 실제 게이트 유전 물질로서의 효용성을 확인하기 위하여 J-V 측정을 실시하고 그 결과를 도 8에 도시하였다. 비유전상수가 105로 가장 높은 유전율을 보여주었던 400℃에서 성장된 비정질 불소화 탄소 박막은, 0.1 nm의 등가산화막 두께(EOT)에 대해 1V의 인가전압에서 약 5 A/㎠의 우수한 MIS 누설 전류밀도를 나타내었다. 또한 J-V 측정을 위해 인가된 전압인 3V까지 항복현상(breakdown)을 나타내지 않아 절연강도가 적어도 10 MV/㎝ 이상으로 높은 값을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 누설전류 및 유전강도는 최근에 보고된 고유전 산화물과 적어도 동등하거나 이들보다 우수하다.
실시예 4 : 커패시터 및 반도체 소자의 구현예
본 실시예에서는 도 9~도 11을 참조하여 본 발명의 커패시터 및 커패시터를 포함하는 반도체 소자에 대해 설명한다. 그러나 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 반도체 소자가 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형상으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 하기 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 이하, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 9는 하부전극(110), 커패시터 유전막(120) 및 상부전극(130)을 포함하는 커패시터(10)의 단면도이다.
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 트랜치형 커패시터 구조를 사용하더라도 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 커패시터로는 유전막과 폴리실리콘막 사이에 저유전막이 형성되어 원하는 정전 용량을 얻을 수 없게 되었다. 이에 따라, 상기 MIS 커패시터를 대체할 수 있는 MIM 커패시터가 도입되었고, 커패시터 유전막은 고유전막으로서 전술한 비정질 불소화 탄소 박막을 이용하여 형성하는 것에 의해 누설 전류 밀도가 낮고 절연 강도가 높은 특성을 갖도록 할 수 있다.
본 발명의 커패시터에서 커패시터 유전막은 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막으로만 구성될 수도 있으며, 또는 적층된 복수의 유전층으로 커패시터 유전막이 구성되고, 상기 복수의 유전층 중 하나의 유전층이 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막으로 구성되도록 할 수도 있다. 복수의 유전층 중 나머지 유전층은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 하프늄, 실리콘 산화물, 하프늄 산화 질화물, 하프늄 실리콘 산화 질화물, 란타늄 산화물, 란타늄 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 지르코늄 산화 질화물, 지르코늄 실리콘 산화 질화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈륨 산화물 중에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성될 수 있다.
상기 하부 전극(110)은 하나의 금속막으로 이루어질 수 있으며, 다중막으로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 상기 하부 전극(110)은 Al, Cu, Ti, TiN, Ta, 및 TaN 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(110)의 구조는 스택 구조, 실린더 구조, 및 컨케이브 구조 중에서 선택된 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 전극(130) 역시 하나의 금속막으로 이루어질 수도 있으며, 다중막으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(130)은 도전성을 갖는 금속막, 금속 질화막, 금속 산화막, 금속 산질화막, 및 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 중에서 선택된 하나로 형성될 수 있다. 혹은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극은 동일한 물질로 형성되어도 무방하다.
도 10 및 도 11은 상기 커패시터를 포함하는 반도체 소자의 예시적인 단면도이다.
먼저, 도 10은 기판(211), 소스/드레인 영역(221), 게이트 전극(231), 게이트 유전막(232), 컨택 구조물(241) 및 커패시터(10)를 포함하는 반도체 소자(20)에 관한 것이다.
상기 기판(211)은 유리나 플라스틱, 실리콘 기판 등 통상의 반도체 소자 공정에서 사용되는 다양한 기판 중 어느 하나일 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 기판(211)은 실리콘(Si), 저머늄(Ge) 등과 같은 반도체를 포함할 수 있고, 또는 SiGe, SiC, GaAs, InAs, InP 등과 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 기판은 SOI(silicon on insulator) 구조를 가질 수 있다. 또 다른 실시예들에서 상기 기판에는 다른 활성층이 형성되어 있을 수 있다.
상기 기판은 추가로 소자 분리막에 의해 활성 영역이 정의되어 있을 수 있다. 상기 소자 분리막은 하나의 절연막으로 형성될 수도 있지만, 외부 절연막 및 내부 절연막을 포함할 수도 있다. 외부 절연막 및 내부 절연막은 동일한 물질이거나 혹은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 외부 절연막은 산화막으로 형성되고, 내부 절연막은 질화막으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판에는 소스/드레인 영역(221)이 서로 마주보며 배치되어, 그 사이에 채널 영역을 정의한다. 상기 소스/드레인 영역은 기판 내에 형성되거나 혹은 기판으로부터 돌출되어 형성될 수 있다.
상기 기판 상에는 게이트 전극(231)이 배치되어 채널 영역에 전계를 인가한다. 게이트 전극은 하나의 게이트 막으로 이루어질 수 있으며, 다중막으로 형성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 게이트 전극(231)은 불순물이 도핑된 반도체, 금속, 도전성 금속 질화물, 또는 금속 실리사이드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(231)과 기판(211) 사이에는 게이트 유전막이 개재된다. 게이트 유전막은 앞서 설명한 고유전 불소화 탄소 박막을 이용하여 형성될 수 있으며, 다른 저유전 물질막 또는 고유전 물질막으로도 형성될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막, 하프늄 산화막, 지르코늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 및 티타늄 산화막 중에서 선택된 물질로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 10에서는 상기 게이트 유전막이 게이트 전극의 하면과 측면에 모두 형성된 것으로 도시하였으나, 게이트 전극의 하면에만 형성되어도 무방하다.
게이트 전극과 게이트 유전막의 측면에는 스페이서(233)가 추가로 형성될 수 있다. 상기 스페이서는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산화질화물 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 도 10에서는 상기 스페이서가 단일층으로 이루어진 경우를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 복수의 층으로 이루어질 수도 있음은 당연하다.
컨택 구조물(241)은 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되도록 배치된다. 상기 컨택 구조물은 도전성을 갖는 금속막, 금속 질화막, 금속 산화막, 금속 산질화막 및 도핑된 반도체 물질 중 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
커패시터(10)는 컨택 구조물에 연결되는 것에 의해 소스/드레인 영역과 전기적으로 연결된다. 이 때문에 일부 실시예에서 상기 컨택 구조물은 커패시터 컨택으로 지칭되거나, 소스/드레인 컨택으로 지칭될 수 있다.
상기 커패시터는 하부 전극(110), 상부 전극(130) 및 하부전극과 상부 전극 사이에 개재된 커패시터 유전막(120)을 포함한다. 전술한 바와 같이 본 발명에서 상기 커패시터 유전막은 유전율이 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 포함하여 형성되어 누설 전류 밀도가 낮고 절연강도가 높은 특성을 갖는다. 하부 전극과 상부 전극 및 커패시터 유전막은 도 9의 설명에서 기재된 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
본 발명의 반도체 소자에서는 절연막(251)에 의해 하부 전극이 다른 활성 영역과 전기적으로 접촉되는 것이 방지될 수 있다. 절연막은 단층의 절연막으로 형성될 수도 있지만, 복수의 절연막을 포함할 수도 있다. 복수의 절연막은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 절연막 중 하나는 산화막으로 형성되고, 복수의 절연막 중 다른 하나는 질화막으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것이 아님은 당연하다.
도 11은 또 다른 실시예에 의한 반도체 소자(30)를 나타내는 단면도이다. 본 실시예의 반도체 소자는 기판(211), 워드 라인(310), 비트 라인(320), 컨택 구조물(241) 및 커패시터(10)을 포함한다.
기판(211)은 도 9에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있으며, 기판의 활성 영역 역시 전술한 바와 같이 소자 분리막(미도시)에 의해 정의할 수 있다. 일예로 소자 분리막은 기판의 상부 영역에 트렌치를 형성하고, 트렌치에 절연막을 채워 형성할 수 있다. 또한 소자 분리막은 단일막으로 구성되거나, 복수층의 절연막으로 구성될 수 있다.
본 발명의 반도체 소자(30)는 활성 영역을 가로질러 제1 방향으로 연장되는 워드 라인(310)을 포함한다. 도 9에서는 워드 라인이 기판의 내부에 형성되는 수직 채널형을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 워드 라인은 하나의 라인이거나 혹은 상호 평행한 복수의 라인으로 형성될 수 있다. 복수의 라인으로 형성되는 경우에는 등간격으로 배치될 수 있으며, 폭이나 간격은 반도체 소자의 디자인에 따라 적절하게 결정될 수 있다. 워드 라인은 기판 내에 형성된 트렌치의 하부 부분을 채우는 형태로 형성되며, 상면은 활성 영역의 상면보다 낮을 수 있다. 워드 라인은 예를 들면, Ti, TiN, Ta, TaN, W, WN, TiSiN, 및 WSiN 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 11과 같이 워드 라인의 상면이 활성 영역의 상면보다 낮은 경우에는 절연막 또는 추가 공정에서 사용되는 마스크에 의해 활성 영역과 얼라인될 수 있다. 상기 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 상기 워드 라인과 활성 영역 사이에는 게이트 유전막이 개재된다.
상기 워드 라인 상에는 이와 교차하는 제2 방향으로 상호 평행하게 연장하는 복수의 비트 라인(320)이 배치될 수 있다. 상기 비트 라인 역시 일정한 간격으로 배치될 수 있으며, 폭이나 간격은 반도체 소자의 디자인에 따라 적절하게 결정될 수 있다.
커패시터(10)는 컨택 구조물(241)에 의해 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결된다. 이 때문에 일부 실시예에서 상기 컨택 구조물은 커패시터 컨택으로 지칭되거나, 소스/드레인 컨택으로 지칭될 수 있다. 상기 컨택 구조물은 도전성을 갖는 금속막, 금속 질화막, 금속 산화막, 금속 산질화막 및 도핑된 반도체 물질 중에서 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 커패시터는 하부 전극(110), 상부 전극(130) 및 하부전극과 상부 전극 사이에 개재된 커패시터 유전막(120)을 포함한다. 전술한 바와 같이 본 발명에서 상기 커패시터 유전막은 유전율이 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 포함하여 형성되어 누설 전류 밀도가 낮고 절연강도가 높은 특성을 갖는다. 하부 전극과 상부 전극 및 커패시터 유전막은 도 9의 설명에서 기재된 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
10: 커패시터
110: 하부 전극 120: 커패시터 유전막
130: 상부 전극
20, 30: 반도체 소자
211: 기판 221: 소스/드레인 영역
231: 게이트 전극 232: 게이트 유전막
233: 스페이서
241: 컨택 구조물 251: 절연막
310: 워드 라인 320: 비트 라인
110: 하부 전극 120: 커패시터 유전막
130: 상부 전극
20, 30: 반도체 소자
211: 기판 221: 소스/드레인 영역
231: 게이트 전극 232: 게이트 유전막
233: 스페이서
241: 컨택 구조물 251: 절연막
310: 워드 라인 320: 비트 라인
Claims (12)
- 하부 전극;
상부 전극; 및
상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 배치되며, 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막을 포함하는 커패시터 유전막;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터.
- 청구항 1에 있어서,
비정질 불소화 탄소 박막은 비정질 탄소 박막의 댕글링 본드에 포획된 수소를 함께 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 비정질 불소화 탄소 박막은 등가 산화막 두께 0.1 nm, 인가 전압 1V 기준의 누설전류가 10 A/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 커패시터.
- 청구항 3에 있어서,
상기 비정질 불소화 탄소 박막은 등가 산화막 두께 0.1 nm 기준의 절연강도가 10 MV/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 커패시터.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 커패시터 유전막은 적층된 복수의 유전층으로 구성되고,
상기 복수의 유전층 중 하나의 유전층이 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 청구항 5에 있어서,
상기 복수의 유전층 중 나머지 유전층은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 하프늄, 실리콘 산화물, 하프늄 산화 질화물, 하프늄 실리콘 산화 질화물, 란타늄 산화물, 란타늄 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 지르코늄 산화 질화물, 지르코늄 실리콘 산화 질화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈륨 산화물 중에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하부 전극은 스택 구조, 실린더 구조, 및 컨케이브 구조 중에서 선택된 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상부 전극은 도전성을 갖는 금속막, 금속 질화막, 금속 산화막, 금속 산질화막, 및 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 중에서 선택된 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 커패시터의 제조방법으로,
상기 커패시터 유전막을 구성하는 유전상수가 10 이상인 비정질 불소화 탄소 박막은,
(A) 하부 전극이 형성된 기판을 플라즈마 반응기 내에 위치시키는 단계;
(B) 상기 반응기 내에 불화탄소 가스를 포함하는 제1가스 및 비활성 가스를 포함하는 제2가스를 주입하는 단계; 및
(C) 상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하며,
이때 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하여 유전상수가 10 이상인 비정질 박막이 성장되도록 하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 청구항 10에 있어서,
기판;
상기 기판에 서로 마주보며 배치되는 소스/드레인 영역;
상기 기판 상에 배치되어 전계를 인가하는 게이트 전극;
상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 개재되는 게이트 유전막; 및
상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 및
상기 컨택 구조물에 연결되는 커패시터;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 청구항 10에 있어서,
활성 영역이 정의된 기판;
상기 활성 영역을 가로질러 제1 방향으로 연장되는 워드 라인;
상기 워드 라인의 상부에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 비트 라인;
상기 활성 영역에 연결되는 컨택 구조물; 및
상기 컨택 구조물에 연결되는 커패시터;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220116333A KR20240037612A (ko) | 2022-09-15 | 2022-09-15 | 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 |
| PCT/KR2023/008121 WO2024058356A1 (ko) | 2022-09-15 | 2023-06-13 | 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220116333A KR20240037612A (ko) | 2022-09-15 | 2022-09-15 | 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240037612A true KR20240037612A (ko) | 2024-03-22 |
Family
ID=90275401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220116333A KR20240037612A (ko) | 2022-09-15 | 2022-09-15 | 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240037612A (ko) |
| WO (1) | WO2024058356A1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283007B1 (ko) | 1998-02-13 | 2001-02-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 저유전율 불소화 비정질 탄소 유전체 및 그 제조 방법 |
| KR100427508B1 (ko) | 1996-11-14 | 2004-07-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체장치및그제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100205318B1 (ko) * | 1996-10-11 | 1999-07-01 | 구본준 | 자유전율의 절연막 제조방법 |
| US6846737B1 (en) * | 2000-08-15 | 2005-01-25 | Intel Corporation | Plasma induced depletion of fluorine from surfaces of fluorinated low-k dielectric materials |
| KR102023111B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2019-11-25 | 광운대학교 산학협력단 | 용액 공정 처리된 탄소/불소중합체 전계 효과 트랜지스터와 그 전하 전이 개선 방법 |
| KR102375281B1 (ko) * | 2020-06-22 | 2022-03-17 | 울산과학기술원 | 고유전 탄화수소 박막을 이용한 커패시터 및 이를 이용한 반도체 소자 |
-
2022
- 2022-09-15 KR KR1020220116333A patent/KR20240037612A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-06-13 WO PCT/KR2023/008121 patent/WO2024058356A1/ko unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427508B1 (ko) | 1996-11-14 | 2004-07-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체장치및그제조방법 |
| KR100283007B1 (ko) | 1998-02-13 | 2001-02-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 저유전율 불소화 비정질 탄소 유전체 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024058356A1 (ko) | 2024-03-21 |
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