KR20240035276A

KR20240035276A - C 타입 포트를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법

Info

Publication number: KR20240035276A
Application number: KR1020220130453A
Authority: KR
Inventors: 김경원
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2022-09-08
Filing date: 2022-10-12
Publication date: 2024-03-15

Abstract

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 전자 장치는 전류원을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터 및 프로세서를 포함하고 상기 프로세서는 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고, 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.
이 밖에 다양한 실시예들이 가능하다.

Description

C 타입 포트를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법{ELECTRONIC DEVICE AND OPERATION METHOD OF ELECTRONIC DEVICE INCLUDING TYPE C PORT}

본 문서에 개시된 다양한 실시예들은, C 타입 포트를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법에 관한 것이다.

최근 디지털 기술의 발달과 함께 이동통신 단말기, PDA(personal digital assistant), 전자수첩, 스마트 폰, 태블릿 PC(personal computer), 웨어러블 디바이스(wearable device) 등과 같은 다양한 유형의 전자 장치가 널리 사용되고 있다. 이러한, 전자 장치는 데이터 전송을 위한 다양한 인터페이스를 제공하고 있으며, 전자 장치들 간에 설정되는 인터페이스에 대응하여 유선 방식 또는 무선 방식으로 전자 장치들 간의 데이터 통신(예: 송신 또는 수신)을 지원하고 있다.

예를 들어, 전자 장치는 블루투스(bluetooth), 와이파이(WiFi, wireless fidelity), NFC(near field communication) 등과 같이 근거리 통신 기반의 무선 방식으로 데이터를 주고받을 수 있는 인터페이스와, USB(universal serial bus) 등과 같이 케이블(cable) 기반의 유선 방식으로 데이터를 주고받을 수 있는 인터페이스를 제공하고 있다. 케이블 기반 유선 인터페이스의 일종으로 USB 인터페이스는 최근 USB 3.1 타입 C(Type-C) 규격의 인터페이스(이하, USB 타입 C 인터페이스)를 상용화하고 있다. USB 타입 C 인터페이스는 대칭 구조를 가지며, USB 케이블을 통해 전자 장치의 USB 인터페이스(예: USB 커넥터) 간 연결 시 방향성에 관계 없이 연결할 수 있다. 예를 들면, USB 케이블의 양쪽 끝에 달린 커넥터가 똑같은 모양(형태)을 가질 수 있고, 커넥터 자체도 앞뒤 구분이 없기 때문에 커넥터의 핀 방향성을 일치시킬 필요 없이 쉽게 연결이 가능하다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 전류원을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터 및 프로세서를 포함하고 상기 프로세서는 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고, 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 시스템은, 전자 장치, 및 외부 전자 장치를 포함하고, 상기 전자 장치는 상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 외부 전자 장치는 상기 CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고, 상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하고, 상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하고, 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하고, 상기 전자 장치는 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고, 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하는 동작, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작, 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하는 동작, 및 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하는 동작,을 포함하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하는 동작, 상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하는 동작, 상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하는 동작, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작을 포함하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 2b 및 2c는 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 C 타입 포트의 핀 구조를 도시한 도면이다.
도 2d 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 커넥터의 CC 단자의 단자 구조의 일부를 도시한 도면이다.
도 3a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 C 타입 통신에서 소스(source) 인 경우, 프로세서가 커넥터를 통하여 외부 전자 장치와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 C 타입 통신에서 싱크(sink) 장치인 경우, 프로세서가 커넥터를 통하여 외부 전자 장치와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 4는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치 및 외부 전자 장치가 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 C 타입 통신에서 소스(source) 인 경우, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 6은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 C 타입 통신에서 소스(source) 이고, 외부 전자 장치와 PD 통신을 수행하고 있는 경우, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.
도 8은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.
도 9는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(200) (예 : 도 1의 전자 장치(101)) 는 프로세서(220)(예: 도 1의 프로세서(120)), 및/또는 커넥터(210) (예: 도 1의 인터페이스(177) 및/또는 연결 단자(178)) 를 포함할 수 있다. 도 2a에 포함된 구성 요소는 전자 장치(200)에 포함된 구성들의 일부에 대한 것이며 전자 장치(200)는 이 밖에도 도 1에 도시된 것과 같이 다양한 구성요소를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 커넥터(210)는 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)를 연결할 수 있다. 커넥터(210)를 통하여 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)가 연결될 경우, 양방향으로 전력 충전 동작을 할 수 있다. 예를 들어, 커넥터(210)를 통하여 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)가 연결될 경우, 전력에서의 소스(source)와 싱크(sink)와, 데이터에서의 DFP(downstream facing port)와 UFP(upstream facing port) 역할이 각 장치에 결정될 수 있다.

다양한 실시예에 따른 커넥터(210)는 USB 타입 C 규격에 따를 수 있다. 커넥터(210)와 관련된 상세한 설명은 도 2b 및 2c에서 후술한다.

다양한 실시예에 따른 프로세서(220)는 CC 레벨 통신 신호를 송수신하도록 커넥터(210)를 제어할 수 있다. 프로세서(220)가 커넥터를 통하여 외부 전자 장치와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법은 도 3a 및 3b에서 후술한다.

도 2b 및 2c는 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 C 타입 포트의 핀 구조를 도시한 도면이다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))(200)의 커넥터(210)에는 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)가 삽입될 수 있다. 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)는 홀을 통해 수용되어 전자 장치(200)의 커넥터(210)와 물리적으로 접촉되고, 물리적 접촉에 따라 전기적으로 연결될 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 커넥터(210) 및 홀 구조는 리버서블(reversible) 한 구조일 수 있다. 커넥터(210)는 외부 전자 장치가 삽입되는 방향(예를 들어, 전자 장치(200)의 아래쪽에서 위쪽 방향)과 수직인 제1방향 및 제1방향과 반대인 제2방향에 대해 서로 대칭일 수 있다.

도 2b를 참고 하면, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)의 일면(예를 들어, A면)이 전자 장치(200)의 전면(예를 들어, 디스플레이가 위치한 면)과 평행한 방향으로 전자 장치(200)의 커넥터(210)에 삽입될 수 있으며, 마찬가지로 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)의 다른 일면(예를 들어, B면)이 전자 장치(200)의 전면과 평행한 방향으로 삽입될 수도 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 커넥터(210)는 복수의 단자를 포함할 수 있으며, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)가 서로 다른 방향으로 삽입될 경우, 전자 장치(200)의 커넥터(210)의 각 단자에 전기적으로 연결되는 외부 전자 장치의 각 단자는 다를 수 있다.

도 2c를 참조하면, 전자 장치(예: 전자 장치(200))의 커넥터는 USB 타입 C 규격에 따를 수 있으며, 도 2c는 전자 장치의 커넥터가 USB 타입 C 규격을 따르는 경우, 커넥터가 구비할 수 있는 복수의 단자들에 대해서 도시되어 있다. USB 타입 C 규격의 커넥터는 좌측 A라인 및 우측 B라인에 각각 12개 단자를 구비할 수 있으며, 서로 대칭인 형태일 수 있다.

전자 장치(200)의 커넥터(210)와 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)에 구성된 핀의 개수는 동일할 수 있다. 전자 장치(200)의 커넥터(210)와 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)는 윗 면에 형성된 열 두 개의 핀의 배열 순서와 아래 면에 형성된 열 두 개의 핀의 배열 순서와 동일하게 형성되기 때문에, 방향성에 상관없이(예: 180도 회전된 상태) 연결이 가능하다.

윗 면과 아래 면에 형성된 핀의 배열은 표 1과 같다.

Pin	Pin	Name	Function	Note
A1	B1	GND	Power	Support for 60W minimum (combined with all VBUS pins)
A2	B2	TX1+	USB 3.1 or Alternate Mode	10Gb/s differential pair with TX1-
A3	B3	TX1-	USB 3.1 or Alternate Mode	10Gb/s differential pair with TX1+
A4	B4	VBUS	Power	Support for 60W minimum (combined with all VBUS pins)
A5	B5	CC1	CC or VCONN	-
A6	B6	D+	USB 2.0	-
A7	B7	D-	USB 2.0	-
A8	B8	SBU1	Alternate Mode	Lower speed side band signal
A9	B9	VBUS	Power	Support for 60W minimum (combined with all VBUS pins)
A10	B10	RX2-	USB 3.1 or Alternate Mode	10Gb/s differential pair with RX2+
A11	B11	RX2+	USB 3.1 or Alternate Mode	10Gb/s differential pair with RX2-
A12	B12	GND	Power	Support for 60W minimum (combined with all VBUS pins)

USB 타입 C 인터페이스는 24개의 핀들이 형성되어 있다. 가역성(reversibility)으로 인해 24개의 핀들은 반사된 구성(mirrored configuration)으로 배치될 수 있다. 이러한 구조로 인해, 전자 장치(200)의 커넥터(210)를 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)에 180도 회전하여 장착할 수 있다. 이 경우, 대칭적인 핀은 함께 사용되지 않을 수 있다. 예를 들면, TX1+ 및 TX1-가 사용되면, TX2+, TX2-, RX2+, RX2-가 사용되지 않을 수 있고, RX1+, RX1-가 사용되면, RX2+, RX2-, TX2+, TX2-가 사용되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 접점 기판에는 총 24개(예: 윗 면에 12개 및 아래 면에 12개)의 핀이 존재하지만, 해당되는 핀이 동시에 사용되지 않을 수 있다. 어떤 핀이 사용될 것인지는 연결하는 케이블과 케이블 끝에 붙어 있는 커넥터, 상기 커넥터에 연결되는 장치의 커넥터 연결 상태에 따라 결정될 수 있다.본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 A6/B6 및 A7/B7단자를 통해 데이터 신호를 전송할 수 있다. 전자 장치(200)(또는, 외부 전자 장치(1000))는 A6/B6단자(D+)를 통해 외부 전자 장치(1000)(또는, 전자 장치(200))로 데이터를 전송할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)가 연결되면, CC1 및 CC2 단자를 통해 전기적 신호(예를 들어, 디지털 ID 또는 저항 ID)가 교환되고, 그에 따라 전자 장치 및 외부 장치는 연결된 다른 장치의 종류를 감지할 수 있다.

예를 들어, 커넥터의 윗 면에 형성된 CC(configuration channels)1 핀(A5)과 아래 면에 형성된 CC2 핀(B5)은 전자 장치(200)의 커넥터(210)에 연결된 외부 전자 장치(1000)의 용도를 파악하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(200)의 커넥터(210)에 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)의 윗 면이 위로 향하도록 꽂혀서 전자 장치(200)의 CC1 핀(210-A5)이 외부 전자 장치(1000)의 CC1 핀(1210-A5)에 연결되면, 전자 장치 장치(200)의 CC2 핀(210-B5)은 외부 전자 장치(1000) 인식용 IC를 위한 전원을 공급(VCONN)하는데 사용될 수 있다. 그리고, 전자 장치(200)의 커넥터(210) 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)의 윗 면이 아래로 향하도록 꽂혀서 전자 장치(200)의 CC2 핀(210-B5)이 외부 전자 장치(1000)의 CC2 핀(1210-B5)에 연결되면, 전자 장치(200)의 CC1 핀(210-A5)은 외부 전자 장치(1000) 인식용 IC를 위한 전원을 공급(VCONN)하는데 사용될 수 있다.

이러한 전자 장치(200)의 CC핀들(210-A5, 210-B5)은 전자 장치(200)의 CC 또는 VCONN으로 연결될 수 있으며, 전자 장치(200)의 CC핀들(210-A5, 210-B5))은 CC와 VCONN을 지원할 수 있다.

또한, 연결된 장치의 감지 결과에 따라 전자 장치는 DFP(downstream facing port) 모드, UFP(upstream facing port) 모드로 동작할 수 있다. DFP 모드는 데이터를 제공하는 모드를 의미할 수 있으며, UFP 모드는 데이터를 수신하는 모드를 의미할 수 있다.

장치들(예: 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(1000))은 서로 연결될 시 호스트(host)(예: DFP, downstream facing port)와 디바이스(device)(또는 슬레이브(slave))(예: UFP, upstream facing port)로 구분되어 동작할 수 있고, 이는 상기 커넥터의 CC 단자(예: CC1 또는 CC2)를 통해 지정될 수 있다. 예를 들어, 상기 커넥터를 이용한 연결(connection) 방법은 커넥터(connector) 체결 방향 인식과 디지털 데이터(digital data) 통신을 위한 CC1, CC2가 존재하며, 풀-업(pull-up)(Rp) 또는 전류 소스(current sourcing)와 풀-다운(pull-down)(Rd)에 의해 호스트(DFP)와 디바이스(UFP)로 역할 정의가 이루어질 수 있다. 상기 커넥터에서는 풀-다운(Rd)가 있는 쪽이 디바이스(UFP)로 정의되며, 호스트(DFP)는 디바이스(UFP)의 필요에 따라 전원 공급 핀((예: VBUS, VCONN)을 통해 전원을 공급할 수 있다.

CC 단자를 통한 연결을 보면, 호스트 장치는 풀-업(Rp)과 풀-다운(Rd)을 주기적으로 토글링하면서, 자신을 호스트로 지정하고, 슬레이브 장치를 슬레이브로 지정할 수 있다. 호스트 장치는 슬레이브 장치의 커넥터가 삽입되면, CC 단자에 전원을 인가하여 BMC 통신을 통해 슬레이브 장치와 통신할 수 있다. 또한, USB 타입 C 인터페이스에서는 풀-다운(Rd)가 있는 쪽이 슬레이브(예: 디바이스(UFP)))로 정의되며, 호스트(DFP)는 디바이스(UFP)의 필요에 따라 전원 공급 핀((예: VBUS, VCONN)을 통해 전원을 공급할 수 있다.

또한, 장치들(예 : 전자 장치(200) 및/또는 외부 전자 장치(1000))은 호스트(DFP)와 디바이스(UFP) 외에, DRP(dual role port)로 동작할 수 있다. 상기 DRP는 장치들의 호스트(DFP) 또는 디바이스(UFP)의 역할을 적응적으로 변경할 수 있는 모드(기능)를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 상기 DRP가 호스트(DFP)로 연결되어 있는 경우 디바이스(UFP)로 변경될 수 있고, 상기 DRP가 디바이스(UFP)로 연결되어 있는 경우 호스트(DFP)로 변경될 수 있다. 또한 2개의 DRP가 함께 연결되는 경우 호스트(DFP)와 디바이스(UFP) 중 랜덤(random), 예를 들면, 어느 하나의 DRP는 호스트(DFP)로 동작하고, 다른 하나의 DRP는 디바이스(UFP)로 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 스마트폰 또는 PC 등과 같은 전자 장치는 호스트(DFP)와 디바이스(UFP) 역할이 모두 가능하며, 이를 위해 풀-업과 풀-다운을 주기적으로 토글링(toggling)할 수 있다.

여러 동작 모드에서 각 단자의 역할은 USB 타입 C 표준에 의해 정의되어 있는 바, 각 단자의 역할에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.

도 2d 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(200)의 커넥터(210)의 CC 단자 구조의 일부를 도시한 도면이다.

다양한 실시예에 따른 커넥터(210)의 CC 단자는, 전류원(211), 저항단(212) 및/또는 비교기(213)를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전류원(211)은, 330uA, 180uA 및/또는 80uA의 전류를 생성할 수 있다.

프로세서(220)는, 전류원(211)을 제어하여 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(200)에 인가되는 전류의 크기를 결정할 수 있다.

일 실시예에 따른 프로세서(220)는, 인코딩한 메시지에 따라 330uA, 180uA 및/또는 80uA로 각각 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(220)는 제 1 전류 패턴(예 : 330uA →180uA → 80uA)제 2 전류 패턴(예 : 330uA →80uA → 180uA) 제 3 전류 패턴(예 : 180uA →330uA → 80uA) 제 4 전류 패턴(예 : 180uA →80uA →330uA) 제 5 전류 패턴(예 : 80uA →180uA →330uA) 제 6 전류 패턴(예 : 80uA →330uA → 180uA)의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 저항단(212)은, 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra), 20kohm(Vconn power dissipation discharging)로 변경될 수 있는 가변 저항기(212B) 및 클램퍼(212A)를 포함할 수 있다.

프로세서(220)는, 저항단(212)을 제어하여 커넥터(210)에 인가되는 전압의 크기를 제어할 수 있다.

일 실시에에 따르면, 인코딩한 메시지에 대응되는 패턴의 전압에 따라 저항값이 변하도록 CC 단자의 저항단(212)을 제어할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라 저항 값을 변경하도록 저항단(212)을 제어할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(220)는 제 1 전압 패턴(예 : 1.68V → 1.1V) 제 2 전압 패턴(예:0.9V → 0.19V), 제 3 전압 패턴(예 : 1.6V → 0.08V)으로 전압이 변경되도록 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 비교기(213)는, 전류의 변화 및/또는 전압의 변화를 감지하여, 관련 정보를 프로세서(220)에 제공할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 비교기(213)는 전류 및/또는 전압의 변화를 감지할 수 있고, 전류 및/또는 전압의 변화와 관련된 CC 레벨 통신 신호 정보를 프로세서(220)에 전달할 수 있다.

도 3a는, 다양한 실시예에 따른 외부 전자 장치(1000)가 C 타입 통신에서 소스(source) 인 경우, 프로세서(220)가 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 310에서, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메시지를 CC 단자의 전류원(211)에서 생성하는 전류의 패턴과 관련된 형태의 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

송신할 메시지와 전류의 패턴은 기 설정된 방식에 따라 결정되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 소스 메시지는 제 1 전류 패턴에, 제 2 소스 메시지는 제 2 전류 패턴에, 제 3 소스 메시지는 제 3 전류 패턴에, 제 4 소스 메시지는 제 4 전류 패턴에, 제 5 소스 메시지는 제 5 전류 패턴에, 제 6 소스 메시지는 제 6 전류 패턴에 대응되도록 결정되어 있을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메세지는 CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인하는 요청 메시지 및/또는 데이터를 포함하는 메시지일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 320에서, 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)에 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, CC 레벨 통신의 신호는 CC 단자의 전류원(211)에서 생성하는 지정된 패턴의 전류 변화일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

예를 들어, 전류원(211)은 330uA, 180uA 및/또는 80uA의 전류를 생성할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라 330uA, 180uA 및/또는 80uA로 각각 변화되는 패턴의 전류를 생성하여 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(220)는 제 1 전류 패턴(예 : 330uA →180uA → 80uA)제 2 전류 패턴(예 : 330uA →80uA → 180uA) 제 3 전류 패턴(예 : 180uA →330uA → 80uA) 제 4 전류 패턴(예 : 180uA →80uA → 330uA) 제 5 전류 패턴(예 : 80uA →180uA → 330uA) 제 6 전류 패턴(예 : 80uA →330uA → 180uA)의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

전류값의 변화	case #1	case #2	case #3
330uA → 180uA → 80uA	1	1	1
330uA → 80uA → 180uA	2	N/A	2
180uA → 330uA → 80uA	3	N/A	2
180uA → 80uA → 330uA	4	N/A	3
80uA → 180uA → 330uA	5	2	4
80uA → 330uA → 180uA	6	N/A	3

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)가 CC 단자의 전류원(211)을 제어하여 지정된 패턴의 전류를 생성하여 외부 전자 장치(1000)로 CC 레벨 통신 신호를 송신할 때, 외부 전자 장치(1000)(예 : Sink)의 CC 단자의 저항단(212)의 저항값은 지정된 값(예 : 5.1Kohm)으로 고정되어 있을 수 있다.다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 330에서, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는 CC 단자에서 CC 레벨 통신 신호를 송신한 이후에, 지정된 크기(예 : 330uA, 180uA 및/또는 80uA)의 전류 생성을 유지하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다. 외부 전자 장치(1000)의 CC 단자에서 생성되는 전류의 크기가 변경되는 경우, 외부 전자 장치(1000)로부터 획득하는 CC 레벨 통신의 신호를 확인할 수 없기 때문에, 프로세서(220)는 외부 전자 장치(1000)로부터 응답 신호를 수신하기 위하여 지정된 크기의 전류를 유지하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 340에서, CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치(1000)로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)는 저항단(212)을 제어하여 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(1000)는 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra), 20kohm(Vconn power dissipation discharging)로 변경될 수 있는 가변 저항기(212B) 및 클램퍼(212A)를 포함하는 저항단(212)의 저항 값을 변경하여, 지정된 패턴의 전압 변화에 대응하는 CC 레벨 통신 신호를 생성할 수 있다.

일 실시예에 따르면, CC 단자는 외부 전자 장치(1000)로부터 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득할 수 있다.

CC 단자는 비교기(comparator) 및 ADC block을 통하여 전압의 변화를 감지할 수 있고, 전압의 변화와 관련된 CC 레벨 통신 신호 정보를 프로세서(220)에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 350에서, 수신된 신호를 디코딩하여 메시지를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, CC 단자로부터 획득한 CC 레벨 통신 신호에 기반하여, 지정된 패턴의 전압 변화에 대응하는 메시지를 디코딩할 수 있다.

획득한 CC 레벨 통신 신호에 대응하는 전압의 패턴과 디코딩한 메시지는 기 설정된 방식에 따라 결정되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 전압 패턴은 제 1 싱크 메시지에, 제 2 전압 패턴은 제 2 싱크 메시지에, 제 3 전압 패턴은 제 3 싱크 메시지에, 제 4 전압 패턴은 제 4 싱크 메시지에 대응되도록 결정되어 있을 수 있다.

도 3b는, 다양한 실시예에 따른 외부 전자 장치(1000)가 C 타입 통신에서 싱크(sink) 장치인 경우, 프로세서(220)가 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 315에서, CC 단자를 통하여 외부 전자 장치(1000)로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)는 전류원(211)을 제어하여 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 외부 전자 장치(1000)는 전류원(211)이 생성하는 전류 값을 330uA, 180uA 및/또는 80uA로 변경하여, 지정된 패턴의 전류 변화에 대응하는 CC 레벨 통신 신호를 생성할 수 있다.

일 실시예에 따르면, CC 단자는 외부 전자 장치(1000)로부터 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득할 수 있다.

CC 단자는 비교기 및/또는 ADC block을 통하여 전류의 변화를 감지할 수 있고, 전류의 변화와 관련된 CC 레벨 통신 신호 정보를 프로세서(220)에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 325에서, 수신된 신호를 디코딩하여 메시지를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, CC 단자로부터 획득한 CC 레벨 통신 신호에 기반하여, 지정된 패턴의 전류 변화에 대응하는 메시지를 디코딩할 수 있다.

획득한 CC 레벨 통신 신호에 대응하는 전압의 패턴과 디코딩한 메시지는 기 설정된 방식에 따라 결정되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 전류 패턴은 제 1 소스 메시지에, 제 2 전류 패턴은 제 2 소스 메시지에, 제 3 전류 패턴은 제 3 소스 메시지에, 제 4 전류 패턴은 제 4 소스 메시지에, 제 5 전류 패턴은 제 5 소스 메시지에, 제 6 전류 패턴은 제 6 소스 메시지에 대응되도록 결정되어 있을 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 335에서, 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메시지를 CC 단자의 저항단(212)의 저항값 변화에 대응하는 전압의 패턴과 관련된 형태의 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

송신할 메시지와 전압의 패턴은 기 설정된 방식에 따라 결정되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 싱크 메시지는 제 1 전압 패턴에, 제 2 싱크 메시지는 제 2 전압 패턴에, 제 3 싱크 메시지는 제 3 전압 패턴에, 제 4 싱크 메시지는 제 4 전압 패턴에, 제 5 싱크 메시지는 제 5 전압 패턴에, 제 6 싱크 메시지는 제 6 전압 패턴에 대응되도록 결정되어 있을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메세지는 CC 레벨 통신이 가능함을 확인하는 응답 메시지(ACK/NAK 메시지) 및/또는 데이터를 포함하는 메시지일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 345에서, 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)에 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단(212)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, CC 레벨 통신의 신호는 CC 단자의 저항단(212)의 저항값 변화에 대응하는 지정된 패턴의 전압 변화일 수 있다.

예를 들어, 저항단(212)은 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra), 20kohm(Vconn power dissipation discharging)로 변경될 수 있는 가변 저항기(212B) 및 클램퍼(212A)를 포함할 수 있다.

예를 들어, 프로세서(220)는 제 1 전압 패턴(예 : 1.68V → 1.1V) 제 2 전압 패턴(예:0.9V → 0.19V), 제 3 전압 패턴(예 : 1.6V → 0.08V)으로 전압이 변경되도록 전항단을 제어할 수 있다.

저항단	전류원
저항단	330uA	180uA	80uA
20k	X(open)	X(open)	1.6V
5.1k	1.6V	0.9V	0.9V
clamping diode	1.1V	X	X
1k	0.33V	0.18V	0.08V

표 3은 전류원에 따라 저항단을 제어할 수 있는 예시이다.

표 3을 참조하면, 프로세서(220)는 전류원이 330uA인 경우, 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra)의 가변 저항기(212B) 및 클램퍼(212A)를 사용할 수 있다.프로세서(220)는 전류원이 180uA인 경우, 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra)의 가변 저항기(212B)를 사용할 수 있다.프로세서(220)는 전류원이 80uA인 경우, 20Kohm(Rd), 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra)의 가변 저항기(212B)를 사용할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는 지정된 크기의 저항값으로 저항단(212)을 제어하다가, 외부 전자 장치(1000)로부터 획득한 전류의 크기에 대응하는 저항값을 변경할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)가 CC 단자의 저항단(212)을 제어하여 지정된 패턴의 전압에 대응하는 CC 레벨 통신 신호를 외부 전자 장치(1000)로 송신할 때, 외부 전자 장치(1000)(예 : Source)의 CC 단자의 전류원(211)의 전류는 지정된 크기(예 : 330uA, 180uA 및/또는 80uA)의 전류 생성을 유지할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(220)는, 동작 355에서, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 CC 단자의 저항단(212)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(220)는 CC 단자에서 CC 레벨 통신 신호를 송신한 이후에, 지정된 값(예 : Rd 5.1Kohm)의 저항값을 유지하도록 CC 단자의 저항단(212)을 제어할 수 있다. 외부 전자 장치(1000)의 CC 단자의 저항단(212)의 저항값이 변경되는 경우, 외부 전자 장치(1000)로부터 획득하는 CC 레벨 통신의 신호를 확인할 수 없기 때문에, 프로세서(220)는 외부 전자 장치(1000)로부터 응답 신호를 수신하기 위하여 고정된 저항값을 유지하도록 CC 단자의 저항단(212)을 제어할 수 있다.

도 4는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200) 및 외부 전자 장치(1000)가 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, 동작 410에서, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, 외부 전자 장치(1000)에 송신할 메시지를 CC 단자의 전류원(211)에서 생성하는 전류의 패턴과 관련된 형태의 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, 동작 420에서, 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)에 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 커넥터(210)는, 동작 421에서, CC 레벨 통신 신호를 외부 전자 장치(1000)에 송신할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)의 커넥터(210)의 전류원(211)은 330uA, 180uA 및/또는 80uA의 전류를 생성할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라 330uA, 180uA 및/또는 80uA로 각각 변화되는 패턴의 전류를 생성하여 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 제 1 전류 패턴(예 : 330uA →180uA → 80uA)제 2 전류 패턴(예 : 330uA →80uA 180uA)제 3 전류 패턴(예 : 180uA →330uA →80uA)제 4 전류 패턴(예 : 180uA →80uA →330uA)제 5 전류 패턴(예 : 80uA →180uA →330uA)제 6 전류 패턴(예 : 80uA →330uA →180uA)의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)는, 전자 장치(200)로부터 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)는, 동작 1210에서, 수신된 CC 레벨 통신 신호를 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)에 전달할 수 있다.

예를 들어, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)의 CC 단자는 비교기 및/또는 ADC block을 통하여 전류의 변화를 감지할 수 있고, 전류의 변화와 관련된 CC 레벨 통신 신호 정보를 프로세서(1220)에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, 동작 430에서, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 CC 단자에서 CC 레벨 통신 신호를 송신한 이후에, 지정된 크기(예 : 330uA, 180uA 및/또는 80uA)의 전류 생성을 유지하도록 CC 단자의 전류원(211)을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, 동작 440에서, 수신된 신호를 디코딩하여 메시지를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, CC 단자로부터 획득한 CC 레벨 통신 신호에 기반하여, 지정된 패턴의 전류 변화에 대응하는 메시지를 디코딩할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, 동작 450에서, 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, 전자 장치(200)에 송신할 메시지를 CC 단자의 저항단의 저항값 변화에 대응하는 전압의 패턴과 관련된 형태의 CC 레벨 통신 신호로 인코딩할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)에 송신할 메세지는 CC 레벨 통신이 가능함을 확인하는 응답 메시지(ACK/NAK 메시지) 및/또는 데이터를 포함하는 메시지일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, 동작 461에서, 커넥터(1210)를 통하여 전자 장치(200)에 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, CC 레벨 통신의 신호는 CC 단자의 저항단의 저항값 변화에 대응하는 지정된 패턴의 전압 변화일 수 있다.

일 실시에에 따르면, 인코딩한 메시지에 대응되는 패턴의 전압에 따라 저항값이 변하도록 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

예를 들어, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는 제 1 전압 패턴(예 : 1.68V → 1.1V) 제 2 전압 패턴(예:0.9V → 0.19V), 제 3 전압 패턴(예 : 1.6V → 0.08V)으로 전압이 변경되도록 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 커넥터(1210)는, 동작 462에서, 전압 변경에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 전자 장치(200)에 송신할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 커넥터(210)는, 동작 463에서, 외부 전자 장치(1000)로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고, 수신한 신호를 전자 장치(200)의 프로세서(220)에 전달할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 커넥터(210)의 CC 단자는 외부 전자 장치(1000)로부터 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득할 수 있다.

전자 장치(200)의 커넥터(210)의 CC 단자는 비교기(comparator) 및 ADC block을 통하여 전압의 변화를 감지할 수 있고, 전압의 변화와 관련된 CC 레벨 통신 신호 정보를 전자 장치(200)의 프로세서(220)에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(1220)는, 동작 470에서, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 외부 전자 장치(1000)의 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 외부 전자 장치(1000)의 프로세서(220)는 외부 전자 장치(1000)의 CC 단자에서 CC 레벨 통신 신호를 송신한 이후에, 지정된 값(예 : Rd 5.1Kohm)의 저항값을 유지하도록 외부 전자 장치(1000)의 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, 동작 480에서, 수신된 신호를 디코딩하여 메시지를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(200)의 프로세서(220)는, CC 단자로부터 획득한 CC 레벨 통신 신호에 기반하여, 지정된 패턴의 전압 변화에 대응하는 메시지를 디코딩할 수 있다.

도 5는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 소스(source) 인 경우, 커넥터(210)를 통하여 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 510에서, 커넥터(210)의 CC(Configuration Channel) 단에서, C 타입 디텍션(type C detection) 상태일 수 있다.

C 타입 디텍션(type C detection)은, 커넥터(210)(예 : C 타입 USB)를 통하여 외부 전자 장치(1000)에 연결되었는지 여부를 확인하는 상태일 수 있다. 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)가 연결되면, C 타입 디텍션(type C detection) 동작에서 CC1 및 CC2 단자를 통해 전기적 신호가 교환되고, 그에 따라 전자 장치(200) 및 외부 장치는 연결된 다른 장치의 종류를 감지할 수 있다.

예를 들어, C 타입 디텍션(type C detection)에서, 전력의 소스(source)인 장치와 싱크(sink)인 장치가 결정될 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따른전자 장치(200)가 소스(Source) 장치로, 외부 전자 장치(1000)가 싱크(Sink) 장치로 결정될 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 520에서, 외부 전자 장치(1000)에 Source Cap 메세지를 전달할 수 있다.

일 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 외부 전자 장치(1000)와 PD 통신이 가능한지 여부를 확인하기 위하여, 커넥터(210)를 통해 외부 전자 장치(1000)에 Source Cap 메시지를 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 530에서, 외부 전자 장치(1000)로부터Good CRC 메시지를 수신하였는지 여부를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따른 외부 전자 장치(1000)는, PD(Power Delivery) 통신이 가능한 경우 전자 장치(200)의 Source Cap에 대한 응답으로 Good CRC 메시지를 전자 장치(200)에 송신할 수 있다.

일 실시예에 따른 외부 전자 장치(1000)는, PD 통신이 불가능한 경우 전자 장치(200)의 Source Cap에 대한 응답 메시지를 송신하지 않을 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 540에서, 외부 전자 장치(1000)로부터 Good CRC 메시지를 수신함에 대응하여(예 : 동작 530 - 예), PD 통신을 수행할 수 있다.

일 실시예에 따른 PD 통신은, 소스(Source)인 전자 장치(200)의 전력을 싱크(Sink)인 외부 전자 장치(1000)에 공급하는 통신 방법으로, 커넥터(210)를 이용한 고속 충전 방식일 수 있다.

전자 장치(200)는 커넥터(210)를 이용한 PD 통신을 통하여 외부 전자 장치(1000)에 전력을 공급할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 550에서, 외부 전자 장치(1000)로부터Good CRC 메시지를 수신하지 못함에 대응하여(예 : 동작 530 - 아니오), 하드리셋 및 C 타입 디텍션 상태로 변경할 수 있다.

일 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 외부 전자 장치(1000)가 PD 통신이 불가능하여 외부 전자 장치(1000)로부터 응답 메시지를 수신하지 못함에 대응하여, PD 통신 초기화를 위한 하드리셋 동작을 수행하고, C 타입 디텍션 동작을 수행할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 560에서, CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 도 3a의 동작 310 내지 동작 350을 수행하여, 외부 전자 장치(1000)에서 CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인하는 요청 메시지를 인코딩하여 CC 레벨 통신 신호를 외부 전자 장치(1000)에 송신하고, CC 레벨 통신이 가능함을 확인하는 응답 메시지(ACK/NAK 메시지)가 인코딩된 CC 레벨 통신 신호를 외부 전자 장치(1000)로부터 수신하였는지 여부를 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 외부 전자 장치(1000)가 CC 레벨 통신이 불가능함에 대응하여(예 : 동작 560 - 아니오), C 타입 디텍션 상태로 변경하고, 타입 C 충전을 수행할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(1000)로부터 응답 메시지(ACK/NAK 메시지)가 인코딩된 CC 레벨 통신 신호를 수신하지 못함에 대응하여, 하드리셋 및 C 타입 디텍션 동작을 수행할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 570에서, 외부 전자 장치(1000)가 CC 레벨 통신이 가능함에 대응하여(예 : 동작 560 - 예), CC 레벨 통신으로 외부 전자 장치(1000)와 데이터를 송수신할 수 있다.

일 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 도 3a의 동작 310 내지 동작 350을 수행하여, 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 통신을 수행할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(1000)와 데이터를 포함하는 메시지가 인코딩된 CC 레벨 통신 신호를 송수신할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 580에서, CC 레벨 통신이 종료되었는지 여부를 확인할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 통신 신호를 지정된 시간 이상 송수신 하지 않음에 대응하여, CC 레벨 통신이 종료되었다고 판단하고, C 타입 디텍션 상태로 변경할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(1000)와의 커넥터(210) 연결이 끊어지거나 및/또는 Vbus가 Vsafe0V가 됨에 대응하여, CC 레벨 통신을 초기화하고, DRP를 통하여 다시 C 타입 디텍션 상태로 변경할 수 있다.

도 6은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 소스(source) 이고, 외부 전자 장치(1000)와 PD 통신을 수행하고 있는 경우, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치(1000)와 CC 레벨 변화를 이용한 통신을 수행하는 방법을 도시한 흐름도이다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 610에서, 외부 전자 장치(1000)와 PD 통신을 수행할 수 있다.

일 실시예에 따른 PD 통신은, 소스(Source)인 전자 장치(200)의 전력을 싱크(Sink)인 외부 전자 장치(1000)에 공급하는 통신 방법으로, 커넥터를 이용한 고속 충전 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 620에서, 외부 전자 장치(1000)와 PPS 통신인지 여부를 확인할 수 있다.

일 실시예에 따른 PPS(Programmable Power supply) 통신은, 충전하는 전압을 프로그래밍 방식으로 가변하여 제공하는 충전 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 630에서, PPS 통신임에 대응하여(예 : 동작 620 - 예), 타이머 주기의 최대값을 설정하고, Collision Avoidance 옵션을 비활성화할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 PPS 통신의 최대 주기를 지정된 값(예 : 15초)으로 설정할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 640에서, PPS 통신이 아님에 대응하여(예 : 동작 620 - 아니오), BMC블록을 비활성화 할 수 있다.

일 실시예에 따른 BMC(Biphase Mark Coding) 블록은, 2위상 마크 코드 인코딩을 사용하여 커넥터에서의 통신을 수행하는 블록일 수 있다.

전자 장치(200)는, CC 레벨 통신 안정화를 위하여 BMC 블록을 비활성화할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 650에서, 커넥터의 CC(Configuration Channel) 단에서, C 타입 디텍션(type C detection) 상태일 수 있다.

C 타입 디텍션(type C detection)은, 커넥터(예 : C 타입 USB)를 통하여 외부 전자 장치(1000)에 연결되었는지 여부를 확인하는 상태일 수 있다. 전자 장치(200)와 외부 전자 장치(1000)가 연결되면, C 타입 디텍션(type C detection) 동작에서 CC1 및 CC2 단자를 통해 전기적 신호가 교환되고, 그에 따라 전자 장치(200) 및 외부 장치는 연결된 다른 장치의 종류를 감지할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 660에서, CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 외부 전자 장치(1000)가 CC 레벨 통신이 불가능함에 대응하여(예 : 동작 660 - 아니오), C 타입 디텍션 상태로 변경하고, 타입 C 충전을 수행할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 670에서, 외부 전자 장치(1000)가 CC 레벨 통신이 가능함에 대응하여(예 : 동작 660 - 예), CC 레벨 통신으로 외부 전자 장치(1000)와 데이터를 송수신할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)는, 동작 680에서, CC 레벨 통신이 종료되었는지 여부를 확인할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치(200)는 외부 전자 장치(1000)와의 커넥터 연결이 끊어지거나 및/또는 Vbus가 Vsafe0V가 됨에 대응하여, CC 레벨 통신을 초기화하고, DRP를 통하여 다시 C 타입 디텍션 상태로 변경할 수 있다.

도 7은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.

그림 (a)는, 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 소스(source)인 경우에 프로세서(220)가 전류원(211)을 제어하여 생성하는 CC 레벨 신호일 수 있다.

그림 (b), (c) 및 (d)는 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 싱크(sink)인 경우에 프로세서(220)가 저항단(212)을 제어하여 생성하는 CC 레벨 신호일 수 있다.

그림 (a)를 참조하면, 소스(source) 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라 330uA, 180uA 및/또는 80uA로 각각 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

싱크(Sink)인 외부 전자 장치(1000)는, 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득 및 디코딩하여, 전자 장치(200)의 메시지를 확인할 수 있다.

그림 (b)를 참조하면, 싱크(Sink)인 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라, 1.6V → 0.08 V로 변화되는 패턴의 전압을 생성하도록, 20kohm(Vconn power dissipation discharging) 및 1Kohm(Ra)의 저항단(212)을 제어할 수 있다. 이 때, 소스(Source)인 외부 전자 장치(1000)는 80uA의 전류를 생성하고 있는 상태일 수 있다.

그림 (c)를 참조하면, 싱크(Sink)인 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라, 0.9V → 0.18 V로 변화되는 패턴의 전압을 생성하도록, 5.1Kohm(Rd) 및 1Kohm(Ra)의 저항단(212)을 제어할 수 있다. 이 때, 소스(Source)인 외부 전자 장치(1000)는 180uA의 전류를 생성하고 있는 상태일 수 있다.

그림 (d)를 참조하면, 싱크(Sink)인 전자 장치(200)의 프로세서(220)는 인코딩한 메시지에 따라, 1.68V → 1.1V로 변화되는 패턴의 전압을 생성하도록, 5.1Kohm(Rd)의 저항단(212) 및 클램퍼를 제어할 수 있다. 이 때, 소스(Source)인 외부 전자 장치(1000)는 330uA의 전류를 생성하고 있는 상태일 수 있다.

소스(Source)인 외부 전자 장치(1000)는, 그림 (b), (c), (d)와 같이 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되는 CC 레벨 통신 신호를 획득 및 디코딩하여, 전자 장치(200)의 메시지를 확인할 수 있다.

도 8은, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.

도 8은, 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 소스(source)인 경우, 데이터를 송신할 때의 CC 레벨 신호의 예시일 수 있다.

전자 장치(200)는, 데이터를 포함하는 메시지를 인코딩하여 CC 레벨 통신 신호를 송신할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 MLT-3(Multi-Level transmit) 방식을 통하여 데이터를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하여 송신할 수 있다.

도 8을 참조하면, 전자 장치(200)는 지정된 주기로 클럭이 발생할 때 마다, 전자 장치(200)는 전류원(211)을 제어하여 330uA, 180uA 및/또는 80uA의 전류를 생성할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터를 기 설정된 방식에 따라 결정된 전류의 패턴에 따라 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 “10100111001”의 데이터를 송신하기 위하여, 전류원(211)이 “330uA →330uA →180uA →180uA →180uA →80uA→180uA→330uA→330uA→330uA→180uA”과 같이 지정된 패턴의 전류를 생성하도록 전류원(211)을 제어할 수 있다.

도 9는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가 생성하는 CC 레벨 신호의 예시를 도시한 도면이다.

도 9는, 전자 장치(200)가 C 타입 통신에서 싱크(sink)인 경우, 데이터를 송신할 때의 CC 레벨 신호의 예시일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 2상 마크 인코딩(Bi-phase Mark Encoding) 방식을 통하여 데이터를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하여 송신할 수 있다.

도 9를 참조하면, 전자 장치(200)는 지정된 주기로 클럭이 발생할 때 마다, 전자 장치는 5.1Kohm(Rd), 1Kohm(Ra), 20kohm(Vconn power dissipation discharging)로 변경될 수 있는 가변 저항기 및 클램퍼를 포함하는 저항단을 제어하여 지정된 패턴으로 전압을 변경할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(200)는 데이터를 기 설정된 방식에 따라 결정된 전압의 패턴에 대응하도록 저항단을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)는 “1010011”의 데이터를 송신하기 위하여, 저항단의 저항값이 “5.1Kohm(Rd)→ 1Kohm(Ra)→ 5.1Kohm(Rd)→ 5.1Kohm(Rd)→ 1Kohm(Ra)→ 5.1Kohm(Rd)→ 1Kohm(Ra)→ 1Kohm(Ra)→ 5.1Kohm(Rd)→ 5.1Kohm(Rd)→ 1Kohm(Ra)→ 5.1Kohm(Rd)→ 1Kohm(Ra) ”과 같이 지정된 패턴의 전압에 대응되도록 저항단을 제어할 수 있다.

C 타입 커넥터 중에서 PD 통신을 지원하지 않는 CC 단자는 C 타입 디텍션의 용도로 사용된다. 이 경우, 해당 CC 채널이 점유된 상태에서는 추가적인 통신이 불가능하였다. 따라서, PD 통신을 지원하지 않는 CC 단자를 포함하는 전자 장치는, 고속 충전이 불가능하고, 일반 충전만 가능하였다.

또한, PD 통신은 지원하는 CC 단자이더라도 CC 채널이 점유 된 상태에서 추가적으로 통신이 필요한 경우에는, 기존 PD 통신 메시지를 처리하고 메시지를 전달해야 하므로 통신 지연 및 끊김과 같은 문제점이 있다.

또한, CTVPD에서, 호스트 장치에서 Vconn 전력으로 CTVPD에 전력을 전달하면서, 충전 장치와 PD 통신 하는 경우, 호스트 장치에서 CTVPD의 상태를 주기적으로 폴링 상태로 확인하여 CTVPD의 Vconn 공급 전력을 제어했다. 반면, CTVPD에서 호스트 장치로는 통신이 불가능하기 때문에, CTVPD는 폴링 상태를 기다리거나 PPS 통신인 경우에는 호스트 장치의 상태와 관련된 정보를 알 수 없어, 소모 전력이 높아질 수 있다.

본 문서에서 개시하는 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, CC 단자에서 C 타입디텍션 상태에서, CC 단자의 전류원 및/또는 저항단을 제어하여 CC 단자의 전류 및/또는 전압 변화 패턴을 이용한 CC 레벨 변화 통신을 제공할 수 있다.

이에 따라, 전자 장치는 PD 통신이 지원되지 않는 CC 단자와의 통신을 가능하게 하게 하여, 고속 충전이 가능할 수 있다. 또한, 전자 장치는 CC 단자에서 PD 통신과 병렬로 CC 레벨 통신이 가능할 수 있다. 또한, 전자 장치는 CTVPD에서 호스트 장치로 CC 레벨 통신을 가능하게 하여, 소모 전력을 줄일 수 있다.

본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.예를 들어, 전자 장치는 데이터의 DFP와 UFP, 전력의 소스(source)와 싱크(sink) 역할이 일치하지 않더라도, CC 레벨 통신을 이용하여 상호 데이터를 송수신할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는 PD 통신과 CC 레벨 통신을 동시에 동작할 수 있어, CC 채널의 효율성을 높일 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는 CTVPD에서 PD 통신 상태에서도 CC 레벨 통신을 이용하여 상호 데이터를 송수신하여, 불필요한 소모 전력을 줄일 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는 CC 단자가 PD 통신을 지원하지 않더라도, CC 레벨 통신을 이용하여 응답 메시지를 송신하여 PD 통신을 이용한 고속 전력 충전을 제공받을 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는 하드웨어의 추가 없이, 종래 C 타입 포트의 회로 구성 그대로 CC 레벨 통신을 사용할 수 있다.

예를 들어, 전자 장치는 USP-IF 규격을 만족하면서, CC 레벨 통신을 사용할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 전류원을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터 및 프로세서를 포함하고 상기 프로세서는 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고, 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고,

상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지는 CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인하는 요청 메시지 또는 데이터를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 프로세서는 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 전류원은 제 1 전류값, 제 2 전류값 및 제 3 전류값을 생성하고, 상기 프로세서는 상기 제 1 전류값, 상기 제 2 전류값 또는 상기 제 3 전류값으로 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 전류원을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 커넥터는 비교기를 더 포함하고, 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호는 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되고, 상기 비교기는 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전압의 변화를 감지하고, 상기 전압의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 저항단을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터, 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는 상기 CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고, 상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하고, 상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하고, 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지는 CC 레벨 통신이 함을 확인하는 응답 메시지 또는 데이터를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 프로세서는 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하고, 상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 저항단은 제 1 저항, 제 2 저항 및 제 3 저항을 포함하고, 상기 프로세서는 변화되는 패턴의 전압를 생성하기 위하여 상기 저항단의 저항들을 선택적으로 사용하도록 상기 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치에서, 상기 커넥터는 비교기를 더 포함하고, 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 신호는 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되고, 상기 비교기는 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전류의 변화를 감지하고, 상기 전류의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 시스템은, 전자 장치, 및 외부 전자 장치를 포함하고, 상기 전자 장치는 상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 외부 전자 장치는 상기 CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고, 상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하고, 상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하고, 상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하고, 상기 전자 장치는 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고, 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 시스템에서, 상기 전자 장치는 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고, 상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 시스템에서, 상기 외부 전자 장치는 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하고, 상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 시스템에서, 상기 전자 장치는 비교기를 이용하여 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따라 전압의 변화를 감지하고, 상기 외부 전자 장치는 비교기를 이용하여 상기 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따라 전류의 변화를 감지할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하는 동작, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작, 상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하는 동작, 및 수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하는 동작,을 포함하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법에서, 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작, 및 상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법에서, 제 1 전류값, 제 2 전류값 또는 제 3 전류값으로 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 전류원을 제어하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법에서, 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호는 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되고,

상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전압의 변화를 감지하는 동작 및 상기 전압의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달하는 동작을 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은, CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하는 동작, 상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하는 동작, 상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하는 동작, 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작,을 포함하고, 상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식일 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법에서, 상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작, 및 상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작을 포함할 수 있다.본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치에 있어서,
전류원을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터; 및
프로세서를 포함하고,
상기 프로세서는
외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고,
상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고,
상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고,
수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고,
상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식인
전자 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지는 CC 레벨 통신이 가능한지 여부를 확인하는 요청 메시지 또는 데이터를 포함하는
전자 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 프로세서는
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고,
상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는
전자 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 전류원은 제 1 전류값, 제 2 전류값 및 제 3 전류값을 생성하고,
상기 프로세서는
상기 제 1 전류값, 상기 제 2 전류값 또는 상기 제 3 전류값으로 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 전류원을 제어하는
전자 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 커넥터는 비교기를 더 포함하고,
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호는 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되고,
상기 비교기는
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전압의 변화를 감지하고,
상기 전압의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달하는
전자 장치.
전자 장치에 있어서,
저항단을 포함하는 CC 단자를 포함하는 커넥터; 및
프로세서를 포함하고,
상기 프로세서는
상기 CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고,
상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하고,
상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하고,
상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하고,
상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식인
전자 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지는 CC 레벨 통신이 함을 확인하는 응답 메시지 또는 데이터를 포함하는
전자 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 프로세서는
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하고,
상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는
전자 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 저항단은 제 1 저항, 제 2 저항 및 제 3 저항을 포함하고,
상기 프로세서는
변화되는 패턴의 전압를 생성하기 위하여 상기 저항단의 저항들을 선택적으로 사용하도록 상기 저항단을 제어하는
전자 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 커넥터는 비교기를 더 포함하고,
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 신호는 지정된 패턴의 전류 변화에 대응되고,
상기 비교기는
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전류의 변화를 감지하고,
상기 전류의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달하는
전자 장치.
시스템에 있어서,
전자 장치; 및 외부 전자 장치;를 포함하고,
상기 전자 장치는
상기 외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하고,
커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하고,
상기 외부 전자 장치는
상기 CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하고,
상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하고,
상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하고,
상기 커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하고,
상기 전자 장치는
상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하고,
수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하고,
상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식인
시스템.
제 11 항에 있어서,
상기 전자 장치는
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하고,
상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는
시스템.
제 11 항에 있어서,
상기 외부 전자 장치는
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하고,
상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는
시스템.
제 11 항에 있어서,
상기 전자 장치는
비교기를 이용하여 상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따라 전압의 변화를 감지하고,
상기 외부 전자 장치는
비교기를 이용하여 상기 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따라 전류의 변화를 감지하는
시스템.
전자 장치의 동작 방법에 있어서,
외부 전자 장치에 송신할 메시지를 CC 레벨 통신 신호로 인코딩하는 동작;
커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 신호를 송신하도록 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작;
상기 CC 단자를 통하여, 상기 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 응답 신호를 수신하는 동작; 및
수신된 응답 신호를 디코딩하여 응답 메시지를 확인하는 동작;을 포함하고,
상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식인
전자 장치의 동작 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 신호에 대응되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작; 및
상기 CC 레벨 통신 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전류 생성을 유지하도록 상기 CC 단자의 전류원을 제어하는 동작을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
제 16 항에 있어서,
제 1 전류값, 제 2 전류값 또는 제 3 전류값으로 변화되는 패턴의 전류를 생성하도록 상기 전류원을 제어하는 동작을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호는 지정된 패턴의 전압 변화에 대응되고,
상기 외부 전자 장치로부터 수신한 CC 레벨 통신 응답 신호에 따른 전압의 변화를 감지하는 동작; 및
상기 전압의 변화와 관련된 정보를 상기 프로세서에 전달하는 동작을 더 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
전자 장치의 동작 방법에 있어서,
CC 단자를 통하여, 외부 전자 장치로부터 CC 레벨 통신 신호를 수신하는 동작;
상기 수신한 신호를 디코딩하여 메시지를 확인하는 동작;
상기 외부 전자 장치에 송신할 응답 메시지를 CC 레벨 통신 응답 신호로 인코딩하는 동작;
커넥터를 통하여 외부 전자 장치에 상기 CC 레벨 통신 응답 신호를 송신하도록 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작;을 포함하고,
상기 CC 레벨 통신은 상기 CC 단자에 인가되는 전류 또는 전압의 변화 패턴에 기반하여 통신하는 방식인
전자 장치의 동작 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 인코딩한 CC 레벨 통신 응답 신호에 대응되는 패턴의 전압에 대응되도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작; 및
상기 CC 레벨 통신 응답 신호 송신 이후, 지정된 크기의 전압을 유지하도록 상기 CC 단자의 저항단을 제어하는 동작을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.